Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные BJT-транзисторы(15763)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Частота | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Текущий | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Напряжение | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Продукт увеличения пропускной способности | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Выключить Тайм-Макс (toff) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | VCEsat-Макс | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2СТД1360Т4 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 130 МГц | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-2std1360t4-datasheets-0893.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 3 | EAR99 | Нет | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 15 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2STD1360 | 3 | Одинокий | 15 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | 130 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 60В | 60В | 60В | 3А | 130 МГц | 80В | 6В | 80 | 100на ИКБО | НПН | 160 @ 1А 2В | 500 мВ при 150 мА, 3 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCP5316H6433XTMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/infineontechnologies-bcp5316e6327-datasheets-0498.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 4 | 6 недель | 4 | Олово | 15А | 80В | 2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | BCP53 | НЕ УКАЗАН | 1,5 Вт | 1 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 2 Вт | 80В | 500мВ | 1А | 125 МГц | 100 В | 100на ИКБО | ПНП | 100 @ 150 мА 2 В | 125 МГц | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TN2219A_D26Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-2n2219a-datasheets-1130.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Длинный корпус (формованные выводы) | совместимый | 1 Вт | 40В | 1А | 10на ИКБО | НПН | 100 @ 150 мА 10 В | 1 В @ 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QSX3TR | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/rohmsemiconductor-qsx3tr-datasheets-0929.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 6 | 6 | да | EAR99 | Нет | е1 | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | QSX | 6 | Одинокий | 10 | 1 | Другие транзисторы | 360 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 30В | 30В | 5А | 360 МГц | 5А | 30В | 6В | 270 | 100на ИКБО | НПН | 270 @ 500 мА 2 В | 250 мВ при 30 мА, 1,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC557B,116 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-bc557b116-datasheets-1004.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 3 | EAR99 | 8541.21.00.95 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | НИЖНИЙ | 250 | BC557 | 3 | 40 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-PBCY-T3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 0,625 Вт | 500мВт | 100 МГц | 45В | 100 мА | 0,65 В | 15на ИКБО | ПНП | 220 при 2 мА 5 В | 100 МГц | 650 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DSA7101Q0L | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/panasonicelectroniccomComponents-dsa710100l-datasheets-9426.pdf | ТО-243АА | 4,5 мм | 1,5 мм | 2,5 мм | Без свинца | 3 | 10 недель | 3 | EAR99 | 120 МГц | неизвестный | 1 Вт | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | ДСА7101 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 80В | 80В | -400мВ | 400мВ | 500 мА | 120 МГц | -80В | -5В | 90 | 100на ИКБО | ПНП | 90 @ 150 мА 10 В | 120 МГц | 400 мВ при 30 мА, 300 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СД1913С | Корпорация SANYO Semiconductor (США) | $141,13 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sanyosemiconductorusacorporation-2sd1913s-datasheets-1005.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | ТО-220МЛ | 2 Вт | 60В | 3А | НПН | 140 @ 500 мА 5 В | 100 МГц | 1 В при 200 мА, 2 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СТФ1550 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-2stn1550-datasheets-7637.pdf | ТО-243АА | Без свинца | 4 | EAR99 | Олово | не_совместимо | е3 | 1,4 Вт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | 2СТФ15 | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1,4 Вт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Ф4 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 50В | 50В | 50В | 5А | 50В | 5В | 100на ИКБО | НПН | 135 @ 2А 2В | 450 мВ при 300 мА, 3 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCP5516H6327XTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/infineontechnologies-bcp5610h6433-datasheets-4028.