Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные BJT-транзисторы(15763)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Частота | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Поставщик пакета оборудования | Прямой ток | Прямое напряжение | Продукт увеличения пропускной способности | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Максимальный прямой импульсный ток (Ifsm) | Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm) | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Выключить Тайм-Макс (toff) | Время включения-Макс (тонна) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | VCEsat-Макс | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Макс. емкость коллектора-базы | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ММБТ3906Т-7-Ф | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 250 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/diodesincorporated-mmbt3906t7f-datasheets-1445.pdf | -40В | -200мА | СОТ-523 | 1,6 мм | 750 мкм | 800 мкм | Без свинца | 3 | 15 недель | 2,012816мг | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ММБТ3906 | 3 | Одинокий | 40 | 150 мВт | 1 | Другие транзисторы | 140 МГц | КРЕМНИЙ | ПНП | -200мА | 40В | 40В | -400мВ | 40В | 200 мА | 250 МГц | 70нс | 40В | -5В | 100 | 50нА | ПНП | 100 @ 10 мА 1 В | 400 мВ при 5 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБТ100 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 250 МГц | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-mmbt100-datasheets-1411.pdf | 45В | 500 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 970 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 39 недель | 30мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 15 часов назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 350мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | ММБТ100 | Одинокий | 350мВт | 1 | Другие транзисторы | 250 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 45В | 45В | 400мВ | 45В | 500 мА | 250 МГц | 75В | 6В | 0,2 В | 100 | 50нА | НПН | 100 @ 150 мА 5 В | 4,5 пФ | 400 мВ при 20 мА, 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБТ6427-7-Ф | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/diodesincorporated-mmbt64277f-datasheets-1469.pdf | 40В | 500 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,05 мм | 1 мм | 1,4 мм | Без свинца | 3 | 13 недель | 7,994566мг | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | НПН | 300мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ММБТ6427 | 3 | Одинокий | 40 | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 40В | 1,2 В | 40В | 500 мА | 40В | 12 В | 10000 | 1 мкА | NPN – Дарлингтон | 20000 при 100 мА 5 В | 1,5 В @ 500 мкА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC4617TLS | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/rohmsemiconductor-2sc2412kt146r-datasheets-3165.pdf | 50В | 150 мА | СК-75, СОТ-416 | Без свинца | 3 | 7 недель | Нет СВХК | 3 | EAR99 | Медь, Серебро, Олово | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2SC4617 | 3 | 1 | Одинокий | 10 | 150 мВт | 1 | Другие транзисторы | 180 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 150 мА | 50В | 50В | 400мВ | 50В | 150 мА | 180 МГц | 60В | 7В | 0,4 В | 120 | 100на ИКБО | НПН | 120 @ 1 мА 6 В | 400 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC817-25W-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-bc81725w7-datasheets-1500.pdf | СК-70, СОТ-323 | 2,2 мм | 1 мм | 1,35 мм | Без свинца | 3 | 19 недель | 6,010099мг | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BC817 | 3 | Одинокий | 40 | 200мВт | 1 | Другие транзисторы | 100 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 45В | 45В | 700мВ | 45В | 500 мА | 100 МГц | 50В | 5В | 160 | 100нА | НПН | 160 @ 100 мА 1 В | 700 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПМСТ2907А,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/nexperiausainc-pmst2907a115-datasheets-1328.pdf | СК-70, СОТ-323 | 3 | 4 недели | 3 | EAR99 | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | PMST2907A | 3 | 40 | 200мВт | 1 | Не квалифицирован | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 200 МГц | 60В | 600 мА | 45нс | 10на ИКБО | ПНП | 100 @ 150 мА 10 В | 200 МГц | 1,6 В при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБТ2907ALT1HTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | 200 МГц | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/infineontechnologies-smbt2907ae6327htsa1-datasheets-1159.pdf | -60В | -600мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 4 недели | 3 | ПНП | 330мВт | ММБТ2907 | 330мВт | 1 | СОТ-23-3 | 330мВт | 60В | 60В | 60В | 600 мА | 60В | 600 мА | 60В | 5В | 10на ИКБО | ПНП | 100 @ 150 мА 10 В | 200 МГц | 1,6 В при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCW60B,215 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | 250 МГц | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/nexperiausainc-bcw60c215-datasheets-3832.