Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные BJT-транзисторы(15763)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Частота | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Текущий | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Напряжение | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Продукт увеличения пропускной способности | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Код JEDEC-95 | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Выключить Тайм-Макс (toff) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (Макс.) @ Ib, Ic |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| КСА1220AYS | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 175 МГц | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/onsemiconductor-ksa1220ays-datasheets-6905.pdf | -160В | -1,2 А | ТО-225АА, ТО-126-3 | 8 мм | 14,2 мм | 3,25 мм | Без свинца | 3 | 19 недель | 761 мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 23 часа назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 20 Вт | КСА1220 | Одинокий | 1,2 Вт | 1 | Другие транзисторы | 150°С | 175 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | ПНП | 160 В | 45В | -400мВ | -160В | -1,2 А | 175 МГц | 1,2А | -160В | -5В | 160 | 1 мкА ИКБО | ПНП | 160 @ 300 мА 5 В | 700 мВ при 200 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||
| ZXT849KTC | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-zxt849ktc-datasheets-6919.pdf | 30 В | 7А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,39 мм | 6,22 мм | Без свинца | 2 | 15 недель | 350,003213мг | Нет СВХК | 3 | нет | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 4,2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ZXT849 | 3 | Одинокий | 30 | 4,2 Вт | 1 | Р-ПССО-Г2 | 100 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 7А | 30 В | 30 В | 230 мВ | 30 В | 7А | 100 МГц | 80В | 7В | 20на ИКБО | НПН | 100 @ 1А 1В | 280 мВ при 350 мА, 7 А | |||||||||||||||||||||||
| СОВЕТ31CG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 3 МГц | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-tip32ag-datasheets-6773.pdf | 100 В | 3А | ТО-220-3 | 10,28 мм | 9,28 мм | 4,82 мм | Без свинца | 3 | 8 недель | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | НЕТ | 2 Вт | 260 | СОВЕТ31 | 3 | Одинокий | 40 | 2 Вт | 1 | Другие транзисторы | 3 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | ТО-220АБ | 100 В | 1,2 В | 100 В | 3А | 3 МГц | 100 В | 5В | 25 | 300 мкА | НПН | 10 @ 3А 4В | 1,2 В при 375 мА, 3 А | |||||||||||||||||||||||
| BD241C | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-bd241c-datasheets-6930.pdf | ТО-220-3 | 10,4 мм | 9,15 мм | 4,6 мм | 3 | 8 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 40 Вт | БД241 | 3 | Одинокий | 40 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | ТО-220АБ | 100 В | 1,2 В | 100 В | 3А | 3 МГц | 5В | 25 | 300 мкА | НПН | 10 @ 3А 4В | 1,2 В при 600 мА, 3 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPSA63 PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-mpsa64pbfree-datasheets-6748.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 20 недель | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПО НИКЕЛЮ | НЕТ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | Другие транзисторы | ПНП | 1,5 Вт | 625 МВт | 125 МГц | 20 В | 500 мА | 100на ИКБО | PNP - Дарлингтон | 10000 @ 100мА 5В | 125 МГц | 1,5 В @ 100 мкА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТИП41А-БП | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 1993 год | /files/microcommercialco-tip41abp-datasheets-6845.pdf | ТО-220-3 | 3 | 12 недель | да | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | СОВЕТ41 | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | НПН | 2 Вт | ТО-220АБ | 3 МГц | 60В | 6А | 700 мкА | НПН | 15 @ 3А 4В | 3 МГц | 1,5 В при 600 мА, 6 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CZT5551 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-czt5551trpbfree-datasheets-6853.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 20 недель | ДА | Другие транзисторы | Одинокий | НПН | 2 Вт | 2 Вт | 100 МГц | 160 В | 600 мА | 50на ИКБО | НПН | 80 @ 10 мА 5 В | 300 МГц | 200 мВ при 5 мА, 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БД137Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/onsemiconductor-bd137g-datasheets-6857.pdf | 60В | 6А | ТО-225АА, ТО-126-3 | 7,74 мм | 11,04 мм | 2,66 мм | Без свинца | 3 | 2 недели | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | НЕТ | 1,25 Вт | 260 | БД137 | 3 | Одинокий | 40 | 65 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 1,25 Вт | 60В | 500 мВ | 60В | 1,5 А | 60В | 5В | 25 | 100на ИКБО | НПН | 40 @ 150 мА 2 В | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||
