Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные BJT-транзисторы(15763)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Частота | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Текущий | Идентификатор производителя производителя | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Напряжение | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Продукт увеличения пропускной способности | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Код JEDEC-95 | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Выключить Тайм-Макс (toff) | Время включения-Макс (тонна) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | VCEsat-Макс | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Макс. емкость коллектора-базы | Частота – переход | Насыщение Vce (Макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MJE210G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 65 МГц | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/onsemiconductor-mje210g-datasheets-6735.pdf | -25В | -5А | ТО-225АА, ТО-126-3 | 7,7978 мм | 11,0998 мм | 2,9972 мм | Без свинца | 3 | 7 недель | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | 15 Вт | 260 | MJE210 | 3 | Одинокий | 40 | 15 Вт | 1 | Другие транзисторы | 65 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 40В | 1,8 В | 25 В | 5А | 65 МГц | 40В | 8В | 70 | 100на ИКБО | ПНП | 45 @ 2А 1В | 1,8 В при 1 А, 5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPSA56 PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-mpsa56pbfree-datasheets-6739.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 20 недель | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | Другие транзисторы | Одинокий | ПНП | 0,625 Вт | 625 МВт | 50 МГц | 80В | 500 мА | 100на ИКБО | ПНП | 100 @ 100 мА 1 В | 50 МГц | 250 мВ при 10 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФЗТ956ТА | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 110 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-fzt956ta-datasheets-6524.pdf | -200В | -2А | ТО-261-4, ТО-261АА | 6,7 мм | 1,65 мм | 3,7 мм | Без свинца | 4 | 7,994566мг | Нет СВХК | 4 | нет | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 3 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ФЗТ956 | Одинокий | 40 | 3 Вт | 1 | Другие транзисторы | 110 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | -2А | 200В | 200В | -275мВ | 200В | 2А | 110 МГц | 220В | -7В | 50на ИКБО | ПНП | 100 @ 1А 5В | 370 мВ при 300 мА, 3 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BUXD87T4 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | 20 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-buxd87t4-datasheets-6554.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 8 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 20 Вт | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BUXD87 | 3 | 30 | 20 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 450В | ТО-252АА | 450В | 1В | 500 мА | 20 МГц | 5В | 1 В | 12 | НПН | 12 @ 40 мА 5 В | 1 В при 20 мА, 200 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БД140-16 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-bd13916-datasheets-2153.pdf | ТО-225АА, ТО-126-3 | 7,8 мм | 13,2 мм | 2,7 мм | 3 | 8 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | EAR99 | Олово | Нет | СОТ-32-0016114E | е3 | 1,25 Вт | БД140 | Одинокий | 1,25 Вт | 1 | Другие транзисторы | 150°С | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 80В | 80В | -500мВ | -80В | -3А | 75 МГц | 1,5 А | -80В | -5В | 25 | 100на ИКБО | ПНП | 40 @ 2 В 150 мА | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPSA42 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | 50 МГц | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/onsemiconductor-mpsa42-datasheets-6566.pdf | 300В | 500 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 4,7 мм | 4,7 мм | 3,93 мм | Без свинца | 34 недели | 201мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | Нет | 50 МГц | 500 мА | НПН | 300В | 625 МВт | MPSA42 | Одинокий | 625 МВт | 1 | ТО-92-3 | 50 МГц | 625 МВт | 300В | 500 мВ | 300В | 200 мА | 300В | 500 мА | 300В | 6В | 40 | 100на ИКБО | НПН | 40 @ 30 мА 10 В | 50 МГц | 500 мВ при 2 мА, 20 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4401 ПББЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n4401pbfree-datasheets-6627.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 20 недель | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПО НИКЕЛЮ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 625 МВт | 40В | 600 мА | НПН | 100 @ 150 мА 1 В | 250 МГц | 750 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MJE180STU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 50 МГц | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/onsemiconductor-mje180stu-datasheets-6650.pdf | 40В | 3А | ТО-225АА, ТО-126-3 | 8 мм | 11 мм | 3,25 мм | Без свинца | 3 | 2 недели | 761 мг | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 1,5 Вт | MJE180 | Одинокий | 1,5 Вт | 1 | Другие транзисторы | 50 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 40В | 1,7 В | 40В | 3А | 50 МГц | 60В | 7В | 50 | 100 мкА ИКБО | НПН | 50 @ 100 мА 1 В | 1,7 В при 600 мА, 3 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БД136 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-bd13916-datasheets-2153.pdf | ТО-225АА, ТО-126-3 | 7,8 мм | 10,8 мм | 2,7 мм | Без свинца | 3 | 8 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 1,25 Вт | БД136 | Одинокий | 1,25 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 45В | 45В | 500 мВ | 45В | 1,5 А | 75 МГц | 45В | 5В | 25 | 100на ИКБО | ПНП | 40 @ 2 В 150 мА | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БД135 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-bd13916-datasheets-2153.pdf | ТО-225АА, ТО-126-3 | 7,8 мм | 10,8 мм | 2,7 мм | Без свинца | 3 | 8 