Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 64-9149ПБФ | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АУИРФП4310Z | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, HEXFET® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-auirfp4310z-datasheets-2241.pdf | ТО-247-3 | 3 | 19 недель | EAR99 | СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | 128А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 100 В | 278 Вт Тс | ТО-247АС | 120А | 480А | 0,006Ом | 355 мДж | N-канал | 7120пФ при 50В | 6 мОм при 77 А, 10 В | 4 В @ 150 мкА | 128А Ц | 188 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ25СМ120Б | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | SiCFET (карбид кремния) | Соответствует RoHS | ТО-247-3 | ТО-247 | 25А | 1200В | 175 Вт Тс | N-канал | 175 мОм при 10 А, 20 В | 2,5 В при 1 мА | 25А Ц | 72 НК при 20 В | 175 мОм | 20 В | +25В, -10В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФС6Б05НЛВФТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs6b05nlt1g-datasheets-2224.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 5 | 38 недель | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 1 | Р-ПДСО-Ф5 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 100 В | 100 В | 3,8 Вт Ta 165 Вт Tc | 114А | 330А | 125 мДж | N-канал | 3980пФ при 25В | 5,6 мОм при 20 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 6,8 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±16 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF6810STRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/infineontechnologies-irf6810str1pbf-datasheets-8385.pdf | DirectFET™ Изометрический S1 | 3 | 13 недель | 8 | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | НИЖНИЙ | 2,1 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-XBCC-N3 | 8,2 нс | 22нс | 4,8 нс | 11 нс | 16А | 16 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2,1 Вт Та 20 Вт Тс | 50А | 0,0052Ом | 25В | N-канал | 1038пФ при 13В | 5,2 мОм при 16 А, 10 В | 2,1 В при 25 мкА | 16А Та 50А Ц | 11 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±16 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFH7182TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | FASTIRFET™, HEXFET® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-irfh7182trpbf-datasheets-2192.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 5 | EAR99 | ДА | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Н5 | 157А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 100 В | 4 Вт Та 195 Вт Тс | 23А | 320А | 0,0039Ом | 728 мДж | N-канал | 3120пФ при 50В | 3,9 мОм при 50 А, 10 В | 3,6 В при 250 мкА | 23А Та 157А Ц | 74 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПП80Н06С4Л05АКСА2 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, OptiMOS™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipb80n06s4l05atma2-datasheets-0347.pdf | ТО-220-3 | 3 | 3 | е3 | Олово (Вс) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | 14 нс | 4нс | 13 нс | 80 нс | 80А | 16 В | 60В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 107 Вт Тс | ТО-220АБ | 0,0048Ом | 152 мДж | N-канал | 8180пФ при 25 В | 8,5 мОм при 40 А, 4,5 В | 2,2 В @ 60 мкА | 80А Ц | 110 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±16 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФДМС86580-F085 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fdms86580f085-datasheets-2198.pdf | 8-PowerTDFN | 24 недели | 172,8 мг | 8 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | Одинокий | 50А | 60В | 75 Вт Тиджей | N-канал | 1430пФ при 30В | 9,6 мОм при 50 А, 10 В | 4,2 В @ 250 мкА | 50А Ц | 30 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRLC4030EB | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ80СМ120Б | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | SiCFET (карбид кремния) | Соответствует RoHS | 1997 год | ТО-247-3 | 22 недели | EAR99 | 80А | 1200В | 555 Вт Тс | N-канал | 55 мОм при 40 А, 20 В | 2,5 В при 1 мА | 80А Ц | 235 НК при 20 В | 20 В | +25В, -10В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 94-2503ПБФ | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 94-2355ПБФ | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 4В 10В | ±16 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФС6Б03НЛТ3Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs6b03nlt1g-datasheets-2171.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 32 недели | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 100 В | 3,9 Вт Та 198 Вт Тс | N-канал | 5320пФ при 25В | 4 м Ом при 20 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 9,4 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±16 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФС6Б14НЛВФТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/onsemiconductor-nvmfs6b14nlt1g-datasheets-2036.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 5 | 38 недель | Нет СВХК | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Ф5 | 55А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 100 В | 100 В | 3В | 3,8 Вт Та 94 Вт Тс | 140А | 0,019 Ом | 29 мДж | N-канал | 1680пФ при 25В | 13 мОм при 20 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 11А Та 55А Ц | 8 нк при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±16 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФС6Б05НЛТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs6b05nlt1g-datasheets-2224.pdf | 8-PowerTDFN, 5 выводов | Без свинца | 5 | 38 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 1 | Р-ПДСО-Ф5 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 100 В | 100 В | 3,8 Вт Ta 165 Вт Tc | 114А | 330А | 0,0082Ом | 125 мДж | N-канал | 3980пФ при 25В | 5,6 мОм при 20 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 6,8 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±16 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПП90Н06С4Л04АКСА2 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, OptiMOS™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipb90n06s4l04atma2-datasheets-9134.pdf | ТО-220-3 | 3 | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 1 | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | 90А | 60В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 150 Вт Тс | ТО-220АБ | 360А | 0,0034Ом | N-канал | 13000пФ при 25В | 3,7 мОм при 90 А, 10 В | 2,2 В при 90 мкА | 90А Ц | 170 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±16 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПИ120Н06С403АКСА2 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, OptiMOS™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipb120n06s403atma2-datasheets-8197.pdf | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | 3 | е3 | Олово (Вс) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 1 | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСИП-Т3 | 120А | 60В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 167 Вт Тс | 480А | 0,0032Ом | 392 мДж | N-канал | 13150пФ при 25В | 3,2 мОм при 100 А, 10 В | 4 В @ 120 мкА | 120А Ц | 160 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SUD45P04-16P-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sud45p0416pge3-datasheets-2151.