Срэвниваф | Ибрагейн | Сознание | Проиджодель | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Вер (К.) | Raзmer (lxwxh) | Статус | В припании | Управый | МОНТАНАНГИП | Rraboч -yemperatura | Упако | Вернояж | МАКСИМАЛЕН | Мин | Тела | Опрегиону | Статус Ройс | Опуликовано | Техниль | На | Это | PakeT / KORPUES | Делина | Вес | Шyrina | СОУДНО ПРИОН | Колист | Верна - | МАССА | DOSTIчH SVHC | СОПРОТИВЛЕЙН | Колист | PBFREE CODE | КОД ECCN | Доленитейн Ая | Конец | DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN | HTS -KOD | КОД JESD-609 | ТЕРМИНАЛЕН | БЕЗОПАСНЫЙ | Пефер | МАКСИМАЛЕВАЯ | Терминала | Терминаланая | Пико -Аймперратара | Поседл | Raboч -yemperatura (mamaks) | Raboч -ytemperatura (мин) | Колист. Каналов | Коунфигуразия | Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) | R. | Колист | Подкейгория | Кваликакахионн Статус | КОД JESD-30 | ПАКЕТИВАЕТСЯ | Взёд | В. | Верна | Я не могу | Otklючitath -map зaderжki | Neprrerыwnыйtokdrenaжa (id) | Вернека | МАКСИМАЛИНА | MATERIOLTRANSHOTORA | Коунфигура | Слюна | Прилоэна | Пола | Power Dissipation-Max (ABS) | Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | DS Breakdown Tarstage-Min | ТЕГЕЙНОЛОГИЯ ФЕТ | Переоборот | Power Dissipation-Max | JEDEC-95 Кодеб | Дренан-ток-ток (abs) (id) | Ипюльснтк Слифно -Тока (IDM) | Деджаньиньённик на копротивёни-макс | Utheчs k soprotivoleneю yastoчnika | Rerйtinge evalanche Energy (EAS) | Слив иатошника | ТИП ФЕТ | Взёр. | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | Rds naMaks | Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | Vgs (mmaks) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2SK3670, F (J. | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Чereз dыru | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 2010 ГОД | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-2sk3670fj-datasheets-2891.pdf | 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА | TO-92MOD | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK2962, F (J. | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Чereз dыru | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 2009 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-2sk2962fj-datasheets-2892.pdf | 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА | TO-92MOD | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK2962 (TE6, F, M) | Toshiba semiconductor и хraneneee | $ 0,98 | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Чereз dыru | Чereз dыru | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 150 ° С | -55 ° С | ROHS COMPRINT | 2009 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-2sk2962fj-datasheets-2892.pdf | 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА | 3 | Далее, Секребро, олова | Одинокий | 900 м | TO-92MOD | 8ns | 45 м | 1A | 20 | 700 м | 100 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SPP12N50C3XKSA1 | Infineon Technologies | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | 2005 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-pa12n50c3xksa1-datasheets-5545.pdf | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK3670 (F, M) | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Чereз dыru | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 2010 ГОД | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-2sk3670fj-datasheets-2891.pdf | 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА | TO-92MOD | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SPS02N60C3BKMA1 | Infineon Technologies | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Rershym uluheEnjaina | ROHS COMPRINT | 2005 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-sps02n60c3bkma1-datasheets-2900.pdf | 3 | Лавина | Сообщите | Не | Одинокий | СКВОХА | Nukahan | 3 | 175 ° С | Nukahan | 1 | Н.Квалиирована | R-PSIP-T3 | Кремни | Сингл Соузроннммиди | N-канал | 600 | МЕТАЛЛИСКИХАПОЛУПРОПРОВОВОДИК | 251 | 1,8а | 5.4a | 3 О | 50 MJ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK2962, T6F (м | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Чereз dыru | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 2009 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-2sk2962fj-datasheets-2892.pdf | 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА | TO-92MOD | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPI90N06S404AKSA2 | Infineon Technologies | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Rershym uluheEnjaina | ROHS COMPRINT | 2009 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipi90n06s404aksa1-datasheets-5648.pdf | 262-3 | 3 | 2.387001G | в дар | Не | Одинокий | СКВОХА | Nukahan | -55 ° С | 1 | Nukahan | 1 | R-PSIP-T3 | 60 | Кремни | Сингл Соузроннммиди | Ох | N-канал | 60 | МЕТАЛЛИСКИХАПОЛУПРОПРОВОВОДИК | ДО-262AA | 90A | 360a | 0,004OM | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPS031N03LGAKMA1 | Infineon Technologies | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Чereз dыru | 1 (neograniчennnый) | 175 ° С | -55 ° С | Rershym uluheEnjaina | ROHS COMPRINT | 2008 | /files/infineontechnologies-ipd031n03lgatma1-datasheets-9693.pdf | 251-3 | 6,73 мм | 6,22 мм | 2,39 мм | 3 | 8 | 3 | не | Ear99 | О. | 8541.29.00.95 | E3 | Олово (sn) | БЕЗОПАСНЫЙ | 94W | Nukahan | 3 | Одинокий | Nukahan | 94W | 1 | Н.