| 2N3702 ПББЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n3904pbfree-datasheets-2217.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 20 недель | 25 В | 100на ИКБО | ПНП | 60 @ 50 мкА 5 В | 100 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N3905 ПББЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n3904pbfree-datasheets-2217.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 20 недель | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | НЕТ | 260 | 30 | Другие транзисторы | Одинокий | ПНП | 0,625 Вт | 200 МГц | 40В | 50на ИКБО | ПНП | 50 @ 10 мА 1 В | 200 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БД139Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 1999 год | /files/onsemiconductor-bd137g-datasheets-6857.pdf | 80В | 1,5 А | ТО-225АА, ТО-126-3 | 7,74 мм | 11,04 мм | 2,66 мм | Без свинца | 3 | 9 недель | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | НЕТ | 1,25 Вт | 260 | БД139 | 3 | Одинокий | 40 | 1,25 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 80В | 500 мВ | 80В | 1,5 А | 80В | 5В | 25 | 100на ИКБО | НПН | 40 @ 150 мА 2 В | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||
| MPSA92 PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-mpsa92pbfree-datasheets-6782.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 6 недель | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | НЕТ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | Другие транзисторы | Одинокий | ПНП | 0,625 Вт | 625 МВт | 50 МГц | 300В | 500 мА | 250 на ИКБО | ПНП | 25 @ 30 мА 10 В | 50 МГц | 500 мВ при 2 мА, 20 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БД13916СТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-bd13716s-datasheets-6751.pdf | 80В | 1,5 А | ТО-225АА, ТО-126-3 | 8 мм | 11 мм | 3,25 мм | Без свинца | 3 | 22 недели | 761 мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 1,25 Вт | БД139 | Одинокий | 1,25 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 80В | 500 мВ | 80В | 1,5 А | 80В | 5В | 40 | 100на ИКБО | НПН | 100 @ 150 мА 2 В | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||
| MJD31CG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 3 МГц | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mjd31ct4g-datasheets-7667.pdf | 100 В | 3А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,7056 мм | 2,3876 мм | 6,223 мм | Без свинца | 2 | 8 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 4 часа назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДА | 1,56 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | МЖД31 | 3 | Одинокий | 40 | 1,56 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | 3 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 100 В | 1,2 В | 100 В | 3А | 3 МГц | 100 В | 5В | 25 | 50 мкА | НПН | 10 @ 3А 4В | 1,2 В при 375 мА, 3 А | |||||||||||||||||||||||
| КСД1616АГБУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 160 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-ksd1616agbu-datasheets-6809.pdf | 60В | 1А | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | Без свинца | 3 | 6 недель | 179 мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 750мВт | НИЖНИЙ | КСД1616 | Одинокий | 750мВт | 1 | Другие транзисторы | 160 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 60В | 60В | 1А | 160 МГц | 120 В | 6В | 135 | 100на ИКБО | НПН | 200 @ 100 мА 2 В | 300 мВ при 50 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4124 ПББЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n3904pbfree-datasheets-2217.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 6 недель | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПО НИКЕЛЮ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 25 В | 50на ИКБО | НПН | 120 при 2 мА 1 В | 300 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КСЦ3503ДСТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150 МГц | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-ksc3503dstu-datasheets-6818.pdf | 300В | 100 мА | ТО-225АА, ТО-126-3 | 8 мм | 11 мм | 3,25 мм | Без свинца | 3 | 6 недель | 761 мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 7 Вт | KSC3503 | Одинокий | 7 Вт | 1 | Другие транзисторы | 150 МГц | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 300В | 60В | 600мВ | 300В | 100 мА | 150 МГц | 300В | 5В | 40 | 100на ИКБО | НПН | 40 @ 10 мА 10 В | 600 мВ при 2 мА, 20 мА | |||||||||||||||||||||||||||
| BD14016S | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-bd14010stu-datasheets-6711.pdf | -80В | -1,5 А | ТО-225АА, ТО-126-3 | Без свинца | 3 | 19 недель | 760,986249мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | 15А | е3 | 45В | 1,25 Вт | БД140 | Одинокий | 1,25 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 80В | -500мВ | 80В | 1,5 А | 80В | 5В | 40 | 100на ИКБО | ПНП | 40 @ 150 мА 2 В | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| KSA1156YS | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-ksa1156ys-datasheets-6830.pdf | -400В | -500мА | ТО-225АА, ТО-126-3 | Без свинца | 3 | 6 недель | 761 мг | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 20 часов назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 1 Вт | КСА1156 | Одинокий | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 400В | -1В | 400В | 500 мА | 5000 нс | -400В | -7В | 30 | 100 мкА ИКБО | ПНП | 100 @ 100 мА 5 В | 1 В при 10 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MJE181G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 50 МГц | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/onsemiconductor-mje181g-datasheets-6841.pdf | 60В | 3А | ТО-225АА, ТО-126-3 | 7,7978 мм | 11,0998 мм | 2,9972 мм | Без свинца | 3 | 4 недели | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | 1,5 Вт | 260 | MJE181 | 3 | Одинокий | 40 | 12,5 Вт | 1 | Другие транзисторы | 50 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 60В | 1,7 В | 60В | 3А | 50 МГц | 80В | 7В | 50 | 100на ИКБО | НПН | 50 @ 100 мА 1 В | 1,7 В при 600 мА, 3 А | |||||||||||||||||||||||||
