Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Выключить Тайм-Макс (toff) | Время включения-Макс (тонна) | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| БФЛ4001-1EX | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bfl40011e-datasheets-7116.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 6,5 А | 900В | 2 Вт Та 37 Вт Тс | N-канал | 850пФ при 30В | 2,7 Ом при 3,25 А, 10 В | 6,5 А Та | 44 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFC4115EB | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПИ120Н06С4Х1АКСА2 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, OptiMOS™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipp120n06s4h1aksa2-datasheets-1522.pdf | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | 3 | е3 | Олово (Вс) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 1 | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСИП-Т3 | 120А | 60В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 250 Вт Тс | 480А | 0,0024Ом | N-канал | 21900пФ при 25В | 2,4 мОм при 100 А, 10 В | 4 В @ 200 мкА | 120А Ц | 270 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ББЛ4001 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bbl40011e-datasheets-2572.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | EAR99 | Олово/медь/серебро/никель (Sn/Cu/Ag/Ni) | Полевой транзистор общего назначения | 74А | Одинокий | 60В | 2 Вт Та 35 Вт Тс | N-канал | 6900пФ при 20 В | 6,1 мОм при 37 А, 10 В | 2,6 В @ 1 мА | 74А Та | 135 НК при 10 В | 4В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СУМ120Н04-1М7Л-ГЕ3 | Вишай Силиконикс | 1,51 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sum120n041m7lge3-datasheets-2065.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 13 недель | EAR99 | неизвестный | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 1 | Р-ПССО-Г2 | 120А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 40В | 375 Вт Тс | 480А | 0,0017Ом | 423 мДж | N-канал | 11685пФ при 20 В | 17 мОм при 30 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 120А Ц | 285 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПИ80П04П4Л08АКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, OptiMOS™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipp80p04p4l08aksa1-datasheets-1890.pdf | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | Содержит свинец | 14 недель | 3 | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 12 нс | 11нс | 35 нс | 42 нс | 80А | 16 В | -40В | 40В | 75 Вт Тс | P-канал | 5430пФ при 25В | 8,2 мОм при 80 А, 10 В | 2,2 В @ 120 мкА | 80А Ц | 92 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | +5В, -16В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK4125-1EX | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-2sk4125-datasheets-9184.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | 3 | 17А | 600В | 2,5 Вт Та 170 Вт Тс | N-канал | 1200пФ при 30В | 610 мОм при 7 А, 10 В | 17А Та | 46 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СУД50Н03-12П-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sud50n0312pge3-datasheets-2078.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 3 | Олово | 1 | Одинокий | ТО-252 | 1,6 нФ | 9 нс | 15нс | 12 нс | 20 нс | 17,5А | 20 В | 30 В | 39 Вт Тс | 12мОм | 30 В | N-канал | 1600пФ при 25В | 17 мОм при 20 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 16,8А Та | 42 НК при 10 В | 17 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СУМ25П10-138-Е3 | Вишай Силиконикс | $9,55 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sum25p10138e3-datasheets-2086.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | Нет СВХК | 3 | EAR99 | неизвестный | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 1 | Р-ПССО-Г2 | 16,7А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | П-КАНАЛ | 100В | 100В | 3,75 Вт Ta 88,2 Вт Tc | 40А | 0,142 Ом | N-канал | 2110пФ при 25 В | 13,8 мОм при 6 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 16,7 А Тс | 60 НК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СУД50Н02-09П-GE3 | Вишай Силиконикс | 2,76 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sud50n0209pge3-datasheets-2090.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 1,437803г | 8кОм | 3 | Нет | 1 | 8 нс | 10 нс | 12 нс | 25 нс | 20А | 20 В | 39,5 Вт Тс | N-канал | 1300пФ при 10В | 14 мОм при 20 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 20А Та | 16 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК9234-100ЭЖ | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nexperiausainc-buk921360ej-datasheets-1979.pdf | ДПАК | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMN40UPEAX | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/nexperiausainc-pmn40upe115-datasheets-8890.pdf | СК-74, СОТ-457 | 6 | 6 недель | АЭК-Q101; МЭК-60134 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 6 | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Г6 | 4,7А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | 500 мВт Ta 8,33 Вт Tc | 0,072Ом | P-канал | 1820пФ при 10В | 43 мОм при 3 А, 4,5 В | 950 мВ при 250 мкА | 4,7А Та | 23 НК при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDMS9410L-F085 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fdms9410lf085-datasheets-2030.pdf | 8-PowerTDFN | 5 | 24 недели | 172,8 мг | 8 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Ф5 | 50А | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 40В | 75 Вт Тиджей | 0,0065Ом | 24 мДж | N-канал | 1960пФ при 20В | 46нс | 21нс | 4,1 мОм при 50 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 50А Ц | 45 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПП120Н06С402АКСА2 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, OptiMOS™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipi120n06s402aksa2-datasheets-4027.pdf | ТО-220-3 | 6.000006г | 1 | 188 Вт | 1 | ПГ-ТО220-3-1 | 15,75 нФ | 120А | 20 В | 60В | 60В | 188 Вт Тс | N-канал | 15750пФ при 25В | 2,8 мОм при 100 А, 10 В | 4 В @ 140 мкА | 120А Ц | 195 НК при 10 В | 2,8 мОм | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФС6Б14НЛТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-nvmfs6b14nlt1g-datasheets-2036.