Транзисторы с одним MOSFETS - Электронные компоненты Sourcing - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
Срэвниваф Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус В припании Управый МОНТАНАНГИП Rraboч -yemperatura Упако Вернояж МАКСИМАЛЕН Мин Тела Опрегиону Статус Ройс Опуликовано Техниль На Это PakeT / KORPUES Делина Вес Шyrina СОУДНО ПРИОН Колист Верна - МАССА DOSTIчH SVHC СОПРОТИВЛЕЙН Колист PBFREE CODE КОД ECCN Доленитейн Ая Конец DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN HTS -KOD КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН БЕЗОПАСНЫЙ Пефер МАКСИМАЛЕВАЯ Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Поседл Raboч -yemperatura (mamaks) Raboч -ytemperatura (мин) Колист. Каналов Коунфигуразия Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) R. Колист Подкейгория Кваликакахионн Статус КОД JESD-30 ПАКЕТИВАЕТСЯ Взёд В. Верна Я не могу Otklючitath -map зaderжki Neprrerыwnыйtokdrenaжa (id) Вернека МАКСИМАЛИНА MATERIOLTRANSHOTORA Коунфигура Слюна Прилоэна Пола Power Dissipation-Max (ABS) Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) DS Breakdown Tarstage-Min ТЕГЕЙНОЛОГИЯ ФЕТ Переоборот Power Dissipation-Max JEDEC-95 Кодеб Дренан-ток-ток (abs) (id) Ипюльснтк Слифно -Тока (IDM) Деджаньиньённик на копротивёни-макс Utheчs k soprotivoleneю yastoчnika Rerйtinge evalanche Energy (EAS) Слив иатошника ТИП ФЕТ Взёр. Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Rds naMaks Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Vgs (mmaks)
2SK3670,F(J 2SK3670, F (J. Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru МАССА 1 (neograniчennnый) 2010 ГОД https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-2sk3670fj-datasheets-2891.pdf 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА TO-92MOD
2SK2962,F(J 2SK2962, F (J. Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru МАССА 1 (neograniчennnый) 2009 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-2sk2962fj-datasheets-2892.pdf 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА TO-92MOD
2SK2962(TE6,F,M) 2SK2962 (TE6, F, M) Toshiba semiconductor и хraneneee $ 0,98
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru МАССА 1 (neograniчennnый) 150 ° С -55 ° С ROHS COMPRINT 2009 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-2sk2962fj-datasheets-2892.pdf 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА 3 Далее, Секребро, олова Одинокий 900 м TO-92MOD 8ns 45 м 1A 20 700 м 100
SPP12N50C3XKSA1 SPP12N50C3XKSA1 Infineon Technologies
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 2005 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-pa12n50c3xksa1-datasheets-5545.pdf
2SK3670(F,M) 2SK3670 (F, M) Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru МАССА 1 (neograniчennnый) 2010 ГОД https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-2sk3670fj-datasheets-2891.pdf 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА TO-92MOD
SPS02N60C3BKMA1 SPS02N60C3BKMA1 Infineon Technologies
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Rershym uluheEnjaina ROHS COMPRINT 2005 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-sps02n60c3bkma1-datasheets-2900.pdf 3 Лавина Сообщите Не Одинокий СКВОХА Nukahan 3 175 ° С Nukahan 1 Н.Квалиирована R-PSIP-T3 Кремни Сингл Соузроннммиди N-канал 600 МЕТАЛЛИСКИХАПОЛУПРОПРОВОВОДИК 251 1,8а 5.4a 3 О 50 MJ
2SK2962,T6F(M 2SK2962, T6F (м Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru МАССА 1 (neograniчennnый) 2009 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-2sk2962fj-datasheets-2892.pdf 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА TO-92MOD
IPI90N06S404AKSA2 IPI90N06S404AKSA2 Infineon Technologies
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Rershym uluheEnjaina ROHS COMPRINT 2009 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipi90n06s404aksa1-datasheets-5648.pdf 262-3 3 2.387001G в дар Не Одинокий СКВОХА Nukahan -55 ° С 1 Nukahan 1 R-PSIP-T3 60 Кремни Сингл Соузроннммиди Ох N-канал 60 МЕТАЛЛИСКИХАПОЛУПРОПРОВОВОДИК ДО-262AA 90A 360a 0,004OM
