Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные BJT-транзисторы(15763)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Частота | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Текущий | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Напряжение | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Выходная мощность | Продукт увеличения пропускной способности | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Код JEDEC-95 | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | VCEsat-Макс | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| БД438 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 3 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-bd438-datasheets-7127.pdf | ТО-225АА, ТО-126-3 | 7,8 мм | 10,8 мм | 2,7 мм | Без свинца | 3 | 8 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 36 Вт | БД438 | 3 | Одинокий | 36 Вт | 1 | Другие транзисторы | 3 МГц | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 45В | 45В | 200 мВ | 45В | 4А | 3 МГц | 45В | 5В | 0,6 В | 30 | 100 мкА | ПНП | 30 @ 10 мА 5 В | 600 мВ при 200 мА, 2 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| СОВЕТ110G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 1999 год | /files/onsemiconductor-tip110g-datasheets-7131.pdf | 60В | 2А | ТО-220-3 | 10,2616 мм | 15 748 мм | 4826 мм | Без свинца | 3 | 2 недели | 4.535924г | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | НПН | НЕТ | 2 Вт | 260 | СОВЕТ11* | 3 | Одинокий | 40 | 2 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | 2А | ТО-220АБ | 60В | 2,5 В | 60В | 2А | 60В | 5В | 1000 | 2мА | NPN – Дарлингтон | 1000 @ 1А 4В | 2,5 В при 8 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5232A ПББЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n5232apbfree-datasheets-7062.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 6 недель | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПО НИКЕЛЮ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 625 МВт | 50В | 100 мА | 30нА | НПН | 250 при 2 мА 5 В | 125 мВ при 1 мА, 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТИП29-БП | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/microcommercialco-tip29bp-datasheets-7065.pdf | ТО-220-3 | 3 | 12 недель | да | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | СОВЕТ29 | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 30 Вт | ТО-220АБ | 3 МГц | 40В | 1А | 300 мкА | НПН | 15 @ 1А 4В | 3 МГц | 700 мВ при 125 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТТС004Б,К | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | ТО-225АА, ТО-126-3 | 12 недель | ТО-126Н | 10 Вт | 160 В | 1,5 А | 100на ИКБО | НПН | 140 @ 100 мА 5 В | 100 МГц | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TIP32C-BP | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/microcommercialco-tip32cbp-datasheets-6989.pdf | ТО-220-3 | 3 | 12 недель | да | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | СОВЕТ32 | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПНП | 2 Вт | ТО-220АБ | 3 МГц | 100 В | 3А | 300 мкА | ПНП | 10 @ 3А 4В | 3 МГц | 1,2 В при 375 мА, 3 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZTX558 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 50 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-ztx558-datasheets-6993.pdf | -400В | -200мА | Е-Линия-3 | 4,77 мм | 4,01 мм | 2,41 мм | Без свинца | 3 | 15 недель | 453,59237мг | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1 Вт | ПРОВОЛОКА | 260 | ZTX558 | 3 | Одинокий | 40 | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | 50 МГц | КРЕМНИЙ | ПНП | -200мА | 400В | -500мВ | 400В | 200 мА | 50 МГц | 400В | 5В | 100нА | ПНП | 100 @ 50 мА 10 В | 500 мВ при 6 мА, 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||
