Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные BJT-транзисторы(15763)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Частота | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Текущий | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Напряжение | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Продукт увеличения пропускной способности | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Выключить Тайм-Макс (toff) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | VCEsat-Макс | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SC3138-И(ТЭ85Л,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | $6,07 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 125°С, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2009 год | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | неизвестный | 150 мВт | Одинокий | Другие транзисторы | 100 МГц | НПН | 150 мВт | 200В | 200В | 750 мВ | 500мВ | 50 мА | 50 МГц | 200В | 5В | 70 | 100на ИКБО | НПН | 120 @ 10 мА 3 В | 500 мВ при 1 мА, 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KSC1623LMTF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 250 МГц | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/onsemiconductor-ksc1623gmtf-datasheets-7733.pdf | 50В | 100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 970 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 13 недель | 30мг | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | KSC1623 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 200мВт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 250 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 50В | 50В | 150 мВ | 50В | 100 мА | 250 МГц | 60В | 5В | 90 | 100на ИКБО | НПН | 300 @ 1 мА 6 В | 300 мВ при 10 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||
| KSC2316YTA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 120 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-ksc2316ybu-datasheets-9244.pdf | 120 В | 800мА | ТО-226-3, ТО-92-3 Длинный корпус (формованные выводы) | Без свинца | 3 | 6 недель | 371,1027мг | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 900мВт | НИЖНИЙ | KSC2316 | Одинокий | 900мВт | 1 | Другие транзисторы | 120 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 120 В | 120 В | 1В | 120 В | 800мА | 120 МГц | 120 В | 5В | 80 | 100на ИКБО | НПН | 120 @ 100 мА 5 В | 1 В @ 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJP2145ТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ESBC™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~125°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-fjp2145tu-datasheets-3804.pdf | ТО-220-3 | 10,67 мм | 16,51 мм | 4,83 мм | 3 | 7 недель | 1,8 г | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | 120 Вт | Одинокий | 120 Вт | 1 | Другие транзисторы | 20 В | 15 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 800В | 151 мВ | 800В | 5А | 28,4 МГц | 1,1 кВ | 7В | 20 | 10 мкА ИКБО | НПН | 20 @ 200 мА 5 В | 2 В при 300 мА, 1,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБТ4400 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 1998 год | /files/onsemiconductor-2n4400bu-datasheets-1086.pdf | 40В | 600 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 930 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 24 недели | 30мг | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 19 часов назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 350мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | ММБТ4400 | Одинокий | 350мВт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 40В | 40В | 750 мВ | 40В | 600 мА | 255 нс | 60В | 6В | 50 | НПН | 50 @ 150 мА 10 В | 750 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KSA733YTA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 180 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-ksa733ybu-datasheets-8548.pdf | -50В | -150 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Без свинца | 3 | 6 недель | 240мг | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 250 мВт | НИЖНИЙ | КСА733 | Одинокий | 250 мВт | 1 | Другие транзисторы | 180 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 50В | 50В | -180мВ | 50В | 150 мА | 180 МГц | -60В | -5В | 40 | 100на ИКБО | ПНП | 120 @ 1 мА 6 В | 300 мВ при 10 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BUJ303CD,118 | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | МЭК-60134 | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 1 | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 80 Вт | 400В | 5А | 100 мкА | НПН | 28 @ 10 мА 3 В | 1,5 В при 1 А, 3 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCP6925H6327XTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/infineontechnologies-bcp6925e6327htsa1-datasheets-1724.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 4 | 4 | EAR99 | Олово | 3 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | BCP69 | НЕ УКАЗАН | 1 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 3 Вт | 20 В | 500мВ | 1А | 100 МГц | 25 В | 100на ИКБО | ПНП | 160 @ 500 мА 1 В | 100 МГц | 500 мВ при 100 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA1493 | Санкен | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/sanken-2sa1493-datasheets-3854.pdf | 3-ЭСИП | Без свинца | 3 | 12 недель | 3 | да | EAR99 | неизвестный | 150 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 150 Вт | 200В | 3В | 15А | 20 МГц | 100 мкА ИКБО | ПНП | 50 @ 5А 4В | 20 МГц | 3 В при 1 А, 10 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KST5550MTF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | 300 МГц | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-kst5550mtf-datasheets-3713.pdf | 140 В | 600 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 30мг | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 350мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | КСТ5550 | Одинокий | 350мВт | 1 | Другие транзисторы | 300 МГц | КРЕМНИЙ | НПН | 140 В | 140 В | 250 мВ | 140 В | 600 мА | 100 МГц | 160 В | 6В | 60 | 100на ИКБО | НПН | 60 @ 10 мА 5 В | 250 мВ при 5 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БКП 68-25 H6327 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-bcp6825e6327-datasheets-1713.