Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные BJT-транзисторы(15763)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Частота | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Продукт увеличения пропускной способности | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Код JEDEC-95 | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Выключить Тайм-Макс (toff) | Время включения-Макс (тонна) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | VCEsat-Макс | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Макс. емкость коллектора-базы | Частота – переход | Насыщение Vce (Макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2PC4081R,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/nexperiausainc-2pc4081s115-datasheets-8467.pdf | СК-70, СОТ-323 | Без свинца | 3 | 4 недели | 3 | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2PC4081 | 3 | Одинокий | 40 | 200мВт | 1 | 100 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 50В | 50В | 50В | 150 мА | 100 МГц | 60В | 7В | 0,4 В | 100на ИКБО | НПН | 180 @ 1 мА 6 В | 400 мВ при 5 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБТ4124LT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 300 МГц | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mmbt4124lt1g-datasheets-8461.pdf | 20 В | 200 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 8,89 мм | 6,35 мм | 6,35 мм | Без свинца | 3 | 2 недели | 4.535924г | Нет СВВК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 11 часов назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ММБТ4124 | 3 | Одинокий | 40 | 300 Вт | 1 | Другие транзисторы | 300 МГц | КРЕМНИЙ | НПН | 25 В | 25 В | 300мВ | 25 В | 200 мА | 300 МГц | 30 В | 5В | 120 | 50на ИКБО | НПН | 120 при 2 мА 1 В | 300 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||
| BC857AW,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/nexperiausainc-bc857bw135-datasheets-1230.pdf | СК-70, СОТ-323 | Без свинца | 3 | 4 недели | 3 | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BC857 | 3 | Одинокий | 40 | 200мВт | 1 | 100 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 45В | 45В | 45В | 100 мА | 100 МГц | 50В | 5В | 125 | 15на ИКБО | ПНП | 125 @ 2 мА 5 В | 5пФ | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2ПД601АРЛ,215 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/nexperiausainc-2pd601arl215-datasheets-8125.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 4 недели | 3 | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 250мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2ПД601А | 3 | Одинокий | 40 | 250мВт | 1 | 100 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 50В | 50В | 50В | 100 мА | 100 МГц | 60В | 6В | 10на ИКБО | НПН | 210 при 2 мА 10 В | 250 мВ при 10 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX2N3700 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/391 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/microsemicorporation-jantx2n3700-datasheets-8268.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | Содержит свинец | 3 | 8 недель | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 4 недели назад) | нет | EAR99 | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 500мВт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 3 | 500мВт | 1 | Квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 80В | 80В | 1А | 100 МГц | 140 В | 7В | 10нА | НПН | 50 @ 500 мА 10 В | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NSVBC848CLT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/onsemiconductor-bc846blt1g-datasheets-0977.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 2 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 225 МВт | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 225 МВт | 30 В | 600мВ | 100 мА | 15на ИКБО | НПН | 200 при 2 мА 5 В | 100 МГц | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТМБТ3906,ЛМ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2015 год | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 12 недель | 320мВт | 320мВт | 50В | 50В | 400мВ | 150 мА | 100на ИКБО | ПНП | 100 @ 10 мА 1 В | 250 МГц | 400 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MSD602-RT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/onsemiconductor-msd602rt1g-datasheets-8045.pdf | 50В | 100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 8 недель | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДА | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | Одинокий | 40 | 200мВт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 50В | 50В | 50В | 500 мА | 60В | 7В | 120 | 100на ИКБО | НПН | 120 @ 150 мА 10 В | 600 мВ при 30 мА, 300 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н2907АУБ | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2012 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-2n2907aub-datasheets-8167.pdf | 3-LCC | 3,2258 мм | 1,4224 мм | 2,7178 мм | 25 недель | 3 | ПНП | 300мВт | Одинокий | 400мВт | Керамический SMD | 600 мА | 300мВт | 60В | 400мВ | 60В | 600 мА | 60В | 600 мА | 60В | 5В | 100 | 50нА | ПНП | 100 @ 1 мА 10 В | 1,6 В при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н2219А | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 200°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-2n2219a-datasheets-8170.pdf | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | 8 недель | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | Нет | НПН | 800мВт | 800мВт | 1 | ТО-39 (ТО-205АД) | 800мВт | 50В | 50В | 800 мА | 50В | 800 мА | 75В | 6В | 10нА | НПН | 100 @ 150 мА 10 В | 1 В при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПМБС3904,235 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 180 МГц | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/nexperiausainc-pmbs3904215-datasheets-8015.