Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные BJT-транзисторы(15763)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Частота | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Идентификатор производителя производителя | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Продукт увеличения пропускной способности | Материал транзисторного элемента | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Код JEDEC-95 | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | VCEsat-Макс | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (Макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FJP5027OTU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 15 МГц | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-fjp5027otu-datasheets-7504.pdf | 800В | 3А | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | 24 недели | 1,8 г | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 50 Вт | FJP5027 | Одинокий | 50 Вт | 1 | Другие транзисторы | 15 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | ТО-220АБ | 800В | 800В | 3А | 15 МГц | 1,1 кВ | 7В | 10 | 10 мкА ИКБО | НПН | 20 @ 200 мА 5 В | 2 В при 300 мА, 1,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| СОВЕТ41БГ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 3 МГц | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-tip42cg-datasheets-7051.pdf | 80В | 6А | ТО-220-3 | 10,28 мм | 15,75 мм | 4,82 мм | Без свинца | 3 | 8 недель | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | НЕТ | 2 Вт | 260 | СОВЕТ41 | 3 | Одинокий | 40 | 2 Вт | 1 | Другие транзисторы | 3 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | ТО-220АБ | 80В | 1,5 В | 80В | 6А | 3 МГц | 80В | 5В | 30 | 700 мкА | НПН | 15 @ 3А 4В | 1,5 В при 600 мА, 6 А | ||||||||||||||||||||||||
| ZTX749 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 160 МГц | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/diodesincorporated-ztx749-datasheets-7517.pdf | -25В | -2А | Е-Линия-3 | 4,77 мм | 4,01 мм | 2,41 мм | Без свинца | 3 | 15 недель | 453,59237мг | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Нет | электронная линия | е3 | Матовый олово (Sn) | 1 Вт | ПРОВОЛОКА | 260 | ZTX749 | 3 | Одинокий | 40 | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | 160 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | -2А | 25 В | -230мВ | 25 В | 2А | 160 МГц | 35В | -5В | 100на ИКБО | ПНП | 100 @ 1А 2В | 500 мВ при 200 мА, 2 А | |||||||||||||||||||||||
| ZTX953 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 125 МГц | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/diodesincorporated-ztx953-datasheets-7522.pdf | -100В | -3,5 А | Е-Линия-3 | 4,77 мм | 4,01 мм | 2,41 мм | Содержит свинец | 3 | 15 недель | 453,59237мг | Нет СВХК | 3 | нет | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,2 Вт | ПРОВОЛОКА | 260 | ZTX953 | 3 | Одинокий | 40 | 1,2 Вт | 1 | Другие транзисторы | 125 МГц | КРЕМНИЙ | ПНП | -3,5 А | 100 В | 100 В | 3,5 А | 125 МГц | 140 В | 6В | 50на ИКБО | ПНП | 100 @ 1А 1В | 330 мВ при 400 мА, 4 А | ||||||||||||||||||||||||||
| НЖД35Н04Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-njd35n04t4g-datasheets-2186.pdf | 350В | 4А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,38 мм | 6,22 мм | Без свинца | 2 | 15 недель | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | НПН | Без галогенов | ДА | 45 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | НЖД35Н04 | 3 | Одинокий | 40 | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 350В | 350В | 1,5 В | 350В | 4А | 90 МГц | 700В | 5В | 50 мкА | NPN – Дарлингтон | 2000 @ 2А 2В | 90 МГц | 1,5 В при 20 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||
| D44H8 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-d44h8-datasheets-7531.pdf | 60В | 10А | ТО-220-3 | 10,4 мм | 9,15 мм | 4,6 мм | Без свинца | 3 | 8 недель | 9.071847г | Нет СВХК | 3 | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 50 Вт | D44H8 | 3 | Одинокий | 50 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | ТО-220АБ | 60В | 1В | 60В | 10А | 50 МГц | 60В | 5В | 1 В | 60 | 10 мкА | НПН | 40 @ 4А 1В | 1 В при 400 мА, 8 А | ||||||||||||||||||||||||||||
