| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AOD518_050 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aod518-datasheets-0513.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | ТО-252, (Д-Пак) | 951пФ | 54А | 30 В | 2,5 Вт Та 50 Вт Тс | N-канал | 951пФ при 15 В | 8 мОм при 20 А, 10 В | 2,6 В при 250 мкА | 15А Та 54А Ц | 22,5 НК при 10 В | 8 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН2701Л#А | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 6-WDFN Открытая площадка | 6-ДФН (2х2) | 700пФ | 3А | 20 В | 1,5 Вт Та | P-канал | 700пФ при 10В | 120 мОм при 3 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 3А Та | 6,5 нк при 4,5 В | Диод Шоттки (изолированный) | 120 мОм | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOD452AL_008 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,10 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СДМОС™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aod452al008-datasheets-1534.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | ТО-252 | 1,45 нФ | 55А | 25В | 2,5 Вт Та 50 Вт Тс | N-канал | 1450пФ при 12,5 В | 8 мОм при 30 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 55А Ц | 26 НК при 10 В | 8 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AO4435L_102 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,25 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8-СО | 1,4 нФ | 10,5 А | 30 В | 3,1 Вт Та | P-канал | 1400пФ при 15В | 14 мОм при 11 А, 20 В | 3 В @ 250 мкА | 10,5 А Та | 24 НК при 10 В | 14 мОм | 5В 20В | ±25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOD421_001 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2008 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | ТО-252, (Д-Пак) | 620пФ | 12,5 А | 20 В | 2 Вт Та 18,8 Вт Тс | P-канал | 620пФ при 10 В | 75 мОм при 12,5 А, 10 В | 1,4 В при 250 мкА | 12,5 А Та | 4,6 нк при 4,5 В | 75 мОм | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOD4158P | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,15 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aod4158p-datasheets-1508.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | ТО-252, (Д-Пак) | 1,5 нФ | 46А | 30 В | 2,5 Вт Та 32 Вт Тс | N-канал | 1500пФ при 15В | 9 мОм при 20 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 13А Та 46А Ц | 18 НК @ 10 В | 9 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOD514_050 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aod514050-datasheets-1511.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | ТО-252, (Д-Пак) | 951пФ | 46А | 30 В | 2,5 Вт Та 50 Вт Тс | N-канал | 951пФ при 15 В | 6,5 мОм при 20 А, 10 В | 2,6 В при 250 мкА | 17А Та 46А Ц | 22,5 НК при 10 В | 6,5 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО6409_102 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | СК-74, СОТ-457 | 6-ЦОП | 1,45 нФ | 5,5 А | 20 В | 2,1 Вт Та | P-канал | 1450пФ при 10В | 45 мОм при 5 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 5,5 А Та | 17,2 НК при 4,5 В | 45 мОм | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФС5К468НЛТ3Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-nvmfs5c468nlt1g-datasheets-4804.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 38 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 3 дня назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 40В | 3,5 Вт Та 28 Вт Тс | N-канал | 570пФ при 25В | 10,3 мОм при 20 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 7,3 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOD4132L | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2008 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | ТО-252, (Д-Пак) | 4,4 нФ | 85А | 30 В | 2,5 Вт Та 100 Вт Тс | N-канал | 4400пФ при 15В | 4 мОм при 20 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 85А Ц | 76 НК при 10 В | 4 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО7414_001 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | СК-70, СОТ-323 | СК-70-3 | 320пФ | 2А | 20 В | 350мВт Та | N-канал | 320пФ при 10В | 62 мОм при 2 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 2А Та | 3,8 нк @ 4,5 В | 62 мОм | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД403Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,48 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 70А | 30 В | 2,5 Вт Та 90 Вт Тс | P-канал | 5300пФ при 15В | 6 м Ом при 20 А, 20 В | 3,5 В @ 250 мкА | 15А Та 70А Ц | 120 НК при 10 В | 10 В 20 В | ±25 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOD516_001 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | ТО-252, (Д-Пак) | 1,229 нФ | 46А | 30 В | 2,5 Вт Та 50 Вт Тс | N-канал | 1229пФ при 15В | 5 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 18А Та 46А Ц | 33 НК при 10 В | 5 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOD3N50_004 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -50°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -50°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | ТО-252, (Д-Пак) | 331пФ | 2,8А | 500В | 57 Вт Тс | N-канал | 331пФ при 25В | 3 Ом @ 1,5 А, 10 В | 4,5 В при 250 мкА | 2,8 А Тс | 8 нк @ 10 В | 3 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД504 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | АльфаМОС | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aod504-datasheets-1489.