Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные BJT-транзисторы(15763)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Частота | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Продукт увеличения пропускной способности | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Код JEDEC-95 | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | VCEsat-Макс | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (Макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BCW70LT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-bcw70lt1g-datasheets-8078.pdf | -45В | -100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 940 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 2 недели | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | БЦВ70 | 3 | Одинокий | 40 | 300мВт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ПНП | 225 МВт | 45В | 45В | -300мВ | 45В | 100 мА | 5В | 215 | 100на ИКБО | ПНП | 215 при 2 мА 5 В | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||
| NJL1302DG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 30 МГц | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-njl3281dg-datasheets-7849.pdf | -260В | -15А | ТО-264-5 | 19,89 мм | 25,98 мм | 4,89 мм | Без свинца | 5 | 13 недель | Нет СВХК | 5 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Олово (Вс) | ПНП | 200 Вт | 260 | 5 | Одинокий | 40 | 200 Вт | 1 | Другие транзисторы | 30 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | 260В | 3В | 260В | 15А | 30 МГц | 260В | 5В | 75 | 50 мкА ИКБО | PNP + диод (изолированный) | 75 @ 5А 5В | 3 В при 1 А, 10 А | |||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н2484 | Корпорация Микросеми | 1,44 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-2n2484-datasheets-7974.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 12 недель | 3 | Нет | НПН | 360мВт | 360мВт | 1 | ТО-18 | 360мВт | 60В | 60В | 50 мА | 60В | 50 мА | 60В | 6В | 2нА | НПН | 225 @ 10 мА 5 В | 300 мВ при 100 мкА, 1 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MJ15023G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | 4 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mj15025g-datasheets-7889.pdf | -200В | -16А | ТО-204АА, ТО-3 | 39,37 мм | 26,67 мм | 8509 мм | Без свинца | 2 | 2 недели | 4.535924г | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | 250 Вт | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | 2 | Одинокий | 250 Вт | 1 | Другие транзисторы | 4 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 200В | 1,4 В | 200В | 16А | 4 МГц | 350В | 5В | 15 | 500 мкА | ПНП | 15 @ 8А 4В | 4 В @ 3,2 А, 16 А | ||||||||||||||||||||||||||||
| MJ2955G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | 2,5 МГц | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/onsemiconductor-2n3055g-datasheets-8613.pdf | -60В | -15А | ТО-204АА, ТО-3 | 39,37 мм | 26,67 мм | 8509 мм | Без свинца | 2 | 2 недели | 4.535924г | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | 115 Вт | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | 260 | MJ2955 | 2 | Одинокий | 40 | 115 Вт | 1 | Другие транзисторы | 2,5 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 60В | 1,1 В | 60В | 15А | 2,5 МГц | 100 В | 7В | 20 | 700 мкА | ПНП | 20 @ 4А 4В | 3 В при 3,3 А, 10 А | |||||||||||||||||||||||||
| 2N3772G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | 200 кГц | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/onsemiconductor-2n3771g-datasheets-7872.pdf | 60В | 20А | ТО-204АА, ТО-3 | 39,37 мм | 26,67 мм | 8509 мм | Без свинца | 2 | 2 недели | 13.607771г | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | 150 Вт | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | 260 | 2Н3772 | 2 | Одинокий | 40 | 150 Вт | 1 | Другие транзисторы | 200 кГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 60В | 1,4 В | 60В | 20А | 0,2 МГц | 100 В | 7В | 15 | 10 мА | НПН | 15 @ 10А 4В | 4 В при 4 А, 20 А | |||||||||||||||||||||||||
