| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Продукт увеличения пропускной способности | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Код JEDEC-95 | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Минимальное устройство постоянного тока (hFE) | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Выключить Тайм-Макс (toff) | Время включения-Макс (тонна) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| JANTXV2N3960UB | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/399 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jantx2n3960ub-datasheets-4838.pdf | 3-СМД, без свинца | 3 | 4 | нет | Нет | е0 | Оловянный свинец | МИЛ-19500/399 | 400мВт | ДВОЙНОЙ | 3 | 1 | Р-ЦДСО-Н3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 400мВт | 12 В | 20 В | 10 мкА ИКБО | НПН | 60 @ 10 мА 1 В | 300 мВ при 3 мА, 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CPH6153-P-TL-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/onsemiconductor-cph6153tle-datasheets-4719.pdf | СК-74, СОТ-457 | 1,3 Вт | 1,3 Вт | 20 В | 195мВ | 3А | -5В | 200 | 100на ИКБО | ПНП | 200 @ 100 мА 2 В | 500 МГц | 195 мВ при 75 мА, 1,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Январь2N3879 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/526 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | ТО-213АА, ТО-66-2 | 2 | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | EAR99 | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | МИЛ | 35 Вт | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | 3 | Квалифицированный | О-МБФМ-П2 | КРЕМНИЙ | НПН | 75В | 7А | 7А | 120 В | 25 мА ИКБО | НПН | 20 @ 4А 5В | 1,2 В при 400 мА, 4 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Январь2N3634 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/357 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jans2n3637-datasheets-3852.pdf | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | 3 | 23 недели | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 3 недели назад) | нет | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 Вт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 2 | 1 | Квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 1 Вт | 140 В | 1А | 650 нс | 200 нс | 140 В | 10 мкА | ПНП | 50 @ 50 мА 10 В | 600 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЯНС2Н4150 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/394 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | ТО-205АА, ТО-5-3 Металлическая банка | 3 | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | е0 | Оловянный свинец | 1 Вт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 3 | 1 | Квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 70В | 10А | 10А | 2000 нс | 550 нс | 100 В | 10 мкА | НПН | 40 @ 5А 5В | 2,5 В при 1 А, 10 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CJD13003 TR13 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cjd13003tr13-datasheets-4824.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 26 недель | ДА | Другие транзисторы | Одинокий | НПН | 15 Вт | 1,56 Вт | 4 МГц | 400В | 1,5 А | НПН | 5 @ 1А 2В | 4 МГц | 3 В при 500 мА, 1,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX2N2944A | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/382 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jantxv2n2946a-datasheets-1854.pdf | ТО-206АБ, ТО-46-3 Металлическая банка | 3 | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | МИЛ | 400мВт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 3 | 400мВт | 1 | Другие транзисторы | Квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ЧОППЕР | ПНП | 10 В | 100 мА | 15 МГц | 450 нс | 15 В | 15 В | 10 мкА ИКБО | ПНП | 100 @ 1 мА 500 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЯНВ2Н3420 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/393 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | /files/microsemicorporation-jantx2n3421-datasheets-3848.pdf | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | 3 | 22 недели | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 Вт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 3 | 1 Вт | 1 | Квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | ТО-5 | 60В | 3А | 85В | 8В | 5 мкА | НПН | 40 @ 1А 2В | 500 мВ при 200 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX2N3635UB | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/357 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | /files/microsemicorporation-jans2n3637-datasheets-3852.pdf | 3-СМД, без свинца | 3 | 23 недели | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 Вт | ДВОЙНОЙ | 3 | 1 | Другие транзисторы | Квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 1,5 Вт | 140 В | 1А | 650 нс | 200 нс | 140 В | 10 мкА | ПНП | 100 @ 50 мА 10 В | 600 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA2127-АЕ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-2sa2127-datasheets-5955.