Квалиирована | 4nf | 9 млн | 6ns | 5 млн | 34 м | 90A | 20 | Псевдон | N-канал | 30 | МЕТАЛЛИСКИХАПОЛУПРОПРОВОВОДИК | 400A | 3,1 МО | 60 мк | 30 | 3.1 МОМ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK2962, T6WNLF (м | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Чereз dыru | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 2009 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-2sk2962fj-datasheets-2892.pdf | 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА | TO-92MOD | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPD65R600C6ATMA1 | Infineon Technologies | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Rershym uluheEnjaina | ROHS COMPRINT | 2008 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipd65r600c6btma1-datasheets-9801.pdf | 2 | 12 | в дар | not_compliant | E3 | Олово (sn) | В дар | Одинокий | Крхлоп | -55 ° С | 1 | R-PSSO-G2 | Кремни | Сингл Соузроннммиди | Ох | Псевдон | N-канал | 650 | МЕТАЛЛИСКИХАПОЛУПРОПРОВОВОДИК | 252 | 18:00 | 0,6 ОМ | 142 MJ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
AON6970_002 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | 2016 | 8-powerwdfn | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPI50R140CPXKSA1 | Infineon Technologies | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | ROHS COMPRINT | 2011 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipi50r140cp-datasheets-4307.pdf | Ear99 | Сообщите | Nukahan | Nukahan | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPD50R520CPBTMA1 | Infineon Technologies | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Rershym uluheEnjaina | ROHS COMPRINT | 2008 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipd50r520cp-datasheets-4138.pdf | 2 | в дар | not_compliant | E3 | Олово (sn) | В дар | Одинокий | Крхлоп | Nukahan | 3 | 175 ° С | Nukahan | 1 | Н.Квалиирована | R-PSSO-G2 | Кремни | Сингл Соузроннммиди | Ох | Псевдон | N-канал | 500 | МЕТАЛЛИСКИХАПОЛУПРОПРОВОВОДИК | 252AA | 7.1a | 15A | 0,52 ОМ | 166 MJ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPS70R600CEAKMA2 | Infineon Technologies | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 3 (168 чASOW) | Rershym uluheEnjaina | В | 2013 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ips70r600ceakma1-datasheets-1364.pdf | 3 | в дар | Ear99 | Не | Одинокий | СКВОХА | Nukahan | Nukahan | 1 | R-PSIP-T3 | Кремни | Сингл Соузроннммиди | Ох | Псевдон | N-канал | 700 | МЕТАЛЛИСКИХАПОЛУПРОПРОВОВОДИК | 251 | 18:00 | 0,6 ОМ | 55 MJ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ATP405-TL-HX | На то, чтобы | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | 10 В | ± 20 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SPP03N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | 2005 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-pa03n60c3xksa1-datasheets-2195.pdf | 8 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SPP06N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | 2008 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-spp06n60c3hksa1-datasheets-1867.pdf | 2 nede | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFH7194TRPBF | Infineon Technologies | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Fastirfet ™, hexfet® | Пефер | Пефер | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) | Rershym uluheEnjaina | ROHS COMPRINT | 2013 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-irfh7194trpbf-datasheets-2654.pdf | 8-Powertdfn | СОУДНО ПРИОН | 5 | 17 м | 8 | Ear99 | Дон | NeT -lederStva | Nukahan | Nukahan | 1 | R-PDSO-N5 | 35A | Кремни | Сингл Соузроннммиди | Ох | Псевдон | 100 | 100 | 3,6 th TA 39W TC | 11A | 140a | 220 MJ | N-канал | 733pf @ 50v | 16,4 мм ω @ 21a, 10 | 3,6 В @ 50 мк | 11A TA 35A TC | 19NC @ 10V | 10 В | ± 20 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BSR606NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ | Пефер | Пефер | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) | Rohs3 | 2013 | /files/infineontechnologies-bsr606nh6327xtsa1-datasheets-2729.pdf | Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 | СОУДНО ПРИОН | 12 | НЕТ SVHC | 59 | Ear99 | E3 | Олово (sn) | БЕЗОПАСНЫЙ | Nukahan | Одинокий | Nukahan | 500 м | 1 | 2.3a | 20 | 60 | 1,8 В. | 500 мг | N-канал | 657pf @ 25V | 60 м ω @ 2,3а, 10 В | 2,3 - @ 15 мк | 2.3A TA | 5,6NC @ 5V | 4,5 В 10 В. | ± 20 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SPP07N65C3XKSA1 | Infineon Technologies | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Чereз dыru | 1 (neograniчennnый) | 150 ° С | -55 ° С | ROHS COMPRINT | 2008 | /files/infineontechnologies-spi07n65c3hksa1-datasheets-1625.pdf | 650 | 7.3A | ДО-220 | 10,36 ММ | 15,95 мм | 4,57 мм | СОУДНО ПРИОН | 3 | БЕЗОПАСНЫЙ | 83 Вт | Одинокий | 83 Вт | 1 | 790pf | 6 м | 3,5NS | 7 млн | 60 млн | 7.3A | 20 | 650 | 650 | 600 м | 650 | 600 м | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SPP20N60S5HKSA1 | Infineon Technologies | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Чereз dыru | 1 (neograniчennnый) | 150 ° С | -55 ° С | Rershym uluheEnjaina | Rohs3 | 2005 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-spp20n60s5-datasheets-5194.pdf | 220-3 | 3 | Лавина | Одинокий | Nukahan | Nukahan | 208 Вт | 1 | R-PSFM-T3 | 120 млн | 25NS | 30 млн | 140 м | 20 часов | 20 | Сингл Соузроннммиди | Ох | Псевдон | N-канал | 600 | МЕТАЛЛИСКИХАПОЛУПРОПРОВОВОДИК | ДО-220AB | 40a | 190mohm | 690 MJ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
AO7413_030 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) | 2011 | SC-70, SOT-323 | 20 | 350 мг | П-канал | 400pf @ 10 a. | 113 м ω @ 1,4a, 10 | 1,2- 250 мк | 1.4A TA | 4,5NC @ 4,5 | 2,5 В 10 В. | ± 12 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
AON7400B_101 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | $ 0,18 | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | -55 ° C ~ 150 ° C TJ | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) | 2013 | 8-powervdfn | 30 | 4,1 th TA 24W TC | N-канал | 1440pf @ 15v | 7,5 мм ω @ 18a, 10 | 2,5 -50 мк | 18A TA 40A TC | 26NC @ 10V | 4,5 В 10 В. | ± 20 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPD50R399CPBTMA1 | Infineon Technologies | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Rershym uluheEnjaina | ROHS COMPRINT | 2008 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipd50r399cp-datasheets-4065.pdf | 2 | в дар | not_compliant | E3 | Олово (sn) | В дар | Одинокий | Крхлоп | 260 | 4 | 150 ° С | 40 | 1 | Н.Квалиирована | R-PSSO-G2 | Кремни | Сингл Соузроннммиди | Ох | Псевдон | N-канал | 500 | МЕТАЛЛИСКИХАПОЛУПРОПРОВОВОДИК | 252AA | 9 часов | 20 часов | 0,399 ОМ | 215 MJ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SPP07N60S5HKSA1 | Infineon Technologies | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Rershym uluheEnjaina | ROHS COMPRINT | 2005 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-spp07n60s5xksa1-datasheets-3550.pdf | 3 | в дар | Ear99 | Лавина | Сообщите | E3 | Олово (sn) | Не | Одинокий | СКВОХА | Nukahan | 3 | 150 ° С | Nukahan | 1 | Скандал | Н.Квалиирована | R-PSFM-T3 | Кремни | Сингл Соузроннммиди | Ох | N-канал | 83 Вт | 600 | МЕТАЛЛИСКИХАПОЛУПРОПРОВОВОДИК | ДО-220AB | 7.3A | 14.6a | 0,6 ОМ | 230 MJ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFC4468D | Infineon Technologies | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SJ438, MDKQ (м | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Чereз dыru | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 2009 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-2sj438mdkqm-datasheets-2869.pdf | 220-3- | ДО-220NIS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SFT1452-H | На то, чтобы | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Чereз dыru | 150 ° C TJ | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) | ROHS COMPRINT | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemyonductor-sft1452tlh-datasheets-2633.pdf | 251-3 КОРОТКИЕЛИ, ИПАК, ДО 251АА | СОУДНО ПРИОН | в дар | Ear99 | E6 | Олово/Висмут (sn/bi) | Не | 3 | Скандал | 53а | Одинокий | 250 | 1 Вт TA 26W TC | 3A | N-канал | 210pf @ 20v | 2,4 ОМа @ 1,5а, 10 В | 4,5 Е @ 1MA | 3ат | 4.2nc @ 10 a. | 10 В | ± 30 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
AOD4136L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | $ 4,28 | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | SDMOS ™ | Пефер | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) | 2008 | TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 | 25 В | 2,1 th TA 30W TC TC | N-канал | 734pf @ 12,5 В. | 11m ω @ 20a, 10 В | 2,5 -50 мк | 25а TC | 16.8nc @ 10V | 4,5 В 10 В. | ± 20 В. |
Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.