Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные BJT-транзисторы(15763)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Частота | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Код HTS | Максимальное входное напряжение | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Справочный стандарт | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Аналоговая микросхема — другой тип | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Поставщик пакета оборудования | Максимальный выходной ток | Максимальное выходное напряжение | Минимальное входное напряжение | Минимальное выходное напряжение | Выходное напряжение | Продукт увеличения пропускной способности | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Мощность - Макс. | Подстройка/регулируемый выход | Максимальное напряжение проба | Код JEDEC-95 | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Тип ссылки | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Выключить Тайм-Макс (toff) | Время включения-Макс (тонна) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| HCT2222ATX | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2014 год | 4-СМД, без свинца | 10 недель | 5 | НПН | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н2369АУА | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-2n2369a-datasheets-0290.pdf | 4-СМД | 4 | 22 недели | 4 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 3 недели назад) | Нет | 360мВт | ДВОЙНОЙ | 1 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 360мВт | 15 В | 450 мВ | 400 нА | 18нс | 12нс | 40В | НПН | 20 @ 100 мА 1 В | 450 мВ при 10 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КСД471АКГТА | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 130 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-ksd471aybu-datasheets-9007.pdf | 30 В | 1А | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Без свинца | 3 | 8 недель | 240мг | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 800мВт | НИЖНИЙ | КСД471 | Одинокий | 800мВт | 1 | Другие транзисторы | 130 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 30 В | 30 В | 30 В | 1А | 130 МГц | 40В | 5В | 120 | 100на ИКБО | НПН | 200 @ 100 мА 1 В | 500 мВ при 100 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KSC388CYTA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 300 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-ksc388ybu-datasheets-8618.pdf | 25 В | 50 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Без свинца | 3 | 6 недель | 240мг | 3 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 300мВт | НИЖНИЙ | КСЦ388 | Одинокий | 300мВт | 1 | Другие транзисторы | 300 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 25 В | 25 В | 200 мВ | 25 В | 50 мА | 300 МГц | 30 В | 4В | 20 | 100на ИКБО | НПН | 20 @ 12,5 мА 12,5 В | 200 мВ при 1,5 мА, 15 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФХР1200 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/onsemiconductor-fhr1200-datasheets-3559.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2 мм | 1 мм | 1,25 мм | 6 | 6 недель | 28мг | 6 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 9 часов назад) | да | EAR99 | Нет | 8541.21.00.95 | 7,405 В | е3 | Олово (Вс) | 227мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | КОММУТАЦИОННЫЙ РЕГУЛЯТОР | 227мВт | Источники опорного напряжения | 50 мА | 100 В | 7,115 В | 7,5 В | 100 В | НЕТ | 100 В | 100 В | 50 мА | Программируемый, Шунтирующий | NPN + стабилитрон (изолированный) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NZT6717 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-nzt6717-datasheets-3493.pdf | 80В | 1,2А | ТО-261-4, ТО-261АА | Без свинца | 4 | 6 недель | 188 мг | 4 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 1 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | NZT6717 | Одинокий | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 80В | 80В | 350 мВ | 80В | 1,2А | 80В | 5В | 50 | 100на ИКБО | НПН | 50 @ 250 мА 1 В | 350 мВ при 10 мА, 250 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC2859-О(ТЭ85Л,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | $5,89 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 125°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 150 мВт | S-Мини | 150 мВт | 30 В | 30 В | 250 мВ | 500 мА | 30 В | 500 мА | 100на ИКБО | НПН | 70 @ 100 мА 1 В | 300 МГц | 250 мВ при 10 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N2222AUBTXV | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-2n2222aub-datasheets-2239.pdf | 4-CLCC | 3,175 мм | 1,3716 мм | 2,667 мм | 3 | 300мВт | 300мВт | 50В | 1В | 1В | 800мА | 75В | 6В | 10на ИКБО | НПН | 75 @ 1 мА 10 В | 1 В при 15 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СА1954-А(ТЭ85Л,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 125°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 125°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2009 год | СК-70, СОТ-323 | 6,208546 мг | 3 | Серебро, Олово | Нет | ПНП | 100мВт | Одинокий | УСМ | 130 МГц | 100мВт | 12 В | 12 В | 15 мВ | 250 мВ | 500 мА | 12 В | 500 мА | 15 В | 5В | 300 | 100на ИКБО | ПНП | 300 @ 10 мА 2 В | 130 МГц | 250 мВ при 10 мА, 200 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н3737 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | Не соответствует требованиям RoHS | /files/microsemicorporation-2n3735l-datasheets-4933.pdf | ТО-206АБ, ТО-46-3 Металлическая банка | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 3 недели назад) | Нет | 500мВт | ТО-46-3 | 500мВт | 40В | 900 мВ | 1,5 А | 40В | 1,5 А | 75В | 10 мкА ИКБО | НПН | 20 @ 1 А 1,5 В | 900 мВ при 100 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н2219АЛ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | /files/microsemicorporation-2n2219a-datasheets-8170.pdf | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | 3 | 22 недели | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 800мВт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 3 | 800мВт | 1 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | ТО-5 | 50В | 50В | 800мА | 75В | 6В | 10нА | НПН | 100 @ 150 мА 10 В | 1 В @ 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФМБС2383 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 120 МГц | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-fmbs2383-datasheets-3458.