| СОВЕТ137 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-tip137-datasheets-7535.pdf | -100В | -8А | ТО-220-3 | 10,4 мм | 9,15 мм | 4,6 мм | Без свинца | 3 | 8 недель | 6.000006г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ПНП, НПН | 2 Вт | СОВЕТ137 | 3 | Одинокий | 2 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | ТО-220АБ | 100 В | 2В | 100 В | 8А | 100 В | 5В | 3 В | 500 | 500 мкА | PNP - Дарлингтон | 1000 @ 4А 4В | 4 В при 30 мА, 6 А | ||||||||||||||||||||||||||||
| ТИП120ТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-tip120tu-datasheets-7539.pdf | 60В | 5А | ТО-220-3 | 10,67 мм | 16,51 мм | 4,83 мм | Без свинца | 3 | 2 недели | 1,214 г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | НПН | 2 Вт | СОВЕТ120 | Одинокий | 2 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | ТО-220АБ | 80В | 2В | 60В | 5А | 50 МГц | 60В | 5В | 1000 | 500 мкА | NPN – Дарлингтон | 1000 @ 3А 3В | 4 В @ 20 мА, 5 А | |||||||||||||||||||||||||||
| BD244CG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 3 МГц | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/onsemiconductor-bd243cg-datasheets-7401.pdf | -100В | -6А | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | 6 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | ДОСТУПНЫЕ ВАРИАНТЫ ЛИДФОРМЫ | Олово | Нет | е3 | НЕТ | 65 Вт | 260 | БД244 | 3 | Одинокий | 40 | 65 Вт | 1 | Другие транзисторы | 3 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 100 В | ТО-220АБ | 50В | 1,5 В | 100 В | 6А | 3 МГц | 100 В | 5В | 30 | 700 мкА | ПНП | 15 @ 3А 4В | 1,5 В при 1 А, 6 А | ||||||||||||||||||||||||
| MJE15030G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 30 МГц | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/onsemiconductor-mje15030g-datasheets-7554.pdf | 150 В | 8А | ТО-220-3 | 10,2616 мм | 15 748 мм | 4826 мм | Без свинца | 3 | 8 недель | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 20 часов назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | НЕТ | 50 Вт | 260 | 3 | Одинокий | 40 | 2 Вт | 1 | Другие транзисторы | 30 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | ТО-220АБ | 150 В | 500 мВ | 150 В | 8А | 30 МГц | 150 В | 5В | 40 | 100 мкА | НПН | 20 @ 4А 2В | 500 мВ при 100 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||
| PN4250A PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-pn4250apbfree-datasheets-7473.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 20 недель | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 625 МВт | 60В | 500 мА | 10на ИКБО | ПНП | 250 @ 100 мкА 5 В | 250 мВ при 500 мкА, 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPSA18 PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-mpsa18pbfree-datasheets-7476.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 20 недель | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПО НИКЕЛЮ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 625 МВт | 45В | 200 мА | 50на ИКБО | НПН | 500 @ 10 мА 5 В | 100 МГц | 300 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СОВЕТ107G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/onsemiconductor-tip106g-datasheets-7300.pdf | -100В | -8А | ТО-220-3 | 10,28 мм | 9,28 мм | 4,82 мм | Без свинца | 3 | 8 недель | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | ДОСТУПНЫЕ ВАРИАНТЫ ЛИДФОРМЫ | Нет | е3 | Олово (Вс) | ПНП | НЕТ | 2 Вт | 260 | СОВЕТ10* | 3 | Одинокий | 40 | 2 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | ТО-220АБ | 100 В | 2В | 100 В | 8А | 4 МГц | 100 В | 5В | 200 | 50 мкА | PNP - Дарлингтон | 1000 @ 3А 4В | 2,5 В при 80 мА, 8 А | |||||||||||||||||||||||
| ZTX853 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 130 МГц | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/diodesincorporated-ztx853-datasheets-7484.pdf | 100 В | 4А | Е-Линия-3 | 4,77 мм | 4,01 мм | 2,41 мм | Без свинца | 3 | 15 недель | 453,59237мг | Нет СВХК | 3 | нет | EAR99 | Нет | электронная линия | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,2 Вт | ПРОВОЛОКА | 260 | ZTX853 | 3 | Одинокий | 30 | 1,2 Вт | 1 | Другие транзисторы | 130 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 4А | 100 В | 160 мВ | 100 В | 4А | 130 МГц | 200В | 6В | 100 | 50на ИКБО | НПН | 100 @ 2А 2В | 200 мВ при 400 мА, 4 А | ||||||||||||||||||||||
