Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные IGBT(3888)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Включить время задержки | Время подъема | Время задержки отключения | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Код JEDEC-95 | Обратное время восстановления | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Время включения | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Время нарастания-Макс. | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Время выключения-Nom (toff) | Условия испытаний | Напряжение затвор-эмиттер-Макс. | Затвор-эмиттер Thr Напряжение-Макс. | Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | Тип БТИЗ | Заряд от ворот | Ток-коллекторный импульсный (Icm) | Td (вкл/выкл) при 25°C | Переключение энергии | Время падения-Макс (тс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FGH60N60SMD-F085 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2013 год | ТО-247-3 | 3 | 5 недель | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 600 Вт | 600 Вт | ТО-247АБ | 42нс | 66 нс | 60нс | 600В | 120А | 139 нс | 400 В, 60 А, 3 Ом, 15 В | 20 В | 6В | 2,5 В @ 15 В, 60 А | Полевая остановка | 280 НК | 180А | 22 нс/116 нс | 1,59 мДж (вкл.), 390 мкДж (выкл.) | 20 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXYX40N450HV | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ХПТ™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Не соответствует требованиям RoHS | 2014 год | /files/ixys-ixyx40n450hv-datasheets-6359.pdf | ТО-247-3 Вариант | 24 недели | 660 Вт | 4500В | 95А | 960 В, 40 А, 2 Ом, 15 В | 3,9 В при 15 В, 40 А | 170 НК | 350А | 36 нс/110 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГВА30ХП65ФБ2 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | HB2 | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgwa30hp65fb2-datasheets-6361.pdf | ТО-247-3 | 167 Вт | 140 нс | 650В | 50А | 400 В, 30 А, 6,8 Ом, 15 В | 2,1 В @ 15 В, 30 А | Траншейная полевая остановка | 90 НК | 90А | -/71нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГД3ХФ60ХДТ4 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgd3hf60hdt4-datasheets-6363.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 8 недель | 260,39037мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ | Нет | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 38 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СТГД3 | 3 | Одинокий | 30 | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ДВИГАТЕЛЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 38 Вт | 600В | 85 нс | 600В | 2,95 В | 600В | 7,5 А | 400 В, 1,5 А, 100 Ом, 15 В | 20 В | 5,75 В | 2,95 В @ 15 В, 1,5 А | 12 НК | 18А | 11 нс/60 нс | 19 мкДж (вкл.), 12 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| FGY60T120SQDN | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | Непригодный | Стандартный | /files/onsemiconductor-fgy60t120sqdn-datasheets-6368.pdf | ТО-247-3 | 5 недель | да | совместимый | 517 Вт | 1200В | 120А | 600 В, 60 А, 10 Ом, 15 В | 1,95 В @ 15 В, 60 А | 311нК | 240А | 52 нс/296 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ХГТГ40Н60Б3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-hgtg40n60b3-datasheets-9188.pdf | 600В | 70А | ТО-247-3 | 15,87 мм | 20,82 мм | 4,82 мм | Без свинца | 3 | 44 недели | 6,39 г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ | Нет | 8541.29.00.95 | е3 | Олово (Вс) | 290 Вт | Одинокий | 290 Вт | 1 | 47 нс | 170 нс | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 600В | 600В | 1,4 В | 82 нс | 600В | 70А | 385 нс | 480 В, 40 А, 3 Ом, 15 В | 2В @ 15В, 40А | 250 НК | 330А | 47 нс/170 нс | 1,05 мДж (вкл.), 800 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| AIKQ100N60CTXKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchStop™ | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/infineontechnologies-aikq100n60ctxksa1-datasheets-6379.pdf | ТО-247-3 | 39 недель | EAR99 | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 714 Вт | 600В | 160А | 400 В, 100 А, 3,6 Ом, 15 В | 2 В @ 15 В, 100 А | Траншейная полевая остановка | 610 НК | 400А | 30 нс/290 нс | 3,1 мДж (вкл.), 2,5 мДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФГПФ15Н60УНДФ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-fgpf15n60undf-datasheets-6382.