недель | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 1,25 Вт | БД135 | 3 | Одинокий | 1,25 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 45В | 45В | 500 мВ | 45В | 1,5 А | 250 МГц | 45В | 5В | 25 | 100на ИКБО | НПН | 40 @ 150 мА 2 В | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPSA29 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mpsa29d26z-datasheets-8592.pdf | 100 В | 800 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 4,7 мм | 4,7 мм | 3,93 мм | Без свинца | 3 | 13 недель | 201мг | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | е3 | Олово (Вс) | НПН | 625 МВт | НИЖНИЙ | 240 | MPSA29 | 3 | Одинокий | 30 | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | 500 мА | 100 В | 100 В | 1,2 В | 100 В | 500 мА | 200 МГц | 100 В | 12 В | 10000 | 500нА | NPN – Дарлингтон | 10000 @ 100мА 5В | 125 МГц | 1,5 В @ 100 мкА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФЗТ948ТА | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 80 МГц | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/diodesincorporated-fzt948ta-datasheets-6498.pdf | -20В | -6А | ТО-261-4, ТО-261АА | 6,7 мм | 1,65 мм | 3,7 мм | Без свинца | 4 | 15 недель | 7,994566мг | Нет СВХК | 4 | нет | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 3 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ФЗТ948 | Одинокий | 40 | 3 Вт | 1 | 80 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | -6А | 20 В | 20 В | 450 мВ | 20 В | 6А | 80 МГц | 40В | 6В | 50на ИКБО | ПНП | 100 @ 1А 1В | 450 мВ при 250 мА, 6 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КСП42ТА | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 50 МГц | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/onsemiconductor-ksp42bu-datasheets-1927.pdf | 300В | 500 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 4,58 мм | 4,58 мм | 3,86 мм | Без свинца | 3 | 6 недель | 240мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 17 часов назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 625 МВт | НИЖНИЙ | КСП42 | Одинокий | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | 50 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 300В | 300В | 500 мВ | 300В | 500 мА | 50 МГц | 300В | 6В | 40 | 100на ИКБО | НПН | 40 @ 30 мА 10 В | 500 мВ при 2 мА, 20 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УМТ3904Т106 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2007 год | 40В | 200 мА | СК-70, СОТ-323 | Без свинца | 3 | 13 недель | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Нет | 8541.21.00.75 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | Т3904 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | Другие транзисторы | 300 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 200 мА | 40В | 40В | 300мВ | 40В | 200 мА | 300 МГц | 250 нс | 70нс | 60В | 6В | 40 | 50нА | НПН | 100 @ 10 мА 1 В | 4пФ | 300 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПБСС4350Т,215 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/nexperiausainc-pbss4350t215-datasheets-3212.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 6,35 мм | 6,35 мм | 6,35 мм | Без свинца | 3 | 4 недели | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 300мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ПБСС4350 | 3 | Одинокий | 40 | 1,2 Вт | 1 | 100 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 540мВт | 50В | 50В | 50В | 2А | 100 МГц | 50В | 5В | 300 | 100на ИКБО | НПН | 300 @ 1А 2В | 370 мВ при 300 мА, 3 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 550 215 бельгийских франков | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/nexperiausainc-bf550215-datasheets-3084.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 4 недели | EAR99 | 8541.21.00.75 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | БФ550 | 3 | 40 | 1 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПНП | 250мВт | 325 МГц | 40В | 25 мА | 50на ИКБО | ПНП | 50 @ 1 мА 10 В | 325 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБТ5401WT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mmbt5401wt1g-datasheets-2822.pdf | СК-70, СОТ-323 | Без свинца | 3 | 2 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | ДА | 400мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | Одинокий | 1 | Другие транзисторы | 300 МГц | КРЕМНИЙ | ПНП | 150 В | -200мВ | 500 мВ | 500 мА | 100 МГц | 500 мА | -160В | 50на ИКБО | ПНП | 60 @ 10 мА 5 В | 500 мВ при 5 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DSS5240T-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/diodesincorporated-dss5240t7-datasheets-3035.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 1 мм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 15 недель | 7,994566мг | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 600мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДСС5240 | 3 | Одинокий | 40 | 730мВт | 1 | Другие транзисторы | 100 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 600мВт | 40В | 40В | -350мВ | 40В | 2А | 100 МГц | 40В | 5В | 300 | 100на ИКБО | ПНП | 210 @ 1А 2В | 350 мВ при 200 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCP56TF | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/nexperiausainc-bcp56tf-datasheets-3228.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 4 | 4 недели | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101; МЭК-60134 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 4 | 30 | 1 | Р-ПДСО-Г4 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 1,8 Вт | 155 МГц | 80В | 1А | 100на ИКБО | НПН | 63 @ 150 мА 2 В | 100 МГц | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SMMBTA56LT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 50 МГц | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-mmbta55lt1g-datasheets-3797.