| 2N3584 ПББЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n3584pbfree-datasheets-7995.pdf | ТО-213АА, ТО-66-2 | 22 недели | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПО НИКЕЛЮ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 35 Вт | 250 В | 2А | 5мА | НПН | 25 @ 1А 10В | 10 МГц | 750 мВ при 125 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJL6920TU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-fjl6920tu-datasheets-7999.pdf | 800В | 20А | ТО-264-3, ТО-264АА | 29 мм | Без свинца | 3 | 19 недель | 6,756 г | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 200 Вт | Одинокий | 200 Вт | 1 | Другие транзисторы | 150°С | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 800В | 3В | 800В | 30А | 1,7 кВ | 6В | 5 | 1 мА | НПН | 5,5 @ 11 А 5 В | 3 В при 2,75 А, 11 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCW66HVL | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/nexperiausainc-bcw66hvl-datasheets-7939.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 4 недели | 3 | 250мВт | 45В | 800 мА | 5 мкА ИКБО | НПН | 250 @ 100 мА 1 В | 100 МГц | 450 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СА1943-О(К) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | Непригодный | 30 МГц | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/toshibasemiconductorandstorage-2sa1943oq-datasheets-7942.pdf&product=toshibasemiconductorandstorage-2sa1943oq-6275028 | -230В | -15А | ТО-3ПЛ | 20,5 мм | 26 мм | 5,2 мм | Без свинца | 12 недель | 3 | Медь, Серебро, Олово | Нет | 150 Вт | 2СА1943 | Одинокий | 150 Вт | 1 | 30 МГц | 230В | -3В | 230В | 15А | 230В | 5В | 80 | 5 мкА ИКБО | ПНП | 80 @ 1А 5В | 3 В @ 800 мА, 8 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N6284G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 1998 год | /files/onsemiconductor-2n6287g-datasheets-7932.pdf | 100 В | 20А | ТО-204АА, ТО-3 | 39,37 мм | 26,67 мм | 8509 мм | Без свинца | 2 | 5 недель | 13.607771г | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | НПН | НЕТ | 160 Вт | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | 260 | 2N6284 | 2 | Одинокий | 40 | 160 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | 20А | 100 В | 2В | 100 В | 20А | 4 МГц | 100 В | 5В | 1 мА | NPN – Дарлингтон | 750 @ 10 А 3 В | 3 В при 200 мА, 20 А | |||||||||||||||||||||||||||
| 2SC6082-1E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-2sc60821e-datasheets-7949.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | Без свинца | 2 недели | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 23 Вт | Одинокий | Другие транзисторы | 195 МГц | НПН | 15А | 2 Вт | 50В | 200 мВ | 50В | 15А | 60В | 6В | 200 | 10 мкА ИКБО | НПН | 200 @ 330 мА 2 В | 400 мВ при 375 мА, 7,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФММТ415ТД | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 40 МГц | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/diodesincorporated-fmmt417td-datasheets-8591.pdf | 100 В | 500 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 мм | 1,1 мм | 1,4 мм | Без свинца | 3 | 15 недель | 7,994566мг | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | НПН | 330мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ФММТ415 | Одинокий | 40 | 330мВт | 1 | 40 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500 мА | 100 В | 100 В | 500 мВ | 100 В | 500 мА | 40 МГц | 320В | 6В | 100на ИКБО | NPN — лавинный режим | 25 @ 10 мА 10 В | 500 мВ при 1 мА, 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC3519 | Санкен | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/sanken-2sc3519-datasheets-7956.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | 3 | 24 недели | 3 | да | EAR99 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 130 Вт | 50 МГц | 160 В | 15А | 100 мкА ИКБО | НПН | 50 @ 5А 4В | 50 МГц | 2 В при 500 мА, 5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MJL4281AG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 35 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mjl4281ag-datasheets-7958.pdf | 350В | 15А | ТО-264-3, ТО-264АА | 20,3 мм | 26,4 мм | 5,3 мм | Без свинца | 3 | 8 недель | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | НЕТ | 230 Вт | 260 | 3 | Одинокий | 40 | 230 Вт | 1 | Другие транзисторы | 35 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 350В | 1В | 350В | 15А | 35 МГц | 350В | 5В | 80 | 100 мкА | НПН | 80 @ 5А 5В | 1 В при 800 мА, 8 А | |||||||||||||||||||||||||||||