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 10,36 мм | 16,07 мм | 2,74 мм | 3 | 13 недель | 2,27 г | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 часа назад) | да | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | е3 | Олово (Вс) | 42 Вт | Одинокий | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УПРАВЛЕНИЕ ДВИГАТЕЛЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 42 Вт | ТО-220АБ | 82,4 нс | 600В | 2,2 В | 18,8 нс | 600В | 30А | 69,8 нс | 400 В, 15 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 8,5 В | 2,7 В при 15 В, 15 А | ДНЯО | 43нК | 45А | 9,3 нс/54,8 нс | 370 мкДж (вкл.), 67 мкДж (выкл.) | 12,8 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГД8НК60КДТ4 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerMESH™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgd8nc60kdt4-datasheets-6389.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,6 мм | 2,4 мм | 6,2 мм | Без свинца | 2 | 8 недель | 350,003213мг | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | Нет | 62 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | СТГД8 | 3 | Одинокий | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Р-ПССО-Г2 | 17 нс | 72 нс | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 62 Вт | 600В | 23,5 нс | 600В | 23 нс | 600В | 15А | 242 нс | 390 В, 3 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 6,5 В | 2,75 В @ 15 В, 3 А | 19 НК | 30А | 17 нс/72 нс | 55 мкДж (вкл.), 85 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IKY40N120CS6XKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчСтоп™ | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | Непригодный | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/infineontechnologies-iky40n120cs6xksa1-datasheets-6393.pdf | ТО-247-4 | 14 недель | 500 Вт | 255 нс | 1200В | 80А | 600 В, 40 А, 9 Ом, 15 В | 2,15 В @ 15 В, 40 А | Траншейная полевая остановка | 285 НК | 160А | 27 нс/315 нс | 1,45 мДж (вкл.), 1,55 мДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXXH75N60B3D1 | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | GenX3™, XPT™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2014 год | ТО-247-3 | 3 | 28 недель | 750 Вт | ОДИНОКИЙ | 3 | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 750 Вт | ТО-247АД | 25 нс | 600В | 108 нс | 1,85 В | 160А | 315 нс | 400 В, 60 А, 5 Ом, 15 В | 1,85 В @ 15 В, 60 А | ПТ | 107 НК | 300А | 35 нс/118 нс | 1,7 мДж (вкл.), 1,5 мДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TIG058E8-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-tig058e8tlh-datasheets-6298.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 2,9 мм | 900 мкм | 2,3 мм | Без свинца | 4 недели | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | НЕ УКАЗАН | 8 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 400В | 400В | 400В | 150А | 5,6 В при 4 В, 100 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NGD18N45CLBT4G | Литтелфуз | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Логика | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/littelfuseinc-ngd18n45clbt4g-datasheets-5836.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | 27 недель | EAR99 | неизвестный | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | АВТОМОБИЛЬНОЕ ЗАЖИГАНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 115 Вт | 2920 нс | 500В | 18А | 5400 нс | 300 В, 1 кОм, 5 В | 2,3 В @ 4,5 В, 7 А | 50А | 420 нс/2,9 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RGS50TSX2DHRC11 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | 1 (без блокировки) | Стандартный | /files/rohmsemiconductor-rgs50tsx2dhrc11-datasheets-6283.pdf | ТО-247-3 | 8 недель | 395 Вт | 182нс | 1200В | 50А | 600 В, 25 А, 10 Ом, 15 В | 2,1 В @ 15 В, 25 А | Траншейная полевая остановка | 67нК | 75А | 37 нс/140 нс | 1,4 мДж (вкл.), 1,65 мДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГВА40Х120ДФ2 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgw40h120df2-datasheets-5378.