| КСД1408ЮТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 8 МГц | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/onsemiconductor-ksd1408ytu-datasheets-7489.pdf | 80В | 4А | ТО-220-3 Полный пакет | 10,16 мм | 15,87 мм | 2,54 мм | Без свинца | 3 | 4 недели | 2,27 г | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 25 Вт | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 25 Вт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | 8 МГц | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 80В | 450 мВ | 80В | 4А | 8 МГц | 80В | 5В | 40 | 30 мкА ИКБО | НПН | 120 @ 500 мА 5 В | 1,5 В при 300 мА, 3 А | |||||||||||||||||||||||||
| КСД880О | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 3 МГц | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/onsemiconductor-ksd880o-datasheets-7494.pdf | 60В | 3А | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | 2 недели | 1,8 г | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 30 Вт | КСД880 | Одинокий | 30 Вт | 1 | Другие транзисторы | 3 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 60В | ТО-220АБ | 80В | 400мВ | 60В | 3А | 3 МГц | 60В | 7В | 60 | 100 мкА ИКБО | НПН | 60 @ 500 мА 5 В | 1 В при 300 мА, 3 А | |||||||||||||||||||||||||||||
| 2N3392 ПББЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n3904pbfree-datasheets-2217.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 20 недель | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПО НИКЕЛЮ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 25 В | 100на ИКБО | НПН | 150 @ 2 мА 4,5 В | 120 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БД681 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-bd677-datasheets-2135.pdf | 100 В | 4А | ТО-225АА, ТО-126-3 | 7,8 мм | 10,8 мм | 2,7 мм | Без свинца | 3 | 8 недель | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | Олово | Нет | е3 | НПН | 40 Вт | БД681 | 3 | Одинокий | 40 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 4А | 100 В | 2,5 В | 100 В | 4А | 10 МГц | 100 В | 5В | 750 | 500 мкА | NPN – Дарлингтон | 750 @ 1,5 А 3 В | 2,5 В при 30 мА, 1,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||
| BDW94C | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-bdw94c-datasheets-7431.pdf | -100В | -12А | ТО-220-3 | 10,4 мм | 19,68 мм | 4,6 мм | Без свинца | 3 | 8 недель | 6.000006г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | Олово | Нет | ТО-220-П011 | е3 | ПНП | 80 Вт | БДВ94 | 3 | Одинокий | 80 Вт | 1 | Другие транзисторы | 150°С | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ТО-220АБ | 100 В | 3В | 100 В | 12А | 20 МГц | 100 В | 2,5 В | 3 В | 100 | 1 мА | PNP - Дарлингтон | 750 @ 5А 3В | 3 В при 100 мА, 10 А | ||||||||||||||||||||||||||
| СОВЕТ50G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 10 МГц | Соответствует ROHS3 | 1993 год | /files/onsemiconductor-tip50g-datasheets-7435.pdf | 400В | 1А | ТО-220-3 | 10,28 мм | 9,28 мм | 4,82 мм | Без свинца | 3 | 8 недель | 907,18474 мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | ДОСТУПНЫЕ ВАРИАНТЫ ЛИДФОРМЫ | Нет | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | 40 Вт | 260 | СОВЕТ50 | 3 | Одинокий | 40 | 40 Вт | 1 | Другие транзисторы | 10 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 2 Вт | ТО-220АБ | 400В | 1В | 400В | 1А | 10 МГц | 500В | 5В | 30 | 1 мА | НПН | 30 @ 300 мА 10 В | 1 В при 200 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||
| MJE3055T | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 2 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-mje2955t-datasheets-7393.pdf | 60В | 10А | ТО-220-3 | 10,4 мм | 9,15 мм | 4,6 мм | Без свинца | 3 | 8 недель | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 75 Вт | MJE305 | 3 | Одинокий | 75 Вт | 1 | Другие транзисторы | 2 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 60В | 1,1 В | 60В | 10А | 2 МГц | 70В | 5В | 8 В | 20 | 700 мкА | НПН | 20 @ 4А 4В | 8 В при 3,3 А, 10 А | ||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC1815 ПББЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2sc1815pbfree-datasheets-7446.pdf | 6 недель | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 400мВт | 50В | 150 мА | 100на ИКБО | НПН | 70 при 2 мА 6 В | 80 МГц | 250 мВ при 10 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СОВЕТ31А | СТМикроэлектроника | 0,75 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-tip31a-datasheets-7450.pdf | 60В | 3А | ТО-220-3 | 10,4 мм | 9,15 мм | 4,6 мм | Без свинца | 3 | 8 недель | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 2 Вт | СОВЕТ31 | 3 | Одинокий | 2 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | ТО-220АБ | 60В | 1,2 В | 60В | 3А | 3 МГц | 60В | 5В | 10 | 300 мкА | НПН | 10 @ 3А 4В | 1,2 В при 375 мА, 3 А | ||||||||||||||||||||||||||||