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,04 мм | 1,11 мм | 2,64 мм | Без свинца | 3 | 5 недель | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | ММБТА56 | 3 | Одинокий | 300мВт | 1 | Другие транзисторы | 50 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 225 МВт | 80В | 80В | -250мВ | 80В | 500 мА | 50 МГц | 80В | 4В | 100 | 100нА | ПНП | 100 @ 100 мА 1 В | 250 мВ при 10 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SMMBT2222AWT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 300 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-smmbt2222awt1g-datasheets-3142.pdf | СК-70, СОТ-323 | Без свинца | 3 | 6 недель | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | ММБТ2222А | 3 | Одинокий | 150 мВт | 1 | Другие транзисторы | 300 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 40В | 1В | 40В | 600 мА | 300 МГц | 285 нс | 75В | 6В | 75 | НПН | 100 @ 150 мА 10 В | 1 В при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДСС4240Т-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/diodesincorporated-dss4240t7-datasheets-3245.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 1 мм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 7,994566мг | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | Нет | е3 | 600мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДСС4240 | 3 | Одинокий | 40 | 600мВт | 1 | Другие транзисторы | 100 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 40В | 40В | 320 мВ | 40В | 2А | 100 МГц | 40В | 5В | 350 | 100на ИКБО | НПН | 300 @ 1А 2В | 320 мВ при 200 мА, 2 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 550 235 бельгийских франков | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 325 МГц | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/nexperiausainc-bf550215-datasheets-3084.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 4 недели | 3 | EAR99 | Олово | е3 | 250мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | БФ550 | 3 | Одинокий | 40 | 250мВт | 1 | Не квалифицирован | 325 МГц | КРЕМНИЙ | ПНП | 40В | 40В | 40В | 25 мА | 325 МГц | 40В | 4В | 50на ИКБО | ПНП | 50 @ 1 мА 10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SBC847BLT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/onsemiconductor-bc846blt1g-datasheets-0977.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 4 недели | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДА | 300мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | Одинокий | 300мВт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | НПН | 100 мА | 45В | 45В | 45В | 100 мА | 100 МГц | 50В | 6В | 200 | 15на ИКБО | НПН | 200 при 2 мА 5 В | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SMMBTA92LT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 50 МГц | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/onsemiconductor-mmbta92lt3g-datasheets-2044.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,04 мм | 1,11 мм | 2,64 мм | Без свинца | 3 | 9 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 19 часов назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДА | 300мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | ММБТА92 | 3 | Одинокий | 300мВт | 1 | Другие транзисторы | 50 МГц | КРЕМНИЙ | ПНП | 300В | 300В | -500мВ | 300В | 500 мА | 50 МГц | 300В | 5В | 25 | 250 на ИКБО | ПНП | 25 @ 30 мА 10 В | 500 мВ при 2 мА, 20 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC859C, 215 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/nexperiausainc-bc860c235-datasheets-0458.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 4 недели | 3 | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | BC859 | 3 | 1 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 250мВт | 100 МГц | 30 В | 100 мА | 15на ИКБО | ПНП | 420 при 2 мА 5 В | 100 МГц | 650 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SMMBTA06LT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/onsemiconductor-mmbta06lt3g-datasheets-1078.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,04 мм | 1,11 мм | 2,64 мм | Без свинца | 3 | 4 недели | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | ММБТА06 | 3 | Одинокий | 300мВт | 1 | Другие транзисторы | 100 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 225 МВт | 80В | 80В | 250 мВ | 80В | 500 мА | 100 МГц | 80В | 4В | 100нА | НПН | 100 @ 100 мА 1 В | 250 мВ при 10 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДЗТ2222А-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 300 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/diodesincorporated-dzt2222a13-datasheets-2923.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 6,5 мм | 1,6 мм | 3,5 мм | 4 | 19 недель | 7,994566мг | Нет СВХК | 4 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДЗТ2222А | 4 | Одинокий | 40 | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | 300 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 600 мА | 40В | 40В | 1В | 40В | 600 мА | 300 МГц | 285 нс | 75В | 6В | 35 | 10на ИКБО | НПН | 100 @ 150 мА 10 В | 1 В при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БКП53-10ТФ | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/nexperiausainc-bcp5310tf-datasheets-3054.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 4 недели | 4 | 1,8 Вт | 80В | 1А | 100на ИКБО | ПНП | 63 @ 150 мА 2 В | 100 МГц | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJV42MTF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | 50 МГц | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-fjv42mtf-datasheets-2780.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 13 недель | 30мг | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 350мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | ФЖВ42 | Одинокий | 350мВт | 1 | Другие транзисторы | 50 МГц | НПН | 350В | 350В | 500 мВ | 350В | 500 мА | 50 МГц | 350В | 6В | 25 | 100на ИКБО | НПН | 40 @ 30 мА 10 В | 500 мВ при 2 мА, 20 мА |
