Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные BJT-транзисторы(15763)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Частота | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Продукт увеличения пропускной способности | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота смены | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Выключить Тайм-Макс (toff) | Время включения-Макс (тонна) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PN3568_D26Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-pn3568-datasheets-9778.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | PN3568 | ТО-92-3 | 625 МВт | 60В | 1А | 50на ИКБО | НПН | 40 @ 150 мА 1 В | 250 мВ при 15 мА, 150 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BDP947E6327HTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 год | /files/infineontechnologies-bdp953e6327htsa1-datasheets-3045.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | EAR99 | совместимый | НЕ УКАЗАН | БДП947 | НЕ УКАЗАН | 5 Вт | 45В | 3А | 100на ИКБО | НПН | 100 @ 500 мА 1 В | 100 МГц | 500 мВ при 200 мА, 2 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN2369_D27Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-pn2369-datasheets-1179.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | ТО-92-3 | 350 мВт | 15 В | 200 мА | 400нА ИКБО | НПН | 40 @ 10 мА 1 В | 250 мВ при 1 мА, 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN4250_D26Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-pn4250-datasheets-1203.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | PN4250 | ТО-92-3 | 625 МВт | 40В | 500 мА | 10на ИКБО | ПНП | 250 @ 100 мкА 5 В | 250 мВ при 500 мкА, 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA1242-Y(К) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 1,77 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-2sa1242yq-datasheets-0300.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | ПНП | 1 Вт | Одинокий | PW-МОЛД | 170 МГц | 1 Вт | 20 В | 1В | 5А | 20 В | 5А | 35В | 8В | 160 | 100на ИКБО | ПНП | 160 @ 500 мА 2 В | 170 МГц | 1 В при 100 мА, 4 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN4250_D27Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-pn4250-datasheets-1203.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | PN4250 | ТО-92-3 | 625 МВт | 40В | 500 мА | 10на ИКБО | ПНП | 250 @ 100 мкА 5 В | 250 мВ при 500 мкА, 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPSA56RLRMG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 50 МГц | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-mpsa06-datasheets-2055.pdf | -80В | -500мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 6,35 мм | 6,35 мм | 25,4 мм | Без свинца | 3 | 4.535924г | Неизвестный | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕТ | 625 МВт | НИЖНИЙ | 260 | MPSA56 | 3 | Одинокий | 40 | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | 50 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 80В | 80В | 250 мВ | 80В | 500 мА | 50 МГц | 80В | 4В | 100 | 100нА | ПНП | 100 @ 100 мА 1 В | 250 мВ при 10 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||
| PN4249_D74Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-pn4249-datasheets-1429.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | PN4249 | ТО-92-3 | 625 МВт | 60В | 500 мА | 10на ИКБО | ПНП | 100 @ 100 мкА 5 В | 250 мВ при 500 мкА, 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC5439(Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sc5439f-datasheets-0307.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | Без свинца | 2 Вт | Одинокий | 2 Вт | 450В | 1В | 8А | 1кВ | 9В | 10 | 100 мкА ИКБО | НПН | 14 @ 1А 5В | 1 В при 640 мА, 3,2 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TN6714A_D27Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-tn6714a-datasheets-9507.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Длинный корпус (формованные выводы) | ТО-226 | 1 Вт | 30 В | 2А | 100на ИКБО | НПН | 50 @ 1А 1В | 500 мВ при 100 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TN6705A_D26Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-tn6705a-datasheets-9367.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Длинный корпус (формованные выводы) | 1 Вт | 45В | 1,5 А | 100на ИКБО | НПН | 40 @ 250 мА 2 В | 1 В при 100 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN3569_D74Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-pn3569-datasheets-1178.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | PN3569 | ТО-92-3 | 625 МВт | 40В | 500 мА | 50на ИКБО | НПН | 100 @ 150 мА 1 В | 250 мВ при 15 мА, 150 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TN6725A_D27Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-tn6725a-datasheets-9363.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Длинный корпус (формованные выводы) | TN6725A | ТО-226 | 1 Вт | 50В | 1,2А | 100на ИКБО | NPN – Дарлингтон | 4000 @ 1А 5В | 1,5 В при 2 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN4249_D26Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-pn4249-datasheets-1429.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | PN4249 | ТО-92-3 | 625 МВт | 60В | 500 мА | 10на ИКБО | ПНП | 100 @ 100 мкА 5 В | 250 мВ при 500 мкА, 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN3643_J61Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-pn3643-datasheets-9069.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | PN3643 | 625 МВт | 30 В | 500 мА | 50нА | НПН | 100 @ 150 мА 10 В | 220 мВ при 15 мА, 150 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТИС93_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-tis93-datasheets-9180.