Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные BJT-транзисторы(15763)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Частота | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Терминальная позиция | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Выходная мощность | Продукт увеличения пропускной способности | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Код JEDEC-95 | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Выключить Тайм-Макс (toff) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SA1707T-АН | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-2sa1707san-datasheets-4585.pdf | СК-71 | Без свинца | 3 | да | EAR99 | Олово/медь/серебро/никель (Sn/Cu/Ag/Ni) | 1 Вт | 3 | 1 Вт | 50В | -700мВ | 3А | 60В | 6В | 200 | 1 мкА ИКБО | ПНП | 200 @ 100 мА 2 В | 150 МГц | 700 мВ при 100 мА, 2 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD1815T-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-2sb1215ttlh-datasheets-2419.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | 15 недель | 3 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | НЕТ | 1 Вт | НЕ УКАЗАН | 2SD1815 | НЕ УКАЗАН | Другие транзисторы | Одинокий | НПН | 1 Вт | 100В | 400мВ | 3А | 6В | 70 | 1 мкА ИКБО | НПН | 200 @ 500 мА 5 В | 180 МГц | 400 мВ при 150 мА, 1,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC4134T-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-2sc4134stle-datasheets-2597.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | Без свинца | 6 недель | 3 | да | EAR99 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | НЕТ | 800мВт | 2SC4134 | 3 | Другие транзисторы | Одинокий | НПН | 800мВт | 100В | 400мВ | 1А | 120 В | 6В | 200 | 100на ИКБО | НПН | 200 @ 100 мА 5 В | 120 МГц | 400 мВ при 40 мА, 400 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC847AMTF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 300 МГц | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/onsemiconductor-bc846amtf-datasheets-9036.pdf&product=onsemiconductor-bc847amtf-6320292 | 45В | 100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,92 мм | 930 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 17 недель | 30мг | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | EAR99 | Олово | е3 | 310мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | BC847 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 310мВт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | 300 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 45В | 45В | 200 мВ | 45В | 100 мА | 300 МГц | 50В | 6В | 110 | 15на ИКБО | НПН | 110 при 2 мА 5 В | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||
| 2SC4134S-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 120 МГц | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-2sc4134stle-datasheets-2597.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | Без свинца | 4 недели | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | НЕТ | 800мВт | 2SC4134 | 3 | 800мВт | 1 | Другие транзисторы | Одинокий | НПН | 100В | 400мВ | 1А | 1А | 120 В | 6В | 140 | 100на ИКБО | НПН | 140 @ 100 мА 5 В | 400 мВ при 40 мА, 400 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC536NG-НПА-АТ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-2sa608nfnpaat-datasheets-5768.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Без свинца | 3 | 3 | да | EAR99 | неизвестный | 8541.21.00.75 | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | 500мВт | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | 200 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 50В | 300мВ | 300мВ | 150 мА | 200 МГц | 150 мА | 60В | 6В | 280 | 100на ИКБО | НПН | 280 @ 1 мА 6 В | 300 мВ при 10 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA608NG-НПА-АТ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/onsemiconductor-2sa608nfnpaat-datasheets-5768.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Без свинца | 3 | 3 | да | EAR99 | 8541.21.00.75 | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | 500мВт | НИЖНИЙ | 3 | Одинокий | 1 | 200 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 50В | 300мВ | -300мВ | 150 мА | 200 МГц | 150 мА | 60В | 6В | 280 | 100на ИКБО | ПНП | 280 @ 1 мА 6 В | 300 мВ при 10 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA1706T-АН | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-2sa1706san-datasheets-4890.pdf | СК-71 | Без свинца | 3 | да | EAR99 | Олово/медь/серебро/никель (Sn/Cu/Ag/Ni) | 1 Вт | 3 | 1 Вт | 50В | 50В | 2А | 60В | 6В | 100 | 100на ИКБО | ПНП | 200 @ 100 мА 2 В | 150 МГц | 700 мВ при 50 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD1803T-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-2sd1803stlh-datasheets-2467.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | Без свинца | 15 недель | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | 1 Вт | 2SD1803 | 3 | 1 Вт | 50В | 50В | 5А | 60В | 6В | 70 | 1 мкА ИКБО | НПН | 200 @ 500 мА 2 В | 180 МГц | 400 мВ при 150 мА, 3 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD1835T | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/onsemiconductor-2sd1835saa-datasheets-0597.