IPS031N03LGAKMA1 IPS031N03LGAKMA1 Infineon Technologies
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru 1 (neograniчennnый) 175 ° С -55 ° С Rershym uluheEnjaina ROHS COMPRINT 2008 /files/infineontechnologies-ipd031n03lgatma1-datasheets-9693.pdf 251-3 6,73 мм 6,22 мм 2,39 мм 3 8 3 не Ear99 О. 8541.29.00.95 E3 Олово (sn) БЕЗОПАСНЫЙ 94W Nukahan 3 Одинокий Nukahan 94W 1 Н.Квалиирована 4nf 9 млн 6ns 5 млн 34 м 90A 20 Псевдон N-канал 30 МЕТАЛЛИСКИХАПОЛУПРОПРОВОВОДИК 400A 3,1 МО 60 мк 30 3.1 МОМ
2SK2962,T6WNLF(M 2SK2962, T6WNLF (м Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru МАССА 1 (neograniчennnый) 2009 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-2sk2962fj-datasheets-2892.pdf 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА TO-92MOD
IPD65R600C6ATMA1 IPD65R600C6ATMA1 Infineon Technologies
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rershym uluheEnjaina ROHS COMPRINT 2008 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipd65r600c6btma1-datasheets-9801.pdf 2 12 в дар not_compliant E3 Олово (sn) В дар Одинокий Крхлоп -55 ° С 1 R-PSSO-G2 Кремни Сингл Соузроннммиди Ох Псевдон N-канал 650 МЕТАЛЛИСКИХАПОЛУПРОПРОВОВОДИК 252 18:00 0,6 ОМ 142 MJ
AON6970_002 AON6970_002 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) 2016 8-powerwdfn
IPI50R140CPXKSA1 IPI50R140CPXKSA1 Infineon Technologies
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2011 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipi50r140cp-datasheets-4307.pdf Ear99 Сообщите Nukahan Nukahan
IPD50R520CPBTMA1 IPD50R520CPBTMA1 Infineon Technologies
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rershym uluheEnjaina ROHS COMPRINT 2008 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipd50r520cp-datasheets-4138.pdf 2 в дар not_compliant E3 Олово (sn) В дар Одинокий Крхлоп Nukahan 3 175 ° С Nukahan 1 Н.Квалиирована R-PSSO-G2 Кремни Сингл Соузроннммиди Ох Псевдон N-канал 500 МЕТАЛЛИСКИХАПОЛУПРОПРОВОВОДИК 252AA 7.1a 15A 0,52 ОМ 166 MJ
IPS70R600CEAKMA2 IPS70R600CEAKMA2 Infineon Technologies
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 3 (168 чASOW) Rershym uluheEnjaina В 2013 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ips70r600ceakma1-datasheets-1364.pdf 3 в дар Ear99 Не Одинокий СКВОХА Nukahan Nukahan 1 R-PSIP-T3 Кремни Сингл Соузроннммиди Ох Псевдон N-канал 700 МЕТАЛЛИСКИХАПОЛУПРОПРОВОВОДИК 251 18:00 0,6 ОМ 55 MJ
ATP405-TL-HX ATP405-TL-HX На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) 10 В ± 20 В.
SPP03N60C3XKSA1 SPP03N60C3XKSA1 Infineon Technologies
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 2005 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-pa03n60c3xksa1-datasheets-2195.pdf 8
SPP06N60C3XKSA1 SPP06N60C3XKSA1 Infineon Technologies
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 2008 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-spp06n60c3hksa1-datasheets-1867.pdf 2 nede
IRFH7194TRPBF IRFH7194TRPBF Infineon Technologies
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Fastirfet ™, hexfet® Пефер Пефер -55 ° C ~ 150 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Rershym uluheEnjaina ROHS COMPRINT 2013 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-irfh7194trpbf-datasheets-2654.pdf 8-Powertdfn СОУДНО ПРИОН 5 17 м 8 Ear99 Дон NeT -lederStva Nukahan Nukahan 1 R-PDSO-N5 35A Кремни Сингл Соузроннммиди Ох Псевдон 100 100 3,6 th TA 39W TC 11A 140a 220 MJ N-канал 733pf @ 50v 16,4 мм ω @ 21a, 10 3,6 В @ 50 мк 11A TA 35A TC 19NC @ 10V 10 В ± 20 В.
BSR606NH6327XTSA1 BSR606NH6327XTSA1 Infineon Technologies
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Пефер Пефер -55 ° C ~ 150 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Rohs3 2013 /files/infineontechnologies-bsr606nh6327xtsa1-datasheets-2729.pdf Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 СОУДНО ПРИОН 12 НЕТ SVHC 59 Ear99 E3 Олово (sn) БЕЗОПАСНЫЙ Nukahan Одинокий Nukahan 500 м 1 2.3a 20 60 1,8 В. 500 мг N-канал 657pf @ 25V 60 м ω @ 2,3а, 10 В 2,3 - @ 15 мк 2.3A TA 5,6NC @ 5V 4,5 В 10 В. ± 20 В.
