Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2СК3670(Ф,М) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sk3670fj-datasheets-2891.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов | ТО-92МОД | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SPS02N60C3BKMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-sps02n60c3bkma1-datasheets-2900.pdf | 3 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | совместимый | НЕТ | ОДИНОКИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | НЕ УКАЗАН | 3 | 175°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 600В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | ТО-251 | 1,8 А | 5,4А | 3Ом | 50 мДж | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СК2962,Т6Ф(М | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sk2962fj-datasheets-2892.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов | ТО-92МОД | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПИ90Н06С404АКСА2 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipi90n06s404aksa1-datasheets-5648.pdf | ТО-262-3 | 3 | 2.387001г | да | НЕТ | ОДИНОКИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | НЕ УКАЗАН | -55°С | 1 | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСИП-Т3 | 60В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | ТО-262АА | 90А | 360А | 0,004 Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПС031Н03ЛГАКМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/infineontechnologies-ipd031n03lgatma1-datasheets-9693.pdf | ТО-251-3 | 6,73 мм | 6,22 мм | 2,39 мм | 3 | 8 недель | 3 | нет | EAR99 | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛЬНЫЙ, СОВМЕСТИМЫЙ С ЛОГИЧЕСКИМ УРОВНЕМ | 8541.29.00.95 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 94 Вт | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 94 Вт | 1 | Не квалифицирован | 4нФ | 9 нс | 6нс | 5 нс | 34 нс | 90А | 20 В | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 400А | 3,1 мОм | 60 мДж | 30В | 3,1 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK2962,T6WNLF(М | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sk2962fj-datasheets-2892.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов | ТО-92МОД | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFC4568EF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOD254_002 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | ТО-252, (Д-Пак) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SJ438(КАНО,К,М) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sj438mdkqm-datasheets-2869.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | ТО-220НИС | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK2989(T6CANO,А,Ф | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sk2989fj-datasheets-2887.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов | ТО-92МОД | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПИ50Р140CPXKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipi50r140cp-datasheets-4307.pdf | EAR99 | совместимый | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPD50R520CPBTMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipd50r520cp-datasheets-4138.pdf | 2 | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | 175°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 500В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | ТО-252АА | 7.1А | 15А | 0,52 Ом | 166 мДж | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPS70R600CEAKMA2 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ips70r600ceakma1-datasheets-1364.pdf | 3 | да | EAR99 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСИП-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 700В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | ТО-251 | 18А | 0,6 Ом | 55 мДж | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ATP405-TL-HX | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SPP03N60C3XKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-spa03n60c3xksa1-datasheets-2195.pdf | 8 недель | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СПП06N60C3XKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-spp06n60c3hksa1-datasheets-1867.pdf | 2 недели | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFH7194TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | FASTIRFET™, HEXFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-irfh7194trpbf-datasheets-2654.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 5 | 17мОм | 8 | EAR99 | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Н5 | 35А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100В | 100В | 3,6 Вт Та 39 Вт Тс | 11А | 140А | 220 мДж | N-канал | 733пФ при 50 В | 16,4 мОм при 21 А, 10 В | 3,6 В при 50 мкА | 11А Та 35А Ц | 19 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BSR606NH6327XTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, OptiMOS™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/infineontechnologies-bsr606nh6327xtsa1-datasheets-2729.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 12 недель | Нет СВХК | 59 | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 500мВт | 1 | 2,3А | 20 В | 60В | 1,8 В | 500мВт Та | N-канал | 657пФ при 25 В | 60 мОм при 2,3 А, 10 В | 2,3 В @ 15 мкА | 2,3А Та | 5,6 нк при 5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SPP07N65C3XKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/infineontechnologies-spi07n65c3hksa1-datasheets-1625.pdf | 650В | 7,3А | ТО-220 | 10,36 мм | 15,95 мм | 4,57 мм | Без свинца | 3 | Без галогенов | 83 Вт | Одинокий | 83 Вт | 1 | 790пФ | 6 нс | 3,5 нс | 7 нс | 60 нс | 7,3А | 20 В | 650В | 650В | 600мОм | 650В | 600 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СПП20Н60С5ХКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-spp20n60s5-datasheets-5194.pdf | ТО-220-3 | 3 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 208 Вт | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | 120 нс | 25нс | 30 нс | 140 нс | 20А | 20 В | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 600В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | ТО-220АБ | 40А | 190мОм | 690 мДж | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО7413_030 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | 2011 г. | СК-70, СОТ-323 | 20 В | 350мВт Та | P-канал | 400пФ при 10В | 113 мОм при 1,4 А, 10 В | 1,2 В @ 250 мкА | 1,4 А Та | 4,5 нк @ 4,5 В | 2,5 В 10 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7400Б_101 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,18 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | 2013 год | 8-PowerVDFN | 30В | 4,1 Вт Та 24 Вт Тс | N-канал | 1440пФ при 15В | 7,5 мОм при 18 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 18А Та 40А Ц | 26 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPD50R399CPBTMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipd50r399cp-datasheets-4065.pdf | 2 | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 4 | 150°С | 40 | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 500В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | ТО-252АА | 9А | 20А | 0,399 Ом | 215 мДж | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СПП07Н60С5ХКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-spp07n60s5xksa1-datasheets-3550.pdf | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | совместимый | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | НЕ УКАЗАН | 3 | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 83 Вт | 600В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | ТО-220АБ | 7,3А | 14,6А | 0,6 Ом | 230 мДж | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFC4468D | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СДЖ438,МДКК(М | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sj438mdkqm-datasheets-2869.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | ТО-220НИС | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFT1452-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-sft1452tlh-datasheets-2633.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | Без свинца | да | EAR99 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | НЕТ | 3 | Полевой транзистор общего назначения | 53А | Одинокий | 250В | 1 Вт Та 26 Вт Тс | 3А | N-канал | 210пФ при 20В | 2,4 Ом при 1,5 А, 10 В | 4,5 В при 1 мА | 3А Та | 4,2 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOD4136L | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | $4,28 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СДМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | 2008 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 25В | 2,1 Вт Та 30 Вт Тс | N-канал | 734пФ при 12,5 В | 11 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 25А Ц | 16,8 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIA444DJT-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysiliconix-sia444djtt1ge3-datasheets-2722.pdf | PowerPAK® SC-70-6 | 2,05 мм | 750 мкм | 2,05 мм | 3 | 15 недель | Неизвестный | 6 | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | 260 | 6 | 1 | Одинокий | 40 | 3,5 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | С-ПДСО-Н3 | 12 нс | 12нс | 10 нс | 15 нс | 12А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 30В | 1В | 3,5 Вт Та 19 Вт Тс | 40А | N-канал | 560пФ при 15В | 17 мОм при 7,4 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 12А Ц | 15 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPD65R600C6ATMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipd65r600c6btma1-datasheets-9801.pdf | 2 | 12 недель | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | -55°С | 1 | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 650В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | ТО-252 | 18А | 0,6 Ом | 142 мДж |
