Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные BJT-транзисторы(15763)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Частота | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Напряжение | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Продукт увеличения пропускной способности | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Макс. ток коллектора (IC) | Макс. Коллектор-эмиттер напряжения | Мощность - Макс. | Код JEDEC-95 | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота смены | Минимальное устройство постоянного тока (hFE) | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Выключить Тайм-Макс (toff) | Время включения-Макс (тонна) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2Н1131Б ПББЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | Непригодный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-2n697apbfree-datasheets-1865.pdf | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | 6 недель | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2STC5242 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | Непригодный | 30 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-2stc5242-datasheets-4827.pdf&product=stmicroelectronics-2stc5242-6311463 | ТО-3П-3, СК-65-3 | 15,8 мм | 18,7 мм | 5 мм | Без свинца | 3 | Нет СВХК | 3 | EAR99 | Олово | Нет | 130 Вт | 2СТК | 3 | Одинокий | 130 Вт | 1 | Другие транзисторы | 30 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 150 Вт | 230В | 3В | 230В | 15А | 30 МГц | 230В | 5В | 80 | 5 мкА ИКБО | НПН | 80 @ 1А 5В | 3 В при 800 мА, 8 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTXV2N2218 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/251 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-2n2219a-datasheets-8170.pdf | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | 3 | 23 недели | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 3 недели назад) | нет | EAR99 | Нет | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | МИЛ-19500/251Л | 800мВт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 2 | 1 | Другие транзисторы | Квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | ТО-5 | 30В | 800 мА | 250 МГц | 800 мА | 250 нс | 40 нс | 60В | 10нА | НПН | 40 @ 150 мА 10 В | 1,6 В при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НЖВБУБ323ЗТ4Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-bub323zt4g-datasheets-3746.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 2 | 12 недель | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101 | 150 Вт | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ДАРЛИНГТОН СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 150 Вт | 350В | 1,7 В | 10А | 2 МГц | 100 мкА | NPN – Дарлингтон | 500 @ 5А 4,6В | 2 МГц | 1,7 В @ 250 мА, 10 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н4209 | МИКРОСС/О полупроводниках | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 4 недели | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н2222 | МИКРОСС/О полупроводниках | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | ТО-18 | Содержит свинец | 4 недели | 3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЯН2Н2907АЛ | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/291 | Поверхностный монтаж, сквозное отверстие | Поверхностный монтаж | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-2n2907aub-datasheets-8826.pdf | 4-СМД, без свинца | 3 | 18 недель | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | Нет | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | МИЛ-19500/291 | 500мВт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 3 | 1 | Другие транзисторы | Квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 500мВт | ТО-206АА | 60В | 1,6 В | 600мА | 45нс | 60В | 50нА | ПНП | 100 @ 150 мА 10 В | 1,6 В при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TIP102 PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Масса | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-tip102pbfree-datasheets-4835.pdf | ТО-220-3 | 24 недели | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 80 Вт | 100 В | 8А | NPN – Дарлингтон | 4 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5087 | МИКРОСС/О полупроводниках | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Поднос | 3 (168 часов) | 150°С | -55°С | 40 МГц | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-2n5087-datasheets-4794.pdf | -50В | -50мА | ТО-92-3 | Содержит свинец | 4 недели | 3 | ПНП | 625 МВт | Одинокий | 625 МВт | 1 | 40 МГц | 300мВ | 50В | 50 мА | 50В | 3В | 250 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCX23 PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | Непригодный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-bc394pbfree-datasheets-4598.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 6 недель | 125 В | 100на ИКБО | ПНП | 40 @ 200 мА 1 В | 50 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N6729 | МИКРОСС/О полупроводниках | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 4 недели | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCX22 PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | Непригодный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-bc394pbfree-datasheets-4598.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 6 недель | 125 В | 100на ИКБО | НПН | 40 @ 200 мА 1 В | 50 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N6430 ПББЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | Непригодный | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n6432pbfree-datasheets-4738.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 6 недель | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1,8 Вт | 200В | 100 мА | 100на ИКБО | НПН | 50 @ 30 мА 10 В | 50 МГц | 500 мВ при 2 мА, 20 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC5200-О(К) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | Непригодный | 30 МГц | Соответствует RoHS | 2004 г. | 230В | 15А | ТО-3ПЛ | Без свинца | 16 недель | 3 | EAR99 | Медь, Серебро, Олово | Нет | 150 Вт | 2SC5200 | Одинокий | 150 Вт | 1 | Другие транзисторы | 30 МГц | НПН | 230В | 230В | 15А | 230В | 5В | 80 | 5 мкА ИКБО | НПН | 80 @ 1А 5В | 3 В при 800 мА, 8 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н2907АЕ4 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 200°С | -65°С | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-2n2907aub-datasheets-8826.