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 4 недели | 3 | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 250мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | PMBS3904 | 3 | Одинокий | 30 | 250мВт | 1 | 180 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 40В | 40В | 40В | 100 мА | 180 МГц | 60В | 6В | 50на ИКБО | НПН | 100 @ 10 мА 1 В | 300 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПМБТ3906М,315 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 250 МГц | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/nexperiausainc-pmbt3906m315-datasheets-8196.pdf | СК-101, СОТ-883 | Без свинца | 3 | 8 недель | 3 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 590 мВт | НИЖНИЙ | 260 | PMBT3906 | 3 | Одинокий | 30 | 560мВт | 1 | 250 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 590 мВт | 40В | 40В | 40В | 200 мА | 250 МГц | 70нс | 40В | -6В | 180 | 50на ИКБО | ПНП | 100 @ 10 мА 1 В | 400 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SBC847AWT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-bc847bwt1g-datasheets-1039.pdf | СК-70, СОТ-323 | Без свинца | 2 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДА | 150 мВт | 3 | Одинокий | Другие транзисторы | 100 МГц | НПН | 45В | 250 мВ | 45В | 100 мА | 100 МГц | 100 мА | 50В | 6В | 15на ИКБО | НПН | 110 при 2 мА 5 В | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MJ21193G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | 4 МГц | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mj21194g-datasheets-9103.pdf | -250В | -16А | ТО-204АА, ТО-3 | 39,37 мм | 8,51 мм | 26,67 мм | Без свинца | 2 | 5 недель | 4.535924г | Нет СВВК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | 250 Вт | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | 2 | Одинокий | 250 Вт | 1 | Другие транзисторы | 4 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 250 В | 1,4 В | 250 В | 16А | 4 МГц | 400В | 5В | 25 | 100 мкА | ПНП | 25 @ 8А 5В | 4 В @ 3,2 А, 16 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПМБС3904,215 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/nexperiausainc-pmbs3904215-datasheets-8015.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 4 недели | 3 | EAR99 | 8541.21.00.75 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | PMBS3904 | 3 | 30 | 250мВт | 1 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 180 МГц | 40В | 100 мА | 1200 нс | 110 нс | 50на ИКБО | НПН | 100 @ 10 мА 1 В | 180 МГц | 300 мВ при 5 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБТ3904 РФГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 24 недели | СОТ-23 | 300мВт | 40В | 200 мА | 50нА | НПН | 100 @ 10 мА 1 В | 250 МГц | 300 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N6609 ПББЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n6609pbfree-datasheets-8237.pdf | ТО-204АА, ТО-3 | 22 недели | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПО НИКЕЛЮ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 150 Вт | 140 В | 16А | 10 мА | ПНП | 15 @ 8А 4В | 1,4 В при 800 мА, 8 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCW65CLT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-bcw65clt1g-datasheets-8240.pdf | 32В | 800 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,04 мм | 1,11 мм | 1,4 мм | Без свинца | 3 | 2 недели | Нет СВВК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | БЦВ65 | 3 | Одинокий | 40 | 300мВт | 1 | Другие транзисторы | 100 МГц | КРЕМНИЙ | НПН | 32В | 32В | 700мВ | 32В | 800 мА | 100 МГц | 400 нс | 60В | 5В | 80 | 20нА | НПН | 250 @ 100 мА 1 В | 700 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||
| БУЛ216 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-bul216-datasheets-8087.pdf | 800В | 4А | ТО-220-3 | 10,4 мм | 9,15 мм | 4,6 мм | Без свинца | 3 | 8 недель | 90,718474мг | Нет СВВК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 90 Вт | БУЛ216 | 3 | Одинокий | 90 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | ТО-220АБ | 800В | 1В | 800В | 4А | 4020 нс | 1,6 кВ | 9В | 3 В | 12 | 250 мкА | НПН | 12 @ 400 мА 5 В | 3 В при 660 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2ПБ709АРТ,215 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 70 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/nexperiausainc-2pb709art215-datasheets-8121.