Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные BJT-транзисторы(15763)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Частота | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Текущий | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Включить время задержки | Время задержки отключения | Продукт увеличения пропускной способности | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Выключить Тайм-Макс (toff) | Время включения-Макс (тонна) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | VCEsat-Макс | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| БЦВ27 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-bcv27-datasheets-2257.pdf | 30 В | 1,2А | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,92 мм | 930 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 17 недель | 30мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | НПН | 350мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | БЦВ27 | Одинокий | 350мВт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | 30 В | 30 В | 1В | 30 В | 1,2А | 220 МГц | 40В | 10 В | 10000 | 100на ИКБО | NPN – Дарлингтон | 20000 при 100 мА 5 В | 220 МГц | 1 В при 100 мкА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA1313-Y,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2014 год | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 1,1 мм | 1,5 мм | 12 недель | ПНП | 200мВт | S-Мини | 200 МГц | -500мА | 200мВт | 50В | 50В | -100мВ | 250 мВ | 500 мА | 50В | 500 мА | -50В | -5В | 25 | 100на ИКБО | ПНП | 120 @ 100 мА 1 В | 200 МГц | 250 мВ при 10 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC33725TA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-bc33725bu-datasheets-1549.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 5,2 мм | 8,77 мм | 4,19 мм | Без свинца | 3 | 6 недель | 240мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 625 МВт | НИЖНИЙ | BC337 | Одинокий | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | 150°С | 100 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 45В | 45В | 700мВ | 45В | 800мА | 5В | 100 | 100нА | НПН | 160 @ 100 мА 1 В | 700 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KSC1008CYTA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 50 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-ksc1008ybu-datasheets-7515.pdf | 60В | 700 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 4,7 мм | 4,7 мм | 3,93 мм | Без свинца | 3 | 6 недель | 240мг | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 800мВт | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | KSC1008 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 800мВт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 50 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 60В | 60В | 200 мВ | 60В | 700 мА | 50 МГц | 80В | 8В | 40 | 100на ИКБО | НПН | 120 @ 50 мА 2 В | 400 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н4403ТФР | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 200 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-2n4403tar-datasheets-4158.pdf | -40В | -600мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 5,2 мм | 5,33 мм | 4,19 мм | Без свинца | 3 | 6 недель | 240мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ПНП, НПН | 625 МВт | НИЖНИЙ | 2Н4403 | Одинокий | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | 200 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 40В | 750 мВ | 40В | 600 мА | 200 МГц | 255 нс | -40В | -5В | 100 | ПНП | 100 @ 150 мА 2 В | 750 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н4403ТА | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 200 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-2n4403tar-datasheets-4158.pdf | -40В | -600мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 5,2 мм | 5,33 мм | 4,19 мм | Без свинца | 3 | 6 недель | 240мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 625 МВт | НИЖНИЙ | 2Н4403 | Одинокий | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | 200 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 40В | 40В | 750 мВ | 40В | 600 мА | 200 МГц | 255 нс | -40В | -5В | 100 | ПНП | 100 @ 150 мА 2 В | 750 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБТ5962 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/onsemiconductor-mmbt5962-datasheets-1801.pdf | 45В | 100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 930 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 39 недель | 30мг | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 22 часа назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 350мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | ММБТ5962 | Одинокий | 350мВт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 45В | 45В | 200 мВ | 45В | 100 мА | 100 МГц | 45В | 8В | 600 | 2на ИКБО | НПН | 600 @ 10 мА 5 В | 200 мВ при 500 мкА, 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC33716TA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/onsemiconductor-bc33725bu-datasheets-1549.pdf | 45В | 800мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 4,58 мм | 4,58 мм | 3,86 мм | Без свинца | 3 | 6 недель | 240мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 625 МВт | НИЖНИЙ | BC337 | Одинокий | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | 100 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 45В | 45В | 700мВ | 45В | 800мА | 10 В | 5В | 100 | 100нА | НПН | 100 @ 100 мА 1 В | 700 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KSP2907ATA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 200 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-ksp2907abu-datasheets-1088.pdf | -60В | -600мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 4,58 мм | 4,58 мм | 3,86 мм | Без свинца | 3 | 7 недель | 240мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 16 часов назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 625 МВт | НИЖНИЙ | КСП2907А | Одинокий | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | 200 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 60В | 60В | -1,6 В | 60В | 600 мА | 200 МГц | 45нс | -60В | -5В | 100 | 10на ИКБО | ПНП | 100 @ 150 мА 10 В | 1,6 В при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЦВ71 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 330 МГц | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/onsemiconductor-bcw71-datasheets-2152.pdf | 45В | 500 