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 6 мм | 8,5 мм | 4,7 мм | Без свинца | 3 | 3 | да | EAR99 | 420 МГц | Олово/медь/серебро/никель (Sn/Cu/Ag/Ni) | НЕТ | 1 Вт | НИЖНИЙ | 3 | Одинокий | 1 | Другие транзисторы | 420 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 50В | ТО-226АЭ | 50В | -200мВ | 50В | 2А | 420 МГц | -50В | -6В | 1 мкА ИКБО | ПНП | 200 @ 100 мА 2 В | 400 мВ при 50 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н3251АУБ | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-2n3250a-datasheets-4988.pdf | 3-СМД, без свинца | 3 | 4 | нет | EAR99 | е0 | Оловянный свинец | 360мВт | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ЦДСО-Н3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПНП | 60В | 200 мА | 200 мА | 300 нс | 70нс | 10 мкА ИКБО | ПНП | 100 @ 10 мА 1 В | 500 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н2432А | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | /files/microsemicorporation-jantx2n2432a-datasheets-0355.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 3 | 22 недели | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 3 недели назад) | нет | EAR99 | Свинец, Олово | Нет | е0 | Оловянный свинец | 300мВт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 3 | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ЧОППЕР | НПН | 300мВт | 45В | 100 мА | 20 МГц | 30 В | 45В | 10нА | НПН | 80 @ 1 мА 5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX2N3960UB | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/399 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jantx2n3960ub-datasheets-4838.pdf | 3-СМД, без свинца | 3 | 4 | нет | Нет | е0 | Оловянный свинец | МИЛ-19500/399 | 400мВт | ДВОЙНОЙ | 3 | 1 | Р-ЦДСО-Н3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 400мВт | 12 В | 20 В | 10 мкА ИКБО | НПН | 60 @ 10 мА 1 В | 300 мВ при 3 мА, 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTXV2N3997 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/374 | Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | /files/microsemicorporation-jan2n3999-datasheets-5487.pdf | ТО-111-4, Шпилька | 4 | 20 недель | 4 | нет | EAR99 | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 2 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 4 | 1 | Квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 80В | 5А | 10А | 100 В | 10 мкА | НПН | 80 @ 1А 2В | 2 В при 500 мА, 5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н3960УБ | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jantx2n3960ub-datasheets-4838.pdf | 3-СМД, без свинца | 3 | 4 | Нет | 400мВт | ДВОЙНОЙ | 3 | 1 | Р-ЦДСО-Н3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 400мВт | 12 В | 20 В | 10 мкА ИКБО | НПН | 60 @ 10 мА 1 В | 300 мВ при 3 мА, 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX2N3634UB | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/357 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jans2n3637-datasheets-3852.pdf | 3-СМД, без свинца | 3 | 23 недели | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 Вт | ДВОЙНОЙ | 3 | 1 | Другие транзисторы | Квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 1 Вт | 140 В | 1А | 650 нс | 200 нс | 140 В | 10 мкА | ПНП | 50 @ 50 мА 10 В | 600 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЯНТХ2N3634 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/357 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/microsemicorporation-jans2n3637-datasheets-3852.pdf | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | 3 | 23 недели | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 Вт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 2 | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | Квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 140 В | 1А | 150 МГц | 650 нс | 200 нс | 140 В | 5В | 10 мкА | ПНП | 50 @ 50 мА 10 В | 600 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTXV2N5339U3 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/560 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | 3 | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | МИЛ-19500/560 | 1 Вт | НИЖНИЙ | 5 | 1 | Квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 1 Вт | ТО-276АА | 100 В | 5А | 100 В | 100 мкА | НПН | 60 @ 2А 2В | 1,2 В при 500 мА, 5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTXV2N3634 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/357 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jans2n3637-datasheets-3852.pdf | ТО-39 | 3 | 23 недели | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 4 недели назад) | нет | EAR99 | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 Вт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 2 | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | Квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 140 В | 1А | 150 МГц | 650 нс | 200 нс | 140 В | 5В | 10 мкА | ПНП | 50 @ 50 мА 10 В | 600 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н3634УБ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | /files/microsemicorporation-jans2n3637-datasheets-3852.pdf | 3-СМД, без свинца | 3 | 22 недели | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | 1 Вт | ДВОЙНОЙ | 3 | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 1 Вт | 140 В | 1А | 140 В | 10 мкА | ПНП | 50 @ 50 мА 10 В | 600 мВ при 5 