Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные BJT-транзисторы(15763)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Частота | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Макс. частота | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Напряжение запуска | Время задержки отключения | Продукт увеличения пропускной способности | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Непрерывный ток коллектора | Ток насыщения | Мощность - Макс. | Выходное напряжение 1 | Входное напряжение (мин.) | Входное напряжение (макс.) | Максимальное напряжение проба | Код JEDEC-95 | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Тип регулятора | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота смены | Выходное напряжение1-Макс. | Выходное напряжение1-мин. | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Выключить Тайм-Макс (toff) | Время включения-Макс (тонна) | Рассеяние мощности при температуре окружающей среды, макс. | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | VCEsat-Макс | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Макс. коллектор-базы | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BCP54H6327XTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/infineontechnologies-bcp5610h6433-datasheets-4028.pdf | -45В | 1,5 А | ТО-261-4, ТО-261АА | Без свинца | 4 | 6 недель | 4 | EAR99 | Олово | 2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | BCP54 | НЕ УКАЗАН | 1,5 Вт | 1 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | 2 Вт | 45В | 500мВ | 1А | 45В | 100на ИКБО | НПН | 40 @ 150 мА 2 В | 100 МГц | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC337,112 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-bc33716126-datasheets-6587.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 3 | да | EAR99 | неизвестный | е3 | ИНН | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | BC337 | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | O-PBCY-W3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 0,625 Вт | 625 МВт | 100 МГц | 45В | 500 мА | 0,7 В | 100на ИКБО | НПН | 100 @ 100 мА 1 В | 100 МГц | 700 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC557,112 | NXP США Инк. | 0,06 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-bc557b116-datasheets-1004.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 3 | EAR99 | неизвестный | 8541.21.00.95 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | НИЖНИЙ | 250 | BC557 | 3 | 40 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | О-PBCY-T3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 0,625 Вт | 500мВт | 100 МГц | 45В | 100 мА | 0,65 В | 15на ИКБО | ПНП | 125 при 2 мА 5 В | 100 МГц | 650 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCP5116H6327XTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/infineontechnologies-bcp5316e6327-datasheets-0498.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | Олово | 2 Вт | BCP51 | ПГ-СОТ223-4 | 2 Вт | 45В | 500мВ | 1А | 45В | 1А | 45В | 100на ИКБО | ПНП | 100 @ 150 мА 2 В | 125 МГц | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PVR100AD-B3V3,115 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 1,1 мм | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | СК-74, СОТ-457 | 2,9 мм | 1,5 мм | 6 | да | 8541.21.00.75 | 1 | е3 | ИНН | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 0,95 мм | ПВР100А | 6 | 40 | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г6 | 300мВт | 3,3 В | 5,3 В | 40В | СТАНДАРТНЫЙ РЕГУЛЯТОР С ФИКСИРОВАННЫМ ПОЛОЖИТЕЛЬНЫМ ВЫХОДОМ | 3,53 В | 3,07 В | 45В | 100 мА | 100на ИКБО | НПН + Зенер | 160 @ 100 мА 1 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БКП 54-16 H6779 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-bcp54e6327htsa1-datasheets-1680.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | BCP54 | 2 Вт | 45В | 1А | 100на ИКБО | НПН | 100 @ 150 мА 2 В | 100 МГц | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НО11APX-1200,127 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 1999 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-but11apx1200127-datasheets-1117.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | 3 | не_совместимо | е3 | ИНН | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НО11 | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 32 Вт | 32 Вт | 550В | 6А | 1 мА | НПН | 20 @ 500 мА 5 В | 1 В при 400 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БК 846BW H6327 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/infineontechnologies-bc847ae6327htsa1-datasheets-2887.pdf | СК-70, СОТ-323 | 3 | НИЗКИЙ ШУМ | совместимый | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | BC846 | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 250 мВт | 250 МГц | 65В | 100 мА | 15на ИКБО | НПН | 200 при 2 мА 5 В | 250 МГц | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC639,116 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-bc639112-datasheets-1065.