| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| АОН6454А_001 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 8-PowerSMD, плоские выводы | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6400Л | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,32 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aon6400l002-datasheets-1559.pdf | 8-PowerSMD, плоские выводы | совместимый | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFT1342-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-sft1342tle-datasheets-2628.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | Без свинца | 9 недель | 3 | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 3 | Одинокий | 1 Вт | 10 нс | 37нс | 75 нс | 135 нс | 12А | 20 В | 60В | 15 Вт Тс | -60В | P-канал | 1150пФ при 20В | 62 мОм при 6 А, 10 В | 2,6 В при 1 мА | 12А Та | 26 НК при 10 В | 4В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SJ438(АИСИН,А,К) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sj438mdkqm-datasheets-2869.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | ТО-220НИС | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOT440L_001 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | ТО-220-3 | ТО-220 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН2705_001 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 6-WDFN Открытая площадка | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC94031CYW | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | TinyFET® | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 16 В | 568мВт Та | P-канал | 450 мОм при 100 мА, 10 В | 1,4 В при 250 мкА | 1А Та | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK2989(T6CANO,Ф,М | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sk2989fj-datasheets-2887.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов | ТО-92МОД | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН2707_001 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 6-WDFN Открытая площадка | 6-ДФН (2х2) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОБ480L_001 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | ТО-263 (Д2Пак) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПС060Н03ЛГБКМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-251-3 Заглушки, ИПак | 30В | 56 Вт Тс | N-канал | 2400пФ при 15В | 6 м Ом при 30 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 50А Ц | 23 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТ2906 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aot2906-datasheets-2959.pdf | ТО-220-3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK2962,T6WNLF(J | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sk2962fj-datasheets-2892.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов | ТО-92МОД | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СДЖ438,МДКК(Дж | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sj438mdkqm-datasheets-2869.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | ТО-220НИС | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK3670(T6CANO,Ф,М | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sk3670fj-datasheets-2891.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов | ТО-92МОД | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOD446_001 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK2962,Ф(Дж | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sk2962fj-datasheets-2892.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов | ТО-92МОД | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK2962(ТЕ6,Ф,М) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 0,98 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sk2962fj-datasheets-2892.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов | 3 | Медь, Серебро, Олово | Одинокий | 900мВт | ТО-92МОД | 8нс | 45 нс | 1А | 20 В | 700мОм | 100В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СПП12N50C3XKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-spa12n50c3xksa1-datasheets-5545.pdf | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СК3670(Ф,М) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sk3670fj-datasheets-2891.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов | ТО-92МОД | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SPS02N60C3BKMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-sps02n60c3bkma1-datasheets-2900.pdf | 3 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | совместимый | НЕТ | ОДИНОКИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | НЕ УКАЗАН | 3 | 175°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 600В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | ТО-251 | 1,8 А | 5,4А | 3Ом | 50 мДж | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СК2962,Т6Ф(М | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sk2962fj-datasheets-2892.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов | ТО-92МОД | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПИ90Н06С404АКСА2 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipi90n06s404aksa1-datasheets-5648.pdf | ТО-262-3 | 3 | 2.387001г | да | НЕТ | ОДИНОКИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | НЕ УКАЗАН | -55°С | 1 | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСИП-Т3 | 60В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | ТО-262АА | 90А | 360А | 0,004 Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПС031Н03ЛГАКМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/infineontechnologies-ipd031n03lgatma1-datasheets-9693.pdf | ТО-251-3 | 6,73 мм | 6,22 мм | 2,39 мм | 3 | 8 недель | 3 | нет | EAR99 | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛЬНЫЙ, СОВМЕСТИМЫЙ С ЛОГИЧЕСКИМ УРОВНЕМ | 8541.29.00.95 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 94 Вт | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 94 Вт | 1 | Не квалифицирован | 4нФ | 9 нс | 6нс | 5 нс | 34 нс | 90А | 20 В | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 400А | 3,1 мОм | 60 мДж | 30В | 3,1 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK2962,T6WNLF(М | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sk2962fj-datasheets-2892.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов | ТО-92МОД | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFC4568EF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOD254_002 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | ТО-252, (Д-Пак) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SJ438(КАНО,К,М) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sj438mdkqm-datasheets-2869.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | ТО-220НИС | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK2989(T6CANO,А,Ф | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sk2989fj-datasheets-2887.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов | ТО-92МОД | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SJ438(АИСИН,К,М) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sj438mdkqm-datasheets-2869.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | ТО-220НИС |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.