Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные BJT-транзисторы(15763)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Частота | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Продукт увеличения пропускной способности | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Код JEDEC-95 | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота смены | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | VCEsat-Макс | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SC5101 | Санкен | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/sanken-2sc5101-datasheets-4737.pdf | ТО-3П-3 Полный пакет | Без свинца | 3 | 36 недель | да | EAR99 | 80 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 80 Вт | 140 В | 500мВ | 10А | 20 МГц | 10 мкА ИКБО | НПН | 50 @ 3А 4В | 20 МГц | 500 мВ при 500 мА, 5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N6432 ПББЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | Непригодный | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n6432pbfree-datasheets-4738.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 6 недель | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1,8 Вт | 200В | 100 мА | 250 на ИКБО | ПНП | 40 @ 10 мА 10 В | 50 МГц | 500 мВ при 2 мА, 20 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJA4210OTU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 30 МГц | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-fja4210otu-datasheets-4740.pdf | -140 В | -10А | ТО-3П-3, СК-65-3 | 15,8 мм | 20,1 мм | 5 мм | Без свинца | 3 | 2 недели | 6,401 г | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | ИНН | 100 Вт | 260 | Одинокий | 100 Вт | 1 | Другие транзисторы | 30 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 140 В | -500мВ | 140 В | 10А | 30 МГц | -200В | -6В | 50 | 10 мкА ИКБО | ПНП | 70 @ 3А 4В | 500 мВ при 500 мА, 5 А | |||||||||||||||||||||||||
| 2SC3284 | Санкен | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/sanken-2sc3284-datasheets-4746.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | Без свинца | 3 | 24 недели | да | EAR99 | 125 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 125 Вт | 150 В | 2В | 14А | 60 МГц | 100 мкА ИКБО | НПН | 50 @ 5А 4В | 60 МГц | 2 В при 500 мА, 5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD2562 | Санкен | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sanken-2sd2562-datasheets-4747.pdf | ТО-3П-3 Полный пакет | Без свинца | 3 | 36 недель | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | 85 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ДАРЛИНГТОН СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 85 Вт | 150 В | 2,5 В | 15А | 70 МГц | 100 мкА ИКБО | NPN – Дарлингтон | 5000 @ 10А 4В | 70 МГц | 2,5 В при 10 мА, 10 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJA4213RTU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 30 МГц | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-2sa1962otu-datasheets-8714.pdf | -230В | -15А | ТО-3П-3, СК-65-3 | Без свинца | 3 | 2 недели | 6,401 г | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 недели назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | ИНН | 130 Вт | 260 | Одинокий | 130 Вт | 1 | Другие транзисторы | 30 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 250 В | -400мВ | 250 В | 17А | 30 МГц | -250В | -5В | 55 | 5 мкА ИКБО | ПНП | 55 @ 1А 5В | 3 В при 800 мА, 8 А | ||||||||||||||||||||||||||||
| D44H11 PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cjd44h11tr13-datasheets-3730.pdf | Править | 24 недели | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | 260 | 30 | НПН | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD2082 | Санкен | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/sanken-2sd2082-datasheets-4754.pdf | ТО-3П-3 Полный пакет | Без свинца | 3 | 36 недель | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения составляет 0,05. | 75 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ДАРЛИНГТОН СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 75 Вт | 120 В | 1,5 В | 16А | 20 МГц | 10 мкА ИКБО | NPN – Дарлингтон | 2000 @ 8А 4В | 20 МГц | 1,5 В при 16 мА, 8 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SB1587 | Санкен | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/sanken-2sb1587-datasheets-4724.pdf | ТО-3П-3 Полный пакет | Без свинца | 3 | 36 недель | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | 75 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 75 Вт | 150 В | 2,5 В | 8А | 65 МГц | 100 мкА ИКБО | PNP - Дарлингтон | 5000 @ 6А 4В | 65 МГц | 2,5 В при 6 мА, 6 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5416 ПББЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | Непригодный | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n5416pbfree-datasheets-4755.pdf | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | 3 | 20 недель | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 1 | Другие транзисторы | О-MBCY-W3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПНП | 1 Вт | 1 Вт | 15 МГц | 300В | 1А | 50 мкА ИКБО | ПНП | 120 @ 50 мА 10 В | 15 МГц | 2 В @ 5 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БД533 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-bd533-datasheets-4725.pdf | 45В | 8А | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | EAR99 | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | 50 Вт | НЕ УКАЗАН | БД533 | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | 12 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 45В | 800мВ | 8А | 12 МГц | 45В | 5В | 0,8 В | 20 | 100 мкА | НПН | 25 @ 2А 2В | 800 мВ при 600 мА, 6 А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| MJ2955 PBБЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-mj2955pbfree-datasheets-4726.pdf | ТО-204АА, ТО-3 | 22 недели | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПО НИКЕЛЮ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 115 Вт | 70В | 15А | 700 мкА | ПНП | 20 @ 4А 4В | 2,5 МГц | 3 В при 3,3 А, 10 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N2904 ПББЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | Непригодный | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n2905apbfree-datasheets-9041.pdf | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | 20 недель | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | Другие транзисторы | Одинокий | ПНП | 3 Вт | 3 Вт | 200 МГц | 40В | 600мА | 20на ИКБО | ПНП | 40 @ 150 мА 10 В | 200 МГц | 1,6 В при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BU806 PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Масса | Непригодный | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-bu806pbfree-datasheets-4694.pdf | ТО-220-3 | 7 недель | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПО НИКЕЛЮ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 60 Вт | 400В | 8А | 100 мкА | НПН | 1,5 В при 50 мА, 5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н2218 ПББЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | Непригодный | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n2218apbfree-datasheets-7187.pdf | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | 20 недель | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПО НИКЕЛЮ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 3 Вт | 30В | 800 мА | 10на ИКБО | НПН | 40 @ 150 мА 10 В | 250 МГц | 1 В @ 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КСЦ5502ТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-ksc5502tu-datasheets-4698.pdf | ТО-220-3 | 10,67 мм | 9,4 мм | 4,83 мм | Без свинца | 3 | 5 недель | 1,8 г | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | 1 МГц | е3 | Олово (Вс) | 50 Вт | KSC5502 | Одинокий | 50 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | ТО-220АБ | 600В | 3В | 600В | 2А | 1,2 кВ | 12 В | 12 | 100 мкА | НПН | 12 @ 500 мА 2,5 В | 1,5 В при 200 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC4518A | Санкен | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/sanken-2sc4518a-datasheets-4707.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | Без свинца | 3 | 12 недель | да | неизвестный | е0 | НЕ УКАЗАН | 35 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 35 Вт | ТО-220АБ | 550В | 500мВ | 5А | 6 МГц | 100 мкА ИКБО | НПН | 10 @ 1,8 А 4 В | 6 МГц | 500 мВ при 360 мА, 1,8 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD2045 | Санкен | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/sanken-2sd2045-datasheets-4708.pdf | ТО-3П-3 Полный пакет | Без свинца | 3 | 36 недель | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | 50 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ДАРЛИНГТОН СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 50 Вт | 120 В | 1,5 В | 6А | 50 МГц | 10 мкА ИКБО | NPN – Дарлингтон | 2000 @ 3А 2В | 50 МГц | 1,5 В при 3 мА, 3 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТИП111-БП | Микро Коммерческая Компания | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microcommercialco-tip111bp-datasheets-4709.pdf | ТО-220-3 | 3 | 12 недель | да | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | СОВЕТ111 | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | НПН | 50 Вт | ТО-220АБ | 80В | 2А | 2мА | NPN – Дарлингтон | 1000 @ 1А 4В | 2,5 В при 8 мА, 2 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н915 ПББЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | Непригодный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-2n708pbfree-datasheets-3866.