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,92 мм | 930 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 39 недель | 30мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 350мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | БЦВ71 | Одинокий | 350мВт | 1 | Другие транзисторы | 330 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 45В | 45В | 250 мВ | 45В | 500 мА | 330 МГц | 50В | 5В | 110 | 100 мкА ИКБО | НПН | 110 при 2 мА 5 В | 250 мВ при 500 мкА, 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN2222ATFR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 300 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-pn2222ata-datasheets-1335.pdf | 40В | 500 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 5,2 мм | 5,33 мм | 4,19 мм | Без свинца | 3 | 6 недель | 240мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 625 МВт | НИЖНИЙ | PN2222 | Одинокий | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | 300 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 40В | 40В | 1В | 40В | 1А | 300 МГц | 285 нс | 75В | 6В | 100 | 10на ИКБО | НПН | 100 @ 150 мА 10 В | 1 В при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БСР17А | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 300 МГц | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/onsemiconductor-bsr17a-datasheets-2091.pdf | 40В | 200 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,92 мм | 930 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 39 недель | 30мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 350мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | БСР17 | Одинокий | 350мВт | 1 | Другие транзисторы | 70 нс | 250 нс | 300 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 40В | 40В | 300мВ | 40В | 200 мА | 300 МГц | 60В | 6В | 100 | 5 мкА ИКБО | НПН | 100 @ 10 мА 1 В | 300 мВ при 5 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC4617TLQ | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/rohmsemiconductor-2sc2412kt146r-datasheets-3165.pdf | 50В | 150 мА | СК-75, СОТ-416 | Без свинца | 3 | 13 недель | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Медь, Серебро, Олово | Нет | 8541.21.00.75 | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2SC4617 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | Другие транзисторы | 180 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | 150 мА | 50В | 50В | 50В | 150 мА | 180 МГц | 60В | 7В | 0,4 В | 120 | 100на ИКБО | НПН | 120 @ 1 мА 6 В | 400 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КСП13ТА | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-ksp13bu-datasheets-1685.pdf | 30 В | 500 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Без свинца | 3 | 6 недель | 240мг | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 13 часов назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | НПН | 625 МВт | НИЖНИЙ | КСП13 | Одинокий | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | 30 В | 30 В | 1,5 В | 30 В | 500 мА | 125 МГц | 30 В | 10 В | 10000 | 100на ИКБО | NPN – Дарлингтон | 10000 @ 100мА 5В | 125 МГц | 1,5 В @ 100 мкА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММСТ2907А-7-Ф | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | 200 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/diodesincorporated-mmst2907a7f-datasheets-1964.pdf | -60В | -600мА | СК-70, СОТ-323 | 2,2 мм | 1 мм | 1,35 мм | Без свинца | 3 | 19 недель | 6,010099мг | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ММСТ2907А | 3 | Одинокий | 40 | 200мВт | 1 | Другие транзисторы | 200 МГц | КРЕМНИЙ | ПНП | -600мА | 60В | 60В | -1,6 В | 60В | 600 мА | 200 МГц | 45нс | 60В | -5В | 100 | 10на ИКБО | ПНП | 100 @ 150 мА 10 В | 1,6 В при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N6517CTA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 200 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-2n6517bu-datasheets-1989.pdf | 350В | 500 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 4,58 мм | 4,58 мм | 3,86 мм | Без свинца | 3 | 7 недель | 240мг | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Олово | е3 | 625 МВт | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 2N6517 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 200 МГц | КРЕМНИЙ | НПН | 350В | 350В | 1В | 400В | 500 мА | 40 МГц | 350В | 6В | 30 | 50на ИКБО | НПН | 20 @ 50 мА 10 В | 1 В при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC32725TA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | -50В | -800мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 5,2 мм | 5,33 мм | 4,19 мм | Без свинца | 3 | 6 недель | 240,007063мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | 500 мА | е3 | 625 МВт | НИЖНИЙ | BC327 | Одинокий | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | 100 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 45В | -45В | -700мВ | 45В | 800мА | 100 МГц | 5В | 100 | 100нА | ПНП | 160 @ 100 мА 1 В | 700 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MMBTA06Q-7-F | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/diodesincorporated-mmbta067f-datasheets-0829.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 13 недель | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | 350мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 40 | 1 | Другие транзисторы | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 350мВт | 80В | 250 мВ | 500 мА | 100 МГц | 100нА | НПН | 100 @ 100 мА 1 В | 100 МГц | 250 мВ при 10 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SBC817-25LT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/onsemiconductor-bc81716lt1g-datasheets-2086.