Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные IGBT(3888)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Код JESD-30 | Включить время задержки | Время задержки отключения | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Частота переключения | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Код JEDEC-95 | Обратное время восстановления | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Время включения | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Время нарастания-Макс. | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Время выключения-Nom (toff) | Условия испытаний | Напряжение затвор-эмиттер-Макс. | Затвор-эмиттер Thr Напряжение-Макс. | Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | Тип БТИЗ | Заряд от ворот | Ток-коллекторный импульсный (Icm) | Td (вкл/выкл) при 25°C | Переключение энергии | Время падения-Макс (тс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ИКП39Н65ЕС5ХКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчСтоп™ 5 | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | Непригодный | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/infineontechnologies-ikp39n65es5xksa1-datasheets-5943.pdf | ТО-220-3 | 16 недель | 188 Вт | 84нс | 650В | 62А | 400 В, 39 А, 12,8 Ом, 15 В | 1,85 В @ 15 В, 39 А | Траншейная полевая остановка | 70 НК | 120А | 20 нс/120 нс | 800 мкДж (вкл.), 500 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФГА30С120П | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-fga30s120p-datasheets-5946.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | 15,8 мм | 20,1 мм | 5 мм | 3 | 15 недель | 6,401 г | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | 8541.29.00.95 | е3 | Олово (Вс) | 348 Вт | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | КРЕМНИЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 348 Вт | 1,3 кВ | 2,3 В | 1,3 кВ | 60А | 490 нс | 1300В | 25 В | 7,5 В | 2,3 В при 15 В, 30 А | Траншейная полевая остановка | 78нК | 150А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКБ20Н60ТАТМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчСтоп® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/infineontechnologies-ikb20n60tatma1-datasheets-5811.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Содержит свинец | 2 | 16 недель | Нет СВХК | 3 | нет | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 166 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | Одинокий | 1 | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 166 Вт | 41 нс | 600В | 36 нс | 600В | 40А | 299 нс | 400 В, 20 А, 12 Ом, 15 В | 2,05 В @ 15 В, 20 А | Траншейная полевая остановка | 120 НК | 60А | 18 нс/199 нс | 770мкДж | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГВТ40Х65ДФБ | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgw40h65dfb-datasheets-5778.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | 15,8 мм | 20,1 мм | 5 мм | Без свинца | 32 недели | 6.756003г | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | Нет | 283 Вт | СТГВТ40 | Одинокий | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 283 Вт | 62 нс | 650В | 1,6 В | 650В | 80А | 400 В, 40 А, 5 Ом, 15 В | 20 В | 2В @ 15В, 40А | Траншейная полевая остановка | 210 НК | 160А | 40 нс/142 нс | 498 мкДж (вкл.), 363 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IKFW50N60DH3EXKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчСтоп™ | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/infineontechnologies-ikfw50n60dh3exksa1-datasheets-5967.pdf | ТО-247-3 | 16 недель | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 130 Вт | 64нс | 600В | 40А | 400 В, 40 А, 8 Ом, 15 В | 2,7 В @ 15 В, 40 А | Траншейная полевая остановка | 160 НК | 120А | 21 нс/174 нс | 1,28 мДж (вкл.), 560 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФГА50Н100БНТДТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-fga50n100bntdtu-datasheets-5969.