| MJ15004G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | 2 МГц | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mj15003g-datasheets-8807.pdf | -140В | -20А | ТО-204АА, ТО-3 | 39,37 мм | 8,51 мм | 26,67 мм | Без свинца | 2 | 8 недель | 4.535924г | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 19 часов назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | НЕТ | 250 Вт | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | 260 | 2 | Одинокий | 40 | 250 Вт | 1 | Другие транзисторы | 2 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 140 В | 1В | 140 В | 20А | 2 МГц | 140 В | 5В | 25 | 250 мкА | ПНП | 25 @ 5А 2В | 1 В при 500 мА, 5 А | ||||||||||||||||||||||||||
| BUF420AW | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-buf420aw-datasheets-7966.pdf | 450В | 30А | ТО-247-3 | 15,9 мм | 20,3 мм | 5,3 мм | Без свинца | 3 | 8 недель | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 200 Вт | БУФ420 | 3 | Одинокий | 200 Вт | 1 | Другие транзисторы | 150°С | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 450В | 500 мВ | 450В | 30А | 1кВ | 7В | НПН | 500 мВ при 4 А, 20 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СБ1647 | Санкен | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/sanken-2sb1647-datasheets-7920.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | Без свинца | 3 | 24 недели | да | EAR99 | 130 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 130 Вт | 150 В | 2,5 В | 15А | 45 МГц | 100 мкА ИКБО | PNP - Дарлингтон | 5000 @ 10А 4В | 45 МГц | 2,5 В при 10 мА, 10 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC3263 | Санкен | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/sanken-2sc3263-datasheets-7922.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | 3 | 24 недели | 3 | EAR99 | неизвестный | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 130 Вт | 60 МГц | 230В | 15А | 100 мкА ИКБО | НПН | 40 @ 5А 4В | 60 МГц | 2 В при 500 мА, 5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MJ11016G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~200°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mj11015g-datasheets-9086.pdf | 120 В | 30А | ТО-204АА, ТО-3 | 39,37 мм | 8,51 мм | 26,67 мм | Без свинца | 2 | 2 недели | 4.535924г | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 11 часов назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | НПН | НЕТ | 200 Вт | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | 260 | 2 | Одинокий | 40 | 200 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | 30А | 120 В | 3В | 120 В | 30А | 4 МГц | 120 В | 5В | 1 мА | NPN – Дарлингтон | 1000 @ 20А 5В | 4 МГц | 4 В @ 300 мА, 30 А | |||||||||||||||||||||||||||
| 2N3773G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/onsemiconductor-2n3773g-datasheets-7928.pdf | 140 В | 16А | ТО-204АА, ТО-3 | 39,37 мм | 8,51 мм | 26,67 мм | Без свинца | 2 | 10 недель | 13.607771г | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | НЕТ | 150 Вт | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | 260 | 2Н3773 | 2 | Одинокий | 40 | 150 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 140 В | 1,4 В | 140 В | 16А | 160 В | 7В | 15 | 10 мА | НПН | 15 @ 8А 4В | 1,4 В при 800 мА, 8 А | ||||||||||||||||||||||||||||
| 2N6287G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-2n6287g-datasheets-7932.pdf | -100В | -20А | ТО-204АА, ТО-3 | 39,37 мм | 8,51 мм | 26,67 мм | Без свинца | 2 | 2 недели | 13.607771г | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ПНП | НЕТ | 160 Вт | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | 260 | 2N6287 | 2 | Одинокий | 40 | 160 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | 20А | 100 В | 2В | 100 В | 20А | 4 МГц | 100 В | 5В | 1 мА | PNP - Дарлингтон | 750 @ 10 А 3 В | 3 В при 200 мА, 20 А | |||||||||||||||||||||||||||
