Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CPH6337-TL-W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cph6337tle-datasheets-0072.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | Без свинца | 4 недели | да | 3,5 А | 12 В | 1,6 Вт Та | P-канал | 405пФ при 6В | 70 мОм при 1,5 А, 4,5 В | 1,4 В при 1 мА | 3,5 А Та | 5,6 нк @ 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4423Л | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 16 недель | 8 | 17А | 30 В | 3,1 Вт Та | P-канал | 3033пФ при 15 В | 6,2 мОм при 15 А, 20 В | 2,6 В @ 250 мкА | 17А Та | 57 НК при 10 В | 6В 20В | ±25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SPP11N60CFDHKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-spp11n60cfdxksa1-datasheets-1801.pdf | ТО-220-3 | 3 | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 125 Вт | 1 | Не квалифицирован | 34 нс | 18нс | 7 нс | 43 нс | 11А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | 125 Вт Тс | ТО-220АБ | 28А | 0,44 Ом | N-канал | 1200пФ при 25В | 440 мОм при 7 А, 10 В | 5 В @ 500 мкА | 11А Тк | 64 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||
| MCH5839-TL-W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mch5839tlh-datasheets-7179.pdf | 5-SMD, плоские выводы | Без свинца | 4 недели | да | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 1,5 А | 20 В | 800мВт Та | P-канал | 120пФ при 10В | 266 мОм при 750 мА, 4,5 В | 1,4 В @ 1 мА | 1,5 А Та | 1,7 НК при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SCH1330-TL-W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-sch1330tlh-datasheets-0114.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | Без свинца | да | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 1,5 А | 20 В | 1 Вт Та | P-канал | 120пФ при 10В | 241 мОм при 750 мА, 4,5 В | 1,4 В при 1 мА | 1,5 А Та | 1,7 НК при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СК4094-1Э | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-2sk40941e-datasheets-1361.pdf | ТО-220-3 | Без свинца | 2 недели | 3 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 3 | Одинокий | 100А | 60В | 1,75 Вт Ta 90 Вт Tc | N-канал | 12500пФ при 20В | 5 м Ом при 50 А, 10 В | 100А Та | 220 НК при 10 В | 4В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPS70R600CEAKMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ips70r600ceakma1-datasheets-1364.pdf | ТО-251-3 Заглушки, ИПак | 3 | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | ОДИНОКИЙ | 1 | 10,5 А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 700В | 700В | 3В | 86 Вт Тс | 18А | 0,6 Ом | 55 мДж | N-канал | 474 пФ при 100 В | 600 мОм при 1 А, 10 В | 3,5 В @ 0,21 мА | 10,5 А Тс | 22 НК при 10 В | Супер Джанкшн | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MCH3382-TL-W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2017 год | /files/onsemiconductor-mch3382tlh-datasheets-1997.pdf | 3-СМД, плоский вывод | Без свинца | 4 недели | да | неизвестный | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 2А | 12 В | 800мВт Та | P-канал | 170пФ при 6В | 198 мОм при 1 А, 4,5 В | 900 мВ при 1 мА | 2А Та | 2,3 нк @ 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±9 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФС5К460НЛВФТ3Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs5c460nlaft1g-datasheets-0895.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 38 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 3 дня назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 40В | 3,6 Вт Та 50 Вт Тс | N-канал | 1300пФ при 25В | 4,5 мОм при 35 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 23 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPD60R650CEBTMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ CE | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipd60r650cebtma1-datasheets-1301.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | да | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПССО-Г2 | 7А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | 82 Вт Тс | 19А | 0,65 Ом | 133 мДж | N-канал | 440пФ при 100В | 650 мОм при 2,4 А, 10 В | 3,5 В при 200 мкА | 7А Тк | 20,5 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SCH1332-TL-W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-sch1332tlh-datasheets-0036.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | Без свинца | 8 недель | да | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 2,5 А | 20 В | 1 Вт Та | P-канал | 375пФ при 10 В | 95 мОм при 1,5 А, 4,5 В | 1,3 В при 1 мА | 2,5 А Та | 4,6 нк при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BSL303SPEH6327XTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/infineontechnologies-bsl303speh6327xtsa1-datasheets-1309.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | Без свинца | 6 | 12 недель | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101 | Без галогенов | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Г6 | 6,3А | -30В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 30 В | 2 Вт Та | 25,2А | 0,033Ом | 30 мДж | P-канал | 1401пФ при 15В | 33 мОм при 6,3 А, 10 В | 2 В при 30 мкА | 6.3А Та | 20,9 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||
| NVMFS5C682NLWFT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs5c682nlwfaft1g-datasheets-3222.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 38 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 60В | 3,5 Вт Та 28 Вт Тс | N-канал | 410пФ при 25В | 21 мОм при 10 А, 10 В | 2 В @ 16 мкА | 5 нк @ 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SPI12N50C3HKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-spa12n50c3xksa1-datasheets-5545.pdf | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | совместимый | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | 125 Вт Тс | 11,6А | 34,8А | 0,38 Ом | 340 мДж | N-канал | 1200пФ при 25В | 380 мОм при 7 А, 10 В | 3,9 В @ 500 мкА | 11,6 А Тс | 49 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| БСЛ305СПЕХ6327XTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/infineontechnologies-bsl305speh6327xtsa1-datasheets-1264.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | Без свинца | 6 | 12 недель | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101 | Без галогенов | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Г6 | 5,3А | -30В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 30 В | 2 Вт Та | 21,2А | 0,045 Ом | 20 мДж | P-канал | 939пФ при 15 В | 45 мОм при 5,3 А, 10 В | 2 В @ 20 мкА | 5.3А Та | 14 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||