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 4 | EAR99 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | BCP68 | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Г4 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 3 Вт | 100 МГц | 20 В | 1А | 100на ИКБО | НПН | 160 @ 500 мА 1 В | 100 МГц | 500 мВ при 100 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СС9012ГТА | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/onsemiconductor-ss9012hbu-datasheets-8485.pdf | -20В | -500мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 4,58 мм | 4,58 мм | 3,86 мм | Без свинца | 3 | 6 недель | 240мг | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Олово | е3 | 625 МВт | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | СС9012 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 20 В | 20 В | -180мВ | 20 В | 500 мА | -40В | -5В | 64 | 100на ИКБО | ПНП | 112 @ 50 мА 1 В | 600 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC2859-И(ТЭ85Л,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 0,08 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 125°С, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 125°С | -55°С | 300 МГц | Соответствует RoHS | 2009 год | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | Нет | НПН | 150 мВт | Одинокий | 150 мВт | 1 | S-Мини | 300 МГц | 150 мВт | 30 В | 30 В | 100 мВ | 30 В | 500 мА | 30 В | 500 мА | 35В | 5В | 70 | 100на ИКБО | НПН | 120 @ 100 мА 1 В | 300 МГц | 250 мВ при 10 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJAFS1720TU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ESBC™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~125°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 15 МГц | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-fjafs1720tu-datasheets-3758.pdf | ТО-3П-3 Полный пакет | 15,7 мм | 26,7 мм | 5,7 мм | Без свинца | 52 недели | 6.961991г | 3 | EAR99 | Нет | 60 Вт | Одинокий | 60 Вт | 1 | Другие транзисторы | 20 В | 15 МГц | НПН | 800В | 250 мВ | 800В | 12А | 1,7 кВ | 6В | 8 | 100 мкА | НПН | 8,5 @ 11 А 5 В | 250 мВ при 3,33 А, 10 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НО100 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 200°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-but100-datasheets-3611.pdf | ТО-204АА, ТО-3 | 39,5 мм | 8,7 мм | 26,2 мм | 2 | 3 | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 300 Вт | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | НО100 | 2 | 300 Вт | 1 | Другие транзисторы | О-МБФМ-П2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 125 В | 900 мВ | 125 В | 50А | 2200 нс | 200В | 7В | 0,9 В | 1 мА | НПН | 900 мВ при 10 А, 100 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC850CMTF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 300 МГц | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/onsemiconductor-bc846amtf-datasheets-9036.pdf | 45В | 100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,92 мм | 930 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 13 недель | 30мг | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 310мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | BC850 | Одинокий | 310мВт | 1 | Другие транзисторы | 300 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 45В | 45В | 200 мВ | 45В | 100 мА | 300 МГц | 50В | 5В | 110 | 15на ИКБО | НПН | 420 при 2 мА 5 В | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||
| BC848BMTF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 300 МГц | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/onsemiconductor-bc846amtf-datasheets-9036.pdf | 30 В | 100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,92 мм | 930 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 30мг | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | Олово | е3 | 310мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | BC848 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 310мВт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 300 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 30 В | 30 В | 200 мВ | 30 В | 100 мА | 300 МГц | 30 В | 5В | 110 | 15на ИКБО | НПН | 200 при 2 мА 5 В | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ТИП42А-С | Борнс Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 1993 год | /files/bournsinc-tip42s-datasheets-2942.pdf | ТО-220-3 | 10,4 мм | 9,3 мм | 4,7 мм | 18 недель | 3 | EAR99 | Нет | 65 Вт | СОВЕТ42 | Одинокий | Другие транзисторы | ПНП | 2 Вт | 60В | 1,5 В | 60В | 6А | 100В | 5В | 700 мкА | ПНП | 15 @ 3А 4В | 1,5 В при 600 мА, 6 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC81716MTF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/onsemiconductor-bc81740mtf-datasheets-0961.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 970 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 6 недель | 59,987591мг | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | 8А | е3 | 45В | 310мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | BC817 | Одинокий | 310мВт | 1 | Другие транзисторы | 100 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 45В | 45В | 700мВ | 45В | 800мА | 100 МГц | 50В | 5В | 100 | 100нА | НПН | 110 @ 100 мА 1 В | 700 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||
