Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные BJT-транзисторы(15763)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Частота | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Продукт увеличения пропускной способности | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Код JEDEC-95 | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота смены | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BUJD105AD,118 | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | МЭК-60134 | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 1 | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 80 Вт | 400В | 8А | 100 мкА | НПН | 13 @ 500 мА 5 В | 1 В при 800 мА, 4 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCX599_D27Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | BCX599 | ТО-92-3 | НПН | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC6082 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 195 МГц | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/onsemiconductor-2sc60821e-datasheets-7949.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | Без свинца | 3 | 3 | да | EAR99 | Нет | Олово/медь/серебро/никель (Sn/Cu/Ag/Ni) | 2 Вт | 3 | Одинокий | 2 Вт | 1 | 195 МГц | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | ТО-220АБ | 50В | 200 мВ | 50В | 15А | 195 МГц | 60В | 6В | 200 | 10 мкА ИКБО | НПН | 200 @ 330 мА 2 В | 400 мВ при 375 мА, 7,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЛАМПОЧКА903EDT4 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ЛАМПОЧКА903 | НПН | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HD1750JL | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-hd1750jl-datasheets-0875.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | 3 | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 200 Вт | HD1750 | 3 | Одинокий | 200 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 800В | 800В | 24А | 10 В | 200 мкА | НПН | 5,5 @ 12 А 5 В | 3 В при 3 А, 12 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STL128DNFP | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-stl128dnfp-datasheets-0877.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 3 | 3 | Нет | 28 Вт | СТЛ128 | 3 | Одинокий | 28 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | ТО-220АБ | 400В | 400В | 3А | 4А | 9В | 250 мкА | НПН | 8 @ 2А 5В | 1 В при 400 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СТД2360Т4 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 130 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-2std2360t4-datasheets-0873.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 3 | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 15 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2STD2360 | Одинокий | 15 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | 130 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 60В | 60В | 60В | 3А | 130 МГц | 60В | 6В | 80 | 100на ИКБО | ПНП | 160 @ 1А 2В | 500 мВ при 150 мА, 3 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТБВ42Г | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stbv42g-datasheets-5772.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | Без свинца | 3 | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | 1 Вт | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | СТБВ42 | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-PBCY-T3 | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 1 Вт | 400В | 1,5 В | 1А | 9В | 1 мА | НПН | 10 @ 400 мА 5 В | 1,5 В при 250 мА, 750 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPSW06RLRAG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 50 МГц | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mpsw05-datasheets-9419.pdf | 80В | 500 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 Длинный корпус (формованные выводы) | 6,35 мм | 6,35 мм | 25,4 мм | Без свинца | 3 | 4.535924г | Неизвестный | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕТ | 1 Вт | НИЖНИЙ | 260 | MPSW06 | 3 | Одинокий | 40 | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | 50 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 80В | 80В | 400мВ | 80В | 500 мА | 50 МГц | 80В | 4В | 80 | 500нА | НПН | 60 @ 250 мА 1 В | 400 мВ при 10 мА, 250 мА | |||||||||||||||||||||||||
| 2SD2216G0L | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 125°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/panasonicelectroniccomComponents-2sd2216g0l-datasheets-0834.pdf | СК-89, СОТ-490 | 125 МВт | 2SD2216 | ССМини3-F3 | 125 МВт | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 50В | 100 мА | 100 мкА | НПН | 180 @ 2 мА 10 В | 150 МГц | 300 мВ при 10 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STX13004 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stx13004gap-datasheets-3997.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 3 | 3 | да | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,5 Вт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | STX13004 | 3 | Одинокий | 2,5 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 400В | 400В | 2А | 9В | 1 мА | НПН | 10 @ 1А 5В | 1 В при 500 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STH13009 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-sth13009-datasheets-0839.pdf | ТО-220-3 | 3 | неизвестный | 100 Вт | НЕ УКАЗАН | STH13009 | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 100 Вт | ТО-220АБ | 400В | 2В | 12А | 12 В | НПН | 18 @ 5А 5В | 2 В при 2,4 А, 12 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BULK128 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-bulk128-datasheets-0843.pdf | СОТ-82 | 3 | 3 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 55 Вт | BULK128 | 3 | Одинокий | 55 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 400В | 400В | 4А | 9В | 250 мкА | НПН | 14 @ 2А 5В | 500 мВ при 1 А, 4 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA733P_D26Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 625 МВт | 50В | 500 мА | 100на ИКБО | ПНП | 200 @ 1 мА 6 В | 50 МГц | 300 мВ при 10 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STX13004G | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-stx13004gap-datasheets-3997.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | Без свинца | 3 | 3 | да | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,5 Вт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | STX13004 | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 2,5 Вт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 400В | 400В | 2А | 9В | 1 мА | НПН | 10 @ 1А 5В | 1 В при 500 мА, 2 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HD1530JL | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-hd1530jl-datasheets-0845.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | 3 | 3 | не_совместимо | 200 Вт | 225 | HD1531 | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 200 Вт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 700В | 700В | 26А | 10 В | 200 мкА | НПН | 5 @ 13А 5В | 2,5 В при 3,25 А, 13 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPSW56RLRAG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 50 МГц | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mpsw56rlrag-datasheets-0831.pdf | -80В | -500мА | ТО-226-3, ТО-92-3 Длинный корпус (формованные выводы) | 5,21 мм | 7,87 мм | 4,19 мм | Без свинца | 3 | 4.535924г | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1 Вт | НИЖНИЙ | 260 | MPSW56 | 3 | Одинокий | 40 | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | 50 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 80В | 80В | -500мВ | 80В | 500 мА | 50 МГц | 80В | 4В | 100 | 500нА | ПНП | 50 @ 250 мА 1 В | 500 мВ при 10 мА, 250 мА | ||||||||||||||||||||||||||