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 10 недель | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | 100 МГц | е3 | Без галогенов | ДА | 300мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | BC817 | 3 | Одинокий | 300мВт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | НПН | 500 мА | 45В | 45В | 45В | 500 мА | 100 МГц | 50В | 5В | 160 | 100на ИКБО | НПН | 160 @ 100 мА 1 В | 700 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC638TA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-bc638ta-datasheets-2058.pdf | -60В | -1А | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 4,58 мм | 4,58 мм | 3,86 мм | Без свинца | 3 | 6 недель | 240мг | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Олово | е3 | 1 Вт | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | BC638 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 100 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 60В | 60В | -500мВ | 60В | 1А | 100 МГц | -60В | -5В | 40 | 100на ИКБО | ПНП | 40 @ 150 мА 2 В | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SS8050CTA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/onsemiconductor-ss8050cbu-datasheets-1294.pdf | 25В | 1,5 А | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 4,58 мм | 4,58 мм | 3,86 мм | Без свинца | 3 | 6 недель | 240мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 1 Вт | НИЖНИЙ | СС8050 | Одинокий | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | 100 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 60В | 25В | 500 мВ | 25В | 1,5 А | 190 МГц | 40В | 6В | 85 | 100на ИКБО | НПН | 120 @ 100 мА 1 В | 500 мВ при 80 мА, 800 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БСР16 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | 200 МГц | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/onsemiconductor-bsr16-datasheets-1916.pdf | -60В | -800мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,92 мм | 930 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 39 недель | 30мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 350мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | БСР16 | Одинокий | 350мВт | 1 | Другие транзисторы | 200 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 60В | 60В | -1,6 В | 60В | 800мА | 200 МГц | 45нс | -60В | -5В | 100 | 10на ИКБО | ПНП | 100 @ 150 мА 10 В | 1,6 В при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММСТ3904-7-Ф | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | 300 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/diodesincorporated-mmst39047f-datasheets-1891.pdf | 40В | 200 мА | СК-70, СОТ-323 | 2,2 мм | 1 мм | 1,35 мм | Без свинца | 3 | 19 недель | 6,010099мг | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ММСТ3904 | 3 | Одинокий | 40 | 200мВт | 1 | Другие транзисторы | 300 МГц | КРЕМНИЙ | НПН | 200 мА | 40В | 40В | 300мВ | 40В | 200 мА | 300 МГц | 70нс | 60В | 6В | 100 | НПН | 100 @ 10 мА 1 В | 300 мВ при 5 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||
| BC557BTF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-bc556abu-datasheets-0812.pdf | -45В | -100 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 5,2 мм | 5,33 мм | 4,19 мм | Без свинца | 3 | 7 недель | 240мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Олово | е3 | 500мВт | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | BC557 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 500мВт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 150 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 45В | 45В | -250мВ | 45В | 100 мА | 150 МГц | -50В | -5В | 110 | 15на ИКБО | ПНП | 200 при 2 мА 5 В | 650 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПБСС3540М,315 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 300 МГц | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/nexperiausainc-pbss3540m315-datasheets-1906.pdf | СК-101, СОТ-883 | Без свинца | 3 | 8 недель | 3 | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 430мВт | НИЖНИЙ | ПБСС3540 | 3 | Одинокий | 430мВт | 1 | 300 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 40В | 40В | 40В | 500 мА | 300 МГц | 40В | 6В | 100на ИКБО | ПНП | 150 @ 100 мА 2 В | 350 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N3904TF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 300 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-2n3904ta-datasheets-0597.pdf | 40В | 200 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 5,2 мм | 8,77 мм | 4,19 мм | Без свинца | 3 | 6 недель | 240мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 625 МВт | НИЖНИЙ | 2Н3904 | Одинокий | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | 150°С | 300 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 40В | 40В | 200 мВ | 40В | 200 мА | 300 МГц | 250 нс | 70нс | 60В | 6В | 100 | НПН | 100 @ 10 мА 1 В | 300 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SBC807-40LT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/onsemiconductor-bc80725lt1g-datasheets-2112.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 4 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДА | 300мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | BC807 | 3 | Одинокий | 300мВт | 1 | Другие транзисторы | 100 МГц | КРЕМНИЙ | ПНП | 45В | -700мВ | 45В | 500 мА | 100 МГц | 50В | 5В | 250 | 100на ИКБО | ПНП | 250 @ 100 мА 1 В | 700 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБТ4401Т-7-Ф | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 250 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/diodesincorporated-mmbt4401t7f-datasheets-1973.pdf | 40В | 600 мА | СОТ-523 | 1,6 мм | 750 мкм | 800 мкм | Без свинца | 3 | 15 недель | 2,012816мг | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ММБТ4401 | 3 | Одинокий | 40 | 150 мВт | 1 | Другие транзисторы | 250 МГц | КРЕМНИЙ | НПН | 600 мА | 40В | 40В | 750 мВ | 40В | 600 мА | 250 МГц | 255 нс | 60В | 6В | 100 | 100нА | НПН | 100 @ 150 мА 1 В | 750 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||
| BC807-40W-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-bc80725w7-datasheets-4007.pdf | СК-70, СОТ-323 | 2,2 мм | 1 мм | 1,35 мм | Без свинца | 3 | 19 недель | 6,010099мг | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BC807 | 3 | Одинокий | 40 | 200мВт | 1 | Другие транзисторы | 100 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 45В | -45В | -700мВ | 45В | 500 мА | 100 МГц | 45В | 5В | 250 | 100нА | ПНП | 250 @ 100 мА 1 В | 700 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5551TA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 300 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-2n5551bu-datasheets-1279.pdf | 160 В | 600 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 5,2 мм | 5,33 мм | 4,19 мм | Без свинца | 3 | 17 недель | 240мг | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 625 МВт | НИЖНИЙ | 2N5551 | Одинокий | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | 300 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 160 В | 160 В | 200 мВ | 160 В | 600 мА | 100 МГц | 180 В | 6В | 80 | 50на ИКБО | НПН | 80 @ 10 мА 5 В | 100 МГц | 200 мВ при 5 мА, 50 мА |