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 4 недели | Нет СВХК | 3 | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 250мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | БЦВ60 | 3 | Одинокий | 40 | 250мВт | 1 | 100 мА | 550 мВ | 250 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 32В | 1А | 40В | 32В | 32В | 100 мА | 250 МГц | 800 нс | 32В | 5В | 20 | 20на ИКБО | НПН | 180 @ 2 мА 5 В | 550 мВ при 1,25 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KSA1015YTA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 80 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-ksa1015yta-datasheets-1268.pdf | -50В | -150 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 5,2 мм | 5,33 мм | 4,19 мм | Без свинца | 3 | 7 недель | 240мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 18 часов назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 400мВт | НИЖНИЙ | КСА1015 | Одинокий | 400мВт | 1 | Другие транзисторы | 80 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 50В | 50В | -300мВ | 50В | 150 мА | 80 МГц | -50В | -5В | 70 | 100на ИКБО | ПНП | 120 @ 2 мА 6 В | 300 мВ при 10 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБТ2222ALT1HTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | 300 МГц | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/infineontechnologies-smbt2222ae6327htsa1-datasheets-1166.pdf | 40В | 600 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 4 недели | 3 | НПН | 330мВт | МВТ2222А | 330мВт | 1 | СОТ-23-3 | 330мВт | 40В | 40В | 40В | 600 мА | 40В | 600 мА | 75В | 6В | 10на ИКБО | НПН | 100 @ 150 мА 10 В | 300 МГц | 1 В при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SMBT2222AE6327HTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 300 МГц | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/infineontechnologies-smbt2222ae6327htsa1-datasheets-1166.pdf | 40В | 600 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 1,1 мм | Без свинца | 3 | 4 недели | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Не содержит галогенов | 330мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | МВТ2222А | 330мВт | 1 | Другие транзисторы | 150°С | 300 МГц | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 40В | 40В | 300мВ | 40В | 600 мА | 300 МГц | 285 нс | 75В | 6В | 35 | 10на ИКБО | НПН | 100 @ 150 мА 10 В | 1 В при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN2222ATF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 300 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-pn2222ata-datasheets-1335.pdf | 40В | 1А | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 5,2 мм | 5,33 мм | 4,19 мм | Без свинца | 3 | 6 недель | 240мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 625 МВт | НИЖНИЙ | PN2222 | Одинокий | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | 300 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 40В | 40В | 1В | 40В | 1А | 300 МГц | 285 нс | 75В | 6В | 100 | 10на ИКБО | НПН | 100 @ 150 мА 10 В | 1 В при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN2222ATA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 300 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-pn2222ata-datasheets-1335.pdf | 40В | 1А | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 5,2 мм | 5,33 мм | 4,19 мм | Без свинца | 3 | 6 недель | 240мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 625 МВт | НИЖНИЙ | PN2222 | Одинокий | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | 300 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 25В | 40В | 1В | 40В | 1А | 300 МГц | 285 нс | 75В | 6В | 100 | 10на ИКБО | НПН | 100 @ 150 мА 10 В | 1 В при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПМБТА92 215 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/nexperiausainc-pmbta92215-datasheets-1438.