Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные BJT-транзисторы(15763)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Напряжение - номинальное | Частота | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Входной ток | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Толщина | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Идентификатор производителя производителя | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Выходное напряжение | Выходной ток | Включить время задержки | Контакт Текущий рейтинг | Продукт увеличения пропускной способности | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Задержка распространения | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Код JEDEC-95 | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | VCEsat-Макс | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (Макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N2102 ПББЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n2102pbfree-datasheets-7695.pdf | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | 20 недель | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПОВЕРХ НИКЕЛЯ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 Вт | 65В | 1А | 2на ИКБО | НПН | 40 @ 150 мА 10 В | 60 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZTX849 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-ztx849-datasheets-7630.pdf | 30 В | 5А | Е-Линия-3 | 4,77 мм | 4,01 мм | 2,41 мм | Без свинца | 3 | 15 недель | 453,59237мг | Нет СВХК | 3 | нет | EAR99 | Нет | электронная линия | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,2 Вт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 260 | ZTX849 | 3 | Одинокий | 40 | 1,2 Вт | 1 | Другие транзисторы | 100 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 5А | 30 В | 180 мВ | 30 В | 5А | 100 МГц | 80В | 6В | 50на ИКБО | НПН | 100 @ 1А 1В | 220 мВ при 200 мА, 5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC4381 | Санкен | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/sanken-2sc4382-datasheets-7619.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | Без свинца | 3 | 12 недель | да | EAR99 | 25 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 25 Вт | ТО-220АБ | 150 В | 1В | 2А | 15 МГц | 10 мкА ИКБО | НПН | 60 @ 700 мА 10 В | 15 МГц | 1 В при 70 мА, 700 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZTX951 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 120 МГц | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/diodesincorporated-ztx951-datasheets-7637.pdf | -60В | -4А | Е-Линия-3 | 4,77 мм | 4,01 мм | 2,41 мм | Без свинца | 3 | 15 недель | 453,59237мг | Нет СВХК | 3 | нет | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,2 Вт | ПРОВОЛОКА | 260 | ZTX951 | 3 | Одинокий | 40 | 1,2 Вт | 1 | Другие транзисторы | 120 МГц | КРЕМНИЙ | ПНП | -4А | 60В | 300мВ | 60В | 4А | 120 МГц | 100 В | 6В | 50на ИКБО | ПНП | 100 @ 1А 1В | 300 мВ при 400 мА, 4 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZTX790A | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 400В | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/diodesincorporated-ztx790a-datasheets-7642.pdf | -40В | -2А | Е-Линия-3 | 4,77 мм | 4,01 мм | 2,41 мм | Без свинца | 3 | 15 недель | 453,59237мг | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1 Вт | ПРОВОЛОКА | 260 | ZTX790A | 3 | Одинокий | 40 | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | 10А | 100 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | -2А | 40В | -750мВ | 40В | 2А | 100 МГц | 50В | -5В | 100на ИКБО | ПНП | 300 @ 10 мА 2 В | 750 мВ при 50 мА, 2 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MJE5731AG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 10 МГц | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/onsemiconductor-mje5731ag-datasheets-7647.pdf | -375В | -1А | ТО-220-3 | 6,35 мм | 6,35 мм | 6,35 мм | Без свинца | 3 | 8 недель | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 13 часов назад) | да | EAR99 | ДОСТУПНЫЕ ВАРИАНТЫ ЛИДФОРМЫ | Олово | Нет | е3 | НЕТ | 40 Вт | 260 | 3 | Одинокий | 40 | 2 Вт | 1 | Другие транзисторы | 10 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 40 Вт | ТО-220АБ | 375В | 375В | 1А | 10 МГц | 350В | 5В | 30 | 1 мА | ПНП | 30 @ 300 мА 10 В | 1 В при 200 