Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные BJT-транзисторы(15763)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Частота | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Стабильное напряжение | Продукт увеличения пропускной способности | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Тестовый ток | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Выключить Тайм-Макс (toff) | Время включения-Макс (тонна) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | VCEsat-Макс | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Макс. емкость коллектора-базы | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BC547ATA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 300 МГц | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/onsemiconductor-bc546abu-datasheets-0539.pdf | 45В | 100 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 4,58 мм | 4,58 мм | 3,86 мм | Без свинца | 3 | 2 недели | 240мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 500мВт | НИЖНИЙ | BC547 | Одинокий | 500мВт | 1 | Другие транзисторы | 300 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 45В | 45В | 250 мВ | 45В | 100 мА | 300 МГц | 50В | 6В | 110 | 15на ИКБО | НПН | 110 при 2 мА 5 В | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н3904ТА | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 300 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-2n3904ta-datasheets-0597.pdf&product=onsemiconductor-2n3904ta-6273800 | 40В | 200 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 5,2 мм | 8,77 мм | 4,19 мм | Без свинца | 3 | 6 недель | 240мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 625 МВт | НИЖНИЙ | 2Н3904 | Одинокий | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | 150°С | 300 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 40В | 40В | 300мВ | 40В | 200 мА | 300 МГц | 250 нс | 70нс | 60В | 6В | 100 | НПН | 100 @ 10 мА 1 В | 300 мВ при 5 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПМСТ3904,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/nexperiausainc-pmst3904135-datasheets-0228.pdf | СК-70, СОТ-323 | 3 | 4 недели | 3 | EAR99 | 8541.21.00.75 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | PMST3904 | 3 | 40 | 200мВт | 1 | Не квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 300 МГц | 40В | 200 мА | 240 нс | 65нс | 50на ИКБО | НПН | 100 @ 10 мА 1 В | 4пФ | 300 МГц | 300 мВ при 5 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБТ2484LT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mmbt2484lt1g-datasheets-0623.pdf | 60В | 100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,04 мм | 1,01 мм | 1,4 мм | Без свинца | 3 | 4 недели | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | 1 МГц | е3 | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ММБТ2484 | 3 | Одинокий | 40 | 300мВт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | НПН | 60В | 60В | 350 мВ | 60В | 100 мА | 60В | 6В | 250 | 10на ИКБО | НПН | 250 @ 1 мА 5 В | 350 мВ при 100 мкА, 1 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC860B,235 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/nexperiausainc-bc860c235-datasheets-0458.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 4 недели | 3 | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 250мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BC860 | 3 | Одинокий | 30 | 250мВт | 1 | 100 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 45В | 45В | 100 мА | 100 МГц | 50В | 5В | 15на ИКБО | ПНП | 220 при 2 мА 5 В | 650 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СММБТ3906LT3G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 250 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-mmbt3906lt1g-datasheets-6861.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 5 недель | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | 300мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | ММБТ3906 | 3 | Одинокий | 300мВт | 1 | 250 МГц | КРЕМНИЙ | ПНП | 40В | 40В | 200 мА | 250 МГц | 70нс | 40В | 5В | 0,4 В | ПНП | 100 @ 10 мА 1 В | 4,5 пФ | 400 мВ при 5 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5550TAR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 300 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-2n5550tar-datasheets-0648.pdf | 140 В | 600 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Без свинца | 3 | 2 недели | 240мг | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 16 часов назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 625 МВт | НИЖНИЙ | 2Н5550 | Одинокий | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | 300 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 140 В | 140 В | 250 мВ | 140 В | 600 мА | 100 МГц | 160 В | 6В | 60 | 100на ИКБО | НПН | 60 @ 10 мА 5 В | 250 мВ при 5 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC850CW,135 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/nexperiausainc-bc850cw115-datasheets-0497.pdf | СК-70, СОТ-323 | Без свинца | 3 | 4 недели | 3 | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BC850 | 3 | Одинокий | 40 | 200мВт | 1 | 100 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 45В | 45В | 100 мА | 100 МГц | 50В | 5В | 0,6 В | 15на ИКБО | НПН | 420 при 2 мА 5 В | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БСТ52ТА | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-bst52ta-datasheets-9967.pdf | 80В | 500 мА | ТО-243АА | 4,5 мм | 1,5 мм | 2,5 мм | Без свинца | 3 | 15 недель | 51,993025мг | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | НПН | 1 Вт | ПЛОСКИЙ | 260 | БСТ52 | 3 | Одинокий | 40 | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500 мА | 80В | 80В | 1,3 В | 80В | 500 мА | 150 МГц | 90В | 10 В | 2000 г. | 10 мкА | NPN – Дарлингтон | 1000 @ 150 мА 10 В | 1,3 В @ 500 мкА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC860B, 215 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/nexperiausainc-bc860c235-datasheets-0458.