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 46А | 25В | 2,5 Вт Та 50 Вт Тс | N-канал | 1333пФ при 15 В | 5 м Ом при 20 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 18А Та 46А Ц | 33 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД4158 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,16 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 30 В | 32 Вт Тс | N-канал | 1500пФ при 15В | 9 мОм при 20 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 46А Тц | 18 НК @ 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOD516_002 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | ТО-252, (Д-Пак) | 1,229 нФ | 46А | 30 В | 2,5 Вт Та 50 Вт Тс | N-канал | 1229пФ при 15В | 5 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 18А Та 46А Ц | 33 НК при 10 В | 5 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПИ037N08N3GXKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/infineontechnologies-ipp037n08n3ghksa1-datasheets-8136.pdf | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | 10,36 мм | 9,45 мм | 4,52 мм | Без свинца | 3 | 12 недель | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 3 | Одинокий | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 23 нс | 79нс | 14 нс | 45 нс | 100А | 20 В | 80В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 214 Вт Тс | 400А | 510 мДж | N-канал | 8110пФ при 40 В | 3,75 мОм при 100 А, 10 В | 3,5 В при 155 мкА | 100А Ц | 117 НК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||
| АОД502 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | АльфаМОС | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aod502-datasheets-1500.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 46А | 25В | 2,5 Вт Та 50 Вт Тс | N-канал | 1187пФ при 15 В | 8 м Ом при 20 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 15А Та 46А Ц | 18 НК @ 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОБ414_001 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СДМОС™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | ТО-263 (Д2Пак) | 2,2 нФ | 51А | 100 В | 2,5 Вт Та 150 Вт Тс | N-канал | 2200пФ при 50В | 25 мОм при 20 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 6,6 А Та 51 А Тс | 34 НК при 10 В | 25 мОм | 7В 10В | ±25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFC4612R-W-TR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | 4-XFBGA | 4 недели | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4407BL | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 30 В | 3,1 Вт Та | P-канал | 2600пФ при 15В | 13 мОм при 12 А, 20 В | 2,8 В @ 250 мкА | 12А Та | 36 НК при 10 В | 10 В | ±25 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО6402Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | $3,68 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | СК-74, СОТ-457 | 5А | 30 В | 1,25 Вт Та | N-канал | 310пФ при 15В | 31 мОм при 5 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 5А Та | 6,3 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4494H | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8-СО | 1,9 нФ | 18А | 30 В | 3,1 Вт Та | N-канал | 1900пФ при 15В | 6,5 мОм при 18 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 18А Тк | 36 НК при 10 В | 6,5 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО3421Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-ao3421l-datasheets-1475.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,6А | 30 В | 1,4 Вт Та | P-канал | 370пФ при 15В | 130 мОм при 2,6 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 2,6А Та | 9 нк @ 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOD256_001 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | ТО-252, (Д-Пак) | 1,165 нФ | 19А | 150 В | 2,5 Вт Та 83 Вт Тс | N-канал | 1165пФ при 75В | 85 мОм при 10 А, 10 В | 2,8 В @ 250 мкА | 3А Та 19А Ц | 22 НК при 10 В | 85 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SPI11N60C3HKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-spa11n60c3xksa1-datasheets-4456.pdf | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | совместимый | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | Р-ПСИП-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | 125 Вт Тс | 11А | 33А | 0,38 Ом | 340 мДж | N-канал | 1200пФ при 25В | 380 мОм при 7 А, 10 В | 3,9 В при 500 мкА | 11А Ц | 60 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| AOD206_001 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | АльфаМОС | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aod206001-datasheets-1444.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | ТО-252, (Д-Пак) | 1,333 нФ | 46А | 30 В | 2,5 Вт Та 50 Вт Тс | N-канал | 1333пФ при 15 В | 5 мОм при 20 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 18А Та 46А Ц | 33 НК при 10 В | 5 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4435_103 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8-СО | 1,4 нФ | 10,5 А | 30 В | 3,1 Вт Та | P-канал | 1400пФ при 15В | 14 мОм при 11 А, 20 В | 3 В @ 250 мкА | 10,5 А Та | 24 НК при 10 В | 14 мОм | 5В 20В | ±25 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4488Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-ao4488-datasheets-1183.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 15А | 30 В | 1,7 Вт Та | N-канал | 6800пФ при 15 В | 4,6 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 15А Та | 112 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.