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТИП120-БП | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/microcommercialco-tip120bp-datasheets-7652.pdf | ТО-220-3 | 3 | 12 недель | да | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | СОВЕТ120 | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 65 Вт | ТО-220АБ | 60В | 5А | 500 мкА | NPN – Дарлингтон | 1000 @ 3А 3В | 4 В при 20 мА, 5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZTX795A | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/diodesincorporated-ztx795a-datasheets-7656.pdf | -140В | -500мА | Е-Линия-3 | 4,77 мм | 4,01 мм | 2,41 мм | Без свинца | 3 | 15 недель | 453,59237мг | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Нет | электронная линия | е3 | Матовый олово (Sn) | 1 Вт | ПРОВОЛОКА | 260 | ZTX795A | 3 | Одинокий | 40 | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | 100 МГц | КРЕМНИЙ | ПНП | -500мА | 140 В | -300мВ | 140 В | 500 мА | 100 МГц | 140 В | -5В | 100на ИКБО | ПНП | 300 @ 10 мА 2 В | 250 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЛП395З/НОПБ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 0°С~125°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | Соответствует ROHS3 | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 4,3 мм | 3 мкА | 5,34 мм | 4,3 мм | Без свинца | 3 | 6 недель | 113,398093г | Нет СВХК | 36В | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | 3,6 мм | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | Медь, Олово | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | НИЖНИЙ | ЛП395 | 3 | 1 | Одинокий | 1 | Другие транзисторы | 36В | 100 мА | 500 нс | КРЕМНИЙ | НПН | 500 нс | 36В | 1,82 В | 36В | 100 мА | 36В | 20 В | НПН | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BDW93C | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/onsemiconductor-bdw93c-datasheets-7667.pdf | 100 В | 12А | ТО-220-3 | 10,1 мм | 9,4 мм | 4,7 мм | Без свинца | 2 недели | 1,8 г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | Олово | Нет | НПН | 80 Вт | БДВ93 | Одинокий | 80 Вт | 1 | ТО-220-3 | 80 Вт | 100 В | 2В | 100 В | 12А | 100 В | 12А | 100 В | 12 В | 1000 | 1 мА | NPN – Дарлингтон | 750 @ 5А 3В | 3 В при 100 мА, 10 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СОВЕТ2955G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 2,5 МГц | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/onsemiconductor-tip2955g-datasheets-7676.pdf | -60В | -15А | ТО-247-3 | 6,35 м | 6,35 м | 2,54 м | Без свинца | 3 | 2 недели | 45,359237 кг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 15 часов назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | 90 Вт | 260 | 3 | Одинокий | 40 | 90 Вт | 1 | Другие транзисторы | 2,5 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 60В | 1,1 В | 60В | 15А | 2,5 МГц | 100 В | 7В | 20 | 700 мкА | ПНП | 20 @ 4А 4В | 3 В при 3,3 А, 10 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA1859 | Санкен | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/sanken-2sa1859a-datasheets-8758.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | Без свинца | 3 | 12 недель | да | EAR99 | неизвестный | 20 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 20 Вт | ТО-220АБ | 150 В | 1В | 2А | 60 МГц | 10 мкА ИКБО | ПНП | 60 @ 700 мА 10 В | 60 МГц | 1 В при 70 мА, 700 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZTX851 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 130 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-ztx851-datasheets-7604.pdf | 60В | 5А | Е-Линия-3 | 4,77 мм | 4,01 мм | 2,41 мм | Без свинца | 3 | 15 недель | 453,59237мг | Нет СВХК | 3 | нет | EAR99 | Нет | электронная линия | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,2 Вт | ПРОВОЛОКА | 260 | ZTX851 | 3 | Одинокий | 40 | 1,2 Вт | 1 | Другие транзисторы | 130 МГц | КРЕМНИЙ | НПН | 5А | 60В | 180 мВ | 60В | 5А | 130 МГц | 150 В | 6В | 50на ИКБО | НПН | 100 @ 2А 1В | 250 мВ при 200 мА, 5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СОВЕТ142 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Сквозное отверстие | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-tip142-datasheets-7609.pdf | 100 В | 10А | ТО-247-3 | 15,75 мм | 20,15 мм | 5,15 мм | Без свинца | 3 | 8 недель | 6,500007г | Нет СВХК | 3 | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | НПН | 125 Вт | СОВЕТ142 | 3 | Одинокий | 125 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 2В | 100 В | 10А | 100 В | 5В | 3 В | 500 | 2мА | NPN – Дарлингтон | 1000 @ 5А 4В | 3 В при 40 мА, 10 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MJF127G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/onsemiconductor-mjf122g-datasheets-7280.pdf | -100В | 5А | ТО-220-3 Полный пакет | 6,35 мм | 6,35 мм | 25,4 мм | Без свинца | 3 | 8 недель | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Олово (Вс) | ПНП | НЕТ | 2 Вт | 260 | 3 | Одинокий | 40 | 30 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 5А | ТО-220АБ | 100 В | 2В | 100 В | 5А | 100 В | 5В | 10 мкА | PNP - Дарлингтон | 2000 @ 3А 3В | 3,5 В при 20 мА, 5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC4382 | Санкен | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/sanken-2sc4382-datasheets-7619.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | Без свинца | 3 | 12 недель | да | EAR99 | 25 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 25 Вт | ТО-220АБ | 200В | 1В | 2А | 15 МГц | 10 мкА ИКБО | НПН | 60 @ 700 мА 10 В | 15 МГц | 1 В при 70 мА, 700 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KSC5027OTU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 15 МГц | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/onsemiconductor-ksc5027otu-datasheets-7621.pdf | 800В | 3А | ТО-220-3 | 9,9 мм | 18,95 мм | 4,5 мм | Без свинца | 3 | 2 недели | 1,8 г | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | е3 | 50 Вт | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 50 Вт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 15 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | ТО-220АБ | 800В | 2В | 800В | 3А | 15 МГц | 1,1 кВ | 7В | 10 | 10 мкА ИКБО | НПН | 20 @ 200 мА 5 В | 2 В при 300 мА, 1,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC3852 | Санкен | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/sanken-2sc3852-datasheets-7573.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | Без свинца | 3 | 12 недель | да | EAR99 | неизвестный | 25 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 25 Вт | ТО-220АБ | 60В | 500мВ | 3А | 15 МГц | 10 мкА ИКБО | НПН | 500 @ 500 мА 4 В | 15 МГц | 500 мВ при 50 мА, 2 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC5130 | Санкен | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/sanken-2sc5130-datasheets-7575.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | Без свинца | 12 недель | да | 30 Вт | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | Не квалифицированный | 30 Вт | 400В | 500мВ | 5А | 100 мкА ИКБО | НПН | 10 @ 1,5 А 4 В | 20 МГц | 500 мВ при 300 мА, 1,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MJE5742G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/onsemiconductor-mje5742g-datasheets-7577.pdf | 400В | 8А | ТО-220-3 | 10,2616 мм | 15 748 мм | 4826 мм | Без свинца | 3 | 8 недель | 907,18474 мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 21 час назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | НПН | НЕТ | 2 Вт | 260 | 3 | Одинокий | 40 | 2 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 8А | ТО-220АБ | 400В | 2В | 400В | 8А | 8В | NPN – Дарлингтон | 200 @ 2А 5В | 3 В при 400 мА, 8 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Д44Х11 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-d44h8-datasheets-7531.pdf | 80В | 10А | ТО-220-3 | 10,4 мм | 9,15 мм | 4,6 мм | Без свинца | 3 | 8 недель | 9.071847г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 50 Вт | Д44Х11 | 3 | Одинокий | 50 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | ТО-220АБ | 80В | 1В | 80В | 10А | 50 МГц | 80В | 5В | 1 В | 60 | 10 мкА | НПН | 40 @ 4А 1В | 1 В при 400 мА, 8 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA1668 | Санкен | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/sanken-2sa1667-datasheets-7561.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | Без свинца | 3 | 12 недель | да | EAR99 | неизвестный | 25 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 25 Вт | ТО-220АБ | 200В | 1В | 2А | 20 МГц | 10 мкА ИКБО | ПНП | 60 @ 700 мА 10 В | 20 МГц | 1 В при 70 мА, 700 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N3416 ПББЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n3904pbfree-datasheets-2217.