Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные BJT-транзисторы(15763)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Частота | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Идентификатор производителя производителя | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Продукт увеличения пропускной способности | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Код JEDEC-95 | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Минимальное устройство постоянного тока (hFE) | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | VCEsat-Макс | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (Макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| СОВЕТ42А | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-tip42a-datasheets-7377.pdf | -60В | -6А | ТО-220-3 | 10,4 мм | 15,75 мм | 4,6 мм | Без свинца | 3 | 8 недель | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 2 Вт | СОВЕТ42 | 3 | Одинокий | 2 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | ТО-220АБ | 60В | 1,5 В | 60В | 6А | 3 МГц | 60В | 5В | 15 | 700 мкА | ПНП | 15 @ 3А 4В | 1,5 В при 600 мА, 6 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BD241CG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 3 МГц | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/onsemiconductor-bd241cg-datasheets-7381.pdf | 100 В | 3А | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | 2 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | ДОСТУПНЫЕ ВАРИАНТЫ ЛИДФОРМЫ | Олово | Нет | е3 | НЕТ | 40 Вт | 260 | БД241 | 3 | Одинокий | 40 | 40мВт | 1 | Другие транзисторы | 3 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | ТО-220АБ | 100 В | 1,2 В | 100 В | 3А | 3 МГц | 90В | 5В | 25 | 300 мкА | НПН | 25 @ 1А 4В | 1,2 В при 600 мА, 3 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZTX560 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 60 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-ztx560-datasheets-7386.pdf | -500В | -150 мА | Е-Линия-3 | 4,77 мм | 4,01 мм | 2,41 мм | Без свинца | 3 | 15 недель | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1 Вт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 260 | ZTX560 | 3 | Одинокий | 40 | 1 Вт | 1 | 60 МГц | КРЕМНИЙ | ПНП | -150 мА | 500В | -500мВ | 500В | 150 мА | 60 МГц | 500В | -5В | 100нА | ПНП | 80 @ 50 мА 10 В | 500 мВ при 10 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N3417 ПББЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-2n3904pbfree-datasheets-2217.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 20 недель | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПО НИКЕЛЮ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 50В | 100на ИКБО | НПН | 180 @ 2 мА 4,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MJE2955T | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 2 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-mje2955t-datasheets-7393.pdf | -60В | -10А | ТО-220-3 | 10,4 мм | 9,15 мм | 4,6 мм | Без свинца | 3 | 8 недель | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 75 Вт | MJE295 | 3 | Одинокий | 75 Вт | 1 | Другие транзисторы | 2 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 60В | 1,1 В | 60В | 10А | 2 МГц | 70В | 5В | 8 В | 20 | 700 мкА | ПНП | 20 @ 4А 4В | 8 В при 3,3 А, 10 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| BD243CG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 3 МГц | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/onsemiconductor-bd243cg-datasheets-7401.pdf | 100 В | 6А | ТО-220-3 | 10,28 мм | 15,75 мм | 4,82 мм | Без свинца | 3 | 6 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | ДОСТУПНЫЕ ВАРИАНТЫ ЛИДФОРМЫ | Олово | Нет | е3 | НЕТ | 65 Вт | 260 | БД243 | 3 | Одинокий | 40 | 65 Вт | 1 | Другие транзисторы | 3 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | ТО-220АБ | 100 В | 1,5 В | 100 В | 6А | 3 МГц | 100 В | 5В | 30 | 700 мкА | НПН | 15 @ 3А 4В | 1,5 В при 1 А, 6 А | ||||||||||||||||||||||||||||
| КСЦ2073ТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 4 МГц | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-ksc2073tu-datasheets-7406.pdf | 150 В | 1,5 А | ТО-220-3 | 9,2 мм | 14,2 мм | 4,5 мм | Без свинца | 3 | 8 недель | 1,8 г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 25 Вт | НЕ УКАЗАН | КСЦ2073 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 25 Вт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | 4 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | ТО-220АБ | 150 В | 1В | 150 В | 1,5 А | 4 МГц | 150 В | 5В | 40 | 10 мкА ИКБО | НПН | 40 @ 500 мА 10 В | 1 В при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||
