Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ИПД60Р380Е6БТМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~155°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipa60r380e6xksa1-datasheets-7737.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | 3 | EAR99 | Нет | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 1 | Р-ПССО-Г2 | 11 нс | 9нс | 8 нс | 56 нс | 10,6А | 30 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 83 Вт Тс | 210 мДж | 650В | N-канал | 700пФ при 100В | 380 мОм при 3,8 А, 10 В | 3,5 В при 300 мкА | 10,6 А Тс | 32 НК при 10 В | Супер Джанкшн | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ70СМ70С | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | SiCFET (карбид кремния) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-apt70sm70b-datasheets-2236.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 22 недели | EAR99 | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 1 | Р-ПССО-Г2 | 65А | Одинокий | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 700В | 700В | 220 Вт Тс | 50А | 117А | 0,09 Ом | N-канал | 70 мОм при 32,5 А, 20 В | 2,5 В при 1 мА | 65А Ц | 125 НК при 20 В | 20 В | +25В, -10В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПУ80Р2К8СЕАКМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipu80r2k8cebkma1-datasheets-7230.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | 3 | 16 недель | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСИП-Т3 | 1,9 А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 800В | 800В | 42 Вт Тс | 6А | 90 мДж | N-канал | 290пФ при 100В | 2,8 Ом при 1,1 А, 10 В | 3,9 В при 120 мкА | 1,9 А Тс | 12 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФС6Б03НЛВФТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs6b03nlt1g-datasheets-2171.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 21 неделя | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 100В | 3,9 Вт Та 198 Вт Тс | N-канал | 5320пФ при 25В | 4 м Ом при 20 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 9,4 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±16 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО5401ЭЛ | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-ao5401e-datasheets-2456.pdf | СК-89, СОТ-490 | 500 мА | 20 В | 280мВт Та | P-канал | 100пФ при 10В | 800 мОм при 500 мА, 4,5 В | 0,9 В @ 250 мкА | 500 мА Та | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЯНТХ2N6898 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 2015 год | ТО-204АА, ТО-3 | 2 | EAR99 | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | 2 | 1 | Другие транзисторы | Квалифицированный | О-МБФМ-П2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100В | 150 Вт Тс | ТО-204АЭ | 25А | 60А | P-канал | 3000пФ при 25В | 200 мОм при 15,8 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 25А Ц | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 62-0095ПБФ | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2016 год | СОИК | 20 В | 2 Вт | N-канал | 900пФ при 10 В | 13,4 мОм при 10 А, 10 В | 2,55 В @ 250 мкА | 10А Та 12А Ц | 11 НК при 4,5 В | 10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПУ80Р1К4СЕАКМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Поверхностный монтаж | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipd80r1k4cebtma1-datasheets-7317.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | 3 | 6 недель | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСИП-Т3 | 3,9 А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 800В | 800В | 63 Вт Тс | 12А | 170 мДж | N-канал | 570пФ при 100В | 1,4 Ом при 2,3 А, 10 В | 3,9 В @ 240 мкА | 3,9 А Тс | 23 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПД60Р380Е6АТМА2 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipa60r380e6xksa1-datasheets-7737.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Содержит свинец | 3 | Без галогенов | ПГ-ТО252-3 | 700пФ | 10,6А | 600В | 600В | 83 Вт Тс | N-канал | 700пФ при 100В | 380 мОм при 3,8 А, 10 В | 3,5 В при 300 мкА | 10,6 А Тс | 32 НК при 10 В | Супер Джанкшн | 380 мОм | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМГ4Н60СДЖ3 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/diodesincorporated-dmg4n60sj3-datasheets-2313.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | 8 недель | EAR99 | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 3А | 600В | 41 Вт Тс | N-канал | 532пФ при 25 В | 2,5 Ом при 2 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 3А Тк | 14,3 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВТФС5820НЛТАГ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-nvtfs5820nlwftwg-datasheets-7146.pdf | 8-PowerWDFN | 3,15 мм | 750 мкм | 3,15 мм | Без свинца | 5 | 23 недели | Нет СВХК | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 15 часов назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 8 | Одинокий | 21 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | С-ПДСО-Ф5 | 10 нс | 28нс | 22 нс | 19 нс | 11А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 2,3 В | 3,2 Вт