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 4 | 4 | EAR99 | Олово | 2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | BCP55 | НЕ УКАЗАН | 1 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | 2 Вт | 60В | 500мВ | 1А | 60В | 100на ИКБО | НПН | 100 @ 150 мА 2 В | 100 МГц | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БК 856BW H6433 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-bc857ce6327htsa1-datasheets-0288.pdf | СК-70, СОТ-323 | 3 | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | совместимый | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | BC856 | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 250 мВт | 250 МГц | 65В | 100 мА | 15на ИКБО | ПНП | 220 при 2 мА 5 В | 250 МГц | 650 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCX71JLT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-bcx71jlt1g-datasheets-0728.pdf | -45В | -100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Олово | е3 | 350 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BCX71 | 3 | Одинокий | 40 | 350 мВт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | КРЕМНИЙ | ПНП | 45В | 45В | -550мВ | 45В | 100 мА | 800 нс | 45В | 5В | 40 | 20нА | ПНП | 250 при 2 мА 5 В | 550 мВ при 1,25 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TN6714A_D26Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-tn6714a-datasheets-9507.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Длинный корпус (формованные выводы) | ТО-226 | 1 Вт | 30В | 2А | 100на ИКБО | НПН | 50 @ 1А 1В | 500 мВ при 100 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PHE13003A,412 | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | EAR99 | 2,1 Вт | 400В | 1А | 1 мА | НПН | 10 @ 400 мА 5 В | 1,5 В при 250 мА, 750 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| US6X3TR | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2007 год | 6-SMD, плоские выводы | Без свинца | 6 | 6 | да | EAR99 | е2 | ОЛОВО МЕДЬ | 400мВт | ДВОЙНОЙ | 260 | US6X | 6 | Одинокий | 10 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | 360 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 12 В | 250 мВ | 3А | 360 МГц | 3А | 15 В | 6В | 270 | 100на ИКБО | НПН | 270 @ 500 мА 2 В | 250 мВ при 30 мА, 1,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QST4TR | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/rohmsemiconductor-qst4tr-datasheets-0904.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 6 | 6 | да | EAR99 | Нет | е1 | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | QST | 6 | Одинокий | 10 | 1 | Другие транзисторы | 280 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 12 В | 12 В | 3А | 280 МГц | 3А | 15 В | 6В | 270 | 100на ИКБО | ПНП | 270 @ 500 мА 2 В | 250 мВ при 30 мА, 1,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPSA13ZL1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-mpsa13rlra-datasheets-9509.pdf | 30В | 500 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Без свинца | 3 | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НПН | НЕТ | 625 МВт | НИЖНИЙ | 260 | MPSA13 | 3 | Одинокий | 40 | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | 500 мА | 30В | 30В | 1,5 В | 30В | 500 мА | 125 МГц | 30В | 10 В | 100на ИКБО | NPN – Дарлингтон | 10000 @ 100мА 5В | 125 МГц | 1,5 В @ 100 мкА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДСК2001С0Л | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/panasonicelectroniccomComponents-dsc2001q0l-datasheets-2008.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 1,1 мм | 1,5 мм | 3 | 10 недель | 3 | EAR99 | 150 МГц | 8541.21.00.75 | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | ДСК2001 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | 150 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 50В | 50В | 300мВ | 50В | 100 мкА | 150 МГц | 100 мА | 60В | 7В | 210 | НПН | 290 при 2 мА 10 В | 300 мВ при 10 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STX13005G-AP | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-stx13005-datasheets-9286.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 3 | 3 | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,8 Вт | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | STX13005 | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 2,8 Вт | 400В | 5В | 3А | 1 мА | НПН | 8 @ 2А 5В | 5 В при 750 мА, 3 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STL73D-AP | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stl73d-datasheets-2214.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | Без свинца | 3 | 3 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,5 Вт | НИЖНИЙ | СТЛ73 | 3 | Одинокий | 1,5 Вт | 1 | Другие транзисторы | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 400В | 400В | 400В | 1,5 А | 9В | 4 | НПН | 10 @ 600 мА 3 В | 1 В при 250 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TN3019A_J05Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-tn3019a-datasheets-9355.