Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные BJT-транзисторы(15763)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Частота | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Продукт увеличения пропускной способности | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Макс. ток коллектора (IC) | Макс. Коллектор-эмиттер напряжения | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Код JEDEC-95 | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Минимальное устройство постоянного тока (hFE) | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Выключить Тайм-Макс (toff) | Время включения-Макс (тонна) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| JANTX2N5745 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/433 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | ТО-204АА, ТО-3 | 2 | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 5 Вт | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | 2 | 5 Вт | 1 | Квалифицированный | О-МБФМ-П2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 80В | 20А | 80В | 5В | 100 мкА | ПНП | 15 @ 10А 2В | 1 В при 1 А, 10 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTXV2N4399 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/433 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | ТО-204АА, ТО-3 | 2 | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 5 Вт | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | 2 | 1 | Квалифицированный | О-МБФМ-П2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 5 Вт | 60В | 30А | 60В | 100 мкА | ПНП | 15 @ 15А 2В | 750 мВ при 1 А, 10 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЯНС2Н3439UA | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/368 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | /files/microsemicorporation-2n3440ua-datasheets-5357.pdf | 4-СМД, без свинца | 4 | 20 недель | 4 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | МИЛ-19500/368Ф | 800мВт | ДВОЙНОЙ | 4 | 1 | Другие транзисторы | Квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | НПН | 350В | 1А | 1А | 10000нс | 1000 нс | 450В | 2мкА | НПН | 40 @ 20 мА 10 В | 500 мВ при 4 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЯН2Н5662 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/454 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | /files/microsemicorporation-2n5662-datasheets-5218.pdf | ТО-205АА, ТО-5-3 Металлическая банка | 3 | 36 недель | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | МИЛ-19500 | 1 Вт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 3 | 1 | Квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | НПН | 200В | 2А | 2А | 850 нс | 250 нс | 250В | 200нА | НПН | 40 @ 500 мА 5 В | 800 мВ при 400 мА, 2 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЯН2Н6251Т1 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/510 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jan2n6250-datasheets-0518.pdf | ТО-254-3, ТО-254АА (прямые выводы) | 3 | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | Нет | 8541.29.00.95 | МИЛ-19500/510 | 6 Вт | ОДИНОКИЙ | ПИН/ПЭГ | 3 | 1 | Другие транзисторы | Квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | НПН | 350В | 10А | 10А | 450В | 1 мА | НПН | 6 @ 10 А 3 В | 1,5 В @ 1,67 А, 10 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTXV2N5416U4 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/485 | Поверхностный монтаж | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | /files/microsemicorporation-jantx2n5416u4-datasheets-0385.pdf | 3-СМД, без свинца | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 3 недели назад) | нет | EAR99 | е4 | Золото (Au) - с никелевым (Ni) барьером | ДА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | Другие транзисторы | Квалифицированный | Одинокий | ПНП | 15 Вт | 1 Вт | 300В | 1А | 1 мА | ПНП | 30 @ 50 мА 10 В | 2 В @ 5 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЯНТХ2N3960 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/399 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 3 | 3 | нет | Нет | 8541.21.00.95 | е0 | Оловянный свинец | 400мВт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 3 | 1 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 400мВт | 12 В | 20 В | 10 мкА ИКБО | НПН | 60 @ 10 мА 1 В | 300 мВ при 3 мА, 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБТ6517LT3G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 200 МГц | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mmbt6517lt1g-datasheets-6737.pdf | 350В | 500 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 7 часов назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ММБТ6517 | 3 | Одинокий | 40 | 300мВт | 1 | Другие транзисторы | 200 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 225 МВт | 350В | 350В | 1В | 350В | 100 мА | 40 МГц | 350В | 5В | 20 | 50на ИКБО | НПН | 20 @ 50 мА 10 В | 1 В при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ЯНС2Н6193У3 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | ТО-39 | 3 | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | МИЛ-19500/561 | НИЖНИЙ | 200°С | 1 | Другие транзисторы | Квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 100 Вт | 5А | 100 В | 60 | 2200 нс | 200 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЯНС2Н5416UA | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/485 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-2n5415ua-datasheets-1790.pdf | 4-СМД, без свинца | 4 | 33 недели | 4 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДВОЙНОЙ | 1 | Квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 750 мВт | 300В | 1А | 10000нс | 1000 нс | 1 мА | ПНП | 30 @ 50 мА 10 В | 2 В @ 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJX1182YTF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 200 МГц | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-fjx1182otf-datasheets-9191.pdf | -30В | -500мА | СК-70, СОТ-323 | Без свинца | 3 | 6 недель | 30мг | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | FJX1182 | Одинокий | 150 мВт | 1 | Другие транзисторы | 200 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 30 В | 30 В | -100мВ | 30 В | 500 мА | 200 МГц | -35В | -5В | 70 | 100на ИКБО | ПНП | 120 @ 100 мА 1 В | 250 мВ при 10 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTXV2N5666U3 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/455 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | 3-СМД, плоский вывод | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | EAR99 | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1,5 Вт | Другие транзисторы | Одинокий | НПН | 1,2 Вт | 200В | 5А | 5А | 250В | 200нА | НПН | 40 @ 1А 5В | 1 В при 1 А, 5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTXV2N5672 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/488 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | ТО-204АА, ТО-3 | 2 | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 6 Вт | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | 2 | 6 Вт | 1 | Квалифицированный | О-МБФМ-П2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | НПН | 120 В | 30А | 50 МГц | 150 В | 7В | 10 мА | НПН | 20 @ 15А 2В | 5 В при 6 А, 30 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PCP1203-П-ТД-Х | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | ТО-243АА | 6 недель | 1,3 Вт | 1,3 Вт | 30 В | 225 мВ | 1,5 А | 100на ИКБО | НПН | 200 @ 100 мА 2 В | 500 МГц | 225 