| SCH1436-TL-W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-sch1436tlh-datasheets-4153.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | Без свинца | 9 недель | да | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 1,8 А | 30 В | 800мВт Та | N-канал | 88пФ при 10 В | 180 мОм при 900 мА, 10 В | 2,6 В @ 1 мА | 1,8 А Та | 2 НК при 10 В | 4В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVTFS5824NLWFTAG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvtfs5824nlwftag-datasheets-1279.pdf | 8-PowerWDFN | Без свинца | 23 недели | 8 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 60В | 3,2 Вт Та 57 Вт Тс | N-канал | 850пФ при 25В | 20,5 мОм при 10 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 16 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФС6Б14НВФТ3Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs6b14nt1g-datasheets-3449.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 38 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 100 В | 3,8 Вт Та 94 Вт Тс | N-канал | 1300пФ при 50В | 15 мОм при 20 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 20 НК при 10 В | 10 В | ±16 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVTFS5824NLTWG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvtfs5824nlwftag-datasheets-1279.pdf | 8-PowerWDFN | Без свинца | 23 недели | 8 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 60В | 3,2 Вт Та 57 Вт Тс | N-канал | 850пФ при 25В | 20,5 мОм при 10 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 16 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПУ50Р950СЕАКМА2 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ CE | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 3 (168 часов) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipu50r950ceakma2-datasheets-1293.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | 3 | 6 недель | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСИП-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | 53 Вт Тс | 12,8А | 0,95 Ом | 68 мДж | N-канал | 231пФ при 100 В | 950 мОм при 1,2 А, 13 В | 3,5 В при 100 мкА | 4,3 А Тс | 10,5 НК при 10 В | 13В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| SCH1433-TL-W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/onsemiconductor-sch1433tlh-datasheets-4223.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | Без свинца | 6 | 4 недели | да | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 1 | Р-ПДСО-Ф6 | 3,5 А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | 800мВт Та | 0,064Ом | N-канал | 260пФ при 10В | 64 мОм при 1,5 А, 4,5 В | 1,3 В при 1 мА | 3,5 А Та | 2,8 нк @ 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФС6Б03НВФТ3Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs6b03nt1g-datasheets-1211.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 36 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 100 В | 3,9 Вт Та 198 Вт Тс | N-канал | 4200пФ при 50В | 4,8 мОм при 20 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 58 НК при 10 В | 10 В | ±16 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФС6Б05НВФТ3Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs6b05nt1g-datasheets-1232.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 38 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 100 В | 3,8 Вт Ta 165 Вт Tc | N-канал | 3100пФ при 25 В | 8 м Ом при 20 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 44 НК при 10 В | 10 В | ±16 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФС5К460НЛТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-nvmfs5c460nlaft1g-datasheets-0895.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 38 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 3 дня назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 40В | 3,6 Вт Та 50 Вт Тс | N-канал | 1300пФ при 25В | 4,5 мОм при 35 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 23 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФС6Б05НТ3Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs6b05nt1g-datasheets-1232.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 38 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 100 В | 3,8 Вт Ta 165 Вт Tc | N-канал | 3100пФ при 25 В | 8 м Ом при 20 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 44 НК при 10 В | 10 В | ±16 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФС6Б05НВФТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs6b05nt1g-datasheets-1232.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 38 недель | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 100 В | 3,8 Вт Ta 165 Вт Tc | N-канал | 3100пФ при 25 В | 8 м Ом при 20 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 44 НК при 10 В | 10 В | ±16 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTLUS3A39PZCTBG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | µCool™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-ntlus3a39pzctag-datasheets-1209.pdf | 6-PowerUFDFN | 6 | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | Другие транзисторы | 3,4А | Одинокий | 20 В | 600мВт Та | 5,2А | P-канал | 920пФ при 15 В | 39 мОм при 4 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 3,4А Та | 10,4 нк при 4,5 В | 1,5 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SPI11N65C3HKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-spa11n65c3xksa1-datasheets-1256.pdf | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | совместимый | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 650В | 650В | 125 Вт Тс | 11А | 33А | 0,38 Ом | 340 мДж | N-канал | 1200пФ при 25В | 380 мОм при 7 А, 10 В | 3,9 В @ 500 мкА | 11А Тк | 60 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФС6Б14НВФТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs6b14nt1g-datasheets-3449.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 38 недель | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 100 В | 3,8 Вт Та 94 Вт Тс | N-канал | 1300пФ при 50В | 15 мОм при 20 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 20 НК при 10 В | 10 В | ±16 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФС5К628НЛТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-nvmfs5c628nlwfaft3g-datasheets-0372.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 5 | 38 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 12 часов назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101 | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 1 | Р-ПДСО-Ф5 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 60В | 60В | 3,7 Вт Та 110 Вт Тс | 900А | 0,0033Ом | 565 мДж | N-канал | 3600пФ при 25В | 2,4 мОм при 50 А, 10 В | 2 В при 135 мкА | 52 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В |
