Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные BJT-транзисторы(15763)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Частота | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Продукт увеличения пропускной способности | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Макс. ток коллектора (IC) | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Код JEDEC-95 | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Минимальное устройство постоянного тока (hFE) | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Выключить Тайм-Макс (toff) | Время включения-Макс (тонна) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ДЖАНТХ2Н3439UA | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/368 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 1996 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-2n3440ua-datasheets-5357.pdf | 4-СМД, без свинца | 4 | 4 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | да | EAR99 | Нет | 800мВт | ДВОЙНОЙ | 4 | 800мВт | 1 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | НПН | 350В | 1А | 450В | 7В | 2мкА | НПН | 40 @ 20 мА 10 В | 500 мВ при 4 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N3019 ПББЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n3019pbfree-datasheets-4521.pdf | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | 20 недель | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | НЕТ | 260 | 30 | Другие транзисторы | Одинокий | НПН | 5 Вт | 800мВт | 100 МГц | 80В | 1А | 10на ИКБО | НПН | 100 @ 150 мА 10 В | 100 МГц | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTXV2N5662 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/454 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | /files/microsemicorporation-2n5662-datasheets-5218.pdf | ТО-205АА, ТО-5-3 Металлическая банка | 3 | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | МИЛ-19500 | 1 Вт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 3 | 1 | Квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | НПН | 200В | 2А | 2А | 850 нс | 250 нс | 250В | 200нА | НПН | 40 @ 500 мА 5 В | 800 мВ при 400 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX2N5109 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2004 г. | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | 3 | 20 недель | 3 | EAR99 | Нет | е0 | Оловянный свинец | НПН | МИЛ | 1 Вт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | Одинокий | 20 В | 400 мА | 1200 МГц | 40 | 40В | 3В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБТА92HLT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 12 недель | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA2210-EPN-1EX | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2016 год | ТО-220-3 Полный пакет | 2 Вт | Одинокий | 140 МГц | 50В | -200мВ | 500мВ | 20А | 20А | -50В | -6В | 150 | 10 мкА ИКБО | ПНП | 150 @ 1А 2В | 500 мВ при 350 мА, 7 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC847AT,115 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/nxpusainc-bc847t115-datasheets-0574.pdf | СК-75, СОТ-416 | 3 | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | МЭК-60134 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BC847 | 3 | 40 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 0,15 Вт | 150 мВт | 100 МГц | 45В | 100 мА | 15на ИКБО | НПН | 110 при 2 мА 5 В | 100 МГц | 400 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX2N1486 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/180 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | /files/microsemicorporation-jantx2n1485-datasheets-1820.pdf | ТО-233АА, ТО-8-3 Металлическая банка | 3 | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1,75 Вт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 3 | 1,75 Вт | 1 | Квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | НПН | 55В | 3А | 1,25 МГц | 100 В | 12 В | 15 мкА | НПН | 35 @ 750 мА 4 В | 750 мВ при 40 мА, 750 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PCP1103-П-ТД-Х | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 450 МГц | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-pcp1103tdh-datasheets-1346.pdf | ТО-243АА | Без свинца | 3 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 2 недели назад) | да | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | ДА | 1,3 Вт | 3 | 1,3 Вт | 1 | Другие транзисторы | Одинокий | ПНП | 3,5 Вт | 30 В | 30 В | 1,5 А | 1,5 А | 30 В | -5В | 200 | 100на ИКБО | ПНП | 200 @ 100 мА 2 В | 375 мВ при 15 мА, 750 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX2N1613 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/181 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | /files/microsemicorporation-jantxv2n1613l-datasheets-1853.pdf | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | 3 | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 3 недели назад) | нет | EAR99 | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 800мВт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 2 | 800мВт | 1 | Другие транзисторы | Квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | НПН | 30 В | 500 мА | 60 МГц | 75В | 7В | 10 мкА ИКБО | НПН | 40 @ 150 мА 10 В | 1,5 В @ 15 мА, 150 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КШ3055ТМ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2 МГц | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-ksh3055itu-datasheets-0114.pdf | -60В | -10А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 6 недель | 260,37 мг | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 1,75 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | КШ3055 | Одинокий | 1,75 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | 2 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 60В | 60В | 1,1 В | 60В | 10А | 2 МГц | 70В | 5В | 20 | 50 мкА | НПН | 20 @ 4А 4В | 8 В @ 3,3 А, 10 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC5414AF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2015 год | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | EAR99 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 400мВт | Другие транзисторы | Одинокий | НПН | 12 В | 100 мА | 5000 МГц | 135 | 20 В | 2В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC3332R-АА | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2016 год | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | НПН | 700мВт | 700 мА | 160 В | 700 мА | 180 В | 6В | 100 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC5414AF-АА | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2015 год | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБТ5401-D87Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-mmbt5401d87z-datasheets-4356.