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 5 | 38 недель | Нет СВХК | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Ф5 | 55А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 100В | 100В | 3В | 3,8 Вт Та 94 Вт Тс | 140А | 0,019 Ом | 29 мДж | N-канал | 1680пФ при 25В | 13 мОм при 20 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 11А Та 55А Ц | 8 нк при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±16 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК9213-60ЭДЖ | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nexperiausainc-buk921360ej-datasheets-1979.pdf | ДПАК | 12 недель | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИР808ДП-Т1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-sir808dpt1ge3-datasheets-2044.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 5 | 506,605978мг | Неизвестный | 8 | EAR99 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 40 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПДСО-С5 | 5 нс | 10 нс | 7 нс | 14 нс | 20А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1В | 29,8 Вт Тс | 50А | 22 мДж | 25В | N-канал | 815пФ при 12,5 В | 8,9 мОм при 17 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 20А Ц | 22,8 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК9214-80ЭЖ | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nexperiausainc-buk921360ej-datasheets-1979.pdf | ДПАК | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SJ665-DL-1EX | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-2sj665dle-datasheets-0015.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | ТО-263-2 | 4,2 нФ | 27А | 100В | 65 Вт Тс | P-канал | 4200пФ при 20 В | 77 мОм при 14 А, 10 В | 27А Та | 74 НК при 10 В | 77 мОм | 4В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMN27XPEAX | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/nexperiausainc-pmn27xpeax-datasheets-1985.pdf | СК-74, СОТ-457 | 6 | 6 недель | АЭК-Q101; МЭК-60134 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 6 | 6 | Р-ПДСО-Г6 | 4,4А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | 530 мВт Ta 8,33 Вт Tc | 0,03 Ом | P-канал | 1770пФ при 10В | 30 мОм при 3 А, 4,5 В | 1,25 В @ 250 мкА | 4,4А Та | 22,5 НК при 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК9216-100ЭЖ | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nexperiausainc-buk921360ej-datasheets-1979.pdf | ДПАК | 12 недель | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVD5863NLT4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-nvd5863nlt4g-datasheets-1884.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,38 мм | 6,22 мм | Без свинца | 2 | 27 недель | 4 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 часа назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | Одинокий | 3,1 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 12,8 нс | 24,4 нс | 55 нс | 37,6 нс | 82А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 60В | 60В | 3,1 Вт Та 96 Вт Тс | 320 мДж | N-канал | 3850пФ при 25В | 7,1 мОм при 41 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 14,9А Та 82А Ц | 70 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| НДТ02Н40Т1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/onsemiconductor-ndd02n40t4g-datasheets-8422.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | Без свинца | 4 | 24 недели | 4 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | Одинокий | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 5 нс | 7нс | 4 нс | 14 нс | 400 мА | 20 В | ОСУШАТЬ | 400В | 2 Вт Тс | 1,6 А | 0,0055Ом | 120 мДж | N-канал | 121пФ при 25В | 5,5 Ом при 220 мА, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 400 мА Тс | 5,5 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПЗ60Р125П6ФКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ P6 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipz60r125p6fksa1-datasheets-2000.pdf | ТО-247-4 | Без свинца | 4 | 19 недель | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСФМ-Т4 | 37,9А | 600В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 219 Вт Тс | 87А | 0,125 Ом | 636 мДж | N-канал | 3330пФ при 100В | 99 мОм при 14,5 А, 10 В | 4,5 В при 1,21 мА | 37,9А Ц | 70 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SSM3K17SU,LF(Д | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК9222-100ЭЖ | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nexperiausainc-buk921360ej-datasheets-1979.pdf | ДПАК | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПИ120П04П404АКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, OptiMOS™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipp120p04p404aksa1-datasheets-1872.pdf | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | Содержит свинец | 3 | 14 недель | 3 | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | 30 нс | 20нс | 52 нс | 49 нс | 120А | 20 В | -40В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 40В | 136 Вт Тс | 480А | 78 мДж | P-канал | 14790пФ при 25В | 3,8 мОм при 100 А, 10 В | 4 В при 340 мкА | 120А Ц | 205 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК9223-60ЭЖ | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nexperiausainc-buk921360ej-datasheets-1979.pdf | ДПАК | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMN70XPEAX | Нексперия США Инк. | 1,06 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nexperiausainc-pmn70xpe115-datasheets-7688.pdf | СК-74, СОТ-457 | 6 | 6 недель | АЭК-Q101; МЭК-60134 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 6 | 6 | Р-ПДСО-Г6 | 3,2А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | 500 мВт Ta 6,25 Вт Tc | 0,085Ом | P-канал | 602пФ при 10В | 85 мОм при 2 А, 4,5 В | 1,25 В @ 250 мкА | 3.2А Та | 7,8 нк при 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НДД03Н80ЗТ4Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/onsemiconductor-ndd03n80z1g-datasheets-7826.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 9 недель | 4 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 4 | Одинокий | 40 | 96 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | Р-ПССО-Г2 | 9 нс | 7нс | 9 нс | 17 нс | 2,9 А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 800В | 800В | 96 Вт Тс | N-канал | 440пФ при 25В | 4,5 Ом при 1,2 А, 10 В | 4,5 В при 50 мкА | 2,9 А Тс | 17 НК при 10 В | 10 В | ±30 В |