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | 15,8 мм | 20,1 мм | 5 мм | 3 | 5 недель | 6,401 г | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | е3 | Олово (Вс) | 156 Вт | Одинокий | 156 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | КРЕМНИЙ | АВТОМОБИЛЬНОЕ ЗАЖИГАНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 1,5 мкс | 1кВ | 2,5 В | 460 нс | 1кВ | 50А | 1000В | 760 нс | 25 В | 7В | 2,9 В при 15 В, 60 А | ДНЯО и Траншея | 275 НК | 100А | 250 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКБ40Н65ЕФ5АТМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчСтоп™ 5 | Поверхностный монтаж | -40°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/infineontechnologies-ikb40n65ef5atma1-datasheets-5843.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 26 недель | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 250 Вт | 83нс | 57 нс | 650В | 74А | 199 нс | 400 В, 40 А, 15 Ом, 15 В | 2,1 В при 15 В, 40 А | Траншейная полевая остановка | 95 НК | 160А | 22 нс/160 нс | 420 мкДж (вкл.), 100 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФГА40Т65СХД | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-fga40t65shd-datasheets-5990.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | 8 недель | 6,401 г | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | 8541.29.00.95 | е3 | Олово (Вс) | 268 Вт | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 268 Вт | 31,8 нс | 650В | 2,14 В | 2,1 В | 80А | 400 В, 40 А, 6 Ом, 15 В | 2,1 В при 15 В, 40 А | Траншейная полевая остановка | 72,2 нк | 120А | 19,2 нс/65,6 нс | 1,01 мДж (вкл.), 297 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ХГТГ20Н60Б3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/onsemiconductor-hgtg20n60b3-datasheets-8993.pdf | 600В | 40А | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 44 недели | 6,39 г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ | Нет | 8541.29.00.95 | е3 | Олово (Вс) | НПН | 165 Вт | ХГТГ20Н60 | Одинокий | 165 Вт | 1 | 25 нс | 220 нс | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | 600В | 1,8 В | 45 нс | 600В | 40А | 360 нс | 480 В, 20 А, 10 Ом, 15 В | 2 В @ 15 В, 20 А | 80 НК | 160А | 475 мкДж (вкл.), 1,05 мДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| FGH40T70SHD-F155 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-fgh40t70shdf155-datasheets-6005.pdf | ТО-247-3 | 4 недели | 6,39 г | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 268 Вт | 37нс | 700В | 80А | 400 В, 40 А, 6 Ом, 15 В | 2,15 В @ 15 В, 40 А | Траншейная полевая остановка | 69нК | 120А | 22 нс/66 нс | 1,15 мДж (вкл.), 271 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NGTB15N120IHRWG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-ngtb15n120ihrwg-datasheets-5912.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 4 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 333 Вт | 3 | Одинокий | 333 Вт | 1,2 кВ | 2,5 В | 30А | 1200В | 600 В, 15 А, 10 Ом, 15 В | 2,5 В @ 15 В, 15 А | Траншейная полевая остановка | 160 НК | 60А | -/170нс | 340 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AFGHL40T65SPD | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | Непригодный | Стандартный | Не соответствует требованиям RoHS | /files/onsemiconductor-afghl40t65spd-datasheets-6011.pdf | ТО-247-3 | 4 недели | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 267 Вт | 35 нс | 650В | 80А | 400 В, 40 А, 6 Ом, 15 В | 2,4 В @ 15 В, 40 А | Траншейная полевая остановка | 36 НК | 120А | 18 нс/35 нс | 1,16 МДж (вкл.), 270 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FGH40T65UQDF-F155 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Непригодный | Стандартный | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/onsemiconductor-fgh40t65uqdff155-datasheets-5917.pdf | ТО-247-3 | 13 недель | 6,39 г | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | 231 Вт | 89нс | 650В | 80А | 400 В, 40 А, 6 Ом, 15 В | 1,67 В @ 15 В, 40 А | Траншейная полевая остановка | 306нК | 120А | 32 нс/271 нс | 989 мкДж (вкл.), 310 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГВА40Х65ДФБ | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | полупансион | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgwa40h65dfb-datasheets-6014.pdf | ТО-247-3 | 20 недель | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | НЕ УКАЗАН | СТГВА40 | НЕ УКАЗАН | 283 Вт | 62нс | 650В | 80А | 400 В, 40 А, 5 Ом, 15 В | 2В @ 15В, 40А | Траншейная полевая остановка | 210 НК | 160А | 40 нс/142 нс | 498 мкДж (вкл.), 363 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FGH60N60UFDTU-F085 