Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные BJT-транзисторы(15763)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Частота | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Продукт увеличения пропускной способности | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Код JEDEC-95 | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Выключить Тайм-Макс (toff) | Время включения-Макс (тонна) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| КШ210ТМ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/onsemiconductor-ksh210tf-datasheets-3444.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | 6 недель | 260,37 мг | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | е3 | Олово (Вс) | 1,4 Вт | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | КШ210 | 30 | 1 | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПНП | 1,4 Вт | 25 В | 25 В | 1,8 В | 5А | 65 МГц | -40В | -8В | 45 | 100на ИКБО | ПНП | 45 @ 2А 1В | 65 МГц | 1,8 В при 1 А, 5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N2222AUBTX | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2013 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-2n2222aub-datasheets-2239.pdf | 4-CLCC | 3,175 мм | 1,3716 мм | 2,667 мм | 3 | 300мВт | 300мВт | 50В | 1В | 1В | 800мА | 75В | 6В | 10на ИКБО | НПН | 75 @ 1 мА 10 В | 1 В при 15 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KSA1013OTA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 50 МГц | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-ksa1013ybu-datasheets-2043.pdf | -160В | -1А | ТО-226-3, ТО-92-3 Длинный корпус (формованные выводы) | 5,1 мм | 8,2 мм | 4,1 мм | Без свинца | 3 | 6 недель | 371,1027мг | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 16 часов назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 900мВт | НИЖНИЙ | КСА1013 | Одинокий | 900мВт | 1 | Другие транзисторы | 50 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 160 В | 160 В | -1,5 В | 160 В | 1А | 50 МГц | -160В | -6В | 60 | 1 мкА ИКБО | ПНП | 100 @ 200 мА 5 В | 1,5 В при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н2369АУБ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2004 г. | /files/microsemicorporation-2n2369a-datasheets-0290.pdf | 4-СМД | 3 | 22 недели | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | Нет | е0 | Оловянный свинец | 360мВт | ДВОЙНОЙ | 3 | 360мВт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 15 В | 15 В | 400 нА | 40В | 4,5 В | НПН | 20 @ 100 мА 1 В | 450 мВ при 10 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KSA928AOTA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 120 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-ksa928ayta-datasheets-5644.pdf | -30В | -2А | ТО-226-3, ТО-92-3 Длинный корпус (формованные выводы) | Без свинца | 3 | 6 недель | 371,1027мг | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 1 Вт | НИЖНИЙ | КСА928 | Одинокий | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | 120 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 30В | 30В | -2В | 30В | 2А | 120 МГц | -30В | -5В | 100 | 100на ИКБО | ПНП | 100 @ 500 мА 2 В | 2 В @ 30 мА, 1,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC81816MTF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-bc81740mtf-datasheets-0961.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 930 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 6 недель | 30мг | 3 | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 310мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | BC818 | Одинокий | 310мВт | 1 | Другие транзисторы | 100 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 25 В | 25 В | 700мВ | 25 В | 800мА | 100 МГц | 30В | 5В | 100 | 100 нА | НПН | 110 @ 100 мА 1 В | 700 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| КСП05ТА | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-ksp06ta-datasheets-4303.pdf | 60В | 500 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Без свинца | 3 | 17 недель | 240мг | 3 | ПОЖИЗНЕННЫЙ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 625 МВт | НИЖНИЙ | КСП05 | Одинокий | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | 100 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 60В | 60В | 250 мВ | 60В | 500 мА | 100 МГц | 60В | 4В | 50 | 100 нА | НПН | 50 @ 100 мА 1 В | 250 мВ при 10 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| KSA643YTA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-ksa643gta-datasheets-8864.pdf | -20В | -500мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Без свинца | 3 | 6 недель | 240мг | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 500мВт | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | КСА643 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 500мВт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 20 В | 20 В | -300мВ | 20 В | 500 мА | -40В | -5В | 40 | 200на ИКБО | ПНП | 120 @ 100 мА 1 В | 400 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTXV2N5582 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/423 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-2n5581-datasheets-4877.pdf | ТО-206АБ, ТО-46-3 Металлическая банка | 3 | 23 недели | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 3 недели назад) | нет | EAR99 | Свинец, Олово | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | МИЛ-19500/423Э | 500мВт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Квалифицированный | О-MBCY-W3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 500мВт | 50В | 1В | 800мА | 300 нс | 35 нс | 75В | 10 мкА ИКБО | НПН | 100 @ 150 мА 10 В | 1 В @ 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5088TAR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 50 МГц | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/onsemiconductor-2n5088bu-datasheets-1079.pdf | 30В | 100 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 5,2 мм | 5,33 мм | 4,19 мм | Без свинца | 3 | 6 недель | 240мг | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 625 МВт | НИЖНИЙ | 2N5088 | Одинокий | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | 50 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 30В | 30В | 500мВ | 30В | 100 мА | 50 МГц | 35В | 4,5 В | 300 | 50на ИКБО | НПН | 300 @ 100 мкА 5 В | 500 мВ при 1 мА, 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||
