Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| НВМФС6Б05НТ3Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs6b05nt1g-datasheets-1232.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 38 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 100 В | 3,8 Вт Ta 165 Вт Tc | N-канал | 3100пФ при 25 В | 8 м Ом при 20 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 44 НК при 10 В | 10 В | ±16 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФС6Б05НВФТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs6b05nt1g-datasheets-1232.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 38 недель | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 100 В | 3,8 Вт Ta 165 Вт Tc | N-канал | 3100пФ при 25 В | 8 м Ом при 20 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 44 НК при 10 В | 10 В | ±16 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФС6Б14НТ3Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-nvmfs6b14nt1g-datasheets-3449.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 38 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 1 день назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 100 В | 3,8 Вт Та 94 Вт Тс | N-канал | 1300пФ при 50В | 15 мОм при 20 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 20 НК при 10 В | 10 В | ±16 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFS5C682NLWFT3G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs5c682nlwfaft1g-datasheets-3222.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 38 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 18 часов назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 60В | 3,5 Вт Та 28 Вт Тс | N-канал | 410пФ при 25В | 21 мОм при 10 А, 10 В | 2 В @ 16 мкА | 5 нк @ 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTLUS3A39PZCTAG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | µCool™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/onsemiconductor-ntlus3a39pzctag-datasheets-1209.pdf | 6-PowerUFDFN | 6 | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | Другие транзисторы | 3,4А | Одинокий | 20 В | 600мВт Та | 5,2А | P-канал | 920пФ при 15 В | 39 мОм при 4 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 3,4А Та | 10,4 нк при 4,5 В | 1,5 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФС6Б03НТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs6b03nt1g-datasheets-1211.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 32 недели | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 100 В | 3,9 Вт Та 198 Вт Тс | N-канал | 4200пФ при 50В | 4,8 мОм при 20 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 58 НК при 10 В | 10 В | ±16 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTLUS3A90PZCTBG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | µCool™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-ntlus3a90pzctbg-datasheets-1213.pdf | 6-PowerUFDFN | 6 | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | Другие транзисторы | 2,6А | Одинокий | 20 В | 600мВт Та | 4А | P-канал | 950пФ при 10 В | 62 мОм при 4 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 2,6А Та | 12,3 нк при 4,5 В | 1,5 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФС5К456НЛТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs5c456nlwfaft1g-datasheets-0606.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 38 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 1 день назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 40В | 3,6 Вт Та 55 Вт Тс | N-канал | 1600пФ при 25В | 3,7 мОм при 20 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 18 НК @ 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFS5C673NLWFT3G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-nvmfs5c673nlaft3g-datasheets-3168.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 5 | 38 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101 | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 1 | Р-ПДСО-Ф5 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 60В | 60В | 3,6 Вт Та 46 Вт Тс | 290А | 0,013Ом | N-канал | 880пФ при 25В | 9,2 мОм при 25 А, 10 В | 2 В при 35 мкА | 9,5 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФС5К456НЛВФТ3Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs5c456nlwfaft1g-datasheets-0606.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 38 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 1 день назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 40В | 3,6 Вт Та 55 Вт Тс | N-канал | 1600пФ при 25В | 3,7 мОм при 20 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 18 НК @ 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФС5К682НЛТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs5c682nlwfaft1g-datasheets-3222.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 38 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 17 часов назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 60В | 3,5 Вт Та 28 Вт Тс | N-канал | 410пФ при 25В | 21 мОм при 10 А, 10 В | 2 В @ 16 мкА | 5 нк @ 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФС5К673НЛТ3Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs5c673nlaft3g-datasheets-3168.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 5 | 38 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 16 часов назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101 | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 1 | Р-ПДСО-Ф5 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 60В | 60В | 3,6 Вт Та 46 Вт Тс | 290А | 0,013Ом | N-канал | 880пФ при 25В | 9,2 мОм при 25 А, 10 В | 2 В при 35 мкА | 9,5 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFS5C673NLWFT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-nvmfs5c673nlaft3g-datasheets-3168.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 5 | 38 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 16 часов назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101 | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 1 | Р-ПДСО-Ф5 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 60В | 60В | 3,6 Вт Та 46 Вт Тс | 290А | 0,013Ом | N-канал | 880пФ при 25В | 9,2 мОм при 25 А, 10 В | 2 В при 35 мкА | 9,5 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFS5C468NLWFT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs5c468nlt1g-datasheets-4804.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 38 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 3 дня назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 40В | 3,5 Вт Та 28 Вт Тс | N-канал | 570пФ при 25В | 10,3 мОм при 20 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 7,3 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФС5К460НЛТ3Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs5c460nlaft1g-datasheets-0895.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 38 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 3 дня назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 40В | 3,6 Вт Та 50 Вт Тс | N-канал | 1300пФ при 25В | 4,5 мОм при 35 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 23 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFS5C628NLWFT3G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-nvmfs5c628nlwfaft3g-datasheets-0372.