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 6 недель | НПН | 50 @ 10 мА 10 В | 250 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC5287 | Санкен | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/sanken-2sc5287-datasheets-4715.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | 3 | 24 недели | да | 80 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 80 Вт | 550В | 500мВ | 5А | 6 МГц | 100 мкА ИКБО | НПН | 10 @ 1,8 А 4 В | 6 МГц | 500 мВ при 360 мА, 1,8 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC5099 | Санкен | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/sanken-2sc5099-datasheets-4678.pdf | ТО-3П-3 Полный пакет | Без свинца | 3 | 36 недель | да | EAR99 | 60 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 60 Вт | 80В | 500мВ | 6А | 20 МГц | 10 мкА ИКБО | НПН | 50 @ 2А 4В | 20 МГц | 500 мВ при 200 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N3947 ПББЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | Непригодный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-2n3947pbfree-datasheets-4716.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 6 недель | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПО НИКЕЛЮ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1,2 Вт | 40В | 200 мА | НПН | 100 @ 10 мА 1 В | 300 МГц | 300 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N699 ПББЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~175°С ТДж | Масса | Непригодный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-2n697apbfree-datasheets-1865.pdf | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | 6 недель | 2 Вт | 80В | 2 мкА ИКБО | НПН | 40 @ 150 мА 10 В | 50 МГц | 5 В при 15 мА, 150 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJAF4210OTU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 30 МГц | Соответствует ROHS3 | -140 В | -10А | ТО-3П-3 Полный пакет | Без свинца | 3 | 2 недели | 6,962 г | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 80 Вт | Одинокий | 80 Вт | 1 | Другие транзисторы | 30 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 140 В | -500мВ | 140 В | 10А | 30 МГц | -200В | -6В | 50 | 10 мкА ИКБО | ПНП | 70 @ 3А 4В | 500 мВ при 500 мА, 5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| BC108B PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | Непригодный | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-bc107pbfree-datasheets-7764.pdf&product=centralsemiconductorcorp-bc108bpbfree-6311384 | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 3 | 6 недель | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | О-MBCY-W3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 600мВт | 150 МГц | 25 В | 200 мА | 15на ИКБО | НПН | 200 при 2 мА 5 В | 150 МГц | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC4300 | Санкен | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/sanken-2sc4300-datasheets-4721.pdf | ТО-3П-3 Полный пакет | Без свинца | 3 | 36 недель | да | 75 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 75 Вт | 800В | 500мВ | 5А | 6 МГц | 100 мкА ИКБО | НПН | 10 @ 2А 4В | 6 МГц | 500 мВ при 400 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТИП100-БП | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/microcommercialco-tip100bp-datasheets-4683.pdf | ТО-220-3 | 3 | 12 недель | да | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | СОВЕТ10* | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | НПН | 80 Вт | ТО-220АБ | 60В | 8А | 50 мкА | NPN – Дарлингтон | 1000 @ 3А 4В | 2,5 В при 80 мА, 8 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SB0942AP | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/panasonicelectroniccomComponents-2sb0942ap-datasheets-4687.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 3 | да | EAR99 | неизвестный | 8541.29.00.95 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 40 Вт | 2 Вт | ТО-220АБ | 30 МГц | 80В | 4А | 700 мкА | ПНП | 120 @ 1А 4В | 30 МГц | 1,5 В при 400 мА, 4 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA2007E | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 1999 год | /files/rohmsemiconductor-2sa2007e-datasheets-4689.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | Без свинца | 7 недель | 3 | 25 Вт | Одинокий | 80 МГц | -12А | 60В | -300мВ | 500мВ | 12А | 12А | -100В | -5В | 160 | 10 мкА ИКБО | ПНП | 320 @ 2А 2В | 500 мВ при 400 мА, 8 А |
