Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные BJT-транзисторы(15763)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Макс. ток коллектора (IC) | Макс. Коллектор-эмиттер напряжения | Технология полевых транзисторов | Мощность - Макс. | Код JEDEC-95 | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Частота смены | Минимальное устройство постоянного тока (hFE) | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Выключить Тайм-Макс (toff) | Время включения-Макс (тонна) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Макс. коллектор-базы | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | Межбазовое напряжение-Макс. | Внутренний коэффициент зазора-Макс. | Внутренний коэффициент зазора-мин. | Статический межбазовый Res-Max | Статическое межбазовое Res-Min | Вэлли-Пойнт Текущая-Мин. | Максимальный ток эмиттера | Пиковая точка тока-Макс. |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SA1721RTE85LF | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 14 недель | неизвестный | ДА | Другие транзисторы | Одинокий | ПНП | 0,15 Вт | 150 мВт | 50 МГц | 300В | 100 мА | 100на ИКБО | ПНП | 30 @ 20 мА 10 В | 50 МГц | 500 мВ при 2 мА, 20 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4870 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~125°С ТДж | Масса | Непригодный | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/centralsemiconductorcorp-2n4870-datasheets-6844.pdf&product=centralsemiconductorcorp-2n4870-6323550 | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 3 | нет | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Однопереходные транзисторы | Не квалифицированный | О-PBCY-T3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 0,3 Вт | 300мВт | ПНП | 35В | 0,75 | 0,56 | 9,1 кОм | 4 кОм | 2мА | 50 мА | 5мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТТС009,Ф(М | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-ttc009fj-datasheets-6815.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | ТО-220НИС | 2 Вт | 80В | 3А | 100на ИКБО | НПН | 100 @ 500 мА 5 В | 150 МГц | 500 мВ при 100 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н4250А | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | ТО-106-3 Купольный | 3 | нет | не_совместимо | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | О-PBCY-T3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 0,2 Вт | 200мВт | 100 МГц | 60В | 10на ИКБО | ПНП | 250 @ 100 мкА 5 В | 250 мВ при 500 мкА, 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD2257(КАНО,А,К) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 0,74 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sd2257kehinqj-datasheets-6764.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | ТО-220НИС | 2 Вт | 100 В | 3А | 10 мкА ИКБО | НПН | 2000 @ 2А 2В | 1,5 В @ 1,5 мА, 1,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJP13007H2TU-F080 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-fjp13007h1tuf080-datasheets-7274.pdf | ТО-220-3 | 3 | да | совместимый | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 80 Вт | 80 Вт | ТО-220АБ | 4 МГц | 400В | 8А | НПН | 8 @ 2А 5В | 4 МГц | 3 В при 2 А, 8 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н3701 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-2n3700pbfree-datasheets-4978.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 3 | нет | EAR99 | не_совместимо | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | О-MBCY-W3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 0,5 Вт | 1,8 Вт | 80 МГц | 80В | 1А | 10на ИКБО | НПН | 100 @ 150 мА 10 В | 80 МГц | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБТ3906-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | нет | EAR99 | совместимый | е0 | Оловянный свинец | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 235 | 3 | 10 | 1 | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 310мВт | 250 МГц | 40В | 200 мА | 300 нс | 70нс | 50нА | ПНП | 100 @ 10 мА 1 В | 250 МГц | 400 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD2695,T6F(М | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sd2695t6canoaf-datasheets-6746.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов | 900мВт | 60В | 2А | 10 мкА ИКБО | НПН | 2000 @ 1А 2В | 100 МГц | 1,5 В при 1 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N2221A PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-2n2222apbfree-datasheets-8839.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 3 | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 260 | 30 | 1 | Другие транзисторы | О-MBCY-W3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 0,5 Вт | 1,8 Вт | 250 МГц | 40В | 800мА | 285 нс | 35 нс | 10на ИКБО | НПН | 40 @ 150 мА 10 В | 250 МГц | 1 В @ 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S1JVNJD2873T4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 13 недель | 1,68 Вт | 50В | 2А | 100на ИКБО | НПН | 120 @ 500 мА 2 В | 65 МГц | 300 мВ при 50 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТТС009,Ф(Дж | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-ttc009fj-datasheets-6815.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | ТО-220НИС | 2 Вт | 80В | 3А | 100на ИКБО | НПН | 100 @ 500 мА 5 В | 150 МГц | 500 мВ при 100 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5139 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2010 год | 3 | нет | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | O-PBCY-W3 | КРЕМНИЙ | ТО-92 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N3564 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | ТО-106-3 Купольный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | 125°С | Другие транзисторы | Одинокий | НПН | 0,2 Вт | 400 МГц | 15 В | 50на ИКБО | НПН | 20 при 15 мА 10 В | 400 МГц | 300 мВ при 2 мА, 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CEN363 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD2257(Б,М) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-2sd2257kehinqj-datasheets-6764.