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 32 недели | 3 | EAR99 | 468 Вт | СТГВА40 | Одинокий | 468 Вт | 488 нс | 1,2 кВ | 2,6 В | 80А | 1200В | 600 В, 40 А, 10 Ом, 15 В | 2,6 В @ 15 В, 40 А | Траншейная полевая остановка | 158нК | 160А | 18 нс/152 нс | 1 мДж (включено), 1,32 мДж (выключено) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РГТВ00ТС65ДГК11 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/rohmsemiconductor-rgtv00ts65dgc11-datasheets-6287.pdf | ТО-247-3 | 3 | 17 недель | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 276 Вт | 102нс | 62 нс | 650В | 95А | 247 нс | 400 В, 50 А, 10 Ом, 15 В | 1,9 В @ 15 В, 50 А | Траншейная полевая остановка | 104 НК | 200А | 41 нс/142 нс | 1,17 мДж (вкл.), 940 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IKQ40N120CH3XKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/infineontechnologies-ikq40n120ch3xksa1-datasheets-6290.pdf | ТО-247-3 | 3 | 16 недель | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 500 Вт | 76 нс | 1200В | 80А | 444 нс | 400 В, 40 А, 12 Ом, 15 В | 2,35 В при 15 В, 40 А | 190 НК | 160А | 30 нс/300 нс | 3,3 мДж (вкл.), 1,3 мДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXYH80N90C3 | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | GenX3™, XPT™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/ixys-ixyh80n90c3-datasheets-6292.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 28 недель | 830 Вт | Одинокий | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 830 Вт | ТО-247АД | 900В | 134 нс | 2,7 В | 165А | 201 нс | 450 В, 80 А, 2 Ом, 15 В | 20 В | 5,5 В | 2,7 В @ 15 В, 80 А | 145 НК | 360А | 34 нс/90 нс | 4,3 мДж (вкл.), 1,9 мДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГВ40НК60КД | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerMESH™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgw40nc60kd-datasheets-6294.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 8 недель | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 250 Вт | СТГВ40 | 3 | Одинокий | 250 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Р-ПСФМ-Т3 | 46 нс | 164 нс | КРЕМНИЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 45 нс | 600В | 64 нс | 600В | 70А | 338 нс | 480 В, 30 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 6,5 В | 2,7 В при 15 В, 30 А | 135 НК | 220А | 46 нс/164 нс | 595 мкДж (вкл.), 716 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RGS80TSX2HRC11 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | 1 (без блокировки) | Стандартный | /files/rohmsemiconductor-rgs80tsx2hrc11-datasheets-6300.pdf | ТО-247-3 | 8 недель | 555 Вт | 1200В | 80А | 600 В, 40 А, 10 Ом, 15 В | 2,1 В при 15 В, 40 А | Траншейная полевая остановка | 104 НК | 120А | 49 нс/199 нс | 3 мДж (вкл.), 3,1 мДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FGY75T95SQDT | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Непригодный | Стандартный | Не соответствует требованиям RoHS | /files/onsemiconductor-fgy75t95sqdt-datasheets-6302.pdf | ТО-247-3 Вариант | 8 недель | да | 434 Вт | 259 нс | 950В | 150А | 600 В, 75 А, 4,7 Ом, 15 В | 2,11 В при 15 В, 75 А | Траншейная полевая остановка | 137нК | 300А | 28,8 нс/117 нс | 8,8 мДж (включено), 3,2 мДж (выключено) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГВ40Х120Ф2 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgw40h120f2-datasheets-6305.pdf | ТО-247-3 | 32 недели | 38.000013г | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | 468 Вт | СТГВ40 | Одинокий | 468 Вт | 1,2 кВ | 2,1 В | 1,2 кВ | 80А | 1200В | 600 В, 40 А, 10 Ом, 15 В | 2,6 В @ 15 В, 40 А | Траншейная полевая остановка | 158нК | 160А | 18 нс/152 нс | 1 мДж (включено), 1,32 мДж (выключено) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IKY50N120CH3XKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | Непригодный | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/infineontechnologies-iky50n120ch3xksa1-datasheets-6308.pdf | ТО-247-4 | 4 | 14 недель | EAR99 