Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Без галогенов | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Выключить Тайм-Макс (toff) | Время включения-Макс (тонна) | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| АОН6411_001 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,40 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | 8-PowerSMD, плоские выводы | 8-ДФН (5х6) | 10,29 нФ | 85А | 20 В | 7,3 Вт Ta 156 Вт Tc | P-канал | 10290пФ при 10 В | 2,1 мОм при 20 А, 10 В | 1,3 В @ 250 мкА | 47А Та 85А Ц | 330 НК при 10 В | 2,1 мОм | 2,5 В 10 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6912АЛС | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | $6,03 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6500_001 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | 8-PowerSMD, плоские выводы | 8-ДФН (5х6) | 7,036нФ | 200А | 30 В | 7,3 Вт Та 83 Вт Тс | N-канал | 7036пФ при 15 В | 0,95 мОм при 20 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 71А Та 200А Ц | 145 НК при 10 В | 950 мкОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПП034Н03ЛГХКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipp034n03lgxksa1-datasheets-9817.pdf | ТО-220-3 | Без свинца | 94 Вт | 1 | ПГ-ТО220-3-1 | 5,3 нФ | 9,2 нс | 6,4 нс | 5,4 нс | 35 нс | 80А | 20 В | 30 В | 94 Вт Тс | 3,4 мОм | N-канал | 5300пФ при 15 В | 3,4 мОм при 30 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 80А Ц | 25 НК при 4,5 В | 3,4 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7702А_101 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СРФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~155°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 155°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aon7702a101-datasheets-1585.pdf | 8-PowerVDFN | 8 | 8-ДФН (3х3) | 1,4 нФ | 36А | 30 В | 3,1 Вт Та 23 Вт Тс | N-канал | 1400пФ при 15В | 10 мОм при 13 А, 10 В | 2,1 В при 250 мкА | 13,5 А Та 36 А Тс | 24 НК при 10 В | Диод Шоттки (корпус) | 10 мОм | 4,5 В 10 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПБ65Р095С7АТМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ C7 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipb65r095c7atma2-datasheets-5716.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 20 недель | Д2ПАК (ТО-263АБ) | 650В | 128 Вт Тс | N-канал | 2140пФ при 400В | 95 мОм при 11,8 А, 10 В | 4 В @ 590 мкА | 24А Тк | 45 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF8252TRPBF-1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-irf8252trpbf1-datasheets-1587.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | Полевой транзистор общего назначения | 25А | Одинокий | 25В | 2,5 Вт Та | N-канал | 5305пФ при 13В | 2,7 мОм при 25 А, 10 В | 2,35 В @ 100 мкА | 25А Та | 53 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФДМС86569-F085 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fdms86569f085-datasheets-1617.pdf | 8-PowerTDFN | 24 недели | 172,8 мг | 8 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | Одинокий | 65А | 60В | 100 Вт ТиДж. | N-канал | 2560пФ при 30 В | 5,6 мОм при 65 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 65А Ц | 54 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BSD816SNH6327XTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/infineontechnologies-bsd816snl6327htsa1-datasheets-9852.pdf | 6-ВССОП, СК-88, СОТ-363 | 2 мм | 800 мкм | 1,25 мм | 8 недель | 6 | нет | EAR99 | Олово | е3 | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 5,3 нс | 9нс | 11 нс | 1,4 А | 8В | 20 В | 500мВт Та | N-канал | 180пФ при 10В | 160 мОм при 1,4 А, 2,5 В | 0,95 В @ 3,7 мкА | 1,4 А Та | 0,6 нк при 2,5 В | 1,8 В 2,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDMS9408L-F085 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fdms9408lf085-datasheets-1597.pdf | 8-PowerTDFN | 5 | 24 недели | 172,8 мг | 8 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Ф5 | 80А | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 40В | 214 Вт Тиджей | 0,0025Ом | 123 мДж | N-канал | 5750пФ при 20 В | 126 нс | 40 нс | 1,7 мОм при 80 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 80А Ц | 110 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТФ10Н50ФД_001 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | ТО-220-3 Полный пакет | ТО-220-3Ф | 1,24 нФ | 10А | 500В | 50 Вт Тс | N-канал | 1240пФ при 25В | 750 мОм при 5 А, 10 В | 4,2 В @ 250 мкА | 10А Ц | 35 НК при 10 В | 750 мОм | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТФ10Т60Л | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,88 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | ТО-220-3 Полный пакет | Полевой транзистор общего назначения | 10А | Одинокий | 600В | 43 Вт Тс | N-канал | 1346пФ при 100 В | 700 мОм при 5 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 10А Ц | 35 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУЗ31Х3046ХКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СИПМОС® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/infineontechnologies-buz31h3046xksa1-datasheets-1609.pdf | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | 10,36 мм | 9,45 мм | 4,52 мм | Без свинца | 3 | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Олово | е3 | Без галогенов | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 95 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 12 нс | 50 нс | 150 нс | 14,5А | 20 В | 200В | КРЕМНИЙ | 95 Вт Тс | 58А | 0,2 Ом | 200 мДж | 200В | N-канал | 1120пФ при 25В | 200 мОм при 9 А, 5 В | 4 В при 1 мА | 14,5 А Тс | 5В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| ИПБ60Р600П6АТМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ P6 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipb60r600p6atma1-datasheets-1613.