| MJH11022G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/onsemiconductor-mjh11021g-datasheets-8754.pdf | 250 В | 15А | ТО-247-3 | 15,2 мм | 12,2 мм | 4,9 мм | Без свинца | 3 | 6 недель | 6,500007г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | НПН | НЕТ | 150 Вт | 260 | 3 | Одинокий | 40 | 150 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 15А | 250 В | 2,5 В | 250 В | 15А | 3 МГц | 250 В | 5В | 1 мА | NPN – Дарлингтон | 400 @ 10А 5В | 3 МГц | 4 В при 150 мА, 15 А | |||||||||||||||||||||||||||||
| БУ941ЗТ | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 175°С, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-bu941zt-datasheets-7885.pdf | 350В | 15А | ТО-220-3 | 10,4 мм | 9,15 мм | 4,6 мм | Без свинца | 3 | 8 недель | 6.000006г | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | Олово | Нет | е3 | НПН | 150 Вт | БУ941 | 3 | Одинокий | 150 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 15А | ТО-220АБ | 350В | 1,8 В | 350В | 15А | 5В | 2 В | 300 | 100 мкА | NPN – Дарлингтон | 300 @ 5А 10В | 1,8 В при 250 мА, 10 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| MJ15025G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | 4 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mj15025g-datasheets-7889.pdf | -250В | -16А | ТО-204АА, ТО-3 | 39,37 мм | 8,51 мм | 26,67 мм | Без свинца | 2 | 4 недели | 4.535924г | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | 250 Вт | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | 2 | Одинокий | 250 Вт | 1 | Другие транзисторы | 4 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 250 В | 1,4 В | 250 В | 16А | 4 МГц | 400В | 5В | 15 | 500 мкА | ПНП | 15 @ 8А 4В | 4 В @ 3,2 А, 16 А | ||||||||||||||||||||||||||||
| MJ11022G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mj11021g-datasheets-8812.pdf | 250 В | 15А | ТО-204АА, ТО-3 | 39,37 мм | 8,51 мм | 26,67 мм | Без свинца | 2 | 2 недели | 4.535924г | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | НПН | НЕТ | 175 Вт | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | 260 | 2 | Одинокий | 40 | 150 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 250 В | 2В | 250 В | 15А | 3 МГц | 250 В | 50В | 100 | 1 мА | NPN – Дарлингтон | 400 @ 10А 5В | 3,4 В при 150 мА, 15 А | ||||||||||||||||||||||||||||
| БУЛ416Т | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-bul416t-datasheets-7896.pdf | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | 8 недель | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 110 Вт | ОДИНОКИЙ | БУЛ416 | 3 | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 110 Вт | ТО-220АБ | 800В | 800В | 6А | 9В | 18 | 250 мкА | НПН | 18 @ 700 мА 5 В | 1,5 В при 1,33 А, 4 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MJ802G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | 2 МГц | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/onsemiconductor-mj802g-datasheets-7900.pdf | 90В | 30А | ТО-204АА, ТО-3 | 39,37 мм | 8,51 мм | 26,67 мм | Без свинца | 2 | 2 недели | 4.535924г | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | 200 Вт | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | 260 | MJ802 | 2 | Одинокий | 40 | 200 Вт | 1 | Другие транзисторы | 2 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 90В | 800мВ | 90В | 30А | 2 МГц | 100 В | 4В | 25 | 1 мА ИКБО | НПН | 25 @ 7,5 А 2 В | 800 мВ при 750 мА, 7,5 А | |||||||||||||||||||||||||
| MJE13005 PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-mje13005pbfree-datasheets-7903.pdf | ТО-220-3 | 24 недели | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПО НИКЕЛЮ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 Вт | 400В | 4А | НПН | 8 @ 2А 5В | 4 МГц | 1 В при 1 А, 4 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5320 ПББЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n5322pbfree-datasheets-7853.pdf | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | 20 недель | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | Другие транзисторы | Одинокий | НПН | 10 Вт | 10 Вт | 50 МГц | 75В | 2А | 500нА ИКБО | НПН | 30 @ 500 мА 4 В | 50 МГц | 500 мВ при 50 мА, 500 мА |