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | ТО-92-3 | 625 МВт | 40В | 800мА | 100на ИКБО | ПНП | 100 @ 50 мА 2 В | 250 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN930_D75Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 625 МВт | 45В | 100 мА | 10нА | НПН | 10 @ 10 мкА 5 В | 1 В @ 500 мкА, 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPSA55_D26Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | MPSA55 | ТО-92-3 | 625 МВт | 60В | 500 мА | 100нА | ПНП | 100 @ 100 мА 1 В | 50 МГц | 250 мВ при 10 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TN4033A_D26Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-tn4033a-datasheets-9373.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Длинный корпус (формованные выводы) | 3 | EAR99 | совместимый | 8541.29.00.95 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕТ | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | О-PBCY-T3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 1 Вт | 80В | 1А | 400 нс | 100 нс | 50на ИКБО | ПНП | 100 @ 100 мА 5 В | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TN6725A_D26Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-tn6725a-datasheets-9363.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Длинный корпус (формованные выводы) | TN6725A | ТО-226 | 1 Вт | 50В | 1,2А | 100на ИКБО | NPN – Дарлингтон | 4000 @ 1А 5В | 1,5 В при 2 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPS2222ARLG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 300 МГц | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-mps2222arlra-datasheets-9647.pdf | 40В | 600 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 6,35 мм | 6,35 мм | 6,35 мм | Без свинца | 3 | 4.535924г | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | ЕВРОПЕЙСКИЙ НОМЕР ДЕТАЛИ | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕТ | 625 МВт | НИЖНИЙ | 260 | MPS2222 | 3 | Одинокий | 40 | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | 300 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 40В | 40В | 1В | 40В | 600 мА | 300 МГц | 285 нс | 75В | 6В | 35 | 10на ИКБО | НПН | 100 @ 150 мА 10 В | 1 В @ 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||
| TN6727A_D74Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-tn6727a-datasheets-9406.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Длинный корпус (формованные выводы) | Без свинца | 3 | Нет | ПНП | 1 Вт | Одинокий | 1 Вт | 1 | ТО-226 | 1 Вт | 40В | 500мВ | 40В | 1,5 А | 40В | 1,5 А | 50В | 5В | 50 | 100на ИКБО | ПНП | 50 @ 1А 1В | 500 мВ при 100 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPSA14RLRAG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-mpsa13rlra-datasheets-9509.pdf | 30 В | 500 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 6,35 мм | 6,35 мм | 6,35 мм | Без свинца | 3 | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НПН | НЕТ | 625 МВт | НИЖНИЙ | 260 | MPSA14 | 3 | Одинокий | 40 | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | 500 мА | 30 В | 30 В | 1,5 В | 30 В | 500 мА | 125 МГц | 30 В | 10 В | 10000 | 100на ИКБО | NPN – Дарлингтон | 20000 при 100 мА 5 В | 125 МГц | 1,5 В @ 100 мкА, 100 мА | |||||||||||||||||||||
| MJD200T5G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mjd200rlg-datasheets-1569.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | МЖД200 | 1,4 Вт | 25 В | 5А | 100на ИКБО | НПН | 45 @ 2А 1В | 65 МГц | 1,8 В при 1 А, 5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZTX749_D27Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/diodesincorporated-ztx749stoa-datasheets-8217.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | ZTX749 | ТО-226 | 1 Вт | 25 В | 2А | 100на ИКБО | ПНП | 100 @ 1А 2В | 100 МГц | 500 мВ при 200 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN4250A_D27Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-pn4250a-datasheets-1215.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | ТО-92-3 | 625 МВт | 60В | 500 мА | 10на ИКБО | ПНП | 250 @ 100 мкА 5 В | 250 мВ при 500 мкА, 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC327-AP | Микро Коммерческая Компания | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microcommercialco-bc32740ap-datasheets-4555.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | совместимый | е3 | Матовый олово (Sn) | BC327 | 625 МВт | 45В | 800мА | 200нА | ПНП | 100 @ 100 мА 1 В | 260 МГц | 700 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TN6719A_D27Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-tn6719a-datasheets-9396.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Длинный корпус (формованные выводы) | ТО-226 | 1 Вт | 300В | 200 мА | 100на ИКБО | НПН | 40 @ 30 мА 10 В | 750 мВ при 3 мА, 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC547-AP | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/microcommercialco-bc547bap-datasheets-2034.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 3 | да | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | BC54* | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | О-PBCY-T3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 625 МВт | 300 МГц | 45В | 100 мА | НПН | 110 при 2 мА 5 В | 300 МГц | 300 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN5138_D75Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-pn5138-datasheets-1289.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | ТО-92-3 | 625 МВт | 30 В | 500 мА | 50на ИКБО | ПНП | 50 @ 10 мА 10 В | 300 мВ при 500 мкА, 10 мА |