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 3 | EAR99 | 8541.21.00.75 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | НИЖНИЙ | 250 | BC639 | 3 | 40 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | О-PBCY-T3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 0,8 Вт | 830мВт | 180 МГц | 80В | 1А | 0,5 В | 100на ИКБО | НПН | 63 @ 150 мА 2 В | 180 МГц | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCP51H6327XTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/infineontechnologies-bcp5316e6327-datasheets-0498.pdf | 45В | 1,5 А | ТО-261-4, ТО-261АА | Без свинца | 25 недель | 4 | EAR99 | 2 Вт | BCP51 | Другие транзисторы | Одинокий | ПНП | 2 Вт | 45В | 500мВ | 1А | 100на ИКБО | ПНП | 40 @ 150 мА 2 В | 125 МГц | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2PA1576R/ЗЛС | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-2pa1576rzlx-datasheets-1129.pdf | СК-70, СОТ-323 | СОТ-323-3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DSA7004R0L | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/panasonicelectroniccomComponents-dsa7004s0l-datasheets-5962.pdf | ТО-243АА | 4,5 мм | 1,5 мм | 2,5 мм | 3 | 10 недель | 3 | EAR99 | 120 МГц | неизвестный | 1 Вт | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | ДСА7004 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | -2А | 50В | 50В | -300мВ | 300мВ | 2А | 130 МГц | -60В | -5В | 120 | 100на ИКБО | ПНП | 120 @ 200 мА 2 В | 120 МГц | 300 мВ при 50 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПВР100АД-Б12В,115 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 1,1 мм | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | СК-74, СОТ-457 | 2,9 мм | 1,5 мм | 6 | да | 8541.21.00.75 | 1 | е3 | ИНН | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 0,95 мм | ПВР100А | 6 | 40 | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г6 | 300мВт | 12,3 В | 14 В | 40В | СТАНДАРТНЫЙ РЕГУЛЯТОР С ФИКСИРОВАННЫМ ПОЛОЖИТЕЛЬНЫМ ВЫХОДОМ | 13,2 В | 11,4 В | 45В | 100 мА | 100на ИКБО | НПН + Зенер | 160 @ 100 мА 1 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БД241А-А | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-bd241aa-datasheets-1090.pdf | ТО-220-3 | НПН | 40 Вт | БД241 | Одинокий | ТО-220АБ | 40 Вт | 60В | 1,2 В | 3А | 60В | 3А | 5В | 300 мкА | НПН | 25 @ 1А 4В | 1,2 В при 600 мА, 3 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC635,116 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-bc635112-datasheets-1073.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 3 | EAR99 | неизвестный | 8541.21.00.75 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | BC635 | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | О-PBCY-T3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 0,8 Вт | 830мВт | 180 МГц | 45В | 1А | 0,5 В | 100на ИКБО | НПН | 63 @ 150 мА 2 В | 180 МГц | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCP5610H6327XTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/infineontechnologies-bcp5610h6433-datasheets-4028.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 4 | 6 недель | 4 | EAR99 | Олово | АЭК-Q101 | 2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | BCP56 | НЕ УКАЗАН | 1 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 2 Вт | 80В | 500мВ | 1А | 100 МГц | 100 В | 100на ИКБО | НПН | 63 @ 150 мА 2 В | 100 МГц | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPS6601RLRAG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-mps6652g-datasheets-6761.pdf | 25 В | 1А | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Без свинца | 3 | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 625 МВт | НИЖНИЙ | 260 | MPS6601 | 3 | Одинокий | 40 | 625 Вт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 100 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 25 В | 25 В | 600мВ | 25 В | 1А | 100 МГц | 75нс | 280 нс | 25 В | 4В | 50 | 100нА | НПН | 50 @ 500 мА 1 В | 600 мВ при 100 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУЛТ3П3 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-bult3p3-datasheets-1098.pdf | ТО-225АА, ТО-126-3 | 3 | 3 | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | 32 Вт | НЕ УКАЗАН | БУЛТ3 | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 32 Вт | 200В | 200В | 3А | 6В | 100 мкА | ПНП | 10 @ 10 мА 5 В | 500 мВ при 200 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PHD13005AD, 127 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 700В | 4А | НПН | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC638,112 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-bc638112-datasheets-1072.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 3 | да | EAR99 | неизвестный | 8541.21.00.75 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | BC638 | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | О-PBCY-T3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 0,8 Вт | 830мВт | 145 МГц | 60В | 1А | 0,5 В | 100на ИКБО | ПНП | 63 @ 150 мА 2 В | 100 МГц | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC635,112 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-bc635112-datasheets-1073.