Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные BJT-транзисторы(15763)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Частота | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Идентификатор производителя производителя | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Продукт увеличения пропускной способности | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Код JEDEC-95 | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Выключить Тайм-Макс (toff) | Время включения-Макс (тонна) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SC4518A | Санкен | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/sanken-2sc4518a-datasheets-4707.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | Без свинца | 3 | 12 недель | да | неизвестный | е0 | НЕ УКАЗАН | 35 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 35 Вт | ТО-220АБ | 550В | 500мВ | 5А | 6 МГц | 100 мкА ИКБО | НПН | 10 @ 1,8 А 4 В | 6 МГц | 500 мВ при 360 мА, 1,8 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MD1803DFP | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-md1803dfp-datasheets-4632.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 3 | 8 недель | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | Нет | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 40 Вт | МД1803 | 3 | Одинокий | 40 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 10А | ТО-220АБ | 700В | 700В | 10А | 10 В | 5 | 200 мкА | НПН | 5,5 @ 5А 5В | 2 В при 1,25 А, 5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N2221 ПББЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | Непригодный | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n2222pbfree-datasheets-7800.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 20 недель | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПО НИКЕЛЮ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1,2 Вт | 30 В | 800мА | 10на ИКБО | НПН | 40 @ 150 мА 10 В | 250 МГц | 1,6 В при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N2906A ПББЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n2907apbfree-datasheets-6720.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 8 недель | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПО НИКЕЛЮ | НЕТ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | Другие транзисторы | Одинокий | ПНП | 0,4 Вт | 1,8 Вт | 200 МГц | 60В | 600 мА | 10на ИКБО | ПНП | 40 @ 150 мА 10 В | 200 МГц | 1,6 В при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZTX957 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 85 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-ztx957-datasheets-4669.pdf | -300В | -1А | Е-Линия-3 | 4,77 мм | 4,01 мм | 2,41 мм | Без свинца | 3 | 11 недель | 453,59237мг | Нет СВХК | 3 | нет | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,2 Вт | ПРОВОЛОКА | 260 | ZTX957 | 3 | Одинокий | 40 | 1,2 Вт | 1 | Другие транзисторы | 85 МГц | КРЕМНИЙ | ПНП | -1А | 300В | 300В | -140мВ | 300В | 1А | 85 МГц | 330В | -6В | 50на ИКБО | ПНП | 100 @ 500 мА 10 В | 200 мВ при 300 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||
| 2N3439 ПББЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | Непригодный | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n3439pbfree-datasheets-4636.pdf | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | 20 недель | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 Вт | 350В | 1А | 20 мкА ИКБО | НПН | 30 при 2 мА 10 В | 15 МГц | 500 мВ при 4 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BU407 PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Масса | Непригодный | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-bu406pbfree-datasheets-4567.pdf | ТО-220-3 | 24 недели | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПО НИКЕЛЮ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 60 Вт | 150 В | 7А | 100нА | НПН | 10 МГц | 1 В при 500 мА, 5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N2368 ПББЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | Непригодный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-2n708pbfree-datasheets-3866.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 6 недель | 400 мА | НПН | 20 @ 10 мА 1 В | 400 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4234 ПББЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n4234pbfree-datasheets-4676.pdf | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | 20 недель | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПО НИКЕЛЮ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 Вт | 40В | 1А | 1 мА | ПНП | 30 @ 250 мА 1 В | 3 МГц | 600 мВ при 125 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TIP41C-BP | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 1993 год | /files/microcommercialco-tip41abp-datasheets-6845.pdf | ТО-220-3 | 3 | 12 недель | да | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | СОВЕТ41 | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 2 Вт | ТО-220АБ | 3 МГц | 100В | 6А | 700 мкА | НПН | 15 @ 3А 4В | 3 МГц | 1,5 В при 600 мА, 6 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N2906 ПББЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | Непригодный | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n2907apbfree-datasheets-6720.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 20 недель | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПО НИКЕЛЮ | НЕТ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | Другие транзисторы | Одинокий | ПНП | 0,4 Вт | 1,8 Вт | 200 МГц | 40В | 600 мА | 20на ИКБО | ПНП | 40 @ 150 мА 10 В | 200 МГц | 1,6 В при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZTX689B | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 150 МГц | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/diodesincorporated-ztx689b-datasheets-4646.pdf | 25В | 3А | Е-Линия-3 | 4,77 мм | 4,01 мм | 2,41 мм | 3 | 453,59237мг | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Нет | электронная линия | е3 | Матовый олово (Sn) | 1 Вт | ПРОВОЛОКА | 260 | 3 | Одинокий | 40 | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | 150 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 3А | 20 В | 500мВ | 20 В | 3А | 150 МГц | 20 В | 5В | 400 | 100на ИКБО | НПН | 500 @ 100 мА 2 В | 500 мВ при 10 мА, 2 А | |||||||||||||||||||||||||
