| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Базовый номер детали | Поставщик пакета оборудования | Мощность - Макс. | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PN4250_D74Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-pn4250-datasheets-1203.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | PN4250 | ТО-92-3 | 625 МВт | 40В | 500 мА | 10на ИКБО | ПНП | 250 @ 100 мкА 5 В | 250 мВ при 500 мкА, 10 мА | ||||
| PN3638A_D74Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-pn3638a-datasheets-1019.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | PN3638A | ТО-92-3 | 625 МВт | 25 В | 800мА | 35нА | ПНП | 20 @ 300 мА 2 В | 1 В при 30 мА, 300 мА | ||||
| ТИС97_Д26З | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-tis97-datasheets-9178.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | ТИС97 | ТО-92-3 | 625 МВт | 40В | 500 мА | 10на ИКБО | НПН | 250 @ 100 мкА 5 В | |||||
| PN3568_D74Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-pn3568-datasheets-9778.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | PN3568 | ТО-92-3 | 625 МВт | 60В | 1А | 50на ИКБО | НПН | 40 @ 150 мА 1 В | 250 мВ при 15 мА, 150 мА | ||||
| ТИС97_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-tis97-datasheets-9178.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | ТИС97 | ТО-92-3 | 625 МВт | 40В | 500 мА | 10на ИКБО | НПН | 250 @ 100 мкА 5 В | |||||
| PN100_D75Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-pn100rm-datasheets-1148.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Ру100 | ТО-92-3 | 625 МВт | 45В | 500 мА | 50нА | НПН | 100 @ 150 мА 5 В | 250 МГц | 400 мВ при 20 мА, 200 мА | |||
| MPSL01_D27Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mpsl01-datasheets-9192.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | ТО-92-3 | 625 МВт | 120 В | 200 мА | 1 мкА ИКБО | НПН | 50 @ 10 мА 5 В | 60 МГц | 300 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||
| MPSA42_J22Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-mmbta42-datasheets-1282.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | MPSA42 | ТО-92-3 | 625 МВт | 300В | 500 мА | 100на ИКБО | НПН | 40 @ 30 мА 10 В | 50 МГц | 500 мВ при 2 мА, 20 мА | |||
| MPSA92_D26Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mmbta92-datasheets-1140.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | MPSA92 | ТО-92-3 | 625 МВт | 300В | 500 мА | 250 на ИКБО | ПНП | 25 @ 30 мА 10 В | 50 МГц | 500 мВ при 2 мА, 20 мА | |||
| PN3638A_D26Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-pn3638a-datasheets-1019.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | PN3638A | ТО-92-3 | 625 МВт | 25 В | 800мА | 35нА | ПНП | 20 @ 300 мА 2 В | 1 В при 30 мА, 300 мА | ||||
| PN3568_J05Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-pn3568-datasheets-9778.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | PN3568 | ТО-92-3 | 625 МВт | 60В | 1А | 50на ИКБО | НПН | 40 @ 150 мА 1 В | 250 мВ при 15 мА, 150 мА | ||||
| PN200_D74Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mmbt200a-datasheets-8842.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Ру200 | ТО-92-3 | 625 МВт | 45В | 500 мА | 50нА | ПНП | 100 @ 150 мА 1 В | 250 МГц | 400 мВ при 20 мА, 200 мА | |||
| PN2484_D74Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-pn2484-datasheets-1279.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | PN2484 | ТО-92-3 | 625 МВт | 60В | 100 мА | 10на ИКБО | НПН | 100 @ 10 мкА 5 В | 350 мВ при 100 мкА, 1 мА | ||||
| PN2369A_D75Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-pn2369a-datasheets-1078.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | PN2369A | ТО-92-3 | 350мВт | 15 В | 200 мА | 400нА ИКБО | НПН | 40 @ 10 мА 1 В | 500 мВ при 10 мА, 100 мА | ||||
| PN2222A_J05Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-pn2222ata-datasheets-1335.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | PN2222 | ТО-92-3 | 625 МВт | 40В | 1А | 10на ИКБО | НПН | 100 @ 150 мА 10 В | 300 МГц | 1 В @ 50 мА, 500 мА | |||