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTXV2N3749 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/315 | Шпилька | Крепление шпильки | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2004 г. | /files/microsemicorporation-jan2n3749-datasheets-5488.pdf | ТО-111-4, Шпилька | 3 | 20 недель | 3 | нет | EAR99 | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 2 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 2 Вт | 1 | Квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПНП | ТО-59 | 80В | 5А | 110 В | 8В | 20 мкА | НПН | 40 @ 1А 2В | 1,5 В при 500 мА, 5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX2N3636L | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/357 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | /files/microsemicorporation-jans2n3637-datasheets-3852.pdf | ТО-205АА, ТО-5-3 Металлическая банка | 3 | 23 недели | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 Вт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 3 | 1 | Другие транзисторы | Квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 1 Вт | 175В | 1А | 650 нс | 200 нс | 175В | 10 мкА | ПНП | 50 @ 50 мА 10 В | 600 мВ при 5 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЯН2Н3636Л | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/357 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jans2n3637-datasheets-3852.pdf | ТО-205АА, ТО-5-3 Металлическая банка | 3 | 23 недели | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 Вт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 3 | 1 | Квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 1 Вт | 175В | 1А | 650 нс | 200 нс | 175В | 10 мкА | ПНП | 50 @ 50 мА 10 В | 600 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н3635 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | /files/microsemicorporation-jans2n3637-datasheets-3852.pdf | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | Содержит свинец | 22 недели | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 3 недели назад) | Нет | 1 Вт | ТО-39 | 1 Вт | 140 В | 1А | 140 В | 1А | 140 В | 10 мкА | ПНП | 100 @ 50 мА 10 В | 600 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Январь2N3791 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/379 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | ТО-3 | 2 | 22 недели | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 5 Вт | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | 2 | 1 | Квалифицированный | О-МБФМ-П2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 5 Вт | ТО-204АА | 60В | 10А | 4 МГц | 60В | 5мА | ПНП | 30 @ 3А 2В | 2,5 В при 2 А, 10 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Январь2N3867 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/350 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-2n3867s-datasheets-4969.pdf | ТО-205АА, ТО-5-3 Металлическая банка | 22 недели | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 3 недели назад) | Нет | 1 Вт | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | Одинокий | ПНП | 40В | 3А | 40В | 4В | 100 мкА ИКБО | ПНП | 40 @ 1,5 А 2 В | 1,5 В @ 250 мА, 2,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTXV2N3636L | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/357 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jans2n3637-datasheets-3852.pdf | ТО-205АА, ТО-5-3 Металлическая банка | 3 | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 Вт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 3 | 1 | Другие транзисторы | Квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 1 Вт | 175В | 1А | 650 нс | 200 нс | 175В | 10 мкА | ПНП | 50 @ 50 мА 10 В | 600 мВ при 5 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2 января 1479 года | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | 125°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | 3 | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 3 недели назад) | нет | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | МИЛ-19500/207 | 1 Вт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 3 | 1 | Квалифицированный | ОДИНОКИЙ | НПН | ТО-5 | 40В | 1,5 А | 20 | 60В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTXV2N3791 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/379 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | ТО-3 | 2 | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 5 Вт | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | 2 | 1 | Квалифицированный | О-МБФМ-П2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 5 Вт | ТО-204АА | 60В | 10А | 4 МГц | 60В | 5мА | ПНП | 30 @ 3А 2В | 2,5 В при 2 А, 10 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX2N3636UB | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/357 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jans2n3637-datasheets-3852.pdf | 3-СМД, без свинца | 3 | 23 недели | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 Вт | ДВОЙНОЙ | 3 | 1 | Другие транзисторы | Квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 1,5 Вт | 175В | 1А | 650 нс | 200 нс | 175В | 10 мкА | ПНП | 50 @ 50 мА 10 В | 600 мВ при 5 мА, 50 мА |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.