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 4 недели | 3 | EAR99 | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | ПМБТА92 | 3 | 1 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПНП | 250мВт | 50 МГц | 300В | 100 мА | 250 на ИКБО | ПНП | 25 @ 30 мА 10 В | 50 МГц | 500 мВ при 2 мА, 20 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC559CTA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 150 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-bc556abu-datasheets-0812.pdf | -30В | -100 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 5,2 мм | 5,33 мм | 4,19 мм | Без свинца | 3 | 6 недель | 240мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | Олово | е3 | 500мВт | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | BC559 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 500мВт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | 150 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 30 В | 30 В | -250мВ | 30 В | 100 мА | 150 МГц | -30В | -5В | 110 | 15на ИКБО | ПНП | 420 при 2 мА 5 В | 650 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SMBT2907AE6327HTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 200 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/infineontechnologies-smbt2907ae6327htsa1-datasheets-1159.pdf | -60В | -600мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 4 недели | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Не содержит галогенов | 330мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | МВТ2907А | 330мВт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 60В | 60В | 10 В | 600 мА | 200 МГц | 50 нс | 60В | 5В | 10на ИКБО | ПНП | 100 @ 150 мА 10 В | 1,6 В при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC559BTA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 150 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-bc556abu-datasheets-0812.pdf | -30В | -100 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 5,2 мм | 5,33 мм | 4,19 мм | Без свинца | 3 | 7 недель | 240мг | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | Олово | е3 | 500мВт | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | BC559 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 500мВт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | 150 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 30 В | 30 В | -250мВ | 30 В | 100 мА | 150 МГц | -30В | -5В | 110 | 15на ИКБО | ПНП | 200 при 2 мА 5 В | 650 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC548BTA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 300 МГц | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/onsemiconductor-bc550cbu-datasheets-0684.pdf | 30 В | 100 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 4,58 мм | 4,58 мм | 3,86 мм | Без свинца | 3 | 6 недель | 240мг | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Олово | е3 | 500мВт | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | BC548 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 500мВт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | 300 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 30 В | 30 В | 250 мВ | 30 В | 100 мА | 300 МГц | 30 В | 5В | 110 | 15на ИКБО | НПН | 200 при 2 мА 5 В | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA1587-ГР,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 125°С, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | СК-70, СОТ-323 | 12 недель | 3 | да | Серебро, Олово | неизвестный | 100мВт | 100мВт | 120 В | 120 В | 300мВ | 100 мА | 120 В | 5В | 100на ИКБО | ПНП | 200 @ 2 мА 6 В | 100 МГц | 300 мВ при 1 мА, 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC2412КТ146К | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/rohmsemiconductor-2sc2412kt146r-datasheets-3165.pdf | 50В | 150 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 1,1 мм | 1,6 мм | Без свинца | 3 | 13 недель | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Медь, Серебро, Олово | Нет | 180 МГц | 8541.21.00.75 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2SC2412 | 3 | Одинокий | 10 | 1 | Другие транзисторы | 180 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 150 мА | 50В | 50В | 400мВ | 50В | 150 мА | 180 МГц | 60В | 7В | 0,4 В | 120 | 100на ИКБО | НПН | 120 @ 1 мА 6 В | 400 мВ при 5 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC847CT-7-F | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/diodesincorporated-bc847bt7f-datasheets-7129.pdf | СОТ-523 | 1,6 мм | 750 мкм | 800 мкм | 3 | 15 недель | 2,012816мг | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BC847 | 3 | Одинокий | 40 | 150 мВт | 1 | Другие транзисторы | 100 МГц | КРЕМНИЙ | НПН | 100 мА | 45В | 45В | 600мВ | 45В | 100 мА | 100 МГц | 50В | 6В | 420 | 15на ИКБО | НПН | 420 при 2 мА 5 В | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC4117-БЛ,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 125°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | СК-70, СОТ-323 | 12 недель | 3 | Серебро, Олово | 100мВт | 100мВт | 120 В | 120 В | 300мВ | 100 мА | 120 В | 5В | 100на ИКБО | НПН | 200 @ 2 мА 6 В | 100 МГц | 300 мВ при 1 мА, 