Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные BJT-транзисторы(15763)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Количество окончаний | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Мощность - Макс. | Код JEDEC-95 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Выключить Тайм-Макс (toff) | Время включения-Макс (тонна) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 6685_2N3906 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Править | Править | 625 МВт | 40В | 200 мА | ПНП | 100 @ 10 мА 10 В | 250 МГц | 400 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5015 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | Непригодный | 200°С | -65°С | Соответствует RoHS | 2007 год | ТО-205АА, ТО-5-3 Металлическая банка | 3 | УСТАРЕЛО (Последнее обновление: 1 месяц назад) | Нет | НПН | 1 Вт | 1 Вт | 1 | ТО-5 | 1 Вт | 200 мА | 1000В | 200 мА | 1кВ | 5В | 10на ИКБО | НПН | 30 @ 20 мА 10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD2695,T6F(Дж | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sd2695t6canoaf-datasheets-6746.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов | ТО-92МОД | 900мВт | 60В | 2А | 10 мкА ИКБО | НПН | 2000 @ 1А 2В | 100 МГц | 1,5 В при 1 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТБ100ЭП | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С | Лента и коробка (ТБ) | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | EAR99 | 2 Вт | 700В | 1А | 100 мкА | НПН | 14 @ 100 мА 5 В | 1 В при 150 мА, 750 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 6785_2N4033 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | Править | 800мВт | 80В | 1А | -40В | -5В | 100 | 50на ИКБО | ПНП | 75 @ 100 мкА 5 В | 1 В при 100 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TSC5804DCHC5G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-tsc5804dcprog-datasheets-4522.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | ТО-251 (ИПАК) | 45 Вт | 450В | 5А | 250 мкА | НПН | 25 @ 200 мА 3 В | 2 В при 1 А, 3,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КТЦ3198-ГР Б1Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ktc3198bla1g-datasheets-9403.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | ТО-92 | 500мВт | 50В | 150 мА | 100на ИКБО | НПН | 70 при 2 мА 6 В | 80 МГц | 250 мВ при 10 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TSC5303DCHC5G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-tsc5303dcprog-datasheets-5925.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | 6,5 мм | 7 мм | 2,3 мм | 3 | 30 Вт | Одинокий | ТО-251 (ИПАК) | 30 Вт | 1В | 700В | 3А | 400В | 3А | 700В | 9В | 10 мкА | НПН | 15 @ 1А 5В | 700 мВ при 100 мА, 400 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н3690 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TSC5802DCHC5G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-tsc5802dcprog-datasheets-4012.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | ТО-251 (ИПАК) | 30 Вт | 450В | 2,5 А | 250 мкА | НПН | 50 @ 100 мА 5 В | 3 В при 600 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC846B/ДГ/B3,235 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nexperiausainc-bc846bpndgb3x-datasheets-8723.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 250 мВт | 65В | 100 мА | 15на ИКБО | НПН | 200 при 2 мА 5 В | 100 МГц | 400 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC547B Б1Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bc547ba1g-datasheets-8893.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | ТО-92 | 500мВт | 45В | 100 мА | 15на ИКБО | НПН | 200 при 2 мА 5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TSC5304EDCHC5G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-tsc5304edcprog-datasheets-4019.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | ТО-251 (ИПАК) | 35 Вт | 400В | 4А | 250 мкА | НПН | 17 @ 1А 5В | 1,5 В при 500 мА, 2,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КТЦ3198-БЛ Б1Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-ktc3198bla1g-datasheets-9403.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | ТО-92 | 500мВт | 50В | 150 мА | 100на ИКБО | НПН | 70 при 2 мА 6 В | 80 МГц | 250 мВ при 10 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC847B/ДГ/B3,215 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nexperiausainc-bc847235-datasheets-1123.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 200мВт | 45В | 100 мА | 15на ИКБО | НПН | 200 при 2 мА 5 В | 100 МГц | 400 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КТЦ3198-И Б1Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-ktc3198bla1g-datasheets-9403.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | ТО-92 | 500мВт | 50В | 150 мА | 100на ИКБО | НПН | 70 при 2 мА 6 В | 80 МГц | 250 мВ при 10 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TSC5302DCHC5G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-tsc5302dcprog-datasheets-5747.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | ТО-251 (ИПАК) | 25 Вт | 400В | 2А | 1 мкА ИКБО | НПН | 10 @ 400 мА 5 В | 1,5 В при 250 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC547A Б1Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-bc547ba1g-datasheets-8893.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | ТО-92 | 500мВт | 45В | 100 мА | 15на ИКБО | НПН | 110 при 2 мА 5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC846B/ДГ/B3,215 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nexperiausainc-bc846bpndgb3x-datasheets-8723.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 250 мВт | 65В | 100 мА | 15на ИКБО | НПН | 200 при 2 мА 5 В | 100 МГц | 400 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н5143 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | ТО-222АА, ТО-105-3 купольный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | 125°С | Другие транзисторы | Одинокий | ПНП | 0,2 Вт | 100 МГц | 20 В | 50на ИКБО | ПНП | 30 @ 50 мА 1 В | 100 МГц | 500 мВ при 5 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC846BW/ДГ/B3X | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nexperiausainc-bc846bpndgb3x-datasheets-8723.pdf | СК-70, СОТ-323 | 250 мВт | 65В | 100 мА | 15на ИКБО | НПН | 200 при 2 мА 5 В | 100 МГц | 400 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 6385_2N2907A | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 1 Вт | 60В | 600 мА | 50нА | ПНП | 100 @ 1 мА 10 В | 1,6 В при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н4235 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-2n4236-datasheets-5330.pdf | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 2 недели назад) | Нет | НПН | 1 Вт | 1 Вт | 1 | ТО-205АД | 1 Вт | 60В | 1А | 60В | 1А | 60В | 7В | 1 мА | ПНП | 40 @ 100 мА 1 В | 600 мВ при 100 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TSC966CT Б0Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | ТО-92 | 1 Вт | 400В | 300 мА | 1 мкА | НПН | 100 @ 1 мА 5 В | 50 МГц | 1 В при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н4250А | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | ТО-106-3 Купольный | 3 | нет | не_совместимо | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-PBCY-T3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 0,2 Вт | 200мВт | 100 МГц | 60В | 10на ИКБО | ПНП | 250 @ 100 мкА 5 В | 250 мВ при 500 мкА, 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD2257(КАНО,А,К) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 0,74 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sd2257kehinqj-datasheets-6764.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | ТО-220НИС | 2 Вт | 100 В | 3А | 10 мкА ИКБО | НПН | 2000 @ 2А 2В | 1,5 В @ 1,5 мА, 1,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJP13007H2TU-F080 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-fjp13007h1tuf080-datasheets-7274.pdf | ТО-220-3 | 3 | да | совместимый | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 80 Вт | 80 Вт | ТО-220АБ | 4 МГц | 400В | 8А | НПН | 8 @ 2А 5В | 4 МГц | 3 В при 2 А, 8 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н3701 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-2n3700pbfree-datasheets-4978.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 3 | нет | EAR99 | не_совместимо | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-MBCY-W3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 0,5 Вт | 1,8 Вт | 80 МГц | 80В | 1А | 10на ИКБО | НПН | 100 @ 150 мА 10 В | 80 МГц | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||
| ММБТ3906-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | нет | EAR99 | совместимый | е0 | Оловянный свинец | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 235 | 3 | 10 | 1 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 310мВт | 250 МГц | 40В | 200 мА | 300 нс | 70нс | 50нА | ПНП | 100 @ 10 мА 1 В | 250 МГц | 400 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭН2907А | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) |
