| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Дополнительная функция | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Непрерывный ток стока (ID) | Максимальное двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SPI08N50C3HKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-spp08n50c3xksa1-datasheets-5576.pdf | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | совместимый | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | 83 Вт Тс | 7,6А | 22,8А | 0,6 Ом | 230 мДж | N-канал | 750пФ при 25В | 600 мОм при 4,6 А, 10 В | 3,9 В при 350 мкА | 7,6 А Тс | 32 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||
| АО4448Л | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СДМОС™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-ao4448l-datasheets-1453.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 10А | 80В | 3,1 Вт Та | N-канал | 2005пФ при 40В | 16 мОм при 10 А, 10 В | 4,2 В @ 250 мкА | 10А Та | 34 НК при 10 В | 7В 10В | ±25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4413Л | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,21 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 15А | 30 В | 3,1 Вт Та | P-канал | 3500пФ при 15В | 7 м Ом при 15 А, 20 В | 3,5 В @ 250 мкА | 15А Та | 61 НК при 10 В | 10 В 20 В | ±25 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4403Л | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 2,03 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 6А | 30 В | 3,1 Вт Та | P-канал | 1128пФ при 15В | 46 мОм при 6,1 А, 10 В | 1,3 В @ 250 мкА | 6А Та | 11,3 нк при 4,5 В | 2,5 В 10 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4490Л | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,18 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-ao4490l-datasheets-1465.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 16А | 30 В | 2,8 Вт Та | N-канал | 2170пФ при 15В | 7,2 мОм при 16 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 16А Та | 48 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AO4476AL_102 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8-СО | 1,38 нФ | 15А | 30 В | 3,1 Вт Та | N-канал | 1380пФ при 15В | 7,7 мОм при 15 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 15А Та | 24 НК при 10 В | 7,7 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4496_101 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8-СО | 715пФ | 10А | 30 В | 3,1 Вт Та | N-канал | 715пФ при 15 В | 19,5 мОм при 10 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 10А Та | 13 НК при 10 В | 19,5 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOD210_001 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | ТО-252, (Д-Пак) | 4,3 нФ | 70А | 30 В | 2,7 Вт Та 150 Вт Тс | N-канал | 4300пФ при 15В | 3 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 23А Та 70А Ц | 58 НК при 10 В | 3 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФС6Б03НТ3Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs6b03nt1g-datasheets-1211.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 32 недели | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 100 В | 3,9 Вт Та 198 Вт Тс | N-канал | 4200пФ при 50В | 4,8 мОм при 20 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 58 НК при 10 В | 10 В | ±16 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| AO4476A_103 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8-СО | 1,38 нФ | 15А | 30 В | 3,1 Вт Та | N-канал | 1380пФ при 15В | 7,7 мОм при 15 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 15А Та | 24 НК при 10 В | 7,7 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВТФС5824НЛТАГ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvtfs5824nlwftag-datasheets-1279.pdf | 8-PowerWDFN | Без свинца | 23 недели | 8 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 60В | 3,2 Вт Та 57 Вт Тс | N-канал | 850пФ при 25В | 20,5 мОм при 10 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 16 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4484_101 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8-СОИК | 1,95 нФ | 10А | 40В | 1,7 Вт Та | N-канал | 1950пФ при 20В | 10 мОм при 10 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 10А Та | 37 НК при 10 В | 10 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4419Л | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,36 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 9,7А | 30 В | 3,1 Вт Та | P-канал | 1900пФ при 15В | 20 мОм при 9,7 А, 10 В | 2,7 В при 250 мкА | 9,7А Та | 32 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SPI21N50C3HKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-spp21n50c3xksa1-datasheets-4095.pdf | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | совместимый | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | 208 Вт Тк | 21А | 63А | 0,19 Ом | 690 мДж | N-канал | 2400пФ при 25В | 190 мОм при 13,1 А, 10 В | 3,9 В при 1 мА | 21А Тц | 95 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||