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 5 | 38 недель | 8 | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101 | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 1 | Р-ПДСО-Ф5 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 60В | 60В | 3,7 Вт Та 110 Вт Тс | 900А | 0,0033Ом | 565 мДж | N-канал | 3600пФ при 25В | 2,4 мОм при 50 А, 10 В | 2 В при 135 мкА | 52 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФС5К456НЛВФТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-nvmfs5c456nlwfaft1g-datasheets-0606.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 38 недель | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 40В | 3,6 Вт Та 55 Вт Тс | N-канал | 1600пФ при 25В | 3,7 мОм при 20 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 18 НК @ 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФС5К628НЛТ3Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs5c628nlwfaft3g-datasheets-0372.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 5 | 38 недель | 8 | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101 | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 1 | Р-ПДСО-Ф5 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 60В | 60В | 3,7 Вт Та 110 Вт Тс | 900А | 0,0033Ом | 565 мДж | N-канал | 3600пФ при 25В | 2,4 мОм при 50 А, 10 В | 2 В при 135 мкА | 52 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФС5К456НЛТ3Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs5c456nlwfaft1g-datasheets-0606.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 38 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 1 день назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 40В | 3,6 Вт Та 55 Вт Тс | N-канал | 1600пФ при 25В | 3,7 мОм при 20 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 18 НК @ 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFS5C468NLWFT3G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs5c468nlt1g-datasheets-4804.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 38 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 3 дня назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 40В | 3,5 Вт Та 28 Вт Тс | N-канал | 570пФ при 25В | 10,3 мОм при 20 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 7,3 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФС5К673НЛТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-nvmfs5c673nlaft3g-datasheets-3168.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 5 | 38 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101 | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 1 | Р-ПДСО-Ф5 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 60В | 60В | 3,6 Вт Та 46 Вт Тс | 290А | 0,013Ом | N-канал | 880пФ при 25В | 9,2 мОм при 25 А, 10 В | 2 В при 35 мкА | 9,5 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФС5К682НЛТ3Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs5c682nlwfaft1g-datasheets-3222.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 38 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 60В | 3,5 Вт Та 28 Вт Тс | N-канал | 410пФ при 25В | 21 мОм при 10 А, 10 В | 2 В @ 16 мкА | 5 нк @ 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFS5C460NLWFT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-nvmfs5c460nlaft1g-datasheets-0895.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 38 недель | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 40В | 3,6 Вт Та 50 Вт Тс | N-канал | 1300пФ при 25В | 4,5 мОм при 35 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 23 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFH7110TR2PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-irfh7110trpbf-datasheets-0666.pdf | 8-TQFN Открытая колодка | 8-PQFN (5x6) | 100 В | N-канал | 3240пФ при 25В | 13,5 мОм при 35 А, 10 В | 4 В при 100 мкА | 11А Та 58А Ц | 87 НК при 10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AUIRFL014NTR | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/infineontechnologies-auirfl014ntr-datasheets-0830.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 6,7 мм | 1,8 мм | 3,7 мм | 4 | 9 недель | Нет СВХК | 4 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 1 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 6,6 нс | 7,1 нс | 3,3 нс | 12 нс | 1,5 А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2В | 1 Вт Та | 2,7А | 55В | N-канал | 190пФ при 25В | 160 мОм при 1,9 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 1,5 А Та | 11 нк @ 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||
| АУИРЛР3915 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/infineontechnologies-auirlr3915trl-datasheets-0252.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,39 мм | 6,22 мм | 13 недель | Нет СВХК | 3 | EAR99 | Олово | Нет | Одинокий | 120 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 7,4 нс | 51нс | 100 нс | 83 нс | 30А | 16 В | 120 Вт Тс | 55В | N-канал | 1870 пФ при 25 В | 14 мОм при 30 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 30А Ц | 92 НК при 10 В | 5В 10В | ±16 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| АУИРФЗ34Н | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/infineontechnologies-auirfz34n-datasheets-0777.pdf | ТО-220-3 | 10,75 мм | 16,13 мм | 4,83 мм | 3 | 8 недель | Нет СВХК | 3 | EAR99 | ЛАВИННАЯ СТЕПЕНЬ, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | Одинокий | 68 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 7 нс | 49нс | 40 нс | 31 нс | 29А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2В | 68 Вт Тс | ТО-220АБ | 0,04 Ом | 65 мДж | 55В | N-канал | 700пФ при 25В | 40 мОм при 16 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 29А Тц | 34 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||
| АУИРФП1405 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/infineontechnologies-auirfp1405-datasheets-0723.pdf | ТО-247-3 | 15,87 мм | 20,7 мм | 5,31 мм | 3 | 10 недель | Нет СВХК | 3 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | Одинокий | 310 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 12 нс | 160 нс | 150 нс | 140 нс | 95А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 310 Вт Тс | ТО-247АС | 640А | 55В | N-канал | 5600пФ при 25В | 5,3 мОм при 95 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 95А Ц | 180 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||
| АУИРФС3307Z | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/infineontechnologies-auirfs3307z-datasheets-0735.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 10,67 мм | 4,83 мм | 9,65 мм | 2 | Нет СВХК | 3 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛ, ВЕРХНИЗКАЯ УСТОЙЧИВОСТЬ, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | Нет | е3 | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | Одинокий | 30 | 230 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 15 нс | 64нс | 65 нс | 38 нс | 120А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 230 Вт Тс | 480А | 0,0058Ом | 75В | N-канал | 4750пФ при 50В | 5,8 мОм при 75 А, 10 В | 4 В @ 150 мкА | 120А Ц | 110 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||
| АУИРЛС3036 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/infineontechnologies-irls3036trlpbf-datasheets-2628.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 39 недель | EAR99 | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛ, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, СВЕРХНИЗКАЯ СОПРОТИВЛЕНИЕ | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 30 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | 380 Вт Тс | 195А | 1100А | 0,0024Ом | 290 мДж | N-канал | 11210пФ при 50В | 2,4 мОм при 165 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 195А Ц | 140 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±16 В |