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 3 | EAR99 | неизвестный | 8541.21.00.75 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | BC635 | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | О-PBCY-T3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 0,8 Вт | 830мВт | 180 МГц | 45В | 1А | 0,5 В | 100на ИКБО | НПН | 63 @ 150 мА 2 В | 180 МГц | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НО12АИ,127 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/nxpusainc-but12ai127-datasheets-1074.pdf | ТО-220-3 | 3 | неизвестный | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НО12А | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 110 Вт | 110 Вт | ТО-220АБ | 450В | 8А | 4800 нс | 1000 нс | 110 Вт | 1,5 В | 1 мА | НПН | 14 @ 1А 5В | 1,5 В @ 860 мА, 5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HD1530FX | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Сквозное отверстие | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-hd1530fx-datasheets-1076.pdf | ISOWATT218FX | 3 | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | 70 Вт | НЕ УКАЗАН | HD1530 | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 70 Вт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 2,5 кВ | 230 нс | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 13А | 700В | 2В | 26А | 10 В | 5,5 | 200 мкА | НПН | 5,5 @ 13 А 5 В | 2 В при 3,25 А, 13 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НО12АХ,127 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/nxpusainc-but12ax127-datasheets-1077.pdf | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | 3 | неизвестный | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НО12А | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 23 Вт | 23 Вт | ТО-220АБ | 450В | 8А | 1 мА | НПН | 10 @ 1А 5В | 1,5 В при 1 А, 5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC640,112 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-bc638112-datasheets-1072.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 3 | EAR99 | неизвестный | 8541.21.00.75 | е3 | ИНН | НЕТ | НИЖНИЙ | 250 | BC640 | 3 | 40 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | О-PBCY-T3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 0,83 Вт | 830мВт | 145 МГц | 80В | 1А | 0,5 В | 100на ИКБО | ПНП | 63 @ 150 мА 2 В | 145 МГц | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC640,116 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-bc638112-datasheets-1072.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 3 | EAR99 | неизвестный | 8541.21.00.75 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | НИЖНИЙ | 250 | BC640 | 3 | 40 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | О-PBCY-T3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 0,8 Вт | 830мВт | 145 МГц | 80В | 1А | 0,5 В | 100на ИКБО | ПНП | 63 @ 150 мА 2 В | 145 МГц | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БКП 54-16 H6778 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-bcp54e6327htsa1-datasheets-1680.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | BCP54 | 2 Вт | 45В | 1А | 100на ИКБО | НПН | 100 @ 150 мА 2 В | 100 МГц | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC638,116 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/nxpusainc-bc638112-datasheets-1072.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 3 | да | EAR99 | 8541.21.00.75 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | BC638 | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | О-PBCY-T3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 0,8 Вт | 830мВт | 145 МГц | 60В | 1А | 0,5 В | 100на ИКБО | ПНП | 63 @ 150 мА 2 В | 100 МГц | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC368,112 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-bc368112-datasheets-1063.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 3 | EAR99 | неизвестный | 8541.21.00.75 | е3 | ИНН | НЕТ | НИЖНИЙ | 250 | BC368 | 3 | 40 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | О-PBCY-T3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 0,83 Вт | 830мВт | 170 МГц | 20 В | 1А | 0,5 В | 100на ИКБО | НПН | 85 @ 500 мА 1 В | 40пФ | 170 МГц | 500 мВ при 100 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5551,412 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-2n5551412-datasheets-1084.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 3 | EAR99 | 8541.21.00.95 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 2N5551 | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | О-PBCY-T3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 0,35 Вт | 630мВт | 100 МГц | 160 В | 300 мА | 0,2 В | 50на ИКБО | НПН | 80 @ 10 мА 5 В | 6пФ | 300 МГц | 200 мВ при 5 мА, 50 мА |
