Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные BJT-транзисторы(15763)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Мощность - Макс. | Код JEDEC-95 | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Выключить Тайм-Макс (toff) | Время включения-Макс (тонна) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ММБТ3904Т-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/diodesincorporated-mmbt3904t7-datasheets-0902.pdf | СОТ-523 | 3 | нет | EAR99 | совместимый | е0 | Оловянный свинец | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 235 | 3 | 10 | 1 | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | НПН | 150 мВт | 300 МГц | 40В | 200 мА | 250 нс | 70нс | 50нА | НПН | 100 @ 10 мА 1 В | 300 МГц | 300 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||
| ММБТ2907А-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | Нет СВХК | 3 | нет | EAR99 | Нет | е0 | Оловянный свинец | 300мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 235 | 3 | 10 | 1 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 310мВт | 60В | 600 мА | 200 МГц | 100 нс | 45нс | 60В | 10на ИКБО | ПНП | 100 @ 150 мА 10 В | 200 МГц | 1,6 В при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||
| 2SD2206,T6F(Дж | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sd2206t6cnoaf-datasheets-6695.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов | 900мВт | 100 В | 2А | 10 мкА ИКБО | НПН | 2000 @ 1А 2В | 100 МГц | 1,5 В при 1 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD2695(T6CANO,А,Ф | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sd2695t6canoaf-datasheets-6746.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов | ТО-92МОД | 900мВт | 60В | 2А | 10 мкА ИКБО | НПН | 2000 @ 1А 2В | 100 МГц | 1,5 В при 1 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD2695(Т6КНО,А,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sd2695t6canoaf-datasheets-6746.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов | ТО-92МОД | 900мВт | 60В | 2А | 10 мкА ИКБО | НПН | 2000 @ 1А 2В | 100 МГц | 1,5 В при 1 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA1020-Y,T6NSF(J | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sa1020ofj-datasheets-0961.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов | ТО-92МОД | 900мВт | 50В | 2А | 1 мкА ИКБО | ПНП | 70 @ 500 мА 2 В | 100 МГц | 500 мВ при 50 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭН2222А | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЕС304 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD2206(Т6КНО,А,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sd2206t6cnoaf-datasheets-6695.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов | 900мВт | 100 В | 2А | 10 мкА ИКБО | НПН | 2000 @ 1А 2В | 100 МГц | 1,5 В при 1 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX2N5154 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/544 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | 3 | 20 недель | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | EAR99 | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | МИЛ | 1 Вт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 1 Вт | 1 | Квалифицированный | КРЕМНИЙ | НПН | ТО-5 | 80В | 2А | 100 В | 5,5 В | 50 мкА | НПН | 70 @ 2,5 А 5 В | 1,5 В при 500 мА, 5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SCR523V1T2L | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | Без свинца | НПН | 100мВт | Двойной | 50В | 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX2N6250T1 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/510 | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jan2n6250-datasheets-0518.pdf | ТО-254-3, ТО-254АА (прямые выводы) | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 3 недели назад) | нет | EAR99 | 8541.29.00.95 | МИЛ-19500/510 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | ПИН/ПЭГ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Квалифицированный | S-XSFM-P3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | НПН | 175 Вт | 6 Вт | 275В | 10А | 1 мА | НПН | 8 @ 10 А 3 В | 1,5 В при 1,25 А, 10 А | |||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н2945АУБ | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-2n2944aub-datasheets-5104.pdf | 3-СМД, без свинца | 22 недели | 3 | EAR99 | Нет | 400мВт | 400мВт | 1 | 20 В | 100 мА | 25 В | 25 В | 10 мкА ИКБО | ПНП | 70 @ 1 мА 500 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX2N718A | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/181 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/microsemicorporation-jantxv2n1613l-datasheets-1853.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 3 | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 500мВт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 3 | 500мВт | 1 | Другие транзисторы | Квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | НПН | 30В | 500 мА | 75В | 7В | 10 мкА ИКБО | НПН | 40 @ 150 мА 10 В | 1,5 В @ 15 мА, 150 мА | ||||||||||||||||||||||||||||
| JANTXV2N3421S | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/393 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | /files/microsemicorporation-2n3419s-datasheets-5134.pdf | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | 3 | 20 недель | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 Вт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 2 | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | Квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 80В | 3А | 125 В | 8В | 5 мкА | НПН | 40 @ 1А 2В | 500 мВ при 200 мА, 2 А | |||||||||||||||||||||||||
| ЯН2Н3868 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/350 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | /files/microsemicorporation-2n3867s-datasheets-4969.pdf | ТО-205АА, ТО-5-3 Металлическая банка | 3 | 22 недели | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 Вт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 3 | 1 Вт | 1 | Квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 60В | 3А | 600 нс | 60В | 4В | 100 мкА ИКБО | ПНП | 30 @ 1,5 А 2 В | 1,5 В @ 250 мА, 2,5 А | |||||||||||||||||||||||||
| JANTXV2N7373 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/613 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | ТО-254-3, ТО-254АА (прямые выводы) | 3 | 3 | нет | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | МИЛ | 58 Вт | ОДИНОКИЙ | ПИН/ПЭГ | 3 | 1 | Квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 4 Вт | 80В | 5А | 5А | 50 мкА | НПН | 70 @ 2,5 А 5 В | 1,5 В при 500 мА, 5 А | |||||||||||||||||||||||||||
| ЯНТХ2N3999 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/374 | Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jan2n3999-datasheets-5487.pdf | ТО-210АА, ТО-59-4, Шпилька | 3 | 20 недель | 4 | нет | EAR99 | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 2 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 4 | 2 Вт | 1 | Квалифицированный | О-МУПМ-Х3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 80В | 5А | 10А | 100 В | 8В | 10 мкА | НПН | 80 @ 1А 2В | 2 В при 500 мА, 5 А | |||||||||||||||||||||||||