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | Без свинца | 3 | да | EAR99 | е2 | Олово/серебро/медь/никель (Sn/Ag/Cu/Ni) | 750 мВт | 2SD1835 | 3 | 750 мВт | 50В | 400мВ | 2А | 60В | 6В | 100на ИКБО | НПН | 200 @ 100 мА 2 В | 150 МГц | 400 мВ при 50 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБТА55 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | 50 МГц | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/onsemiconductor-mmbta55-datasheets-5759.pdf | -60В | -500мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 930 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 6 недель | 30мг | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) | Нет | 50 МГц | ПНП | 350 мВт | ММБТА55 | Одинокий | 350 мВт | 1 | СОТ-23-3 | 50 МГц | 350 мВт | 60В | 60В | 250 мВ | 60В | 500 мА | 60В | 500 мА | -60В | -4В | 100 | 100нА | ПНП | 100 @ 100 мА 1 В | 50 МГц | 250 мВ при 10 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA1507T | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 120 МГц | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/onsemiconductor-2sc3902s-datasheets-4560.pdf | ТО-225АА, ТО-126-3 | Без свинца | 3 | 3 | да | EAR99 | Нет | Олово/медь/серебро/никель (Sn/Cu/Ag/Ni) | НЕТ | 1,5 Вт | ОДИНОКИЙ | 3 | 1,5 Вт | 1 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 160 В | 160 В | 1,5 А | 120 МГц | 1,5 А | 180 В | 6В | 100 | 1 мкА ИКБО | ПНП | 200 @ 100 мА 5 В | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MJD2955TF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2 МГц | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/onsemiconductor-mjd2955tf-datasheets-5425.pdf | -60В | -10А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,6 мм | 2,3 мм | 6,1 мм | Без свинца | 2 | 4 недели | 260,37 мг | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 1,75 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | MJD2955 | Одинокий | 1,75 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | 2 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 60В | 60В | -1,1 В | 60В | 10А | 2 МГц | -70В | -5В | 20 | 50 мкА | ПНП | 20 @ 4А 4В | 8 В @ 3,3 А, 10 А | |||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD1816T-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-2sb1216stlh-datasheets-2465.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | Без свинца | 3 | 4 недели | 3 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | 8541.29.00.75 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | НЕТ | 1 Вт | ОДИНОКИЙ | 2SD1816 | 3 | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 1 Вт | 100В | 100В | 4А | 180 МГц | 120 В | 6В | 70 | 1 мкА ИКБО | НПН | 200 @ 500 мА 5 В | 180 МГц | 400 мВ при 200 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA608NF-НПА-АТ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-2sa608nfnpaat-datasheets-5768.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Без свинца | 3 | 3 | да | EAR99 | Олово | неизвестный | 8541.21.00.75 | е3 | НЕТ | 500мВт | НИЖНИЙ | 3 | 1 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 500мВт | 50В | -300мВ | 150 мА | 200 МГц | 50В | 160 | 100на ИКБО | ПНП | 160 @ 1 мА 6 В | 200 МГц | 300 мВ при 10 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA1708T-AN | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-2sc4488tan-datasheets-0646.pdf | СК-71 | 6,9 мм | 4,5 мм | 2,5 мм | Без свинца | 3 | да | EAR99 | 120 МГц | Олово/медь/серебро/никель (Sn/Cu/Ag/Ni) | 1 Вт | 3 | Одинокий | 100В | -600мВ | 100В | 1А | 120 В | 6В | 100 | 100на ИКБО | ПНП | 200 @ 100 мА 5 В | 120 МГц | 600 мВ при 40 мА, 400 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SB1203T-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-2sd1803stlh-datasheets-2467.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | Без свинца | 3 | 30 недель | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | НЕТ | 1 Вт | ОДИНОКИЙ | 2СБ1203 | 3 | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 1 Вт | 50В | 50В | 5А | 130 МГц | 60В | -6В | 70 | 1 мкА ИКБО | ПНП | 200 @ 500 мА 2 В | 130 МГц | 550 мВ при 150 мА, 3 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SB1201T-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-2sd1801se-datasheets-9434.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | Без свинца | 11 недель | 3 | да | EAR99 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 800мВт | 2СБ1201 | 3 | 800мВт | 50В | 50В | 2А | 60В | -6В | 100 | 100на ИКБО | ПНП | 200 @ 100 мА 2 В | 150 МГц | 700 мВ при 50 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КШ50ТФ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 10 МГц | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/onsemiconductor-ksh50tf-datasheets-5191.pdf | 400В | 1А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,6 мм | 2,3 мм | 6,1 мм | Без свинца | 2 | 6 недель | 260,37 мг | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 9 часов назад) | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | Нет | е3 | 1,56 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | КШ50 | Одинокий | 1,56 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | 1,56 Вт | 10 МГц | КРЕМНИЙ | НПН | 400В | 400В | 1В | 400В | 1А | 10 МГц | 500В | 5В | 30 | 200 мкА | НПН | 30 @ 300 мА 10 В | 1 В при 200 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||