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | ТО-92-3 | 1 Вт | 80В | 1А | 10на ИКБО | НПН | 100 @ 150 мА 10 В | 100 МГц | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPSA13RLRPG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-mpsa13rlra-datasheets-9509.pdf | 30В | 500 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Без свинца | 3 | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НПН | НЕТ | 625 МВт | НИЖНИЙ | 260 | MPSA13 | 3 | Одинокий | 40 | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | 500 мА | 30В | 30В | 1,5 В | 30В | 500 мА | 125 МГц | 30В | 10 В | 100на ИКБО | NPN – Дарлингтон | 10000 @ 100мА 5В | 125 МГц | 1,5 В @ 100 мкА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДСК7004Р0Л | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/panasonicelectroniccomComponents-dsc700400l-datasheets-0025.pdf | ТО-243АА | 4,5 мм | 1,5 мм | 2,5 мм | 3 | 10 недель | 3 | EAR99 | 120 МГц | неизвестный | 1 Вт | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | ДСК7004 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 50В | 50В | 300мВ | 50В | 2А | 120 МГц | 60В | 5В | 120 | 100на ИКБО | НПН | 120 @ 200 мА 2 В | 120 МГц | 300 мВ при 50 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPSA10_D74Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 625 МВт | 40В | 100 мА | 100на ИКБО | НПН | 40 при 5 мкА 10 В | 125 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPSW45AZL1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/onsemiconductor-mpsw45a-datasheets-9403.pdf | 50В | 1А | ТО-226-3, ТО-92-3 Длинный корпус (формованные выводы) | Без свинца | 3 | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | EAR99 | ЕВРОПЕЙСКИЙ НОМЕР ДЕТАЛИ | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НПН | НЕТ | 1 Вт | НИЖНИЙ | 260 | MPSW45A | 3 | Одинокий | 40 | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | 1А | 40В | 50В | 1,5 В | 50В | 1А | 100 МГц | 60В | 12 В | 100на ИКБО | NPN – Дарлингтон | 25000 при 200 мА 5 В | 100 МГц | 1,5 В при 2 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТБВ45Г | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-stbv45ap-datasheets-6023.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 3 | 3 | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 950 МВт | НИЖНИЙ | СТБВ45 | 3 | Одинокий | 950 МВт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 400В | 400В | 750 мА | 9В | 250 мкА | НПН | 5 @ 400 мА 5 В | 1,5 В при 135 мА, 400 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СТН2550 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-2stn2550-datasheets-0862.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 4 | 4 | EAR99 | 1,6 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2СТН | 4 | Одинокий | 1 | Не квалифицирован | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 1,6 Вт | 50В | 50В | 550 мВ | 5А | 5В | 100на ИКБО | ПНП | 110 @ 2А 2В | 550 мВ при 300 мА, 3 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MD2103DFX | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-md2103dfx-datasheets-0894.pdf | ISOWATT218FX | 3 | 3 | да | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 52 Вт | MD2103 | 3 | Одинокий | 52 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 700В | 700В | 6А | 7В | 200 мкА | НПН | 6,5 @ 3А 5В | 1,8 В при 750 мА, 3 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPSW56RLRPG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 50 МГц | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mpsw56rlrag-datasheets-0831.pdf | -80В | -500мА | ТО-226-3, ТО-92-3 Длинный корпус (формованные выводы) | 6,35 мм | 6,35 мм | 25,4 мм | Без свинца | 3 | 4.535924г | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕТ | 1 Вт | НИЖНИЙ | 260 | MPSW56 | 3 | Одинокий | 40 | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | 50 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 60В | 80В | -500мВ | 80В | 500 мА | 50 МГц | 80В | 4В | 100 | 500нА | ПНП | 50 @ 250 мА 1 В | 500 мВ при 10 мА, 250 мА | |||||||||||||||||||||||||||||
| MD2009DFX | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-md2009dfx-datasheets-0901.pdf | ISOWATT218FX | 3 | 3 | EAR99 | ВСТРОЕННЫЕ РЕЗИСТОРЫ СМЕЩЕНИЯ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 58 Вт | МД2009 | 3 | Одинокий | 58 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 10А | 700В | 700В | 10А | 7В | 5 | 200 мкА | НПН | 5 @ 5,5 А 5 В | 2,8 В @ 1,4 А, 5,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STX790AG-AP | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stx790aap-datasheets-8934.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Без свинца | 3 | 3 | EAR99 | Нет | 8541.21.00.95 | 900мВт | НИЖНИЙ | STX790 | 3 | 1 | Другие транзисторы | 100 МГц | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 900мВт | 30В | 30В | 700мВ | 3А | 100 МГц | 400 нс | 40В | -5В | 90 | 10 мкА ИКБО | ПНП | 100 @ 500 мА 2 В | 700 мВ при 100 мА, 3 А |