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПМСТ2222А,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 1999 год | /files/nexperiausainc-pmst2222a115-datasheets-1286.pdf | СК-70, СОТ-323 | 3 | 4 недели | 3 | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | PMST2222A | 3 | 40 | 200мВт | 1 | Не квалифицирован | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 300 МГц | 40В | 600 мА | 250 нс | 10на ИКБО | НПН | 100 @ 150 мА 10 В | 300 МГц | 1 В при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MSD42WT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-msd42wt1g-datasheets-1096.pdf | 300В | 150 мА | СК-70, СОТ-323 | Без свинца | 3 | 8 недель | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | Без галогенов | ДА | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | МСД42 | 3 | Одинокий | 40 | 450мВт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 300В | 300В | 500 мВ | 300В | 150 мА | 300В | 6В | 25 | 100на ИКБО | НПН | 40 @ 30 мА 10 В | 500 мВ при 2 мА, 20 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC547CTA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Сквозное отверстие | 300 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-bc546abu-datasheets-0539.pdf | 45В | 100 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 4,58 мм | 4,58 мм | 3,86 мм | Без свинца | 3 | 7 недель | 240мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 500мВт | НИЖНИЙ | BC547 | Одинокий | 500мВт | 1 | Другие транзисторы | 300 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 45В | 45В | 250 мВ | 45В | 100 мА | 300 МГц | 50В | 6В | 110 | 15на ИКБО | НПН | 420 при 2 мА 5 В | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC546CTA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 300 МГц | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/onsemiconductor-bc546abu-datasheets-0539.pdf | 65В | 100 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 4,58 мм | 4,58 мм | 3,86 мм | Без свинца | 3 | 6 недель | 240мг | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 500мВт | НИЖНИЙ | BC546 | Одинокий | 500мВт | 1 | Другие транзисторы | 300 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 65В | 65В | 250 мВ | 65В | 100 мА | 300 МГц | 80В | 6В | 110 | 15на ИКБО | НПН | 420 при 2 мА 5 В | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБТА55-7-Ф | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 50 МГц | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/diodesincorporated-mmbta567f-datasheets-0734.pdf | -60В | -100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,05 мм | 1 мм | 1,4 мм | Без свинца | 3 | 19 недель | 7,994566мг | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 300мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ММБТА55 | 3 | Одинокий | 40 | 300мВт | 1 | Другие транзисторы | 50 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | -500мА | 60В | 60В | -250мВ | 60В | 500 мА | 50 МГц | 60В | -4В | 100 | 100на ИКБО | ПНП | 100 @ 100 мА 1 В | 250 мВ при 10 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC550CTA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 300 МГц | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/onsemiconductor-bc550cbu-datasheets-0684.pdf | 45В | 100 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 4,58 мм | 4,58 мм | 3,86 мм | Без свинца | 3 | 7 недель | 240мг | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 500мВт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | BC550 | Одинокий | 500мВт | 1 | Другие транзисторы | 300 МГц | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 45В | 45В | 250 мВ | 45В | 100 мА | 300 МГц | 50В | 5В | 110 | 15на ИКБО | НПН | 420 при 2 мА 5 В | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC849C, 215 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/nexperiausainc-bc850c235-datasheets-0395.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 4 недели | 3 | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BC849 | 3 | 40 | 1 | Не квалифицирован | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 250мВт | 100 МГц | 30 В | 100 мА | 0,6 В | 15на ИКБО | НПН | 420 при 2 мА 5 В | 100 МГц | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KSA992FBTA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/onsemiconductor-ksa992fbu-datasheets-0938.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Без свинца | 2 недели | 240мг | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | е3 | Олово (Вс) | 500мВт | КСА992 | Другие транзисторы | Одинокий | ПНП | 500мВт | 120 В | 120 В | 300мВ | 50 мА | 50 МГц | -120 В | -5В | 200 | 1 мкА | ПНП | 200 @ 1 мА 6 В | 100 МГц | 300 мВ при 1 мА, 10 мА |