| BD679AS | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/onsemiconductor-bd679as-datasheets-2972.pdf | 80В | 4А | ТО-225АА, ТО-126-3 | Без свинца | 3 | 2 недели | 760,986249мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | 2А | е3 | НПН | 80В | 40 Вт | BD679 | Одинокий | 40 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 4А | 80В | 2,8 В | 80В | 4А | 10 МГц | 80В | 5В | 750 | 500 мкА | NPN – Дарлингтон | 750 @ 2А 3В | 2,8 В @ 40 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СОВЕТ31C | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-tip31c-datasheets-7008.pdf | 100 В | 3А | ТО-220-3 | 10,4 мм | 19,68 мм | 4,6 мм | Без свинца | 3 | 8 недель | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 2 Вт | СОВЕТ31 | 3 | Одинокий | 2 Вт | 1 | Другие транзисторы | 150°С | 3 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | ТО-220АБ | 100 В | 1,2 В | 100 В | 3А | 3 МГц | 100 В | 5В | 10 | 300 мкА | НПН | 10 @ 3А 4В | 1,2 В при 375 мА, 3 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| MJD44H11G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 85 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mjd44h11t4g-datasheets-8027.pdf | 80В | 8А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,38 мм | 6,22 мм | Без свинца | 2 | 8 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | Без галогенов | ДА | 1,75 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | MJD44H11 | 3 | Одинокий | 40 | 1,75 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | 85 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 80В | 1В | 80В | 8А | 85 МГц | 5В | 5В | 60 | 1 мкА | НПН | 40 @ 4А 1В | 1 В при 400 мА, 8 А | ||||||||||||||||||||||||||
| 2N5172 ПББЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n5172pbfree-datasheets-7016.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 20 недель | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПО НИКЕЛЮ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 625 МВт | 25В | 100 мА | 100нА | НПН | 100 @ 10 мА 10 В | 200 МГц | 250 мВ при 1 мА, 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZTX553 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 150 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-ztx553-datasheets-7019.pdf | -100В | -1А | Е-Линия-3 | 4,77 мм | 4,01 мм | 2,41 мм | Без свинца | 3 | 15 недель | 453,59237мг | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1 Вт | ПРОВОЛОКА | 260 | ZTX553 | 3 | Одинокий | 40 | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | 150 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | -1А | ТО-92 | 100 В | -300мВ | 100 В | 1А | 150 МГц | 120 В | -5В | 100на ИКБО | ПНП | 40 @ 150 мА 10 В | 250 мВ при 15 мА, 150 мА | ||||||||||||||||||||||||||||
| 2N6039G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/onsemiconductor-2n6039g-datasheets-7029.pdf | 80В | 4А | ТО-225АА, ТО-126-3 | 11,04 мм | 2,66 мм | 7,74 мм | Без свинца | 3 | 8 недель | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | НПН | Без галогенов | НЕТ | 40 Вт | 260 | 2N6039 | 3 | Одинокий | 40 | 40 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | 4А | 80В | 2В | 80В | 4А | 25 МГц | 80В | 5В | 100 мкА | NPN – Дарлингтон | 750 @ 2А 3В | 3 В при 40 мА, 4 А | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ZTX450 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 150 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-ztx450-datasheets-7033.pdf | 45В | 1А | Е-Линия-3 | 4,77 мм | 4,01 мм | 2,41 мм | Без свинца | 3 | 15 недель | 453,59237мг | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | CECC | 1 Вт | ПРОВОЛОКА | 260 | 3 | Одинокий | 40 | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | 150 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 1А | 45В | 250 мВ | 45В | 1А | 150 МГц | 60В | 5В | 100на ИКБО | НПН | 100 @ 150 мА 10 В | 250 мВ при 15 мА, 150 мА | |||||||||||||||||||||||||||||