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 4 недели | 3 | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | BC860 | 3 | 1 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 250мВт | 100 МГц | 45В | 100 мА | 15на ИКБО | ПНП | 220 при 2 мА 5 В | 100 МГц | 650 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC846CMTF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 300 МГц | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-bc846cmtf-datasheets-0274.pdf | 65В | 100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,92 мм | 930 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 17 недель | 30мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 310мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | BC846 | Одинокий | 310мВт | 1 | Другие транзисторы | 300 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 65В | 65В | 200 мВ | 65В | 100 мА | 300 МГц | 80В | 6В | 110 | 15на ИКБО | НПН | 420 при 2 мА 5 В | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБТ6429LT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 700 МГц | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/onsemiconductor-mmbt6429lt1g-datasheets-0206.pdf | 45В | 200 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,04 мм | 1,01 мм | 1,4 мм | Без свинца | 3 | 4 недели | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | Без галогенов | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ММБТ6429 | 3 | Одинокий | 40 | 300мВт | 1 | Другие транзисторы | 700 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 45В | 45В | 600мВ | 45В | 200 мА | 100 МГц | 55В | 6В | 500 | 100нА | НПН | 500 @ 100 мкА 5 В | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||
| BCX19LT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/onsemiconductor-bcx17lt1g-datasheets-0200.pdf | 45В | 500 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 940 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 4 недели | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДА | 300мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BCX19 | 3 | Одинокий | 40 | 300мВт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | 45В | 45В | 620 мВ | 45В | 500 мА | 50В | 5В | 100 | 100на ИКБО | НПН | 100 @ 100 мА 1 В | 620 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПБСС4480Х,135 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | 150 МГц | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/nexperiausainc-pbss4480x135-datasheets-0130.pdf | ТО-243АА | 12,7 мм | 6,35 мм | 6,35 мм | Без свинца | 3 | 4 недели | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 550 мВт | ПЛОСКИЙ | ПБСС4480 | 3 | Одинокий | 2,5 Вт | 1 | 30 В | 150 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 5мА | 1,6 Вт | 80В | 80В | 80В | 4А | 150 МГц | 80В | 5В | 250 | 100нА | НПН | 175 @ 2А 2В | 270 мВ при 500 мА, 5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПБСС5140Т,215 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/nexperiausainc-pbss5140t215-datasheets-0081.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 4 недели | 3 | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | PBSS5140 | 3 | 30 | 1 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 450мВт | 150 МГц | 40В | 1А | 100нА | ПНП | 300 @ 100 мА 5 В | 150 МГц | 500 мВ при 100 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC2712-И,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 125°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 г. | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 12 недель | НИЗКИЙ ШУМ | неизвестный | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 2SC2712 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Г3 | 80 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 150 мА | 50В | 50В | 100 мВ | 50В | 150 мА | 80 МГц | 60В | 5В | 70 | 100на ИКБО | НПН | 120 @ 2 мА 6 В | 250 мВ при 10 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБТА64LT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 1998 год | /files/onsemiconductor-mmbta64lt1g-datasheets-0404.pdf | -30В | -500мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,04 мм | 1,01 мм | 1,4 мм | Без свинца | 3 | 11 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ПНП | Без галогенов | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ММБТА64 | 3 | Одинокий | 40 | 225 МВт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | -500мА | 30 В | 30 В | 1,5 В | 30 В | 500 мА | 125 МГц | 30 В | 10 В | 10000 | 100на ИКБО | PNP - Дарлингтон | 20000 при 100 мА 5 В | 125 МГц | 1,5 В @ 100 мкА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБТА63LT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mmbta64lt1g-datasheets-0404.pdf | -30В | -500мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,04 мм | 1,01 мм | 1,4 мм | Без свинца | 3 | 12 недель | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ПНП | Без галогенов | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ММБТА63 | 3 | Одинокий | 40 | 225 МВт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | -500мА | 30 В | 30 В | 1,5 В | 30 В | 500 мА | 125 МГц | 30 В | 10 В | 5000 | 100на ИКБО | PNP - Дарлингтон | 10000 @ 100мА 5В | 125 МГц | 1,5 В @ 100 мкА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||