| KSC2073H2TU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 4 МГц | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-ksc2073tu-datasheets-7406.pdf | 150 В | 1,5 А | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | 2 недели | 1,8 г | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 25 Вт | КСЦ2073 | Одинокий | 25 Вт | 1 | Другие транзисторы | 4 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | ТО-220АБ | 150 В | 1В | 150 В | 1,5 А | 4 МГц | 150 В | 5В | 40 | 10 мкА ИКБО | НПН | 60 @ 500 мА 10 В | 1 В при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZTX694B | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 130 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-ztx694b-datasheets-7344.pdf | 120 В | 500 мА | Е-Линия-3 | 4,77 мм | 4,01 мм | 2,41 мм | Без свинца | 3 | 15 недель | 453,59237мг | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1 Вт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 260 | ZTX694B | 3 | Одинокий | 40 | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | 130 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 500 мА | 120 В | 500 мВ | 120 В | 500 мА | 130 МГц | 120 В | 5В | 100на ИКБО | НПН | 400 @ 200 мА 2 В | 500 мВ при 5 мА, 400 мА | |||||||||||||||||||||||||||||
| Д45ВХ10Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 50 МГц | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-d44vh10g-datasheets-7295.pdf | -80В | -15А | ТО-220-3 | 10,28 мм | 15,75 мм | 4,82 мм | Без свинца | 3 | 6 недель | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | НЕТ | 83 Вт | 260 | 3 | Одинокий | 40 | 83 Вт | 1 | Другие транзисторы | 50 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | ТО-220АБ | 80В | 1,5 В | 80В | 15А | 50 МГц | 80В | 7В | 35 | ПНП | 20 @ 4А 1В | 1 В при 800 мА, 8 А | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ZTX751 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 140 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-ztx751-datasheets-7265.pdf | -60В | -2А | Е-Линия-3 | 4,77 мм | 4,01 мм | 2,41 мм | Без свинца | 3 | 453,59237мг | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Нет | электронная линия | е3 | Матовый олово (Sn) | 1 Вт | ПРОВОЛОКА | 260 | ZTX751 | 3 | Одинокий | 40 | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | 140 МГц | КРЕМНИЙ | ПНП | -2А | 60В | -280мВ | 60В | 2А | 140 МГц | 40 | 80В | 5В | 100на ИКБО | ПНП | 500 мВ при 200 мА, 2 А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н5192Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 2 МГц | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/onsemiconductor-2n5192g-datasheets-7270.pdf | 80В | 4А | ТО-225АА, ТО-126-3 | 7,7978 мм | 11,0998 мм | 2,9972 мм | Без свинца | 3 | 5 недель | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | НЕТ | 40 Вт | 260 | 2Н5192 | 3 | Одинокий | 40 | 40 Вт | 1 | Другие транзисторы | 2 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 80В | 1,4 В | 80В | 4А | 2 МГц | 80В | 5В | 20 | 1 мА | НПН | 20 @ 1,5 А 2 В | 1,4 В при 1 А, 4 А | |||||||||||||||||||||||||||||
| FJP13007H1TU-F080 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/onsemiconductor-fjp13007h1tuf080-datasheets-7274.pdf | ТО-220-3 | 3 | 2 недели | 1,8 г | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | е3 | Олово (Вс) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 80 Вт | 80 Вт | ТО-220АБ | 4 МГц | 400В | 8А | 700В | 9В | 5 | НПН | 8 @ 2А 5В | 4 МГц | 3 В при 2 А, 8 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MJF122G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/onsemiconductor-mjf122g-datasheets-7280.pdf | 100 В | 5А | ТО-220-3 Полный пакет | 10,63 мм | 9,24 мм | 4,9 мм | Без свинца | 3 | 8 недель | 2,299997г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Олово (Вс) | НПН | НЕТ | 30 Вт | 260 | 3 | Одинокий | 40 | 2 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 5А | ТО-220АБ | 100 В | 2В | 100 В | 5А | 100 В | 5В | 1000 | 10 мкА | NPN – Дарлингтон | 2000 @ 3А 3В | 3,5 В при 20 мА, 5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||
| BDX53CG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 1999 год | /files/onsemiconductor-bdx53cg-datasheets-7284.pdf | 100 В | 8А | ТО-220-3 | 10,28 мм | 9,28 мм | 4,82 мм | Без свинца | 3 | 7 недель | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | ДОСТУПНЫЕ ВАРИАНТЫ ЛИДФОРМЫ | Нет | е3 | Олово (Вс) | НПН | НЕТ | 65 Вт | 260 | BDX53 | 3 | Одинокий | 40 | 40 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | 4А | ТО-220АБ | 100 В | 2В | 100 В | 8А | 20 МГц | 100 В | 5В | 750 | 500 мкА | NPN – Дарлингтон | 750 @ 3А 3В | 2 В при 12 мА, 3 А | ||||||||||||||||||||||||||||