| БД140 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-bd13916-datasheets-2153.pdf | -80В | -1,5 А | ТО-225АА, ТО-126-3 | 7,8 мм | 10,8 мм | 2,7 мм | Без свинца | 3 | 8 недель | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 1,25 Вт | БД140 | Одинокий | 1,25 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 80В | 80В | 500 мВ | 80В | 3А | 75 МГц | 1,5 А | 80В | 5В | 40 | 100на ИКБО | ПНП | 40 @ 150 мА 2 В | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| БД140Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/onsemiconductor-bd140g-datasheets-7047.pdf | -80В | 1,5 А | ТО-225АА, ТО-126-3 | 6,35 мм | 6,35 мм | 6,35 мм | Без свинца | 3 | 2 недели | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | НЕТ | 1,25 Вт | 260 | БД140 | 3 | Одинокий | 40 | 1,25 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 80В | 500 мВ | 80В | 1,5 А | 100 В | 5В | 25 | 100на ИКБО | ПНП | 40 @ 150 мА 2 В | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| СОВЕТ42CG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 3 МГц | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-tip42cg-datasheets-7051.pdf&product=onsemiconductor-tip42cg-6274821 | -100В | -6А | ТО-220-3 | 10,2616 мм | 15 748 мм | 4826 мм | Без свинца | 3 | 6 недель | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | ДОСТУПНЫЕ ВАРИАНТЫ ЛИДФОРМЫ | Олово | Нет | е3 | НЕТ | 2 Вт | 260 | СОВЕТ42 | 3 | Одинокий | 40 | 2 Вт | 1 | Другие транзисторы | 3 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | ТО-220АБ | 100 В | 1,5 В | 100 В | 6А | 3 МГц | 100 В | 5В | 30 | 700 мкА | ПНП | 15 @ 3А 4В | 1,5 В при 600 мА, 6 А | ||||||||||||||||||||||||||
| KSC2690AYS | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 155 МГц | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/onsemiconductor-ksc2690ays-datasheets-7056.pdf | 160 В | 1,2А | ТО-225АА, ТО-126-3 | 8 мм | 11 мм | 3,25 мм | Без свинца | 3 | 15 недель | 761 мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 1,2 Вт | KSC2690A | Одинокий | 1,2 Вт | 1 | Другие транзисторы | 155 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 160 В | 80В | 700мВ | 160 В | 1,2А | 155 МГц | 160 В | 5В | 60 | 1 мкА ИКБО | НПН | 35 @ 5 мА 5 В | 700 мВ при 200 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4920G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 3 МГц | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/onsemiconductor-2n4920g-datasheets-6971.pdf | -80В | -3А | ТО-225АА, ТО-126-3 | 7,7216 мм | 11 049 мм | 2,667 мм | Без свинца | 3 | 2 недели | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | НЕТ | 30 Вт | 260 | 2Н4920 | 3 | Одинокий | 40 | 30 Вт | 1 | Другие транзисторы | 3 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 80В | 600мВ | 80В | 3А | 3 МГц | 1А | 80В | 5В | 40 | 500 мкА | ПНП | 30 @ 500 мА 1 В | 600 мВ при 100 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||
| MJE171G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 50 МГц | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/onsemiconductor-mje181g-datasheets-6841.pdf | -60В | -3А | ТО-225АА, ТО-126-3 | 7,7978 мм | 11,0998 мм | 2,9972 мм | Без свинца | 3 | 2 недели | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | 1,5 Вт | 260 | MJE171 | 3 | Одинокий | 40 | 12,5 Вт | 1 | Другие транзисторы | 50 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 1,5 Вт | 60В | 1,7 В | 60В | 3А | 50 МГц | 80В | 7В | 50 | 100на ИКБО | ПНП | 50 @ 100 мА 1 В | 1,7 В при 600 мА, 3 А | ||||||||||||||||||||||||||||
| BCX38C | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/diodesincorporated-bcx38c-datasheets-6877.pdf | 60В | 800 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 4,78 мм | 4,83 мм | 3,66 мм | Без свинца | 3 | 15 недель | 453,59237мг | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | НПН | 1 Вт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 260 | BCX38 | 3 | Одинокий | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | 800 мА | 60В | 1,25 В | 60В | 800 мА | 80В | 10 В | 5000 | 100на ИКБО | NPN – Дарлингтон | 10000 @ 500мА 5В | 1,25 В при 8 мА, 800 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMPT4403 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmpt4401trpbfree-datasheets-5751.