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 8 недель | 3 | 500мВт | ТО-18 | 500мВт | 60В | 600мА | 60В | 600мА | 10 мкА ИКБО | ПНП | 100 @ 150 мА 10 В | 1,6 В при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MJE180 | МИКРОСС/О полупроводниках | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 3 (168 часов) | 150°С | -65°С | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mje180-datasheets-4781.pdf | 40В | 3А | ТО-225 | Содержит свинец | 3 | 4 недели | 3 | УСТАРЕЛО (Последнее обновление: 1 неделю назад) | нет | EAR99 | не_совместимо | 8541.29.00.75 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НПН | НЕТ | 1,5 Вт | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | 240 | 3 | Одинокий | 30 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 50 МГц | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,7 В | 40В | 3А | 50 МГц | 12 | 60В | 7В | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЯНВ2Н3700 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/391 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | /files/microsemicorporation-jantx2n3700-datasheets-8268.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | Содержит свинец | 3 | 8 недель | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 3 недели назад) | нет | EAR99 | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 500мВт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 3 | 500мВт | 1 | Квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 80В | 80В | 1А | 100 МГц | 140 В | 7В | 10нА | НПН | 50 @ 500 мА 10 В | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N2907A ДЛ | МИКРОСС/О полупроводниках | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 4 недели | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н2907А | МИКРОСС/О полупроводниках | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Поднос | 3 (168 часов) | 200°С | -65°С | Соответствует RoHS | -60В | -600мА | ТО-18 | Содержит свинец | 4 недели | 3 | Свинец, Олово | Нет | ПНП | 60В | 500мВт | 500мВт | 1 | 40В | 600мА | 60В | 5В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЯН2Н2907А | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/291 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-2n2907aub-datasheets-8826.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | Содержит свинец | 8 недель | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 3 недели назад) | Нет | ПНП | 500мВт | 500мВт | 1 | ТО-18 (ТО-206АА) | 500мВт | 60В | 60В | 600мА | 60В | 600мА | 60В | 5В | 50нА | ПНП | 100 @ 150 мА 10 В | 1,6 В при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н2222А | МИКРОСС/О полупроводниках | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 3 (168 часов) | 200°С | -65°С | Соответствует RoHS | ТО-18 | 5,33 мм | Содержит свинец | 4 недели | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | 500мВт | 1 | 200°С | 50В | 50В | 800 мА | 75В | 6В | 100 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н3904 | МИКРОСС/О полупроводниках | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 3 (168 часов) | 150°С | -65°С | Соответствует RoHS | ТО-92 | 4 недели | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | НПН | 625 МВт | Одинокий | 625 МВт | 300 МГц | 40В | 300мВ | 40В | 200 мА | 60В | 6В | 100 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТТА0002(Q) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 30 МГц | Соответствует RoHS | 2009 год | ТО-3ПЛ | Без свинца | 16 недель | 3 | Нет | 180 Вт | 180 Вт | 1 | 30 МГц | 160 В | -2В | 160 В | 18А | 160 В | -5В | 80 | 1 мкА ИКБО | ПНП | 80 @ 1А 5В | 2 В при 900 мА, 9 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC5359-О(К) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | Непригодный | 30 МГц | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/toshiba-2sc5359oq-datasheets-4769.pdf&product=toshibasemiconductorandstorage-2sc5359oq-6311450 | ТО-3ПЛ | 20,5 мм | 26 мм | 5,2 мм | Без свинца | 14 недель | 3 | EAR99 | Нет | 180 Вт | Одинокий | 180 Вт | 1 | Другие транзисторы | 30 МГц | НПН | 230В | 3В | 230В | 15А | 230В | 5В | 80 | 5 мкА ИКБО | НПН | 80 @ 1А 5В | 3 В при 800 мА, 8 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н2222А | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 200°С | -65°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 5,33 мм | 2 недели | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | 2Н2222 | 500мВт | 1 | 200°С | ТО-18 | 500мВт | 50В | 50В | 800 мА | 50В | 800 мА | 75В | 6В | 100 | 50нА | НПН | 100 @ 150 мА 10 В | 1 В @ 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC4706 | Санкен | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/sanken-2sc4706-datasheets-4819.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | Без свинца | 3 | 24 недели | да | 130 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 130 Вт | 600В | 500мВ | 14А | 6 МГц | 100 мкА ИКБО | НПН | 10 @ 7А 4В | 6 МГц | 500 мВ при 1,4 А, 7 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5769 | МИКРОСС/О полупроводниках | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 3 | 4 недели | неизвестный | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | 1 | О-PBCY-T3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 0,2 А | 15 В | ТО-92 | 20 | 18нс | 12нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4033 | МИКРОСС/О полупроводниках | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 3 (168 часов) | 200°С | -55°С | Соответствует RoHS | ТО-39 | 4 недели | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 2 недели назад) | Нет | ПНП | 800мВт | 800мВт | 1 | 80В | 80В | 1А | 80В | 5В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЯН2Н2906А | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/291 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | /files/microsemicorporation-2n2907aub-datasheets-8826.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 23 недели | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | Нет | ПНП | 500мВт | 500мВт | 1 | ТО-18 | 500мВт | 60В | 60В | 600мА | 60В | 600мА | 60В | 5В | 50нА | ПНП | 40 @ 150 мА 10 В | 1,6 В при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н2907АЛ | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-2n2907aub-datasheets-8826.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 3 | 12 недель | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | Нет | 8541.21.00.95 | е0 | Оловянный свинец | 500мВт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 3 | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 500мВт | 60В | 1,6 В | 600мА | 45нс | 60В | 50нА | ПНП | 100 @ 150 мА 10 В | 1,6 В при 50 мА, 500 мА |