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-fgh60n60ufdtuf085-datasheets-5827.pdf | ТО-247-3 | 4 недели | 6,39 г | 3 | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 298 Вт | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 298 Вт | 76 нс | 600В | 2,9 В | 120А | 400 В, 60 А, 5 Ом, 15 В | 2,9 В при 15 В, 60 А | Полевая остановка | 192 НК | 180А | 29 нс/138 нс | 2,47 мДж (вкл.), 810 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГВА40HP65FB2 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | HB2 | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgwa40hp65fb2-datasheets-5840.pdf | ТО-247-3 | 30 недель | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 227 Вт | 140 нс | 650В | 72А | 400 В, 40 А, 4,7 Ом, 15 В | 2В @ 15В, 40А | Траншейная полевая остановка | 153нК | 120А | -/125нс | 410 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HGTG11N120CND | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-hgtg11n120cnd-datasheets-5847.pdf | 1,2 кВ | 43А | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 5 недель | 6,39 г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ | Нет | 8541.29.00.95 | е3 | Олово (Вс) | НПН | 298 Вт | Одинокий | 298 Вт | 1 | 23 нс | 180 нс | КРЕМНИЙ | УПРАВЛЕНИЕ ДВИГАТЕЛЕМ | 70 нс | 1,2 кВ | 2,1 В | 33 нс | 1,2 кВ | 43А | 1200В | 570 нс | 960 В, 11 А, 10 Ом, 15 В | 2,4 В @ 15 В, 11 А | ДНЯО | 100 НК | 80А | 23 нс/180 нс | 950 мкДж (вкл.), 1,3 мДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ФГП15Н60УНДФ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-fgp15n60undf-datasheets-5855.pdf | ТО-220-3 | 10,67 мм | 16,51 мм | 4,83 мм | Без свинца | 3 | 4 недели | 1,8 г | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | е3 | Олово (Вс) | 178 Вт | Одинокий | 178 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | КРЕМНИЙ | УПРАВЛЕНИЕ ДВИГАТЕЛЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | ТО-220АБ | 82,4 нс | 600В | 2,7 В | 18,8 нс | 600В | 30А | 69,8 нс | 400 В, 15 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 8,5 В | 2,7 В при 15 В, 15 А | ДНЯО | 43нК | 45А | 9,3 нс/54,8 нс | 370 мкДж (вкл.), 67 мкДж (выкл.) | 12,8 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ФГХ15Т120СМД-Ф155 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2013 год | ТО-247-3 | 6 недель | 6,39 г | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | Нет | 333 Вт | Одинокий | 333 Вт | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 72нс | 1,2 кВ | 1,9 В | 1,2 кВ | 30А | 1200В | 600 В, 15 А, 34 Ом, 15 В | 25 В | 7,5 В | 2,4 В при 15 В, 15 А | Траншейная полевая остановка | 128 НК | 60А | 32 нс/490 нс | 1,15 мДж (вкл.), 460 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКП28Н65ЕС5ХКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчСтоп™ 5 | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | Непригодный | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/infineontechnologies-ikp28n65es5xksa1-datasheets-5872.pdf | ТО-220-3 | 16 недель | 130 Вт | 73нс | 650В | 38А | 400 В, 28 А, 34 Ом, 15 В | 1,9 В @ 15 В, 28 А | Траншейная полевая остановка | 50 НК | 90А | 27 нс/184 нс | 530 мкДж (вкл.), 400 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГД5НБ120СЗ-1 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerMESH™ | Поверхностный монтаж, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgd5nb120sz1-datasheets-5875.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | Без свинца | 3 | 8 недель | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 75 Вт | 260 | СТГД5 | 3 | Одинокий | 30 | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | 690 нс | 12,1 мкс | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 75 Вт | 1,2 кВ | 1,2 кВ | 850 нс | 1,2 кВ | 10А | 1200В | 14100 нс | 960 В, 5 А, 1 кОм, 15 В | 20 В | 5В | 2В @ 15В, 5А | 690 нс/12,1 мкс | 2,59 мДж (вкл.), 9 мДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ65ГП60Б2Г | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СИЛА МОС 7® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/microsemicorporation-apt65gp60b2g-datasheets-5879.pdf | 600В | 100А | ТО-247-3 Вариант | Без свинца | 3 | 3 | да | НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 833 Вт | 3 | Одинокий | 1 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 