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСФМ-Т4 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 652 Вт | 255 нс | 62 нс | 1200В | 100А | 462 нс | 600 В, 50 А, 10 Ом, 15 В | 2,35 В @ 15 В, 50 А | 235 НК | 200А | 32 нс/296 нс | 2,3 мДж (вкл.), 1,9 мДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FGY40T120SMD | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fgy40t120smd-datasheets-6310.pdf | ТО-247-3 | 6 недель | 7,629 г | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | не_совместимо | 8541.29.00.95 | е3 | Олово (Вс) | 882 Вт | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 882 Вт | 65 нс | 1,2 кВ | 2,4 В | 80А | 1200В | 600 В, 40 А, 10 Ом, 15 В | 2,4 В @ 15 В, 40 А | Траншейная полевая остановка | 370 НК | 160А | 40 нс/475 нс | 2,7 мДж (вкл.), 1,1 мДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IKQ50N120CT2XKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчСтоп™ | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/infineontechnologies-ikq50n120ct2xksa1-datasheets-6316.pdf | ТО-247-3 | 3 | 16 недель | EAR99 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 652 Вт | 79 нс | 1200В | 100А | 530 нс | 400 В, 50 А, 10 Ом, 15 В | 2,15 В @ 15 В, 50 А | Траншейная полевая остановка | 235 НК | 200А | 34 нс/312 нс | 3,8 мДж (вкл.), 3,3 мДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RGS00TS65HRC11 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | /files/rohmsemiconductor-rgs00ts65hrc11-datasheets-6266.pdf | ТО-247-3 | 3 | 8 недель | не_совместимо | АЭК-Q101 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 326 Вт | 70 нс | 650В | 88А | 292 нс | 400 В, 50 А, 10 Ом, 15 В | 2,1 В при 15 В, 50 А | Траншейная полевая остановка | 58 НК | 150А | 36 нс/115 нс | 1,46 мДж (вкл.), 1,29 мДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФГХ50Н6С2Д | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/onsemiconductor-fgh50n6s2d-datasheets-6318.pdf | 600В | 75А | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 4 недели | 6,39 г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 5 дней назад) | да | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | е3 | Олово (Вс) | 463 Вт | Одинокий | 463 Вт | 1 | 15 нс | КРЕМНИЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 55нс | 600В | 1,9 В | 28 нс | 600В | 75А | 180 нс | 390 В, 30 А, 3 Ом, 15 В | 2,7 В при 15 В, 30 А | 70 НК | 240А | 13 нс/55 нс | 260 мкДж (вкл.), 250 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AIKW40N65DF5XKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, Trenchstop™ 5 | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/infineontechnologies-aikw40n65df5xksa1-datasheets-6268.pdf | ТО-247-3 | 39 недель | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 250 Вт | 650В | 74А | 400 В, 20 А, 15 Ом, 15 В | 2,1 В при 15 В, 40 А | Тренч | 95 НК | 120А | 19 нс/165 нс | 350 мкДж (вкл.), 100 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ75ГН120ЛГ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/microsemicorporation-apt75gn120lg-datasheets-6327.pdf | 1,2 кВ | 200А | ТО-264-3, ТО-264АА | 26,49 мм | 5,21 мм | 20,5 мм | Без свинца | 3 | 24 недели | 10,6 г | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 833 Вт | 3 | Одинокий | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Р-ПСФМ-Т3 | 60 нс | 620 нс | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 200А | 1,2 кВ | 1,7 В | 101 нс | 1,2 кВ | 200А | 1200В | 925 нс | 800 В, 75 А, 1 Ом, 15 В | 30 В | 6,5 В | 2,1 В @ 15 В, 75 А | Траншейная полевая остановка | 425 НК | 225А | 60 нс/620 нс | 8620 мкДж (вкл.), 11 400 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||
| AIKW75N60CTXKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchStop™ | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/infineontechnologies-aikw75n60ctxksa1-datasheets-6271.pdf | ТО-247-3 | 39 недель | EAR99 | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 428 Вт | 600В | 80А | 400 В, 75 А, 5 Ом, 15 В | 2 В @ 15 В, 75 А | Траншейная полевая остановка | 470 НК | 225А | 33 нс/330 нс | 2 мДж (вкл.), 2,5 мДж (выкл.) |