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | да | совместимый | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | ММБТ5401 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 0,225 Вт | 350 мВт | ТО-236АБ | 100 МГц | 150 В | 600 мА | 50на ИКБО | ПНП | 60 @ 10 мА 5 В | 300 МГц | 500 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КШ127ТМ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-ksh127tf-datasheets-1907.pdf | -100В | -8А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 6 недель | 260,37 мг | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | ПНП | 1,75 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | КШ127 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | 1,75 Вт | 100 В | 100 В | 2В | 100 В | 8А | -100В | -5В | 1000 | 10 мкА | PNP - Дарлингтон | 1000 @ 4А 4В | 4 В @ 80 мА, 8 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCW61BMTF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-bcw61cmtf-datasheets-5636.pdf | -32В | -100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 2 недели | 30мг | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Олово | е3 | 350 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | BCW61 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 350 мВт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 32В | 32В | -550мВ | 32В | 100 мА | 800 нс | -32В | -5В | 140 | 20нА | ПНП | 140 при 2 мА 5 В | 550 мВ при 1,25 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KSP2222ATF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 300 МГц | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/onsemiconductor-ksp2222atf-datasheets-4350.pdf | 40В | 600 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 4,58 мм | 4,58 мм | 3,86 мм | Без свинца | 3 | 6 недель | 240мг | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 625 МВт | НИЖНИЙ | КСП2222 | Одинокий | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | 300 МГц | КРЕМНИЙ | НПН | 40В | 40В | 1В | 40В | 600 мА | 300 МГц | 285 нс | 75В | 6В | 100 | 10на ИКБО | НПН | 100 @ 150 мА 10 мВ | 1 В @ 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCX71J | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/onsemiconductor-bcx71jd87z-datasheets-7842.pdf | -45В | -100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 970 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 6 недель | 30мг | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | 1 МГц | е3 | 350 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | BCX71 | Одинокий | 350 мВт | 1 | Другие транзисторы | 250 МГц | ПНП | 45В | 45В | -550мВ | 45В | 100 мА | 800 нс | -45В | -5В | 250 | 20нА | ПНП | 250 при 2 мА 5 В | 550 мВ при 1,25 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| КШ45Х11ТФ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 40 МГц | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-ksh45h11itu-datasheets-0146.pdf | -80В | -8А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 9 недель | 260,37 мг | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 1,75 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | КШ45Х11 | Одинокий | 1,75 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | 40 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 80В | 80В | -1В | 80В | 8А | 40 МГц | -80В | -5В | 60 | 10 мкА | ПНП | 40 @ 4А 1В | 1 В при 400 мА, 8 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КСД471АГТА | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 130 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-ksd471aybu-datasheets-9007.pdf | 30 В | 1А | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Без свинца | 3 | 6 недель | 240мг | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 800мВт | НИЖНИЙ | КСД471 | Одинокий | 800мВт | 1 | Другие транзисторы | 130 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 30 В | 30 В | 30 В | 1А | 130 МГц | 40В | 5В | 120 | 100на ИКБО | НПН | 200 @ 100 мА 1 В | 500 мВ при 100 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4410 ОЛОВО/СВИНЦОВЫЙ | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-2n4410tinlead-datasheets-4491.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | не_совместимо | е0 | Оловянный свинец | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 625 МВт | 80В | 250 мА | 10на ИКБО | НПН | 60 @ 10 мА 1 В | 300 МГц | 200 мВ @ 100 мкА, 1 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC5488-TL-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2014 год | СК-89, СОТ-490 | 6 недель | НПН | 100мВт | 10 В | 70 мА | 7 ГГц | 20 В | 2В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЯНТХ2N3055 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/407 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/microsemicorporation-jan2n3055-datasheets-5404.pdf | ТО-204АА, ТО-3 | 2 | 20 недель | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 6 Вт | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | 2 | 6 Вт | 1 | Квалифицированный | О-МБФМ-П2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 70В | 15А | 100 В | 7В | 1 мА | НПН | 20 @ 4А 4В | 2 В @ 3,3 А, 10 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC5231C8-TL-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2016 год | СК-75, СОТ-416 | НПН | 100мВт | 10 В | 70 мА | 7 ГГц | 20 В | 2В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC4486T-АН | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2016 год | СК-71 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SB1203S-H-TL-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2010 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 1 Вт | 1 Вт | 50В | 550 мВ | 5А | 1 мкА ИКБО | ПНП | 140 @ 500 мА 2 В | 130 МГц | 550 мВ при 150 мА, 3 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC3332R | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 3 | 3 | EAR99 | Нет | 8541.21.00.75 | Олово/медь/серебро/никель (Sn/Cu/Ag/Ni) | НПН | 700мВт | НИЖНИЙ | 3 | 1 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 0,7 А | 700 мА | 160 В | 120 МГц | 100 | 6В | 100 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KST55MTF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | 50 МГц | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-kst55mtf-datasheets-4194.pdf | -60В | -500мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 6 недель | 30мг | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 350 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | КСТ55 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 350 мВт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | 50 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 60В | 60В | -250мВ | 60В | 500 мА | 50 МГц | -60В | -4В | 50 | 100 нА | ПНП | 50 @ 100 мА 1 В | 250 мВ при 10 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КШ47ТФ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 10 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-ksh47tf-datasheets-4206.pdf | 250В | 1А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 6 недель | 260,37 мг | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Олово (Вс) | 1,56 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | КШ47 | Одинокий | 1,56 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | 10 МГц | КРЕМНИЙ | НПН | 250В | 250В | 250В | 1А | 10 МГц | 350В | 5В | 30 | 200 мкА | НПН | 30 @ 300 мА 10 В | 1 В при 200 мА, 1 А |