| 2SB1216S-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-2sb1216stlh-datasheets-2465.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | Без свинца | 3 | 31 неделя | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | 8541.29.00.75 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | НЕТ | 1 Вт | ОДИНОКИЙ | 2СБ1216 | 3 | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 1 Вт | 100В | 100В | 4А | 130 МГц | 120 В | -6В | 70 | 1 мкА ИКБО | ПНП | 140 @ 500 мА 5 В | 130 МГц | 500 мВ при 200 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA2205-Е | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-2sa2205tle-datasheets-3514.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | Без свинца | 3 | 4 недели | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Олово | е6 | НЕТ | 800мВт | ОДИНОКИЙ | 3 | 1 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 800мВт | 100В | -240мВ | 2А | 300 МГц | 100В | -7В | 200 | 1 мкА ИКБО | ПНП | 200 @ 100 мА 5 В | 300 МГц | 240 мВ при 100 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA1020RLRAG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-2sa1020rlrag-datasheets-5067.pdf | -50В | -2А | ТО-226-3, ТО-92-3 Длинный корпус (формованные выводы) | 5,21 мм | 7,87 мм | 4,19 мм | Без свинца | 3 | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕТ | 900мВт | НИЖНИЙ | 260 | 2SA1020 | 3 | Одинокий | 40 | 900мВт | 1 | Другие транзисторы | 100 МГц | КРЕМНИЙ | ПНП | 50В | 50В | 500мВ | 50В | 2А | 100 МГц | 50В | 5В | 70 | 1 мкА ИКБО | ПНП | 70 @ 500 мА 2 В | 500 мВ при 50 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC6043 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/onsemiconductor-2sc6043-datasheets-5698.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов | Без свинца | 3 | да | EAR99 | Олово/медь/серебро/никель (Sn/Cu/Ag/Ni) | 1 Вт | Одинокий | Другие транзисторы | 420 МГц | НПН | 50В | 150 мВ | 50В | 2А | 2А | 80В | 6В | 1 мкА ИКБО | НПН | 200 @ 100 мА 2 В | 300 мВ при 50 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC4027T-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/onsemiconductor-2sa1552stle-datasheets-9140.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | Без свинца | 4 недели | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | НЕТ | 1 Вт | 2SC4027 | 3 | Другие транзисторы | Одинокий | НПН | 1 Вт | 160 В | 160 В | 1,5 А | 180 В | -6В | 100 | 1 мкА ИКБО | НПН | 200 @ 100 мА 5 В | 120 МГц | 450 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD1685F | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/onsemiconductor-2sd1685g-datasheets-4558.pdf | ТО-225АА, ТО-126-3 | Без свинца | 3 | 3 | да | EAR99 | Олово/медь/серебро/никель (Sn/Cu/Ag/Ni) | НЕТ | 1,5 Вт | ОДИНОКИЙ | 3 | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 1,5 Вт | 20 В | 500мВ | 5А | 120 МГц | 60В | 6В | 160 | 100на ИКБО | НПН | 160 @ 500 мА 2 В | 120 МГц | 500 мВ при 60 мА, 3 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC6098-Е | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-2sc6098tle-datasheets-4805.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | Без свинца | 8 недель | 3 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 800мВт | 3 | 800мВт | 80В | 80В | 2,5 А | 120 В | 6,5 В | 300 | 1 мкА ИКБО | НПН | 300 @ 100 мА 5 В | 350 МГц | 165 мВ при 50 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУЛ59 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-bul59-datasheets-4529.pdf | ТО-220-3 | 3 | Нет СВХК | 3 | NRND (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 90 Вт | БУЛ59 | 3 | Одинокий | 90 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | ТО-220АБ | 400В | 1,5 В | 400В | 8А | 950 нс | 850В | 9В | 200 мкА | НПН | 6 @ 5А 5В | 1,5 В при 1 А, 5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC32716TA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует RoHS | 2002 г. | -45В | -800мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 4,58 мм | 4,58 мм | 3,86 мм | Без свинца | 3 | 6 недель | 240мг | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 625 МВт | НИЖНИЙ | BC327 | Одинокий | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | 100 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 45В | 45В | -700мВ | 45В | 800мА | 100 МГц | -10В | -5В | 100 | 100нА | ПНП | 100 @ 100 мА 1 В | 700 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SB1203S-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/onsemiconductor-2sb1203ttle-datasheets-9227.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | Без свинца | 4 недели | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | 1 Вт | 2СБ1203 | 3 | 1 Вт | 50В | 50В | 5А | 60В | -6В | 70 | 1 мкА ИКБО | ПНП | 140 @ 500 мА 2 В | 130 МГц | 550 мВ при 150 мА, 3 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA1552T-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-2sa1552te-datasheets-5614.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 4 недели | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | НЕТ | 1 Вт | 2SA1552 | 3 | Другие транзисторы | Одинокий | ПНП | 1 Вт | 160 В | 160 В | 1,5 А | 180 В | 6В | 100 | 1 мкА ИКБО | ПНП | 200 @ 100 мА 5 В | 120 МГц | 500 мВ при 50 мА, 500 мА |