| JANTXV2N3055 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/407 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jan2n3055-datasheets-5404.pdf | ТО-3 | 2 | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | EAR99 | Нет | е0 | Оловянный свинец | 6 Вт | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | 2 | 6 Вт | 1 | Другие транзисторы | Квалифицированный | О-МБФМ-П2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | НПН | 70В | 15А | 2,5 МГц | 100 В | 7В | 1 мА | НПН | 20 @ 4А 4В | 2 В @ 3,3 А, 10 А | ||||||||||||||||||||||||||
| ЯН2Н3636УБ | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/357 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-jans2n3637-datasheets-3852.pdf | 3-СМД, без свинца | 3 | 23 недели | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 4 недели назад) | нет | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 Вт | ДВОЙНОЙ | 3 | 1 | Другие транзисторы | Квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 1,5 Вт | 175В | 1А | 650 нс | 200 нс | 175В | 10 мкА | ПНП | 50 @ 50 мА 10 В | 600 мВ при 5 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||
| JANTXV2N2218A | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/251 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | /files/microsemicorporation-2n2219a-datasheets-8170.pdf | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | 3 | 23 недели | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 800мВт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 2 | 800мВт | 1 | Другие транзисторы | Квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | ТО-5 | 50В | 800 мА | 250 МГц | 75В | 6В | 10нА | НПН | 40 @ 150 мА 10 В | 1 В при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||
| ЯНТХ2N3749 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/315 | Шпилька | Крепление шпильки | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | /files/microsemicorporation-jan2n3749-datasheets-5488.pdf | ТО-111-4, Шпилька | 3 | 20 недель | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 4 недели назад) | нет | EAR99 | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 2 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 2 Вт | 1 | Квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПНП | ТО-59 | 80В | 5А | 110 В | 8В | 20 мкА | НПН | 40 @ 1А 2В | 1,5 В при 500 мА, 5 А | |||||||||||||||||||||||||||
| ЯНТХ2N3997 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/374 | Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | /files/microsemicorporation-jan2n3999-datasheets-5487.pdf | ТО-111-4, Шпилька | 4 | 20 недель | 4 | нет | EAR99 | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 2 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 4 | 1 | Квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 80В | 5А | 10А | 100 В | 10 мкА | НПН | 80 @ 1А 2В | 2 В при 500 мА, 5 А | ||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н3485А | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/microsemicorporation-2n3486a-datasheets-4914.pdf | ТО-206АБ, ТО-46-3 Металлическая банка | 3 | 22 недели | нет | EAR99 | е0 | Оловянный свинец | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | О-MBCY-W3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПНП | 0,4 Вт | 400мВт | 200 МГц | 60В | 600 мА | 10 мкА ИКБО | ПНП | 40 @ 150 мА 10 В | 1,6 В при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX2N3637UB | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/357 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | /files/microsemicorporation-jans2n3637-datasheets-3852.pdf | 3-СМД, без свинца | 3 | 23 недели | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 3 недели назад) | нет | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 Вт | ДВОЙНОЙ | 3 | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | Квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 1,5 Вт | 175В | 1А | 650 нс | 200 нс | 175В | 5В | 10 мкА | ПНП | 100 @ 50 мА 10 В | 600 мВ при 5 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||
| JANTXV2N5154 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/544 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | 3 | 20 недель | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | EAR99 | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | МИЛ | 1 Вт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 1 Вт | 1 | Квалифицированный | КРЕМНИЙ | НПН | ТО-5 | 80В | 2А | 100 В | 5,5 В | 50 мкА | НПН | 70 @ 2,5 А 5 В | 1,5 В при 500 мА, 5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ЯНТХ2Н3421С | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/393 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | /files/microsemicorporation-2n3419s-datasheets-5134.pdf | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | 3 | 20 недель | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 4 недели назад) | нет | EAR99 | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 Вт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 2 | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | Квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 80В | 3А | 125 В | 8В | 5 мкА | НПН | 40 @ 1А 2В | 500 мВ при 200 мА, 2 А | |||||||||||||||||||||||||
| JANTXV2N3419 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/393 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | /files/microsemicorporation-jantx2n3421-datasheets-3848.pdf | ТО-205АА, ТО-5-3 Металлическая банка | 3 | 20 недель | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 4 недели назад) | нет | EAR99 | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 Вт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 3 | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | Квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 80В | 3А | 40 МГц | 125 В | 8В | 5 мкА | НПН | 20 @ 1А 2В | 500 мВ при 200 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||||
| Январь2N3960 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/399 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 3 | 3 | нет | Нет | 8541.21.00.95 | е0 | Оловянный свинец | 400мВт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 3 | 1 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 400мВт | 12 В | 20 В | 10 мкА ИКБО | НПН | 60 @ 10 мА 1 В | 300 мВ при 3 мА, 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н3635УБ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | /files/microsemicorporation-jans2n3637-datasheets-3852.pdf | 3-СМД, без свинца | 3 | 22 недели | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | е0 | Оловянный свинец | 1 Вт | ДВОЙНОЙ | 3 | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 1,5 Вт | 140 В | 1А | 140 В | 10 мкА | ПНП | 100 @ 50 мА 10 В | 600 мВ при 5 мА, 50 мА |