| KSC5026MOS | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 15 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-ksc5026mos-datasheets-7289.pdf | 800В | 1,5 А | ТО-225АА, ТО-126-3 | Без свинца | 3 | 7 недель | 761 мг | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Олово (Вс) | 20 Вт | Одинокий | 20 Вт | 1 | Другие транзисторы | 15 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 800В | 2В | 800В | 1,5 А | 15 МГц | 1,1 кВ | 7В | 10 | 10 мкА ИКБО | НПН | 20 @ 100 мА 5 В | 2 В при 150 мА, 750 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Д44ВХ10Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 50 МГц | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-d44vh10g-datasheets-7295.pdf | 80В | 15А | ТО-220-3 | 10,28 мм | 15,75 мм | 4,82 мм | Без свинца | 3 | 9 недель | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 13 часов назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | НЕТ | 83 Вт | 260 | 3 | Одинокий | 40 | 83 Вт | 1 | Другие транзисторы | 50 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | ТО-220АБ | 80В | 800мВ | 80В | 15А | 50 МГц | 80В | 7В | 35 | НПН | 20 @ 4А 1В | 400 мВ при 400 мА, 8 А | ||||||||||||||||||||||||||||||
| СОВЕТ106G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/onsemiconductor-tip106g-datasheets-7300.pdf | -80В | -8А | ТО-220-3 | 6,35 мм | 6,35 мм | 25,4 мм | Без свинца | 3 | 2 недели | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ПНП | НЕТ | 2 Вт | 260 | СОВЕТ10* | 3 | Одинокий | 40 | 2 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | ТО-220АБ | 80В | 2В | 80В | 8А | 80В | 5В | 200 | 50 мкА | PNP - Дарлингтон | 1000 @ 3А 4В | 2,5 В при 80 мА, 8 А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Д45Х8Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 40 МГц | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/onsemiconductor-d45h8g-datasheets-7305.pdf | -60В | -10А | ТО-220-3 | 10,28 мм | 9,28 мм | 4,82 мм | Без свинца | 3 | 8 недель | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | ДОСТУПНЫЕ ВАРИАНТЫ ЛИДФОРМЫ | Олово | Нет | е3 | НЕТ | 2 Вт | 260 | Д45Х | 3 | Одинокий | 40 | 2 Вт | 1 | Другие транзисторы | 40 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | ТО-220АБ | 60В | 1В | 60В | 10А | 40 МГц | 60В | 5В | 60 | 10 мкА | ПНП | 40 @ 4А 1В | 1 В при 400 мА, 8 А | |||||||||||||||||||||||||||
| ZXT951KTC | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 120 МГц | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/diodesincorporated-zxt951ktc-datasheets-6935.pdf | -60В | -6А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,39 мм | 6,22 мм | Без свинца | 2 | 15 недель | 260,39037мг | Нет СВХК | 3 | нет | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 4,2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ZXT951 | 3 | Одинокий | 40 | 4,2 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | 120 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | -6А | 60В | 60В | 60В | 6А | 120 МГц | 100 В | 7В | 20на ИКБО | ПНП | 100 @ 2А 1В | 400 мВ при 600 мА, 6 А | ||||||||||||||||||||||||||||
| ZTX649 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 240 МГц | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/diodesincorporated-ztx649-datasheets-7315.pdf | 25 В | 2А | Е-Линия-3 | 4,77 мм | 4,01 мм | 2,41 мм | Без свинца | 3 | 15 недель | 453,59237мг | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1 Вт | ПРОВОЛОКА | 260 | ZTX649 | 3 | Одинокий | 40 | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | 240 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 2А | 25 В | 230 мВ | 25 В | 2А | 240 МГц | 35В | 5В | 100на ИКБО | НПН | 100 @ 1А 2В | 500 мВ при 200 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N6388G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-2n6388g-datasheets-7320.pdf | 80В | 10А | ТО-220-3 | 15,75 мм | 4,82 мм | 10,28 мм | Без свинца | 8 недель | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | Олово | Нет | НПН | 2 Вт | 2N6388 | Одинокий | 65 Вт | 1 | ТО-220АБ | 10А | 2 Вт | 80В | 2В | 80В | 10А | 80В | 10А | 80В | 5В | 1000 | 1 мА | NPN – Дарлингтон | 1000 @ 5А 3В | 3 В при 100 мА, 10 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MJE3055TG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 2 МГц | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/onsemiconductor-mje3055tg-datasheets-7325.pdf | 60В | 10А | ТО-220-3 | 10,2616 мм | 15 748 мм | 4826 мм | Без свинца | 3 | 8 недель | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 часа назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | 75 Вт | 260 | MJE3055 | 3 | Одинокий | 40 | 75 Вт | 1 | Другие транзисторы | 2 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 60В | 1,1 В | 60В | 10А | 2 МГц | 70В | 5В | 20 | 700 мкА | НПН | 20 @ 4А 4В | 8 В при 3,3 А, 10 А | |||||||||||||||||||||||||||||