| БУЛ770-С | Борнс Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 1993 год | /files/bourns-bul770s-datasheets-6570.pdf | ТО-220-3 | 3 | 3 | да | EAR99 | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 50 Вт | ОДИНОКИЙ | БУЛ770 | 3 | 50 Вт | 1 | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | ТО-220АБ | 400В | 400В | 2,5 А | 700В | 9В | 10 мкА | НПН | 7 @ 800 мА 1 В | 250 мВ при 160 мА, 800 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KSC2331YTA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 50 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-ksc2331yshta-datasheets-8930.pdf | 60В | 700 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 Длинный корпус (формованные выводы) | Без свинца | 3 | 6 недель | 371,1027мг | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 1 Вт | НИЖНИЙ | KSC2331 | Одинокий | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | 50 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 60В | 60В | 200 мВ | 60В | 700 мА | 50 МГц | 80В | 8В | 40 | 100на ИКБО | НПН | 120 @ 50 мА 2 В | 700 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NZT6714 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-tn6714a-datasheets-9507.pdf | 30В | 2А | ТО-261-3 | Без свинца | 4 | 6 недель | 188 мг | 4 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 1 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | NZT6714 | Одинокий | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 30В | 30В | 500мВ | 30В | 2А | 40В | 5В | 50 | 100на ИКБО | НПН | 50 @ 1А 1В | 500 мВ при 100 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KST05MTF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | 100 МГц | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-kst06mtf-datasheets-5708.pdf | 60В | 500 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 6 недель | 30мг | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 350 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | КСТ05 | Одинокий | 350 мВт | 1 | Другие транзисторы | 100 МГц | КРЕМНИЙ | НПН | 60В | 60В | 250 мВ | 60В | 500 мА | 100 МГц | 60В | 4В | 50 | 100 нА | НПН | 50 @ 100 мА 1 В | 250 мВ при 10 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| КШ42СТМ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 3 МГц | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-ksh42ctf-datasheets-2062.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | 6 недель | 260,37 мг | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 20 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | КШ42 | Одинокий | 1,75 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | 3 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 20 Вт | 100 В | 100 В | 100 В | 6А | 3 МГц | -100В | -5В | 15 | 10 мкА | ПНП | 15 @ 3А 4В | 1,5 В при 600 мА, 6 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTXV2N3501L | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/366 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | /files/microsemicorporation-jan2n3501l-datasheets-4895.pdf | ТО-205АА, ТО-5-3 Металлическая банка | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 4 недели назад) | Нет | 1 Вт | ТО-5 | 1 Вт | 150 В | 400мВ | 300 мА | 150 В | 300 мА | 150 В | 10 мкА ИКБО | НПН | 100 @ 150 мА 10 В | 400 мВ при 15 мА, 150 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA1215 | Санкен | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/sanken-2sa1215-datasheets-3717.pdf | 3-ЭСИП | 3 | 12 недель | да | EAR99 | неизвестный | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 150 Вт | 150 Вт | 50 МГц | 160 В | 15А | 100 мкА ИКБО | ПНП | 50 @ 5А 4В | 50 МГц | 2 В при 500 мА, 5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н5088ТА | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 50 МГц | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/onsemiconductor-2n5088bu-datasheets-1079.pdf | 30В | 100 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 5,2 мм | 5,33 мм | 4,19 мм | Без свинца | 3 | 6 недель | 240мг | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 625 МВт | НИЖНИЙ | 2N5088 | Одинокий | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | 50 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 30В | 30В | 500мВ | 30В | 100 мА | 50 МГц | 35В | 4,5 В | 300 | 50на ИКБО | НПН | 300 @ 100 мкА 5 В | 500 мВ при 1 мА, 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC2859-GR(TE85L,Ф | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 125°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 150 мВт | S-Мини | 150 мВт | 30В | 30В | 250 мВ | 500 мА | 30В | 500 мА | 100на ИКБО | НПН | 200 @ 100 мА 1 В | 300 МГц | 250 мВ при 10 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KSA1182YMTF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 200 МГц | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-ksa1182omtf-datasheets-8844.pdf | -30В | -500мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 6 недель | 30мг | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 22 часа назад) | да | EAR99 | Нет | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | КСА1182 | Одинокий | 150 мВт | 1 | Другие транзисторы | 200 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 30В | 30В | -100мВ | 30В | 500 мА | 200 МГц | -35В | -5В | 70 | 100на ИКБО | ПНП | 120 @ 100 мА 1 В | 250 мВ при 10 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КШ340ТФ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2002 г. | /files/onsemiconductor-ksh340tf-datasheets-3741.pdf | 300В | 500 мА | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,6 мм | 2,3 мм | 6,1 мм | Без свинца | 2 | 6 недель | 260,37 мг | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 1,56 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | КШ340 | Одинокий | 1,56 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | НПН | 300В | 300В | 300В | 500 мА | 300В | 3В | 30 | 100 мкА | НПН | 30 @ 50 мА 10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC80840MTF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует RoHS | 2002 г. | /files/onsemiconductor-bc80840mtf-datasheets-6557.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 970 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 6 недель | 30мг | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Олово | е3 | 310мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | BC808 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 310мВт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | 100 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 25 В | 25 В | -700мВ | 25 В | 800мА | 100 МГц | -30В | -5В | 100 | 100 нА | ПНП | 250 @ 100 мА 1 В | 700 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||
| STX93003-AP | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-stx93003-datasheets-2171.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | неизвестный | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,5 Вт | STX93003 | Другие транзисторы | Одинокий | ПНП | 1,5 Вт | 400В | 400В | 500мВ | 1А | 1 мА | ПНП | 16 @ 350 мА 5 В | 500 мВ при 100 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KSA539CYTA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-ksa539yta-datasheets-8677.pdf | -45В | -200мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Без свинца | 3 | 8 недель | 240мг | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 400мВт | НИЖНИЙ | КСА539 | Одинокий | 400мВт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 45В | 45В | -250мВ | 45В | 200 мА | -60В | -5В | 40 | 100на ИКБО | ПНП | 120 @ 50 мА 1 В | 500 мВ при 15 мА, 150 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCT2222A | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | 4-СМД, без свинца | 4 | НПН | 4-СМД | НПН | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н2219 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 200°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | /files/microsemicorporation-2n2219a-datasheets-8170.pdf | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | 22 недели | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 3 недели назад) | Нет | 800мВт | ТО-39 (ТО-205АД) | 800мВт | 30В | 1,6 В | 800мА | 30В | 800мА | 60В | 10нА | НПН | 100 @ 150 мА 10 В | 1,6 В при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC857AMTF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150 МГц | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/onsemiconductor-bc856amtf-datasheets-5631.pdf&product=onsemiconductor-bc857amtf-6322569 | -45В | -100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 930 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 36 недель | 30мг | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 12 часов назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 310мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | BC857 | Одинокий | 310мВт | 1 | Другие транзисторы | 150 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 45В | 45В | -250мВ | 45В | 100 мА | 150 МГц | -50В | -5В | 110 | 15на ИКБО | ПНП | 110 при 2 мА 5 В | 650 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||
| FJV992PMTF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 50 МГц | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/onsemiconductor-fjv992pmtf-datasheets-3471.pdf | -120 В | -50 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 1,04 мм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 15 недель | 30мг | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 300мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | FJV992 | Одинокий | 300мВт | 1 | Другие транзисторы | 50 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 120 В | 120 В | -300мВ | 120 В | 50 мА | 50 МГц | -120 В | -5В | 200 | ПНП | 200 @ 1 мА 6 В | 300 мВ при 1 мА, 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX2N2907AL | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/291 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 1996 год | /files/microsemicorporation-2n2907aub-datasheets-8826.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | Содержит свинец | 3 | 23 недели | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | Нет | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | МИЛ-19500/291 | 500мВт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 3 | 1 | Другие транзисторы | Квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 500мВт | 60В | 1,6 В | 600 мА | 45нс | 60В | 50нА | ПНП | 100 @ 150 мА 10 В | 1,6 В при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCT2222ATXV | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2014 год | 4-СМД, без свинца | 4 | НПН |