| 2SA1488A | Санкен | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/sanken-2sa1488-datasheets-3682.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | Без свинца | 3 | 12 недель | да | EAR99 | неизвестный | 25 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 25 Вт | ТО-220АБ | 80В | 500мВ | 4А | 15 МГц | 100 мкА ИКБО | ПНП | 40 @ 1А 4В | 15 МГц | 500 мВ при 200 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N6388 ПББЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-2n6388pbfree-datasheets-4652.pdf | ТО-220-3 | 22 недели | 65 Вт | 80В | 10А | NPN – Дарлингтон | 20 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC546CBU | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-bc546cbu-datasheets-4654.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 3 | да | НИЗКИЙ ШУМ | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | НЕТ | НИЖНИЙ | НЕПРИГОДНЫЙ | 3 | НЕПРИГОДНЫЙ | 1 | КОММЕРЧЕСКИЙ | О-PBCY-T3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 500мВт | 300 МГц | 65В | 100 мА | 15на ИКБО | НПН | 420 при 2 мА 5 В | 300 МГц | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD1060R-1EX | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-2sd1060s1e-datasheets-7224.pdf | ТО-220-3 | 3 | Нет | 1,75 Вт | 1,75 Вт | 50В | 300мВ | 5А | 60В | 100 мкА ИКБО | НПН | 100 @ 1А 2В | 30 МГц | 300 мВ при 300 мА, 3 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБТ2222LT3 | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/rochesterelectronicsllc-mmbt5089lt1-datasheets-4051.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | нет | е0 | Оловянный свинец | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3 | 30 | 1 | КОММЕРЧЕСКИЙ | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 300мВт | ТО-236АБ | 250 МГц | 30 В | 600 мА | 285 нс | 35 нс | 10на ИКБО | НПН | 100 @ 150 мА 10 В | 250 МГц | 1,6 В при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA2210-ЭПН-1Е | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 12 недель | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCY79-VIII PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | Непригодный | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-bcy79xpbfree-datasheets-4594.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 6 недель | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПО НИКЕЛЮ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 Вт | 45В | 100 мА | 15на ИКБО | ПНП | 180 @ 2 мА 5 В | 100 МГц | 800 мВ при 2,5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZXT951KQTC | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/diodesincorporated-zxt951kqtc-datasheets-4663.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | 13 недель | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | ТО252 (ДПАК) | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 2,1 Вт | 120 МГц | 60В | 6А | 20на ИКБО | ПНП | 100 @ 2А 1В | 120 МГц | 400 мВ при 600 мА, 6 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N6488 ПББЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Масса | Непригодный | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n6488pbfree-datasheets-4665.pdf | ТО-220-3 | 3 | 24 недели | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 75 Вт | ТО-220АБ | 5 МГц | 80В | 15А | НПН | 25 @ 1А 4В | 5 МГц | 3,5 В при 5 А, 15 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCY59-IX PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | Непригодный | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-bcy59ixpbfree-datasheets-4592.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 6 недель | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 Вт | 45В | 100 мА | 10на ИКБО | НПН | 630 @ 10 мА 1 В | 150 МГц | 700 мВ при 2,5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCY79-X PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | Непригодный | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-bcy79xpbfree-datasheets-4594.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 6 недель | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПО НИКЕЛЮ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 Вт | 45В | 100 мА | 15на ИКБО | ПНП | 380 при 2 мА 5 В | 100 МГц | 800 мВ при 2,5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCY79-VII PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | Непригодный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-bcy79xpbfree-datasheets-4594.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 6 недель | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПО НИКЕЛЮ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 Вт | 45В | 100 мА | 15на ИКБО | ПНП | 120 @ 2 мА 5 В | 100 МГц | 800 мВ при 2,5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC394 PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | Непригодный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-bc394pbfree-datasheets-4598.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 20 недель | 180 В | 50на ИКБО | НПН | 50 при 10 А 10 В | 5 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCY79-IX PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | Непригодный | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-bcy79xpbfree-datasheets-4594.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 6 недель | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПО НИКЕЛЮ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 Вт | 45В | 100 мА | 15на ИКБО | ПНП | 250 при 2 мА 5 В | 100 МГц | 800 мВ при 2,5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCY59-VII PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | Непригодный | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-bcy59ixpbfree-datasheets-4592.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 6 недель | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 Вт | 45В | 100 мА | 10на ИКБО | НПН | 120 @ 2 мА 5 В | 150 МГц | 700 мВ при 2,5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCY59-X PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | Непригодный | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-bcy59ixpbfree-datasheets-4592.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 6 недель | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 Вт | 45В | 100 мА | 10на ИКБО | НПН | 380 при 2 мА 5 В | 150 МГц | 700 мВ при 2,5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCY59-VIII PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | Непригодный | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-bcy59ixpbfree-datasheets-4592.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 6 недель | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 Вт | 45В | 100 мА | 10на ИКБО | НПН | 180 @ 2 мА 5 В | 150 МГц | 700 мВ при 2,5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KSC5021RTU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 18 МГц | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-ksc5021rtu-datasheets-4608.pdf | ТО-220-3 | 3 | 1,8 г | 3 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Олово (Вс) | 50 Вт | Одинокий | 50 Вт | 1 | 18 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | ТО-220АБ | 500В | 1В | 500В | 5А | 18 МГц | 800В | 7В | 15 | 10 мкА ИКБО | НПН | 15 @ 600 мА 5 В | 1 В при 600 мА, 3 А |
