| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Время подъема | Осень (тип.) | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| АО4485_102 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | 2010 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 40В | 1,7 Вт Та | P-канал | 3000пФ при 20В | 15 мОм при 10 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 10А Та | 55,4 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК9230-80ЭЖ | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nexperiausainc-buk921360ej-datasheets-1979.pdf | ДПАК | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFC3206EB | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOD4144_002 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СДМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aod4144002-datasheets-2577.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 30 В | 2,3 Вт Та 50 Вт Тс | N-канал | 1430пФ при 15В | 8 м Ом при 20 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 13А Та 55А Ц | 28 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFC4332ED | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFC4227ED | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOD425_001 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | 2011 г. | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 30 В | 2,5 Вт Та 71 Вт Тс | P-канал | 2200пФ при 15 В | 17 мОм при 20 А, 10 В | 3,5 В @ 250 мкА | 9А Та 50А Ц | 38 НК при 10 В | 5В 10В | ±25 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7548_101 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | АльфаМОС | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aon7548101-datasheets-2582.pdf | 8-PowerVDFN | 30 В | 3,1 Вт Та 23 Вт Тс | N-канал | 1086пФ при 15В | 8,8 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 14А Та 24А Ц | 22 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФС6Б14НЛТ3Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs6b14nlt1g-datasheets-2036.pdf | 8-PowerTDFN, 5 выводов | Без свинца | 5 | 38 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Ф5 | 55А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 100В | 100В | 3,8 Вт Та 94 Вт Тс | 140А | 0,019 Ом | 29 мДж | N-канал | 1680пФ при 25В | 13 мОм при 20 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 11А Та 55А Ц | 8 нк при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±16 В | ||||||||||||||||||||
| АОН6598 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2016 год | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFC4368D | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVD5807NT4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-ntd5807nt4g-datasheets-3079.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 25 недель | 4 | ПОЖИЗНЕННЫЙ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | Одинокий | 33 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 20,4 нс | 2 нс | 23А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 33 Вт Тс | 40В | N-канал | 603пФ при 25 В | 31 мОм при 5 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 23А Тк | 20 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||
| АО4437Л | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,34 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-ao4437-datasheets-1641.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 12 В | 3 Вт Та | P-канал | 4750пФ при 6В | 16 мОм при 11 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 11А Та | 47 НК при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOD516_051 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2016 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFC4104EB | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFC3205ZEB | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4771Л | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-ao4771l-datasheets-2511.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | совместимый | 30 В | 2 Вт Та | P-канал | 350пФ при 15В | 68 мОм при 4 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 4А Та | 7 нк @ 10 В | Диод Шоттки (корпус) | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFC4115ED | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО6411 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | АльфаМОС | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-ao6411-datasheets-2513.pdf | СК-74, СОТ-457 | 20 В | 2,7 Вт Та | P-канал | 1025пФ при 10В | 900 мВ при 250 мкА | 7А Та | 18 НК при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТПХ3202ЛД | Трансформировать | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 3 (168 часов) | GaNFET (нитрид галлия) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/transphorm-tph3202ls-datasheets-2389.pdf | 4-PowerDFN | 14 недель | да | неизвестный | 600В | 65 Вт Тс | N-канал | 760пФ при 480В | 350 мОм при 5,5 А, 8 В | 2,5 В при 250 мкА | 9А Тц | 9,3 нк при 4,5 В | 10 В | ±18 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6508_101 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | АльфаМОС | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | 2013 год | 8-PowerSMD, плоские выводы | 30 В | 4,2 Вт Та 41 Вт Тс | N-канал | 2010пФ при 15В | 3,2 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 29А Та 32А Ц | 49 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AUXS20956S | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4304_001 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2016 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8-СОИК | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМТХ10Х030ЛК3-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/diodesincorporated-dmth10h030lk313-datasheets-2462.pdf | ТО-252-5, ДПак (4 отведения + вкладка), ТО-252АД | 2 | 27 недель | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПССО-Г2 | 28А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100В | 100В | 2,1 Вт Та | 50А | 0,045 Ом | 85 мДж | N-канал | 1871 пФ при 50 В | 30 мОм при 20 А, 10 В | 3,5 В @ 250 мкА | 28А ТЦ | 33,3 НК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||
| IRFC4668D | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФС6Б05НЛВФТ3Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs6b05nlt1g-datasheets-2224.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 5 | 38 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 1 | Р-ПДСО-Ф5 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 100В | 100В | 3,8 Вт Ta 165 Вт Tc | 114А | 330А | 125 мДж | N-канал | 3980пФ при 25В | 5,6 мОм при 20 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 6,8 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±16 В | |||||||||||||||||||||||
| АОН2701_001 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | 2010 год | 6-WDFN Открытая площадка | 20 В | 1,5 Вт Та | P-канал | 700пФ при 10В | 120 мОм при 3 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 3А Та | 6,5 нк при 4,5 В | Диод Шоттки (корпус) | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AO4404BL_101 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | 2011 г. | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 30 В | 3,1 Вт Та | N-канал | 630пФ при 15 В | 24 мОм при 8,5 А, 10 В | 1,45 В @ 250 мкА | 8,5А Та | 7 НК при 4,5 В | 2,5 В 10 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRLC8743EB | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFC3107EB | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.