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 13 недель | 3 | EAR99 | Нет | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | 1 | Одинокий | 2,1 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | 10 нс | 20нс | 20 нс | 42 нс | 36А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 40В | 2,1 Вт Ta 41,7 Вт Tc | P-канал | 2765пФ при 20 В | 16,2 мОм при 14 А, 20 В | 2,5 В при 250 мкА | 36А Тк | 100 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 94-4849ПБФ | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | ДПАК | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СУП25П10-138-ГЭ3 | Вишай Силиконикс | $2,06 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sup25p10138ge3-datasheets-2164.pdf | ТО-220-3 | 3 | 6.000006г | Нет СВХК | 3 | EAR99 | неизвестный | 1 | Одинокий | 1 | 16,3А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | П-КАНАЛ | 100 В | 3,1 Вт Ta 73,5 Вт Tc | ТО-220АБ | 40А | N-канал | 2100пФ при 50В | 13,8 мОм при 6 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 16,3 А Тс | 60 НК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK4098FS | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-2sk4098fs-datasheets-2167.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 3 | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 3 | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | 2 Вт | ТО-220АБ | 6А | 28А | 98 мДж | N-канал | 600пФ при 30В | 1,1 Ом при 3,5 А, 10 В | 6А Тк | 23,5 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФС6Б03НЛТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs6b03nlt1g-datasheets-2171.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 32 недели | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 100 В | 3,9 Вт Та 198 Вт Тс | N-канал | 5320пФ при 25В | 4 м Ом при 20 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 9,4 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±16 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVTFS5820NLTWG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/onsemiconductor-nvtfs5820nlwftwg-datasheets-7146.pdf | 8-PowerWDFN | 3,15 мм | 750 мкм | 3,15 мм | Без свинца | 5 | 23 недели | 11,5 МОм | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 8 | Одинокий | 21 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | С-ПДСО-Ф5 | 10 нс | 28нс | 22 нс | 19 нс | 11А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 3,2 Вт Та 21 Вт Тс | 29А | 247А | 60В | N-канал | 1462пФ при 25В | 11,5 мОм при 8,7 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 11А Та | 28 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||
| ИПБ160Н04С2Л03АТМА2 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, OptiMOS™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/infineontechnologies-ipb160n04s2l03atma1-datasheets-3845.pdf | ТО-263-7, Д2Пак (6 отведений + вкладка) | 6 | 7 | да | СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | не_совместимо | Без галогенов | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 300 Вт | 1 | Р-ПССО-Г6 | 20 нс | 51нс | 30 нс | 75 нс | 160А | 20 В | 40В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 300 Вт Тс | 640А | 810 мДж | 40В | N-канал | 6000пФ при 15В | 2,7 мОм при 80 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 160А Ц | 230 НК при 5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМТ69М8ЛПС-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/diodesincorporated-dmt69m8lps13-datasheets-2053.pdf | 8-PowerTDFN | 17 недель | 8 | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 70А | 60В | 2,3 Вт Та 113 Вт Тс | N-канал | 1925 пФ при 30 В | 12 мОм при 13,5 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 10,2 А Та 70 А Тс | 33,5 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±16 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFC4310EF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFC4010EB | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СУМ50П10-42-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sum50p1042e3-datasheets-2049.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | EAR99 | неизвестный | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | 18,8 Вт | 1 | Р-ПССО-Г2 | 36А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | П-КАНАЛ | 100 В | 18,8 Вт Ta 125 Вт Tc | 40А | 0,042 Ом | 80 мДж | N-канал | 4600пФ при 50В | 4,2 мОм при 14 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 36А Тк | 160 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПИ65R280E6XKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ E6 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipa65r280e6xksa1-datasheets-4154.pdf | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | 10,36 мм | 9,45 мм | 4,52 мм | Без свинца | 3 | 12 недель | 2.084002г | 3 | да | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | НЕ УКАЗАН | 1 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | 11 нс | 9нс | 76 нс | 13,8А | 20 В | 650В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 104 Вт Тс | 0,28 Ом | 290 мДж | 700В | N-канал | 950пФ при 100В | 280 мОм при 4,4 А, 10 В | 3,5 В @ 440 мкА | 13,8 А Тс | 45 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| БФЛ4001-1EX | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-bfl40011e-datasheets-7116.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 6,5 А | 900В | 2 Вт Та 37 Вт Тс | N-канал | 850пФ при 30В | 2,7 Ом при 3,25 А, 10 В | 6,5 А Та | 44 НК при 10 В | 10 В | ±30 В |