| АО4202Л | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-ao4202l-datasheets-1395.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 19А | 30 В | 3,1 Вт Та | N-канал | 2200пФ при 15 В | 5,3 мОм при 19 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 19А Та | 35 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SCH1439-TL-W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-sch1439tlh-datasheets-4161.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | Без свинца | 18 недель | да | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 3,5 А | 30 В | 1 Вт Та | N-канал | 280пФ при 10В | 72 мОм при 1,5 А, 10 В | 2,6 В @ 1 мА | 3,5 А Та | 5,6 НК при 10 В | 4В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФС6Б03НВФТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs6b03nt1g-datasheets-1211.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 36 недель | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 100 В | 3,9 Вт Та 198 Вт Тс | N-канал | 4200пФ при 50В | 4,8 мОм при 20 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 58 НК при 10 В | 10 В | ±16 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД528 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | АльфаМОС | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2013 год | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 30 В | N-канал | 1400пФ при 15В | 5,4 мОм при 20 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 17А Та 50А Ц | 18 НК @ 10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4411Л | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,15 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8А | 30 В | 3,1 Вт Та | P-канал | 760пФ при 15В | 32 мОм при 8 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 8А Та | 16 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4407Л | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,07 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-ao4407l-datasheets-1414.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 12А | 30 В | 3,1 Вт Та | P-канал | 2500пФ при 15В | 14 мОм при 10 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 12А Та | 45 НК при 10 В | 5В 20В | ±25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4450Л | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-ao4450l-datasheets-1416.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 7А | 40В | 3,1 Вт Та | N-канал | 516пФ при 20 В | 30 мОм при 7 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 7А Та | 13 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4405Л | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 6А | 30 В | 3,1 Вт Та | P-канал | 520пФ при 15В | 50 мОм при 6 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 6А Та | 11 нк @ 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4466_102 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8-СО | 448пФ | 10А | 30 В | 3,1 Вт Та | N-канал | 448пФ при 15В | 23 мОм при 10 А, 10 В | 2,6 В @ 250 мкА | 10А Та | 8,6 НК при 10 В | 23 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AO4482L_102 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,50 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8-СО | 2нФ | 6А | 100 В | 3,1 Вт Та | N-канал | 2000пФ при 50В | 37 мОм при 6 А, 10 В | 2,7 В при 250 мкА | 6А Та | 44 НК при 10 В | 37 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AO4485L_102 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,42 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8-СО | 3нФ | 10А | 40В | 1,7 Вт Та | P-канал | 3000пФ при 20В | 15 мОм при 10 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 10А Та | 55 НК при 10 В | 15 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4435_102 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8-СО | 1,4 нФ | 10,5 А | 30 В | 3,1 Вт Та | P-канал | 1400пФ при 15В | 14 мОм при 11 А, 20 В | 3 В @ 250 мкА | 10,5 А Та | 24 НК при 10 В | 14 мОм | 5В 20В | ±25 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4459Л | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | 0,17 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 6,5 А | 30 В | 3,1 Вт Та | P-канал | 830пФ при 15В | 46 мОм при 6,5 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 6,5 А Та | 16 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SPI20N60C3HKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-spp20n60c3xksa1-datasheets-1552.pdf | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | совместимый | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | 208 Вт Тк | 20,7А | 62,1А | 0,19 Ом | 690 мДж | N-канал | 2400пФ при 25В | 190 мОм при 13,1 А, 10 В | 3,9 В при 1 мА | 20,7 А Тс | 114 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||
| ИПУ50Р2К0СЕАКМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ CE | Поверхностный монтаж | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 3 (168 часов) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipd50r2k0ceauma1-datasheets-6792.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | Содержит свинец | 3 | 6 недель | 3 | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | 2,4А | 500В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 33 Вт Тс | 6,1А | 2Ом | N-канал | 124пФ при 100В | 2 Ом при 600 мА, 13 В | 3,5 В @ 50 мкА | 2,4 А Тс | 6 нк @ 10 В | 13В | ±20 В | |||||||||||||||||||
| BSP179H6327XTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СИПМОС® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-bsp179h6327xtsa1-datasheets-1333.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | Без свинца | 10 недель | Без галогенов | ПГ-СОТ223-4 | 135пФ | 210 мА | 400В | 400В | 1,8 Вт Та | N-канал | 135пФ при 25В | 18 Ом при 210 мА, 10 В | 1 В @ 94 мкА | 210 мА Та | 6,8 НК при 5 В | Режим истощения | 18 Ом | 0 В 10 В | ±20 В |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.