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Содержит свинец | 2 | 12 недель | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПССО-Г2 | 7,3А | 600В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 63 Вт Тс | 18А | 0,6 Ом | 133 мДж | N-канал | 557пФ при 100 В | 600 мОм при 2,4 А, 10 В | 4,5 В при 200 мкА | 7,3 А Тс | 12 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТФ12Н65А | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | ТО-220-3 Полный пакет | ТО-220Ф | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFH7187TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | FASTIRFET™, HEXFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2013 год | 8-PowerVDFN | 5 | 8 | EAR99 | неизвестный | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 1 | Р-ПДСО-Н5 | 105А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 100 В | 3,8 Вт Та 132 Вт Тс | 210А | 0,006Ом | 493 мДж | N-канал | 2116пФ при 50 В | 6 м Ом при 50 А, 10 В | 3,6 В @ 150 мкА | 18А Та 105А Ц | 50 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТ8Н65_001 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | ТО-220-3 | ТО-220-3 | 1,4 нФ | 8А | 650В | 208 Вт Тк | N-канал | 1400пФ при 25В | 1,15 Ом при 4 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 8А Тк | 28 НК при 10 В | 1,15 Ом | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД4162 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | АльфаМОС | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aod4162-datasheets-1629.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | ТО-252, (Д-Пак) | 1,187 нФ | 46А | 30 В | 2,5 Вт Та 50 Вт Тс | N-канал | 1187пФ при 15 В | 6,5 мОм при 20 А, 10 В | 2,6 В @ 250 мкА | 16А Та 46А Ц | 18 НК @ 10 В | 6,5 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7402Л | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | $14,89 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | 8-PowerVDFN | 8-ДФН (3х3) | 770пФ | 39А | 30 В | 3,1 Вт Та 26 Вт Тс | N-канал | 770пФ при 15 В | 10 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 13,5 А Та 39 А Тс | 17,8 НК при 10 В | 10 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТФ10Н60Л_002 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | ТО-220-3 Полный пакет | ТО-220-3Ф | 1,6 нФ | 10А | 600В | 50 Вт Тс | N-канал | 1600пФ при 25В | 750 мОм при 5 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 10А Ц | 40 НК при 10 В | 750 мОм | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АУ2Н60_001 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -50°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -50°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | ТО-251-3 | 325пФ | 2А | 600В | 56,8 Вт Тс | N-канал | 325пФ при 25В | 4,4 Ом при 1 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 2А Тк | 11 нк @ 10 В | 4,4 Ом | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6786_001 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СРФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aon6786001-datasheets-1636.pdf | 8-PowerSMD, плоские выводы | 8-ДФН (5х6) | 6,78 нФ | 85А | 30 В | 2,5 Вт Та 83 Вт Тс | N-канал | 6780пФ при 15 В | 2,4 мОм при 20 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 24А Та 85А Ц | 51 НК при 10 В | Диод Шоттки (корпус) | 2,4 мОм | 4,5 В 10 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН4407L_002 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | $4,35 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2009 год | 8-СМД, плоский вывод | 8-ДФН (3х2) | 2,1 нФ | 9А | 12 В | 2,5 Вт Та | P-канал | 2100пФ при 6В | 20 мОм при 9 А, 4,5 В | 850 мВ при 250 мкА | 9А Та | 23 НК при 4,5 В | 20 мОм | 1,5 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOD516_050 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | ТО-252, (Д-Пак) | 1,229 нФ | 46А | 30 В | 2,5 Вт Та 50 Вт Тс | N-канал | 1229пФ при 15В | 5 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 18А Та 46А Ц | 33 НК при 10 В | 5 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6400L_002 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aon6400l002-datasheets-1559.pdf | 8-PowerSMD, плоские выводы | 8-ДФН (5х6) | 8,3 нФ | 85А | 30 В | 2,3 Вт Та 83 Вт Тс | N-канал | 8300пФ при 15 В | 1,4 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 31А Та 85А Ц | 170 НК при 10 В | 1,4 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFS5C628NLWFT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-nvmfs5c628nlwfaft3g-datasheets-0372.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 5 | 38 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101 | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 1 | Р-ПДСО-Ф5 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 60В | 60В | 3,7 Вт Та 110 Вт Тс | 900А | 0,0033Ом | 565 мДж | N-канал | 3600пФ при 25В | 2,4 мОм при 50 А, 10 В | 2 В при 135 мкА | 52 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6522_002 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | 8-PowerSMD, плоские выводы | 8-ДФН (5х6) | 7,036нФ | 200А | 25В | 7,3 Вт Та 83 Вт Тс | N-канал | 7036пФ при 15 В | 0,95 мОм при 20 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 71А Та 200А Ц | 145 НК при 10 В | 950 мкОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6718L_101 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СРФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aon6718l101-datasheets-1567.pdf | 8-ДФН | 8-ДФН (5х6) | 4,463 нФ | 80А | 30 В | 2,1 Вт Та 83 Вт Тс | N-канал | 4463пФ при 15 В | 3,7 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 18А Та 80А Ц | 72 НК при 10 В | Диод Шоттки (корпус) | 3,7 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОБ411L_001 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | ТО-263 (Д2Пак) | 6,4 нФ | 78А | 60В | 187 Вт Тс | P-канал | 6400пФ при 30В | 16,5 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 8А Та 78А Ц | 100 НК при 10 В | 16,5 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4404BL | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,11 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8-СО | 1,1 нФ | 8,5 А | 30 В | 3,1 Вт Та | N-канал | 1100пФ при 15В | 24 мОм при 8,5 А, 10 В | 1,5 В @ 250 мкА | 8,5А Та | 12 НК при 4,5 В | 24 мОм | 2,5 В 10 В | ±12 В |