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 20 недель | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПОВЕРХ НИКЕЛЯ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 50В | 100на ИКБО | НПН | 75 при 2 мА 4,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BD912 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 3 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-bd912-datasheets-7591.pdf | -100В | -15А | ТО-220-3 | 10,4 мм | 9,15 мм | 4,6 мм | Без свинца | 3 | 8 недель | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 90 Вт | BD912 | 3 | Одинокий | 90 Вт | 1 | Другие транзисторы | 3 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | ТО-220АБ | 100 В | 3В | 100 В | 15А | 3 МГц | 100 В | 5В | 3 В | 15 | 1 мА | ПНП | 15 @ 5А 4В | 3 В @ 2,5 А, 10 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MJF44H11G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 50 МГц | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/onsemiconductor-mjf44h11g-datasheets-7595.pdf | 80В | 10А | ТО-220-3 Полный пакет | 10,6172 мм | 16 129 мм | 4,9022 мм | Без свинца | 3 | 8 недель | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 12 часов назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | НЕТ | 2 Вт | 260 | 3 | Одинокий | 40 | 2 Вт | 1 | Другие транзисторы | 50 МГц | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | ТО-220АБ | 80В | 1В | 80В | 10А | 50 МГц | 5В | 5В | 60 | 1 мкА | НПН | 40 @ 4А 1В | 1 В при 400 мА, 8 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТ901Т | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-st901t-datasheets-7599.pdf | 350В | 4А | ТО-220-3 | 10,4 мм | 9,15 мм | 4,6 мм | Без свинца | 3 | 8 недель | 6.000006г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | НПН | 100 Вт | СТ901 | 3 | Одинокий | 100 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | ТО-220АБ | 350В | 2В | 350В | 4А | 5В | 500 | 100 мкА | NPN – Дарлингтон | 1800 @ 2А 2В | 2 В при 20 мА, 2 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТИП120ТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-tip120tu-datasheets-7539.pdf | 60В | 5А | ТО-220-3 | 10,67 мм | 16,51 мм | 4,83 мм | Без свинца | 3 | 2 недели | 1,214 г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | НПН | 2 Вт | СОВЕТ120 | Одинокий | 2 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | ТО-220АБ | 80В | 2В | 60В | 5А | 50 МГц | 60В | 5В | 1000 | 500 мкА | NPN – Дарлингтон | 1000 @ 3А 3В | 4 В при 20 мА, 5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BD244CG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 3 МГц | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/onsemiconductor-bd243cg-datasheets-7401.pdf | -100В | -6А | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | 6 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | ДОСТУПНЫЕ ВАРИАНТЫ ЛИДФОРМЫ | Олово | Нет | е3 | НЕТ | 65 Вт | 260 | БД244 | 3 | Одинокий | 40 | 65 Вт | 1 | Другие транзисторы | 3 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 100 В | ТО-220АБ | 50В | 1,5 В | 100 В | 6А | 3 МГц | 100 В | 5В | 30 | 700 мкА | ПНП | 15 @ 3А 4В | 1,5 В при 1 А, 6 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MJE15030G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 30 МГц | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/onsemiconductor-mje15030g-datasheets-7554.pdf | 150 В | 8А | ТО-220-3 | 10,2616 мм | 15 748 мм | 4826 мм | Без свинца | 3 | 8 недель | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 20 часов назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | НЕТ | 50 Вт | 260 | 3 | Одинокий | 40 | 2 Вт | 1 | Другие транзисторы | 30 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | ТО-220АБ | 150 В | 500мВ | 150 В | 8А | 30 МГц | 150 В | 5В | 40 | 100 мкА | НПН | 20 @ 4А 2В | 500 мВ при 100 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA1667 | Санкен | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/sanken-2sa1667-datasheets-7561.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | Без свинца | 3 | 12 недель | да | EAR99 | 25 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 25 Вт | ТО-220АБ | 150 В | 1В | 2А | 20 МГц | 10 мкА ИКБО | ПНП | 60 @ 700 мА 10 В | 20 МГц | 1 В при 70 мА, 700 мА |