| ZTX651 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 175 МГц | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/diodesincorporated-ztx651stz-datasheets-1643.pdf | 60В | 2А | Е-Линия-3 | 4,77 мм | 4,01 мм | 2,41 мм | Без свинца | 3 | 15 недель | 453,59237мг | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1 Вт | ПРОВОЛОКА | 260 | ZTX651 | 3 | Одинокий | 40 | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | 175 МГц | КРЕМНИЙ | НПН | 2А | 60В | 230 мВ | 60В | 2А | 175 МГц | 100 | 80В | 5В | 100на ИКБО | НПН | 500 мВ при 200 мА, 2 А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| MJD45H11G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 90 МГц | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/onsemiconductor-mjd44h11t4g-datasheets-8027.pdf | -80В | -8А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,38 мм | 6,22 мм | Без свинца | 2 | 22 недели | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 19 часов назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | Без галогенов | ДА | 1,75 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | MJD45H11 | 3 | Одинокий | 40 | 1,75 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | 90 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 80В | 1В | 80В | 8А | 90 МГц | 5В | 5В | 60 | 1 мкА | ПНП | 40 @ 4А 1В | 1 В при 400 мА, 8 А | |||||||||||||||||||||||||||
| СОВЕТ42C | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-tip42c-datasheets-7208.pdf | -100В | -6А | ТО-220-3 | 10,4 мм | 15,75 мм | 4,6 мм | Без свинца | 3 | 8 недель | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 65 Вт | СОВЕТ42 | 3 | Одинокий | 65 Вт | 1 | Другие транзисторы | 3 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | ТО-220АБ | 100 В | 1,5 В | 100 В | 6А | 3 МГц | 100 В | 5В | 15 | 700 мкА | ПНП | 15 @ 3А 4В | 1,5 В при 600 мА, 6 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БД237 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 3 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-bd237-datasheets-7211.pdf | 100 В | 2А | ТО-225АА, ТО-126-3 | 7,8 мм | 10,8 мм | 2,7 мм | Без свинца | 3 | 8 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 25 Вт | БД237 | 3 | Одинокий | 25 Вт | 1 | Другие транзисторы | 3 МГц | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 80В | 600мВ | 80В | 2А | 3 МГц | 80В | 5В | 0,6 В | 40 | 100 мкА ИКБО | НПН | 25 @ 1А 2В | 600 мВ при 100 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZTX601B | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-ztx601b-datasheets-7216.pdf | 160 В | 1А | Е-Линия-3 | 4,77 мм | 4,01 мм | 2,41 мм | Без свинца | 3 | 15 недель | 453,59237мг | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | НПН | 1 Вт | ПРОВОЛОКА | 260 | ZTX601 | 3 | Одинокий | 40 | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | 1А | 160 В | 1,1 В | 160 В | 1А | 250 МГц | 180 В | 10 В | 10 мкА | NPN – Дарлингтон | 10000 @ 500мА 10В | 250 МГц | 1,2 В при 10 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СОВЕТ29C | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-tip29c-datasheets-7221.pdf | 100 В | 1А | ТО-220-3 | 10,4 мм | 9,15 мм | 4,6 мм | Без свинца | 3 | 8 недель | 9.071847г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 2 Вт | СОВЕТ29 | 3 | Одинокий | 2 Вт | 1 | Другие транзисторы | 3 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | ТО-220АБ | 100 В | 700мВ | 100 В | 1А | 3 МГц | 100 В | 5В | 0,7 В | 15 | 300 мкА | НПН | 15 @ 1А 4В | 700 мВ при 125 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZTX457 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-ztx457-datasheets-7225.pdf | 300В | 500 мА | Е-Линия-3 | 4,77 мм | 4,01 мм | 2,41 мм | Без свинца | 3 | 15 недель | 453,59237мг | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Нет | 20 МГц | электронная линия | 8541.29.00.75 | е3 | Матовый олово (Sn) | 1 Вт | ПРОВОЛОКА | 260 | ZTX457 | 3 | Одинокий | 40 | 1 | Другие транзисторы | 75 МГц | КРЕМНИЙ | НПН | 500 мА | 300В | 300мВ | 300В | 500 мА | 75 МГц | 300В | 5В | 100на ИКБО | НПН | 50 @ 50 мА 10 В | 300 мВ при 10 мА, 100 мА |