мВ при 15 мА, 750 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX2N3251AUB | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/323 | Поверхностный монтаж | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/microsemicorporation-2n3250a-datasheets-4988.pdf | 3-СМД, без свинца | УБ | 360мВт | 60В | 200 мА | 10 мкА ИКБО | ПНП | 100 @ 10 мА 1 В | 500 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTXV2N6250T1 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/510 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jan2n6250-datasheets-0518.pdf | ТО-254-3, ТО-254АА (прямые выводы) | 3 | 2 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | Нет | МИЛ-19500/510 | 6 Вт | ОДИНОКИЙ | ПИН/ПЭГ | 3 | 1 | Другие транзисторы | Квалифицированный | S-XSFM-P3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | НПН | 275В | 10А | 10А | 375В | 1 мА | НПН | 8 @ 10 А 3 В | 1,5 В при 1,25 А, 10 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTXV2N4931 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/397 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | 3 | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 Вт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 3 | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | Квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 250В | 200 мА | 20 МГц | 250В | 5В | 250 на ИКБО | ПНП | 50 @ 30 мА 10 В | 1,2 В при 3 мА, 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5401 ОЛОВО/СВИНЦОВЫЙ | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-2n5401tinlead-datasheets-4587.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | не_совместимо | е0 | Оловянный свинец | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 625 МВт | 150 В | 600 мА | 50на ИКБО | ПНП | 60 @ 10 мА 5 В | 300 МГц | 500 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Январь2N4399 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/433 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | ТО-204АА, ТО-3 | 2 | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | е0 | Оловянный свинец | 5 Вт | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | 2 | 1 | Другие транзисторы | Квалифицированный | О-МБФМ-П2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 5 Вт | 60В | 30А | 4 МГц | 60В | 100 мкА | ПНП | 15 @ 15А 2В | 750 мВ при 1 А, 10 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD1060S-JKH-1E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2009 год | ТО-220-3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX2N4405 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | Содержит свинец | 3 | 23 недели | 3 | нет | EAR99 | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ПНП | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 3 | 1 | Другие транзисторы | Квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | 5 Вт | 0,5 А | 80В | 200 МГц | 50 | 225 нс | 40 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Январь2N3441 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/369 | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | ТО-213АА, ТО-66-2 | 2 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 3 недели назад) | EAR99 | не_совместимо | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | МИЛ-19500/369С | НЕТ | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | 2 | 1 | Другие транзисторы | Квалифицированный | О-МБФМ-П2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | НПН | 25 Вт | 3 Вт | 140 В | 3А | НПН | 25 @ 500 мА 4 В | 1 В @ 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTXV2N3763 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/396 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | 3 | 20 недель | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 Вт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 2 | 1 | Другие транзисторы | Квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 1 Вт | 60В | 1,5 А | 150 МГц | 115 нс | 60В | 10 мкА ИКБО | ПНП | 20 @ 1 А 1,5 В | 900 мВ при 100 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Январь 2N1482 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/207 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/microsemicorporation-2n1479-datasheets-5185.pdf | ТО-205АА, ТО-5-3 Металлическая банка | 3 | 3 | нет | EAR99 | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 Вт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 3 | 1 Вт | 1 | Квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | НПН | 55В | 1,5 А | 100 В | 12 В | 5 мкА ИКБО | НПН | 35 @ 200 мА 4 В | 750 мВ при 10 мА, 200 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC6017-TL-EX | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2005 г. | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 10 недель | 950 МВт | 950 МВт | 50В | 360 мВ | 10А | 10 мкА ИКБО | НПН | 200 @ 1А 2В | 200 МГц | 360 мВ при 250 мА, 5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЯНТХ2N6298 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/540 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | /files/microsemicorporation-jantx2n6299-datasheets-3843.pdf | ТО-213АА, ТО-66-2 | Содержит свинец | 2 | 20 недель | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | Свинец, Олово | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ПНП | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | 3 | Одинокий | 1 | Квалифицированный | О-МБФМ-П2 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | 64 Вт | 2В | 60В | 8А | 4 МГц | 60В | 5В | 500 мкА | PNP - Дарлингтон | 750 @ 4А 3В | 2 В @ 80 мА, 8 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX2N5685 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/464 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | ТО-204АА, ТО-3 | 2 | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | МИЛ-19500/464 | 300 Вт | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | 2 | 1 | Квалифицированный | О-МБФМ-П2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 300 Вт | ТО-204АЭ | 60В | 50А | 2 МГц | 60В | 500 мкА | НПН | 15 @ 25А 2В | 5 В при 10 А, 50 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДЖАНТХ2Н3440UA | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/368 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | 4-СМД, без свинца | 4 | 4 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | EAR99 | Нет | МИЛ-19500/368Ф | 800мВт | ДВОЙНОЙ | 4 | 1 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | НПН | 250В | 1А | 1А | 10000нс | 1000 нс | 300В | 2мкА | НПН | 40 @ 20 мА 10 В | 500 мВ при 4 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЯНС2Н5416 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | Не соответствует требованиям RoHS | 3 | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 3 недели назад) | нет | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ВОЕННЫЙ СТАНДАРТ (США) | 750 мВт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 1 | Квалифицированный | ТО-5 | 300В | 1А | 350В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЯН2Н3585 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/384 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | ТО-213АА, ТО-66-2 | 2 | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 2,5 Вт | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | 2 | 1 | Квалифицированный | О-МБФМ-П2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 300В | 2А | 2А | 500В | 5мА | НПН | 25 @ 1А 10В | 750 мВ при 125 мА, 1 А |