| BC639ZL1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 200 МГц | Соответствует RoHS | 2011 год | /files/onsemiconductor-bc637rl1g-datasheets-4019.pdf | 80В | 1А | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Без свинца | 3 | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 20 часов назад) | да | EAR99 | ЕВРОПЕЙСКИЙ НОМЕР ЧАСТИ | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕТ | 625 МВт | НИЖНИЙ | 260 | BC639 | 3 | Одинокий | 40 | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | 200 МГц | КРЕМНИЙ | НПН | 80В | 80В | 500мВ | 80В | 1А | 200 МГц | 80В | 5В | 25 | 100на ИКБО | НПН | 40 @ 150 мА 2 В | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MD1803DFX | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-md1803dfx-datasheets-0792.pdf | ISOWATT218FX | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | Олово | не_совместимо | е3 | 57 Вт | НЕ УКАЗАН | МД1803 | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 57 Вт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 10А | 700В | 700В | 10А | 10 В | 5,5 | 200 мкА | НПН | 5,5 @ 5А 5В | 2 В при 1,25 А, 5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУЛТ118М | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-bult118-datasheets-8380.pdf | ТО-225АА, ТО-126-3 | 45 Вт | БУЛТ118 | СОТ-32-3 | 45 Вт | 400В | 1,5 В | 2А | 400В | 2А | 250 мкА | НПН | 10 @ 500 мА 5 В | 1,5 В при 400 мА, 2 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCW66KHB6327HTLA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 170 МГц | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/infineontechnologies-bcw66khe6327htsa1-datasheets-3957.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 3 | EAR99 | Олово | 500мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | BCW66 | НЕ УКАЗАН | 500мВт | 1 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 45В | 45В | 800мА | 170 МГц | 800мА | 75В | 5В | 20на ИКБО | НПН | 250 @ 100 мА 1 В | 450 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MJD340TF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/onsemiconductor-mjd340tf-datasheets-0656.pdf | 300В | 500 мА | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,6 мм | 2,3 мм | 6,1 мм | Без свинца | 2 | 4 недели | 260,37 мг | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 15 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | МЖД340 | Одинокий | 1,56 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | НПН | 300В | 300В | 300В | 500 мА | 300В | 3В | 30 | 100 мкА | НПН | 30 @ 50 мА 10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЛАМПОЧКА7216-1 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-bul7216-datasheets-3394.pdf | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | 3 | 3 | Нет | 80 Вт | ЛАМПОЧКА721 | 3 | Одинокий | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 80 Вт | 700В | 700В | 3А | 12 В | 100 мкА | НПН | 4 @ 2А 5В | 3 В @ 80 мА, 800 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC639-16ZL1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 200 МГц | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/onsemiconductor-bc637rl1g-datasheets-4019.pdf | 80В | 1А | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Без свинца | 3 | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Медь, Серебро, Олово | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕТ | 625 МВт | НИЖНИЙ | 260 | BC639 | 3 | Одинокий | 40 | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | 200 МГц | КРЕМНИЙ | НПН | 80В | 80В | 500мВ | 80В | 1А | 200 МГц | 80В | 5В | 25 | 100на ИКБО | НПН | 100 @ 150 мА 2 В | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC3074-Y(К) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sc3074oq-datasheets-0392.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 1 Вт | 50В | 5А | 1 мкА ИКБО | НПН | 120 @ 1А 1В | 120 МГц | 400 мВ при 150 мА, 3 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPS650RLRAG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 75 МГц | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-mps751-datasheets-2279.pdf | 40В | 2А | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Без свинца | 3 | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕТ | 625 МВт | НИЖНИЙ | 260 | МПС650 | 3 | Одинокий | 40 | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | 75 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 40В | 40В | 500мВ | 40В | 2А | 75 МГц | 60В | 5В | 75 | 100на ИКБО | НПН | 75 @ 1А 2В | 500 мВ при 200 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MPS650ZL1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 75 МГц | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-mps751-datasheets-2279.pdf | 40В | 2А | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Без свинца | 3 | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕТ | 625 МВт | НИЖНИЙ | 260 | МПС650 | 3 | Одинокий | 40 | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | 75 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 50В | 40В | 500мВ | 40В | 2А | 75 МГц | 60В | 5В | 75 | 100на ИКБО | НПН | 75 @ 1А 2В | 500 мВ при 200 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н2907А | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2010 год | /files/microcommercialco-2n2907a-datasheets-0778.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | Содержит свинец | 4 недели | 3 | Свинец, Олово | Нет | ПНП | 500мВт | 2Н2907А | 500мВт | 1 | ТО-18 | 400мВт | 60В | 600 мА | 60В | 600 мА | 60В | 5В | 10на ИКБО | ПНП | 100 @ 150 мА 10 В | 200 МГц | 1,6 В при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТР236 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-tr236-datasheets-0779.pdf | ТО-220-3 | 3 | 3 | да | 70 Вт | НЕ УКАЗАН | ТР236 | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 70 Вт | ТО-220АБ | 400В | 400В | 4А | 9В | 250 мкА | НПН | 8 @ 2,5 А 5 В | 1,3 В @ 600 мА, 2,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC847CTT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-bc847btt1g-datasheets-7471.pdf | 45В | 100 мА | СК-75, СОТ-416 | Без свинца | 3 | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BC847*ТТ | 3 | Одинокий | 40 | 300мВт | 1 | Другие транзисторы | 100 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 45В | 45В | 600мВ | 45В | 100 мА | 100 МГц | 50В | 6В | 270 | НПН | 420 при 2 мА 5 В | 600 мВ при 5 мА, 100 мА |
