Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные BJT-транзисторы(15763)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (мин) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Макс. ток коллектора (IC) | Макс. Коллектор-эмиттер напряжения | Мощность - Макс. | Выходное напряжение 1 | Входное напряжение (мин.) | Входное напряжение (макс.) | Код JEDEC-95 | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Тип регулятора | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота смены | Минимальное устройство постоянного тока (hFE) | Выходное напряжение1-Макс. | Выходное напряжение1-мин. | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Выключить Тайм-Макс (toff) | Время включения-Макс (тонна) | Рассеяние мощности при температуре окружающей среды, макс. | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | VCEsat-Макс | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Макс. коллектор-базы | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ММБТА42LT1 | Рочестер Электроникс, ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rochesterelectronicsllc-mmbta42lt1htsa1-datasheets-4249.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | СОТ-23-3 (ТО-236) | 225 МВт | 300В | 500 мА | 100на ИКБО | НПН | 40 @ 30 мА 10 В | 50 МГц | 500 мВ при 2 мА, 20 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2ПК4081С/ЗЛС | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК9Y41-80E/GFX | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК9Y3R0-40E/CX | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCW60C | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-bcw60de6327htsa1-datasheets-3993.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | да | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 40 | 1 | КОММЕРЧЕСКИЙ | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 350 мВт | 250 МГц | 32В | 100 мА | 20нА | НПН | 250 при 2 мА 5 В | 125 МГц | 550 мВ при 1,25 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC618,112 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-bc618112-datasheets-1214.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 3 | EAR99 | неизвестный | 8541.21.00.75 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | BC618 | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-PBCY-T3 | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 625 МВт | 155 МГц | 55В | 500 мА | 1,1 В | 50 мкА | NPN – Дарлингтон | 10000 при 200 мА 5 В | 155 МГц | 1,1 В @ 200 мкА, 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК9Y12-40E/GFX | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2PD1820AR/ZLX | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | СК-70, СОТ-323 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СОВЕТ29Б | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/rochesterelectronicsllc-tip30-datasheets-0472.pdf | ТО-220-3 | ТО-220АБ | 2 Вт | 80В | 1А | 300 мкА | НПН | 15 @ 1А 4В | 3 МГц | 700 мВ при 125 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБТА06LT1 | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/rochesterelectronicsllc-mmbt3904lt1-datasheets-1888.pdf | 3 | да | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | -55°С | 1 | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 0,5 А | 80В | ТО-236АБ | 100 МГц | 100 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Д44Н11 | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/rochesterelectronicsllc-d44h11-datasheets-1201.pdf | ТО-220-3 | 3 | нет | неизвестный | е0 | Оловянный свинец | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 240 | 3 | 30 | 1 | КОММЕРЧЕСКИЙ | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 2 Вт | ТО-220АБ | 50 МГц | 80В | 10А | 10 мкА | НПН | 40 @ 4А 1В | 50 МГц | 1 В при 400 мА, 8 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК762Р6-40Е/GFJ | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК7Y43-60E/GFX | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК768Р1-40Е/GFJ | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC856W/ZLX | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA2199T2LR | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rohmsemiconductor-2sa2199t2lr-datasheets-1142.pdf | СОТ-923Ф | Без свинца | 150 мВт | Другие транзисторы | Одинокий | ПНП | 150 мВт | 50В | 300мВ | 100 мА | 100на ИКБО | ПНП | 180 @ 2 мА 6 В | 110 МГц | 300 мВ при 2,5 мА, 25 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCP54H6327XTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/infineontechnologies-bcp5610h6433-datasheets-4028.pdf | -45В | 1,5 А | ТО-261-4, ТО-261АА | Без свинца | 4 | 6 недель | 4 | EAR99 | Олово | 2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | BCP54 | НЕ УКАЗАН | 1,5 Вт | 1 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | 2 Вт | 45В | 500мВ | 1А | 45В | 100на ИКБО | НПН | 40 @ 150 мА 2 В | 100 МГц | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 640 126 до нашей эры | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-bc638112-datasheets-1072.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 3 | EAR99 | неизвестный | 8541.21.00.95 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | НИЖНИЙ | 250 | BC640 | 40 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-PBCY-T3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 0,8 Вт | 830мВт | 100 МГц | 80В | 1А | 0,5 В | 100на ИКБО | ПНП | 63 @ 150 мА 2 В | 145 МГц | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCP5316H6327XTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/infineontechnologies-bcp5316e6327-datasheets-0498.