SPP07N65C3XKSA1 SPP07N65C3XKSA1 Infineon Technologies
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru 1 (neograniчennnый) 150 ° С -55 ° С ROHS COMPRINT 2008 /files/infineontechnologies-spi07n65c3hksa1-datasheets-1625.pdf 650 7.3A ДО-220 10,36 ММ 15,95 мм 4,57 мм СОУДНО ПРИОН 3 БЕЗОПАСНЫЙ 83 Вт Одинокий 83 Вт 1 790pf 6 м 3,5NS 7 млн 60 млн 7.3A 20 650 650 600 м 650 600 м
SPP20N60S5HKSA1 SPP20N60S5HKSA1 Infineon Technologies
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru 1 (neograniчennnый) 150 ° С -55 ° С Rershym uluheEnjaina Rohs3 2005 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-spp20n60s5-datasheets-5194.pdf 220-3 3 Лавина Одинокий Nukahan Nukahan 208 Вт 1 R-PSFM-T3 120 млн 25NS 30 млн 140 м 20 часов 20 Сингл Соузроннммиди Ох Псевдон N-канал 600 МЕТАЛЛИСКИХАПОЛУПРОПРОВОВОДИК ДО-220AB 40a 190mohm 690 MJ
AO7413_030 AO7413_030 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 150 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 2011 SC-70, SOT-323 20 350 мг П-канал 400pf @ 10 a. 113 м ω @ 1,4a, 10 1,2- 250 мк 1.4A TA 4,5NC @ 4,5 2,5 В 10 В. ± 12 В.
AON7400B_101 AON7400B_101 Alpha & Omega Semiconductor Inc. $ 0,18
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 150 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 2013 8-powervdfn 30 4,1 th TA 24W TC N-канал 1440pf @ 15v 7,5 мм ω @ 18a, 10 2,5 -50 мк 18A TA 40A TC 26NC @ 10V 4,5 В 10 В. ± 20 В.
IPD50R399CPBTMA1 IPD50R399CPBTMA1 Infineon Technologies
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rershym uluheEnjaina ROHS COMPRINT 2008 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipd50r399cp-datasheets-4065.pdf 2 в дар not_compliant E3 Олово (sn) В дар Одинокий Крхлоп 260 4 150 ° С 40 1 Н.Квалиирована R-PSSO-G2 Кремни Сингл Соузроннммиди Ох Псевдон N-канал 500 МЕТАЛЛИСКИХАПОЛУПРОПРОВОВОДИК 252AA 9 часов 20 часов 0,399 ОМ 215 MJ
SPP07N60S5HKSA1 SPP07N60S5HKSA1 Infineon Technologies
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Rershym uluheEnjaina ROHS COMPRINT 2005 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-spp07n60s5xksa1-datasheets-3550.pdf 3 в дар Ear99 Лавина Сообщите E3 Олово (sn) Не Одинокий СКВОХА Nukahan 3 150 ° С Nukahan 1 Скандал Н.Квалиирована R-PSFM-T3 Кремни Сингл Соузроннммиди Ох N-канал 83 Вт 600 МЕТАЛЛИСКИХАПОЛУПРОПРОВОВОДИК ДО-220AB 7.3A 14.6a 0,6 ОМ 230 MJ
IRFC4468D IRFC4468D Infineon Technologies
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый)
2SJ438,MDKQ(M 2SJ438, MDKQ (м Toshiba semiconductor и хraneneee
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru МАССА 1 (neograniчennnый) 2009 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemyonductorandstorage-2sj438mdkqm-datasheets-2869.pdf 220-3- ДО-220NIS
SFT1452-H SFT1452-H На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru 150 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ROHS COMPRINT https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemyonductor-sft1452tlh-datasheets-2633.pdf 251-3 КОРОТКИЕЛИ, ИПАК, ДО 251АА СОУДНО ПРИОН в дар Ear99 E6 Олово/Висмут (sn/bi) Не 3 Скандал 53а Одинокий 250 1 Вт TA 26W TC 3A N-канал 210pf @ 20v 2,4 ОМа @ 1,5а, 10 В 4,5 Е @ 1MA 3ат 4.2nc @ 10 a. 10 В ± 30 v
AOD4136L AOD4136L Alpha & Omega Semiconductor Inc. $ 4,28
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА SDMOS ™ Пефер -55 ° C ~ 175 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 2008 TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 25 В 2,1 th TA 30W TC TC N-канал 734pf @ 12,5 В. 11m ω @ 20a, 10 В 2,5 -50 мк 25а TC 16.8nc @ 10V 4,5 В 10 В. ± 20 В.

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.