| BC850B,215 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/nexperiausainc-bc850c235-datasheets-0395.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 4 недели | 3 | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BC850 | 3 | 40 | 1 | Не квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 250мВт | 100 МГц | 45В | 100 мА | 0,6 В | 15на ИКБО | НПН | 200 при 2 мА 5 В | 100 МГц | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SMBT3904E6327HTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 300 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/infineontechnologies-smbt3904ue6327-datasheets-3878.pdf | 40В | 200 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 4 недели | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Не содержит галогенов | 330мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | МВТ3904 | 330мВт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 40В | 40В | 1В | 200 мА | 300 МГц | 250 нс | 70нс | 60В | 6В | 50на ИКБО | НПН | 100 @ 10 мА 1 В | 300 мВ при 5 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC850C, 215 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/nexperiausainc-bc850c235-datasheets-0395.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 4 недели | 3 | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BC850 | 3 | 40 | 1 | Не квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 250мВт | 100 МГц | 45В | 100 мА | 0,6 В | 15на ИКБО | НПН | 420 при 2 мА 5 В | 100 МГц | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC860C, 235 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/nexperiausainc-bc860c235-datasheets-0458.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 4 недели | 3 | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 250мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BC860 | 3 | Одинокий | 30 | 250мВт | 1 | 100 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 45В | 45В | 45В | 100 мА | 100 МГц | 50В | 5В | 15на ИКБО | ПНП | 420 при 2 мА 5 В | 650 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC850CW,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/nexperiausainc-bc850cw115-datasheets-0497.pdf | СК-70, СОТ-323 | 3 | 4 недели | 3 | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BC850 | 3 | 40 | 1 | Не квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 200мВт | 100 МГц | 45В | 100 мА | 0,6 В | 15на ИКБО | НПН | 420 при 2 мА 5 В | 100 МГц | 600 мВ при 5 мА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПМБТ2369,215 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 1996 год | /files/nexperiausainc-pmbt2369215-datasheets-0257.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 4 недели | 3 | EAR99 | 8541.21.00.75 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ПМБТ2369 | 3 | 30 | 1 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 250мВт | 500 МГц | 15 В | 200 мА | 20нс | 10 нс | 400нА ИКБО | НПН | 40 @ 10 мА 1 В | 500 МГц | 250 мВ при 1 мА, 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC857CE6327HTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 250 МГц | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/infineontechnologies-bc857ce6327htsa1-datasheets-0288.pdf | -45В | -100 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 900 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 26 недель | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Не содержит галогенов | 330мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | BC857 | Одинокий | 330мВт | 1 | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 45В | 45В | 650 мВ | 650 мВ | 100 мА | 250 МГц | 50В | 5В | 15на ИКБО | ПНП | 420 при 2 мА 5 В | 650 мВ при 5 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PBSS5540Z,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/nexperiausainc-pbss5540z115-datasheets-0016.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 4 | 4 недели | 3 | EAR99 | 8541.21.00.75 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | PBSS5540 | 4 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г4 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 2 Вт | 120 МГц | 40В | 5А | 100на ИКБО | ПНП | 150 @ 2А 2В | 120 МГц | 160 мВ при 200 мА, 2 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЗУМТ718ТА | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 210 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-zumt718ta-datasheets-9980.pdf | -20В | -1А | СК-70, СОТ-323 | 2,2 мм | 1 мм | 1,26 мм | Без свинца | 3 | 15 недель | 6,010099мг | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 500мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ЗУМТ718 | Одинокий | 40 | 500мВт | 1 | 210 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | -1А | 20 В | 20 В | -180мВ | 20 В | 1А | 210 МГц | 20 В | 5В | 10нА | ПНП | 200 @ 500 мА 2 В | 250 мВ при 100 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БФ720Т1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 60 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-bf720t1g-datasheets-9567.pdf | 300В | 100 мА | ТО-261-4, ТО-261АА | 6,7 мм | 1,65 мм | 3,7 мм | Без свинца | 4 | 8 недель | Нет СВХК | 4 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДА | 1,5 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | БФ720 | 4 | Одинокий | 40 | 1,5 Вт | 1 | Другие транзисторы | 60 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | 300В | 300В | 600мВ | 300В | 100 мА | 60 МГц | 300В | 5В | 50 | 10на ИКБО | НПН | 50 при 25 мА 20 В | 600 мВ при 5 мА, 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| FMMT493QTA | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/diodesincorporated-fmmt493ta-datasheets-9488.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 13 недель | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | АЭК-Q101 | 500мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 10 | 1 | Другие транзисторы | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | НПН | 500мВт | 100 В | 100 В | 600мВ | 1А | 150 МГц | 100нА | НПН | 100 @ 250 мА 10 В | 150 МГц | 600 мВ при 100 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПБСС4580ПА,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 155 МГц | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/nexperiausainc-pbss4580pa115-datasheets-9735.pdf | 3-PowerUDFN | Без свинца | 3 | 8 недель | 3 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 2,1 Вт | ДВОЙНОЙ | PBSS4580 | 3 | Одинокий | 2,1 Вт | 1 | 155 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 80В | 80В | 80В | 5,6А | 155 МГц | 80В | 6В | 45 | 100нА | НПН | 150 @ 2А 2В | 320 мВ при 280 мА, 5,6 А |