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 4 | EAR99 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | BCP53 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Р-ПДСО-Г4 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 2 Вт | 2 Вт | 125 МГц | 80В | 1А | 100на ИКБО | ПНП | 100 @ 150 мА 2 В | 125 МГц | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HD1760JL | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-hd1760jl-datasheets-1149.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | 3 | 3 | EAR99 | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | 200 Вт | НЕ УКАЗАН | HD1760 | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 200 Вт | 800В | 800В | 36А | 10 В | 200 мкА | НПН | 5 @ 18А 5В | 2 В при 4,5 А, 18 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 638 126 до нашей эры | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-bc638112-datasheets-1072.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 3 | да | EAR99 | 8541.21.00.95 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | BC638 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-PBCY-T3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 0,8 Вт | 830мВт | 100 МГц | 60В | 1А | 0,5 В | 100на ИКБО | ПНП | 63 @ 150 мА 2 В | 100 МГц | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STX616 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Сквозное отверстие | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stx616ap-datasheets-0132.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 3 | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | Нет | 2,8 Вт | НИЖНИЙ | STX616 | 3 | Одинокий | 2,8 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 500В | 500В | 1,5 А | 12 В | 4 | 50 мкА | НПН | 12 @ 500 мА 5 В | 1 В при 200 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC639,126 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/nxpusainc-bc639112-datasheets-1065.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 3 | EAR99 | неизвестный | 8541.21.00.75 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | НИЖНИЙ | 250 | BC639 | 40 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-PBCY-T3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | НПН | 0,8 Вт | 830мВт | 130 МГц | 80В | 1А | 0,5 В | 100на ИКБО | НПН | 63 @ 150 мА 2 В | 180 МГц | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCP49H6419XTMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/infineontechnologies-bcp49e6327htsa1-datasheets-1747.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 4 | 1,5 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | BCP49 | Двойной | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Г4 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 1,5 Вт | 60В | 1В | 500 мА | 200 МГц | 80В | 100на ИКБО | NPN – Дарлингтон | 10000 @ 100мА 5В | 200 МГц | 1 В при 100 мкА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HD1520FX | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-hd1520fx-datasheets-1158.pdf | ISOWATT218FX | 3 | 3 | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 64 Вт | HD1520 | 3 | Одинокий | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 64 Вт | 700В | 700В | 15А | 10 В | 200 мкА | НПН | 5,5 @ 9А 5В | 3 В при 1,8 А, 9 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н5401,412 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-2n5401412-datasheets-1159.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 3 | EAR99 | 8541.21.00.95 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 2Н5401 | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-PBCY-T3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 0,63 Вт | 630мВт | 100 МГц | 150 В | 300 мА | 0,5 В | 50на ИКБО | ПНП | 60 @ 10 мА 5 В | 6пФ | 300 МГц | 500 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PVR100AD-B2V5,115 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 1,1 мм | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | СК-74, СОТ-457 | 2,9 мм | 1,5 мм | 6 | да | 8541.21.00.75 | 1 | е3 | ИНН | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 0,95 мм | ПВР100А | 6 | 40 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г6 | 300мВт | 2,5 В | 4,5 В | 40В | СТАНДАРТНЫЙ РЕГУЛЯТОР С ФИКСИРОВАННЫМ ПОЛОЖИТЕЛЬНЫМ ВЫХОДОМ | 2,75 В | 2,25 В | 45В | 100 мА | 100на ИКБО | НПН + Зенер | 160 @ 100 мА 1 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БК 807-40W H6433 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/infineontechnologies-bc80825e6433-datasheets-1544.pdf | СК-70, СОТ-323 | BC807 | 250 мВт | 45В | 500 мА | 100на ИКБО | ПНП | 250 @ 100 мА 1 В | 200 МГц | 700 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НО11АИ,127 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-but11ai127-datasheets-1165.pdf | ТО-220-3 | 3 | неизвестный | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НО11 | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 100 Вт | 100 Вт | ТО-220АБ | 450В | 5А | 4800 нс | 1000 нс | 100 Вт | 1,5 В | 1 мА | НПН | 14 @ 500 мА 5 В | 1,5 В при 330 мА, 2,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC6114T2LR | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/rohmsemiconductor-2sc6114t2lr-datasheets-1134.pdf | SC-72 Сформированные лидеры | Без свинца | 150 мВт | Другие транзисторы | Одинокий | НПН | 150 мВт | 50В | 300мВ | 100 мА | 100на ИКБО | НПН | 180 @ 2 мА 6 В | 130 МГц | 300 мВ при 2,5 мА, 25 мА |