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 3 мм | 1 мм | 1,7 мм | Без свинца | 6 | 6 недель | 36мг | 6 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 630мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | ФМБС2383 | Одинокий | 630мВт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 160 В | 160 В | 1В | 160 В | 800мА | 120 МГц | 160 В | 5В | 80 | 100на ИКБО | НПН | 80 @ 100 мА 5 В | 1 В @ 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н2907АУА | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-2n2907aub-datasheets-8826.pdf | 4-СМД, без свинца | 22 недели | 4 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | Нет | ПНП | 500мВт | 500мВт | 1 | 500мВт | 60В | 60В | 600 мА | 60В | 600 мА | 60В | 5В | 50нА | ПНП | 100 @ 150 мА 10 В | 1,6 В при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЯНВ2Н2219 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/251 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-2n2219a-datasheets-8170.pdf | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | 23 недели | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 2 недели назад) | Нет | 800мВт | ТО-39 | 800мВт | 30 В | 1,6 В | 800мА | 30 В | 800мА | 10нА | НПН | 100 @ 150 мА 10 В | 1,6 В при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н2905АЛ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2015 год | /files/microsemicorporation-2n2904al-datasheets-5016.pdf | ТО-205АА, ТО-5-3 Металлическая банка | 3 | 22 недели | 3 | нет | EAR99 | Нет | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 800мВт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 1 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 800мВт | 60В | 1,6 В | 600 мА | 45нс | 60В | 1 мкА | ПНП | 100 @ 150 мА 10 В | 1,6 В при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTXV2N2484 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/376 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/microsemicorporation-jantxv2n2484-datasheets-3487.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 3 | 23 недели | 3 | нет | EAR99 | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 360мВт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 3 | 360мВт | 1 | Другие транзисторы | Квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 60В | 60В | 50 мА | 60 МГц | 60В | 6В | 2нА | НПН | 225 @ 10 мА 5 В | 300 мВ при 100 мкА, 1 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N3439L | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | /files/microsemicorporation-jan2n3440l-datasheets-5065.pdf | ТО-205АА, ТО-5-3 Металлическая банка | 3 | 23 недели | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | EAR99 | е0 | Оловянный свинец | 800мВт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 800мВт | 1 | Не квалифицирован | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | НПН | 350В | 500мВ | 1А | 450В | 7В | 2мкА | НПН | 40 @ 20 мА 10 В | 500 мВ при 4 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTXV2N4029 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/512 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/microsemicorporation-jantx2n4033-datasheets-4909.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 3 | 23 недели | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 500мВт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 3 | 500мВт | 1 | Квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 80В | 80В | 1А | 40 нс | 80В | 5В | 10 мкА ИКБО | ПНП | 100 @ 100 мА 5 В | 1 В при 100 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЯНВ2Н3440 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/368 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | /files/microsemicorporation-2n3440-datasheets-9753.pdf | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | Содержит свинец | 3 | 22 недели | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 800мВт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 800мВт | 1 | Другие транзисторы | Квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | НПН | 250В | 250В | 1А | 15 МГц | 300В | 7В | 2мкА | НПН | 40 @ 20 мА 10 В | 500 мВ при 4 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTXV2N3737UB | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/395 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/microsemicorporation-2n3735l-datasheets-4933.pdf | 3-СМД, без свинца | 3 | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | Нет | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 500мВт | ДВОЙНОЙ | 3 | 1 | Квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 500мВт | ТО-46 | 40В | 900 мВ | 1,5 А | 60нс | 48нс | 75В | 10 мкА ИКБО | НПН | 20 @ 1 А 1,5 В | 900 мВ при 100 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTXV2N3735 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/395 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | /files/microsemicorporation-2n3735l-datasheets-4933.pdf | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | 3 | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 Вт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 1 | Квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 1 Вт | 40В | 900 мВ | 1,5 А | 60нс | 48нс | 75В | 10 мкА ИКБО | НПН | 20 @ 1 А 1,5 В | 900 мВ при 100 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX2N3057A | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/391 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | /files/microsemicorporation-2n3057a-datasheets-4927.pdf | ТО-206АБ, ТО-46-3 Металлическая банка | 3 | 23 недели | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 3 недели назад) | нет | EAR99 | Свинец, Олово | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 500мВт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 3 | 500мВт | 1 | Квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 80В | 80В | 1А | 140 В | 7В | 10нА | НПН | 50 @ 500 мА 10 В | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTXV2N2905AL | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/290 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | /files/microsemicorporation-2n2904al-datasheets-5016.pdf | ТО-205АА, ТО-5-3 Металлическая банка | 3 | 23 недели | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | Нет | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | МИЛ-19500/290К | 800мВт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 3 | 1 | Квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 800мВт | 60В | 1,6 В | 600 мА | 45нс | 60В | 1 мкА | ПНП | 100 @ 150 мА 10 В | 1,6 В при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX2N2219 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/251 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-2n2219a-datasheets-8170.pdf | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | Нет | 800мВт | ТО-39 | 800мВт | 30 В | 1,6 В | 800мА | 30 В | 800мА | 10нА | НПН | 100 @ 150 мА 10 В | 1,6 В при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTXV2N4033 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/512 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/microsemicorporation-jantx2n4033-datasheets-4909.pdf | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | 3 | 23 недели | 3 | нет | EAR99 | Нет | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | МИЛ-19500/512 | 800мВт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 2 | 1 | Квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 800мВт | 80В | 1В | 1А | 210 нс | 40 нс | 80В | 10 мкА ИКБО | ПНП | 100 @ 100 мА 5 В | 1 В при 100 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЯН2Н3700УБ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/391 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/microsemicorporation-2n3700ub-datasheets-2249.pdf | 3-СМД, без свинца | 3 | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | МИЛ-19500 | 500мВт | ДВОЙНОЙ | 3 | 1 | Квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 500мВт | 80В | 500мВ | 1А | 140 В | 10 мкА ИКБО | НПН | 50 @ 500 мА 10 В | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЯНТХ2N3737 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/395 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 250 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | /files/microsemicorporation-2n3735l-datasheets-4933.pdf | ТО-46-3 | 3 | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 3 недели назад) | нет | EAR99 | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 500мВт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 3 | 500мВт | 1 | Квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | ТО-206АБ | 40В | 40В | 1,5 А | 60нс | 48нс | 75В | 5В | 10 мкА ИКБО | НПН | 20 @ 1 А 1,5 В | 900 мВ при 100 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЯН2Н3057А | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/391 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | /files/microsemicorporation-2n3057a-datasheets-4927.pdf | ТО-206АБ, ТО-46-3 Металлическая банка | 23 недели | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | Нет | 500мВт | ТО-46-3 | 500мВт | 80В | 500мВ | 1А | 80В | 1А | 140 В | 10нА | НПН | 50 @ 500 мА 10 В | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЯН2Н3439Л | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/368 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | /files/microsemicorporation-jan2n3440l-datasheets-5065.pdf | ТО-205АА, ТО-5-3 Металлическая банка | 3 | 22 недели | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 3 недели назад) | нет | EAR99 | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 800мВт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 3 | 800мВт | 1 | Другие транзисторы | Квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | НПН | 350В | 350В | 1А | 450В | 7В | 2мкА | НПН | 40 @ 20 мА 10 В | 500 мВ при 4 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЯН2Н2946А | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/382 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | /files/microsemicorporation-jantxv2n2946a-datasheets-1854.pdf | ТО-206АБ, ТО-46-3 Металлическая банка | 3 | 23 недели | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 3 недели назад) | нет | EAR99 | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 400мВт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 3 | 400мВт | 1 | Другие транзисторы | Квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ЧОППЕР | ПНП | 35В | 35В | 100 мА | 5 МГц | 450 нс | 40В | 40В | 10 мкА ИКБО | ПНП | 50 @ 1 мА 500 мВ |