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | ТО-220НИС | 2 Вт | 100 В | 3А | 10 мкА ИКБО | НПН | 2000 @ 2А 2В | 1,5 В @ 1,5 мА, 1,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н3955 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | РЕЖИМ Истощения | Не соответствует требованиям RoHS | 8 | нет | EAR99 | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 8 | 200°С | НЕ УКАЗАН | Малый сигнал общего назначения на левом транзисторе | Не квалифицированный | O-XBCY-W8 | КРЕМНИЙ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 0,5 Вт | СОЕДИНЕНИЕ | ТО-71 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5134 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | ТО-106-3 Купольный | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | 125°С | Другие транзисторы | Одинокий | НПН | 0,2 Вт | 250 МГц | 10 В | 400нА ИКБО | НПН | 20 @ 10 мА 1 В | 250 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD2257(КАНО,К,М) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sd2257kehinqj-datasheets-6764.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | ТО-220НИС | 2 Вт | 100 В | 3А | 10 мкА ИКБО | НПН | 2000 @ 2А 2В | 1,5 В @ 1,5 мА, 1,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N3565 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 3 | нет | EAR99 | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 3 | 125°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | O-PBCY-W3 | КРЕМНИЙ | Одинокий | НПН | 0,2 Вт | 0,05 А | 25 В | ТО-92 | 40 МГц | 10 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD2206(ТЕ6,Ф,М) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sd2206t6cnoaf-datasheets-6695.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов | 3 | Нет | Одинокий | 900мВт | 100 В | 2А | 100 В | 10 мкА ИКБО | НПН | 2000 @ 1А 2В | 100 МГц | 1,5 В при 1 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н4250 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | ТО-106-3 Купольный | 3 | нет | не_совместимо | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | О-PBCY-T3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 0,2 Вт | 200мВт | 50 МГц | 40В | 10на ИКБО | ПНП | 250 @ 10 мА 5 В | 50 МГц | 250 мВ при 500 мкА, 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н4916 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | ТО-106-3 Купольный | 4 | нет | EAR99 | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 4 | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | O-XBCY-W4 | КРЕМНИЙ | Одинокий | ПНП | 0,2 Вт | 0,2 А | 400 МГц | 30В | ПНП | 70 @ 10 мА 1 В | 400 МГц | 300 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD2129,LS4ALPSQ(М | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sd2129alpsqm-datasheets-1290.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | ТО-220НИС | 2 Вт | 100 В | 3А | 100 мкА ИКБО | НПН | 2000 @ 1,5 А 3 В | 2 В при 12 мА, 3 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н3563 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | ТО-106-3 Купольный | 4 | EAR99 | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 3 | 125°С | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | О-MBCY-W4 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 0,2 Вт | 600 МГц | 12 В | 50на ИКБО | НПН | 20 при 8 мА 10 В | 1,7пФ | 600 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD2206(T6CANO,Ф,М | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sd2206t6cnoaf-datasheets-6695.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов | 900мВт | 100 В | 2А | 10 мкА ИКБО | НПН | 2000 @ 1А 2В | 100 МГц | 1,5 В при 1 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н3640 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | ТО-106-3 Купольный | 4 | EAR99 | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 3 | 125°С | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | О-MBCY-W4 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 0,2 Вт | 500 МГц | 12 В | 10на ИКБО | ПНП | 30 @ 10 мА 300 мВ | 3,5 пФ | 500 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD2257,НИККИК(Дж | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sd2257kehinqj-datasheets-6764.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 2 Вт | 100 В | 3А | 10 мкА ИКБО | НПН | 2000 @ 2А 2В | 1,5 В @ 1,5 мА, 1,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N3646 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | ТО-106-3 Купольный | нет | EAR99 | не_совместимо | 8541.21.00.75 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 0,2 Вт | 200мВт | 350 МГц | 15 В | 200 мА | 28нс | 18нс | 500нА | НПН | 30 при 30 мА 400 мВ | 350 МГц | 500 мВ при 30 мА, 300 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБТ3904Т-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/diodesincorporated-mmbt3904t7-datasheets-0902.pdf | СОТ-523 | 3 | нет | EAR99 | совместимый | е0 | Оловянный свинец | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 235 | 3 | 10 | 1 | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | НПН | 150 мВт | 300 МГц | 40В | 200 мА | 250 нс | 70нс | 50нА | НПН | 100 @ 10 мА 1 В | 300 МГц | 300 мВ при 5 мА, 50 мА |