| 2N4403 ПББЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n4403pbfree-datasheets-6743.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 20 недель | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПО НИКЕЛЮ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 625 МВт | 40В | 600 мА | ПНП | 100 @ 150 мА 2 В | 200 МГц | 750 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPSA64 PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-mpsa64pbfree-datasheets-6748.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 20 недель | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПО НИКЕЛЮ | НЕТ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | Другие транзисторы | ПНП | 1,5 Вт | 625 МВт | 125 МГц | 30 В | 500 мА | 100на ИКБО | PNP - Дарлингтон | 20000 при 100 мА 5 В | 125 МГц | 1,5 В @ 100 мкА, 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BD13716S | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Сквозное отверстие | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-bd13716s-datasheets-6751.pdf | 60В | 1,5 А | ТО-225АА, ТО-126-3 | Без свинца | 3 | 2 недели | 761 мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 1,25 Вт | БД137 | Одинокий | 1,25 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 60В | 60В | 500 мВ | 60В | 1,5 А | 50 МГц | 60В | 5В | 40 | 100на ИКБО | НПН | 100 @ 150 мА 2 В | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||
| БД139-10 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-bd13916-datasheets-2153.pdf | ТО-225АА, ТО-126-3 | 7,8 мм | 10,8 мм | 2,7 мм | 3 | 8 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 1,25 Вт | БД139 | 3 | 1 | Одинокий | 1,25 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | НПН | 80В | 500 мВ | 80В | 1,5 А | 250 МГц | 80В | 5В | 63 | 100на ИКБО | НПН | 40 @ 150 мА 2 В | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BD13916S | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Сквозное отверстие | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-bd13716s-datasheets-6751.pdf | 80В | 1,5 А | ТО-225АА, ТО-126-3 | 8 мм | 11 мм | 3,25 мм | Без свинца | 3 | 22 недели | 761 мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | Олово | е3 | 1,25 Вт | НЕ УКАЗАН | БД139 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1,25 Вт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 80В | 500 мВ | 80В | 1,5 А | 80В | 5В | 40 | 100на ИКБО | НПН | 100 @ 150 мА 2 В | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||
| ТИП32АГ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 3 МГц | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/onsemiconductor-tip32ag-datasheets-6773.pdf | -60В | 3А | ТО-220-3 | 10,28 мм | 15,75 мм | 4,82 мм | Без свинца | 3 | 2 недели | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | 40 Вт | 260 | СОВЕТ32 | 3 | Одинокий | 40 | 2 Вт | 1 | Другие транзисторы | 3 МГц | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | ТО-220АБ | 60В | 1,2 В | 60В | 3А | 3 МГц | 60В | 5В | 25 | 300 мкА | ПНП | 10 @ 3А 4В | 1,2 В при 375 мА, 3 А | |||||||||||||||||||||||
| 2N5088 ПББЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 6 недель | 625 МВт | 30 В | 50 мА | 50на ИКБО | НПН | 300 @ 100 мкА 5 В | 50 МГц | 500 мВ при 1 мА, 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КСЭ13003Х2АСТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 4 МГц | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-kse13003h2astu-datasheets-6683.pdf | 400В | 1,5 А | ТО-225АА, ТО-126-3 | 8 мм | 11 мм | 3,25 мм | Без свинца | 3 | 6 недель | 761 мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 20 Вт | KSE13003 | Одинокий | 20 Вт | 1 | Другие транзисторы | 4 МГц | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 400В | 500 мВ | 400В | 1,5 А | 4 МГц | 700В | 9В | 8 | НПН | 14 @ 500 мА 2 В | 3 В при 500 мА, 1,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5087 ПББЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n5087pbfree-datasheets-6689.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 20 недель | EAR99 | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПО НИКЕЛЮ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 625 МВт | 50В | 50 мА | 50на ИКБО | ПНП | 250 @ 100 мкА 5 В | 40 МГц | 300 мВ при 1 мА, 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БД14010СТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/onsemiconductor-bd14010stu-datasheets-6711.pdf | -80В | -1,5 А | ТО-225АА, ТО-126-3 | 8 мм | 11 мм | 3,25 мм | Без свинца | 3 | 6 недель | 761 мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 12,5 Вт | БД140 | Одинокий | 1,25 Вт | 1 | Другие транзисторы | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 80В | -500мВ | 80В | 1,5 А | -80В | -5В | 40 | 100на ИКБО | ПНП | 63 @ 150 мА 2 В | 500 мВ при 50 мА, 500 мА |