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 4 недели | Нет СВВК | 2 | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 250мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2ПБ709А | 3 | Одинокий | 40 | 250мВт | 1 | Р-ПДСО-Г3 | 70 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 45В | 45В | 45В | 100 мА | 70 МГц | 45В | 6В | 10на ИКБО | ПНП | 210 при 2 мА 10 В | 500 мВ при 10 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MJW18020G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 13 МГц | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/onsemiconductor-mjw18020g-datasheets-8136.pdf | 450В | 20А | ТО-247-3 | 16,26 мм | 21,08 мм | 5,3 мм | Без свинца | 3 | 7 недель | 4.535924г | Нет СВВК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | 250 Вт | 260 | 3 | Одинокий | 40 | 250 Вт | 1 | Другие транзисторы | 13 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 150 В | ТО-247АД | 450В | 1,15 В | 1кВ | 30А | 13 МГц | 1кВ | 9В | 14 | 100 мкА | НПН | 14 @ 3А 5В | 1,5 В при 4 А, 20 А | |||||||||||||||||||||||||||||
| ПМБТ6429,215 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/nexperiausainc-pmbt6429215-datasheets-8149.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 4 недели | 3 | EAR99 | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ПМБТ6429 | 3 | 40 | 1 | Не квалифицирован | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 250мВт | 100 МГц | 45В | 100 мА | 0,6 В | 10на ИКБО | НПН | 500 @ 100 мкА 5 В | 700 МГц | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2ПД601АРЛ,235 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/nexperiausainc-2pd601arl215-datasheets-8125.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 4 недели | 3 | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 250мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2ПД601А | 3 | 40 | 1 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 250мВт | 50В | 250 мВ | 100 мА | 100 МГц | 60В | 6В | 10на ИКБО | НПН | 210 при 2 мА 10 В | 100 МГц | 250 мВ при 10 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N3772G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | 200 кГц | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/onsemiconductor-2n3771g-datasheets-7872.pdf | 60В | 20А | ТО-204АА, ТО-3 | 39,37 мм | 26,67 мм | 8509 мм | Без свинца | 2 | 2 недели | 13.607771г | Нет СВВК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | 150 Вт | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | 260 | 2Н3772 | 2 | Одинокий | 40 | 150 Вт | 1 | Другие транзисторы | 200 кГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 60В | 1,4 В | 60В | 20А | 0,2 МГц | 100 В | 7В | 15 | 10 мА | НПН | 15 @ 10А 4В | 4 В при 4 А, 20 А | |||||||||||||||||||||||||||||
| 2N3584 ПББЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n3584pbfree-datasheets-7995.pdf | ТО-213АА, ТО-66-2 | 22 недели | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПО НИКЕЛЮ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 35 Вт | 250 В | 2А | 5мА | НПН | 25 @ 1А 10В | 10 МГц | 750 мВ при 125 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJL6920TU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-fjl6920tu-datasheets-7999.pdf | 800В | 20А | ТО-264-3, ТО-264АА | 29 мм | Без свинца | 3 | 19 недель | 6,756 г | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 200 Вт | Одинокий | 200 Вт | 1 | Другие транзисторы | 150°С | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 800В | 3В | 800В | 30А | 1,7 кВ | 6В | 5 | 1 мА | НПН | 5,5 @ 11 А 5 В | 3 В при 2,75 А, 11 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD2560 | Санкен | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/sanken-2sd2560-datasheets-8013.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | 3 | 24 недели | да | EAR99 | неизвестный | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ДАРЛИНГТОН СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 130 Вт | 70 МГц | 150 В | 15А | 100 мкА ИКБО | NPN – Дарлингтон | 5000 @ 10А 4В | 70 МГц | 2,5 В при 10 мА, 10 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Нержавеющая сталь3906HZGT116 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/rohm-sst3906hzgt116-datasheets-3840.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 13 недель | EAR99 | не_совместимо | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 200мВт | 250 МГц | 40В | 200 мА | 300 нс | 70нс | 50нА | ПНП | 100 @ 10 мА 1 В | 250 МГц | 400 мВ при 5 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD1047 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 20 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-2sd1047-datasheets-8032.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | Без свинца | 3 | 8 недель | Нет СВВК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | Олово | Нет | 100 Вт | ОДИНОКИЙ | 2СД1 | 3 | 100 Вт | 1 | Другие транзисторы | 20 МГц | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 140 В | 140 В | 12А | 20 МГц | 200В | 6В | 50 | 100на ИКБО | НПН | 60 @ 1А 5В | 700 мВ при 700 мА, 7 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N3716 ПББЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n3716pbfree-datasheets-8035.pdf | ТО-204АА, ТО-3 | 22 недели | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПО НИКЕЛЮ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 150 Вт | 80В | 10А | НПН | 50 @ 1А 2В | 4 МГц | 800 мВ при 500 мА, 5 А |