600В | 84 нс | 600В | 100А | 219 нс | 400 В, 65 А, 5 Ом, 15 В | 2,7 В @ 15 В, 65 А | ПТ | 210 НК | 250А | 30 нс/91 нс | 605 мкДж (вкл.), 896 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ27GA90BD15 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/microsemicorporation-apt27ga90bd15-datasheets-5881.pdf | ТО-247-3 | 3 | 33 недели | да | EAR99 | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 223 Вт | 3 | Одинокий | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 223 Вт | ТО-247АД | 900В | 18 нс | 900В | 48А | 281 нс | 600 В, 14 А, 10 Ом, 15 В | 3,1 В @ 15 В, 14 А | ПТ | 62 НК | 79А | 9 нс/98 нс | 413 мкДж (вкл.), 287 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГВА40Х65ДФБ2 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgwa40h65dfb2-datasheets-5884.pdf | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИГБ50Н65Х5АТМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчСтоп™ 5 | Поверхностный монтаж | -40°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/infineontechnologies-igb50n65h5atma1-datasheets-5803.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 26 недель | EAR99 | 270 Вт | 650В | 80А | 400 В, 50 А, 12 Ом, 15 В | 2,1 В при 15 В, 50 А | Траншейная полевая остановка | 120 НК | 150А | 23 нс/173 нс | 1,59 мДж (вкл.), 750 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГВ30В60ДФ | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgw30v60df-datasheets-5894.pdf | ТО-247-3 | 15,75 мм | 20,15 мм | 5,15 мм | 3 | 20 недель | 3 | EAR99 | Нет | 258 Вт | СТГВ30 | Одинокий | 258 Вт | 1 | КРЕМНИЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 53 нс | 600В | 2,35 В | 59 нс | 600В | 60А | 225 нс | 400 В, 30 А, 10 Ом, 15 В | 2,3 В при 15 В, 30 А | Траншейная полевая остановка | 163 НК | 120А | 45 нс/189 нс | 383 мкДж (вкл.), 233 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКЗ75Н65ЕЛ5ХКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчСтоп™ 5 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/infineontechnologies-ikz75n65el5xksa1-datasheets-5794.pdf | ТО-247-4 | Без свинца | 4 | 16 недель | да | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 536 Вт | ОДИНОКИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСФМ-Т4 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 50 Гц | 536 Вт | 59 нс | 650В | 133 нс | 650В | 100А | 474 нс | 400 В, 75 А, 23 Ом, 15 В | 1,35 В @ 15 В, 75 А | 436 НК | 300А | 120 нс/275 нс | 1,57 мДж (вкл.), 3,2 мДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ХГТП12Н60К3Д | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-hgtp12n60c3d-datasheets-5898.pdf | 600В | 24А | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | 5 недель | 1,8 г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ | Нет | 8541.29.00.95 | е3 | Олово (Вс) | НПН | 104 Вт | ХГТП12Н60 | Одинокий | 104 Вт | 1 | 28 мкс | 270 нс | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ДВИГАТЕЛЕМ | ТО-220АБ | 40 нс | 600В | 1,65 В | 48 нс | 600В | 24А | 480 нс | 2,2 В @ 15 В, 15 А | 48 НК | 96А | 380 мкДж (вкл.), 900 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IKFW40N60DH3EXKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчСтоп™ | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/infineontechnologies-ikfw40n60dh3exksa1-datasheets-5798.pdf | ТО-247-3 | 26 недель | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 111 Вт | 72нс | 600В | 34А | 400 В, 30 А, 10 Ом, 15 В | 2,7 В при 15 В, 30 А | Траншейная полевая остановка | 107 НК | 90А | 18 нс/144 нс | 870 мкДж (вкл.), 360 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФГА40Н65СМД | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-fga40n65smd-datasheets-5905.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | 16,2 мм | 20,1 мм | 5 мм | Без свинца | 3 | 6 недель | 6,401 г | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ | Олово | Нет | 8541.29.00.95 | е3 | 349 Вт | Одинокий | 349 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | 12 нс | 92 нс | КРЕМНИЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 42 нс | 650В | 2,5 В | 650В | 80А | 28нс | 400 В, 40 А, 6 Ом, 15 В | 20 В | 6В | 2,5 В при 15 В, 40 А | Полевая остановка | 119 НК | 120А | 12 нс/92 нс | 820 мкДж (вкл.), 260 мкДж (выкл.) | 17нс |