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 22 недели | ДА | Другие транзисторы | Одинокий | ПНП | 0,35 Вт | 350мВт | 200 МГц | 40В | 600 мА | ПНП | 100 @ 10 мА 1 В | 200 МГц | 750 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BDX34C | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-bdx34c-datasheets-6895.pdf | ТО-220-3 | 10,4 мм | 9,15 мм | 4,6 мм | 3 | 8 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ПНП | 70 Вт | BDX34 | 3 | Одинокий | 70 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 10А | ТО-220АБ | 100 В | 2,5 В | 100 В | 10А | 3 МГц | 100 В | 750 | 500 мкА | PNP - Дарлингтон | 750 @ 3А 3В | 2,5 В при 6 мА, 3 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КСД1691ЙСТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/onsemiconductor-ksd1691ystu-datasheets-6899.pdf | 60В | 5А | ТО-225АА, ТО-126-3 | 8 мм | 11 мм | 3,25 мм | Без свинца | 3 | 18 недель | 761 мг | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 1,3 Вт | КСД1691 | Одинокий | 1,3 Вт | 1 | Другие транзисторы | 1,3 Вт | КРЕМНИЙ | НПН | 60В | 100 мВ | 60В | 5А | 60В | 7В | 100 | 10 мкА ИКБО | НПН | 160 @ 2А 1В | 300 мВ при 200 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КСА1220AYS | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 175 МГц | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/onsemiconductor-ksa1220ays-datasheets-6905.pdf | -160В | -1,2 А | ТО-225АА, ТО-126-3 | 8 мм | 14,2 мм | 3,25 мм | Без свинца | 3 | 19 недель | 761 мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 23 часа назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 20 Вт | КСА1220 | Одинокий | 1,2 Вт | 1 | Другие транзисторы | 150°С | 175 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 160 В | 45В | -400мВ | -160В | -1,2 А | 175 МГц | 1,2А | -160В | -5В | 160 | 1 мкА ИКБО | ПНП | 160 @ 300 мА 5 В | 700 мВ при 200 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||
| ZXT849KTC | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-zxt849ktc-datasheets-6919.pdf | 30 В | 7А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,39 мм | 6,22 мм | Без свинца | 2 | 15 недель | 350,003213мг | Нет СВХК | 3 | нет | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 4,2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ZXT849 | 3 | Одинокий | 30 | 4,2 Вт | 1 | Р-ПССО-Г2 | 100 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 7А | 30 В | 30 В | 230 мВ | 30 В | 7А | 100 МГц | 80В | 7В | 20на ИКБО | НПН | 100 @ 1А 1В | 280 мВ при 350 мА, 7 А | |||||||||||||||||||||||||||
| СОВЕТ31CG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 3 МГц | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-tip32ag-datasheets-6773.pdf | 100 В | 3А | ТО-220-3 | 10,28 мм | 9,28 мм | 4,82 мм | Без свинца | 3 | 8 недель | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | НЕТ | 2 Вт | 260 | СОВЕТ31 | 3 | Одинокий | 40 | 2 Вт | 1 | Другие транзисторы | 3 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | ТО-220АБ | 100 В | 1,2 В | 100 В | 3А | 3 МГц | 100 В | 5В | 25 | 300 мкА | НПН | 10 @ 3А 4В | 1,2 В при 375 мА, 3 А | |||||||||||||||||||||||||||
| BD241C | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-bd241c-datasheets-6930.pdf | ТО-220-3 | 10,4 мм | 9,15 мм | 4,6 мм | 3 | 8 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 40 Вт | БД241 | 3 | Одинокий | 40 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | ТО-220АБ | 100 В | 1,2 В | 100 В | 3А | 3 МГц | 5В | 25 | 300 мкА | НПН | 10 @ 3А 4В | 1,2 В при 600 мА, 3 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPSA63 PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-mpsa64pbfree-datasheets-6748.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 20 недель | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПО НИКЕЛЮ | НЕТ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | Другие транзисторы | ПНП | 1,5 Вт | 625 МВт | 125 МГц | 20 В | 500 мА | 100на ИКБО | PNP - Дарлингтон | 10000 @ 100мА 5В | 125 МГц | 1,5 В @ 100 мкА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N3903 ПББЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n3904pbfree-datasheets-2217.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 20 недель | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПО НИКЕЛЮ | НЕТ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | Другие транзисторы | Одинокий | НПН | 0,625 Вт | 250 МГц | 40В | 50на ИКБО | НПН | 50 @ 10 мА 1 В | 250 МГц |