| КСБ596ЮТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 3 МГц | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/onsemiconductor-ksb596ytu-datasheets-7454.pdf | -80В | -4А | ТО-220-3 | 9,2 мм | 14,2 мм | 4,5 мм | Без свинца | 3 | 2 недели | 1,8 г | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 30 Вт | КСБ596 | Одинокий | 30 Вт | 1 | Другие транзисторы | 3 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | ТО-220АБ | 80В | -1В | 80В | 4А | 3 МГц | -80В | -5В | 40 | 70 мкА ИКБО | ПНП | 120 @ 500 мА 5 В | 1,7 В при 300 мА, 3 А | |||||||||||||||||||||||||||
| BDX53C | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-bdx54c-datasheets-7256.pdf | 100 В | 8А | ТО-220-3 | 10,4 мм | 19,68 мм | 4,6 мм | Без свинца | 3 | 8 недель | 90,718474мг | Нет СВХК | 2 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | Олово | Нет | е3 | НПН | 60 Вт | BDX53 | 3 | Одинокий | 60 Вт | 1 | Другие транзисторы | 150°С | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 8А | 100 В | 2В | 100 В | 8А | 20 МГц | 100 В | 5В | 2 В | 750 | 500 мкА | NPN – Дарлингтон | 750 @ 3А 3В | 2 В при 12 мА, 3 А | ||||||||||||||||||||||||||
| BD241CG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 3 МГц | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/onsemiconductor-bd241cg-datasheets-7381.pdf | 100 В | 3А | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | 2 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | ДОСТУПНЫЕ ВАРИАНТЫ ЛИДФОРМЫ | Олово | Нет | е3 | НЕТ | 40 Вт | 260 | БД241 | 3 | Одинокий | 40 | 40мВт | 1 | Другие транзисторы | 3 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | ТО-220АБ | 100 В | 1,2 В | 100 В | 3А | 3 МГц | 90В | 5В | 25 | 300 мкА | НПН | 25 @ 1А 4В | 1,2 В при 600 мА, 3 А | ||||||||||||||||||||||||||
| ZTX560 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 60 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-ztx560-datasheets-7386.pdf | -500В | -150 мА | Е-Линия-3 | 4,77 мм | 4,01 мм | 2,41 мм | Без свинца | 3 | 15 недель | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1 Вт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 260 | ZTX560 | 3 | Одинокий | 40 | 1 Вт | 1 | 60 МГц | КРЕМНИЙ | ПНП | -150 мА | 500В | -500мВ | 500В | 150 мА | 60 МГц | 500В | -5В | 100нА | ПНП | 80 @ 50 мА 10 В | 500 мВ при 10 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||
| 2N3417 ПББЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-2n3904pbfree-datasheets-2217.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 20 недель | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПО НИКЕЛЮ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 50В | 100на ИКБО | НПН | 180 @ 2 мА 4,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MJE2955T | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 2 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-mje2955t-datasheets-7393.pdf | -60В | -10А | ТО-220-3 | 10,4 мм | 9,15 мм | 4,6 мм | Без свинца | 3 | 8 недель | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 75 Вт | MJE295 | 3 | Одинокий | 75 Вт | 1 | Другие транзисторы | 2 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 60В | 1,1 В | 60В | 10А | 2 МГц | 70В | 5В | 8 В | 20 | 700 мкА | ПНП | 20 @ 4А 4В | 8 В при 3,3 А, 10 А | |||||||||||||||||||||||||||
| BD243CG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 3 МГц | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/onsemiconductor-bd243cg-datasheets-7401.pdf | 100 В | 6А | ТО-220-3 | 10,28 мм | 15,75 мм | 4,82 мм | Без свинца | 3 | 6 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | ДОСТУПНЫЕ ВАРИАНТЫ ЛИДФОРМЫ | Олово | Нет | е3 | НЕТ | 65 Вт | 260 | БД243 | 3 | Одинокий | 40 | 65 Вт | 1 | Другие транзисторы | 3 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | ТО-220АБ | 100 В | 1,5 В | 100 В | 6А | 3 МГц | 100 В | 5В | 30 | 700 мкА | НПН | 15 @ 3А 4В | 1,5 В при 1 А, 6 А |