| PN2484_D26Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-pn2484-datasheets-1279.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | PN2484 | ТО-92-3 | 625 МВт | 60В | 100 мА | 10на ИКБО | НПН | 100 @ 10 мкА 5 В | 350 мВ при 100 мкА, 1 мА | ||||
| PN2222A_J18Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-pn2222ata-datasheets-1335.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | PN2222 | 625 МВт | 40В | 1А | 10на ИКБО | НПН | 100 @ 150 мА 10 В | 300 МГц | 1 В @ 50 мА, 500 мА | ||||
| PN2484_D75Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-pn2484-datasheets-1279.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | PN2484 | ТО-92-3 | 625 МВт | 60В | 100 мА | 10на ИКБО | НПН | 100 @ 10 мкА 5 В | 350 мВ при 100 мкА, 1 мА | ||||
| PN3565_D27Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-pn3565-datasheets-1021.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | PN3565 | ТО-92-3 | 625 МВт | 25 В | 500 мА | 50на ИКБО | НПН | 150 @ 1 мА 10 В | 350 мВ при 100 мкА, 1 мА | ||||
| PN2907A_J18Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-pn2907anlbu-datasheets-8782.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | PN2907A | ТО-92-3 | 625 МВт | 60В | 800мА | 20на ИКБО | ПНП | 100 @ 150 мА 10 В | 200 МГц | 1,6 В при 50 мА, 500 мА | |||
| PN100_D27Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-pn100rm-datasheets-1148.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Ру100 | ТО-92-3 | 625 МВт | 45В | 500 мА | 50нА | НПН | 100 @ 150 мА 5 В | 250 МГц | 400 мВ при 20 мА, 200 мА | |||
| PN3569_D26Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-pn3569-datasheets-1178.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | PN3569 | ТО-92-3 | 625 МВт | 40В | 500 мА | 50на ИКБО | НПН | 100 @ 150 мА 1 В | 250 мВ при 15 мА, 150 мА | ||||
| PN3567_D26Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-pn3567-datasheets-1172.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | ТО-92-3 | 625 МВт | 40В | 600 мА | 50на ИКБО | НПН | 40 @ 150 мА 1 В | 250 мВ при 15 мА, 150 мА | |||||
| PN3568_D75Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-pn3568-datasheets-9778.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | PN3568 | ТО-92-3 | 625 МВт | 60В | 1А | 50на ИКБО | НПН | 40 @ 150 мА 1 В | 250 мВ при 15 мА, 150 мА | ||||
| PN200_D75Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mmbt200a-datasheets-8842.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Ру200 | ТО-92-3 | 625 МВт | 45В | 500 мА | 50нА | ПНП | 100 @ 150 мА 1 В | 250 МГц | 400 мВ при 20 мА, 200 мА | |||
| PN3569_J05Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-pn3569-datasheets-1178.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | PN3569 | ТО-92-3 | 625 МВт | 40В | 500 мА | 50на ИКБО | НПН | 100 @ 150 мА 1 В | 250 мВ при 15 мА, 150 мА | ||||
| PN3566_D26Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 625 МВт | 30 В | 600 мА | 50на ИКБО | НПН | 150 @ 10 мА 10 В | 1 В при 10 мА, 100 мА | ||||||||
| PN3638A_D75Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-pn3638a-datasheets-1019.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | PN3638A | 625 МВт | 25 В | 800мА | 35нА | ПНП | 20 @ 300 мА 2 В | 1 В при 30 мА, 300 мА | |||||
| PN2369A_D26Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-pn2369a-datasheets-1078.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | PN2369A | ТО-92-3 | 350мВт | 15 В | 200 мА | 400нА ИКБО | НПН | 40 @ 10 мА 1 В | 500 мВ при 10 мА, 100 мА | ||||
| MPSA56_D74Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mmbta56-datasheets-1162.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | MPSA56 | ТО-92-3 | 625 МВт | 80В | 500 мА | 100нА | ПНП | 100 @ 100 мА 1 В | 50 МГц | 200 мВ при 10 мА, 100 мА |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.