| FJBE2150DTU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ESBC™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~125°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/onsemiconductor-fjbe2150dtu-datasheets-3639.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 10,67 мм | 4,83 мм | 9,85 мм | Без свинца | 2 | 6 недель | 1,88 г | 3 | да | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | е3 | Олово (Вс) | 110 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | Одинокий | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | 20 В | 5 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 110 Вт | 800В | 250 мВ | 800В | 2А | 5 МГц | 1,5 кВ | 12 В | 20 | 100 мкА | НПН | 20 @ 400 мА 3 В | 250 мВ при 330 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| BSP62E6327HTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/infineontechnologies-bsp61e6327htsa1-datasheets-1766.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 4 | да | EAR99 | совместимый | АЭК-Q101 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | БСП62 | 4 | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Г4 | КРЕМНИЙ | ДАРЛИНГТОН СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 1,5 Вт | 200 МГц | 80В | 1А | 10 мкА | PNP - Дарлингтон | 2000 @ 500 мА 10 В | 200 МГц | 1,8 В при 1 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCV29E6327HTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/infineontechnologies-bcv49h6327xtsa1-datasheets-5280.pdf | ТО-243АА | 3 | 4 | да | EAR99 | Нет | НПН | 1 Вт | ОДИНОКИЙ | ПЛОСКИЙ | БЦВ29 | 1 | Р-ПССО-Ф3 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | 1 Вт | 30 В | 30 В | 1В | 30 В | 500 мА | 150 МГц | 40В | 10 В | 100на ИКБО | NPN – Дарлингтон | 20000 при 100 мА 5 В | 150 МГц | 1 В при 100 мкА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KSC1623YMTF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 250 МГц | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-ksc1623gmtf-datasheets-7733.pdf | 50В | 100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 13 недель | 30мг | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | KSC1623 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 200мВт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 250 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 50В | 50В | 150 мВ | 50В | 100 мА | 250 МГц | 60В | 5В | 90 | 100на ИКБО | НПН | 135 @ 1 мА 6 В | 300 мВ при 10 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| KST4401MTF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | 250 МГц | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/onsemiconductor-kst4401mtf-datasheets-3661.pdf | 40В | 600 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 970 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 6 недель | 30мг | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 350мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | КСТ4401 | Одинокий | 350мВт | 1 | Другие транзисторы | 250 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 40В | 40В | 750 мВ | 40В | 600 мА | 250 МГц | 255 нс | 60В | 6В | 100 | НПН | 100 @ 150 мА 1 В | 750 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ФМБ100 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 300 МГц | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-fmb100-datasheets-3559.pdf | 45В | 500 мА | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | Без свинца | 6 | 36мг | 6 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 700мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | ФМБ100 | Двойной | 700мВт | 2 | Другие транзисторы | 300 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 45В | 45В | 400мВ | 45В | 500 мА | 300 МГц | 75В | 6В | 100 | 50нА | НПН | 100 @ 150 мА 5 В | 400 мВ при 20 мА, 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KST4403MTF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | 200 МГц | Соответствует RoHS | 2002 г. | /files/onsemiconductor-kst4403mtf-datasheets-3699.pdf | -40В | -600мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 970 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 13 недель | 30мг | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 350мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | КСТ4403 | Одинокий | 350мВт | 1 | Другие транзисторы | 200 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 40В | 40В | -750мВ | 40В | 600 мА | 200 МГц | 255 нс | -40В | -5В | 100 | ПНП | 100 @ 150 мА 2 В | 750 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 6729 новозеландских долларов | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/onsemiconductor-nzt6729-datasheets-3420.pdf | -80В | -1А | ТО-261-4, ТО-261АА | Без свинца | 4 | 188 мг | 4 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 1 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 6729 новозеландских долларов | Одинокий | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 80В | 80В | 500мВ | 80В | 1А | -80В | -5В | 50 | 100на ИКБО | ПНП | 50 @ 250 мА 1 В | 500 мВ при 10 мА, 250 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КШ210ТФ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 65 МГц | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/onsemiconductor-ksh210tf-datasheets-3444.pdf | -25В | -5А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,6 мм | 2,3 мм | 6,1 мм | Без свинца | 2 | 4 недели | 260,37 мг | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 1,4 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | КШ210 | Одинокий | 1,4 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | 65 МГц | КРЕМНИЙ | ПНП | 25 В | 25 В | -1,8 В | 25 В | 5А | 65 МГц | -40В | -8В | 45 | 100на ИКБО | ПНП | 45 @ 2А 1В | 1,8 В при 1 А, 5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD2561 | Санкен | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/sanken-2sd2561-datasheets-3455.pdf | 3-ЭСИП | Без свинца | 3 | 12 недель | 3 | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | неизвестный | 200 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | КРЕМНИЙ | ДАРЛИНГТОН СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 200 Вт | 150 В | 2,5 В | 17А | 70 МГц | 100 мкА ИКБО | NPN – Дарлингтон | 5000 @ 10А 4В | 70 МГц | 2,5 В при 10 мА, 10 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC850AMTF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 300 МГц | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-bc846amtf-datasheets-9036.pdf | 45В | 100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,92 мм | 930 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 6 недель | 30мг | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | Олово | е3 | 310мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | BC850 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 310мВт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 300 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 45В | 45В | 200 мВ | 45В | 100 мА | 300 МГц | 50В | 5В | 110 | 15на ИКБО | НПН | 110 при 2 мА 5 В | 600 мВ при 5 мА, 100 мА |