Та 21 Вт Тс | 29А | 247А | 60В | N-канал | 1462пФ при 25В | 11,5 мОм при 8,7 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 11А Та | 28 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| ТПХ3202ПС | Трансформировать | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | GaNFET (нитрид галлия) | Не соответствует требованиям RoHS | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/transphorm-tph3202ps-datasheets-2317.pdf | ТО-220-3 | 14 недель | да | неизвестный | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 600В | 65 Вт Тс | N-канал | 760пФ при 480В | 350 мОм при 5,5 А, 8 В | 2,5 В при 250 мкА | 9А Тц | 9,3 нк при 4,5 В | 10 В | ±18 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОБ11С60 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2014 год | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | совместимый | ДА | Полевой транзистор общего назначения | Одинокий | 600В | 278 Вт Тс | 11А | N-канал | 2000пФ при 100В | 440 мОм при 5,5 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 11А Тк | 42 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ80СМ120С | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | SiCFET (карбид кремния) | Соответствует RoHS | 1997 год | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 22 недели | EAR99 | 80А | 1200В | 625 Вт Тс | N-канал | 55 мОм при 40 А, 20 В | 2,5 В при 1 мА | 80А Ц | 235 НК при 20 В | 20 В | +25В, -10В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТПХ3206ЛД | Трансформировать | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 3 (168 часов) | GaNFET (нитрид галлия) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/transphorm-tph3206ld-datasheets-2326.pdf | 4-PowerDFN | 14 недель | да | неизвестный | 600В | 96 Вт Тс | N-канал | 760пФ при 480В | 180 мОм при 11 А, 8 В | 2,6 В при 500 мкА | 17А Тк | 9,3 нк при 4,5 В | 10 В | ±18 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMG4N60SCT | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/diodesincorporated-dmg4n60sct-datasheets-2332.pdf | ТО-220-3 | 3 | 7 недель | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | 4,5 А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | 113 Вт Та | ТО-220АБ | 6А | 90 мДж | N-канал | 532пФ при 25 В | 2,5 Ом при 2 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 4,5 А Та | 14,3 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПП70П04П409АКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, OptiMOS™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipi70p04p409aksa1-datasheets-1860.pdf | ТО-220-3 | Содержит свинец | 3 | 3 | EAR99 | Без галогенов | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | 19 нс | 15 нс | 31 нс | 24 нс | 72А | 20 В | -40В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 40В | 75 Вт Тс | ТО-220АБ | 288А | 0,0094Ом | 24 мДж | P-канал | 4810пФ при 25 В | 9,4 мОм при 70 А, 10 В | 4 В @ 120 мкА | 72А Тк | 70 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AUIRFN7110TR | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, HEXFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-auirfn7110tr-datasheets-2282.pdf | 8-PowerTDFN | 11 недель | 8 | 8-PQFN (5x6) | 3,05 нФ | 58А | 100В | 4,3 Вт Та 125 Вт Тс | N-канал | 3050пФ при 25В | 14,5 мОм при 35 А, 10 В | 4 В при 100 мкА | 58А Ц | 74 НК при 10 В | 14,5 мОм | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Январь2N6898 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | ТО-204АА, ТО-3 | 2 | EAR99 | не_совместимо | 8541.29.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | МИЛ-19500/565С | НЕТ | НИЖНИЙ | ПИН/ПЭГ | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Квалифицированный | О-МБФМ-П2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100В | 100В | 150 Вт Тс | ТО-204АЭ | 25А | 60А | P-канал | 3000пФ при 25В | 200 мОм при 15,8 А, 10 В | 4 В при 250 мкА | 25А Ц | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПИ11Н60С3ААКСА2 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ70СМ70Б | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | SiCFET (карбид кремния) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-apt70sm70b-datasheets-2236.pdf | ТО-247-3 | 3 | 22 недели | УСТАРЕЛО (последнее обновление: 2 недели назад) | EAR99 | ОДИНОКИЙ | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | 65А | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 700В | 700В | 300 Вт Тс | 58А | 137А | 0,09 Ом | N-канал | 70 мОм при 32,5 А, 20 В | 2,5 В при 1 мА | 65А Ц | 125 НК при 20 В | 20 В | +25В, -10В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 64-9149ПБФ | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АУИРФП4310Z | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, HEXFET® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-auirfp4310z-datasheets-2241.pdf | ТО-247-3 | 3 | 19 недель | EAR99 | СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | 128А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100В | 100В | 278 Вт Тс | ТО-247АС | 120А | 480А | 0,006Ом | 355 мДж | N-канал | 7120пФ при 50В | 6 мОм при 77 А, 10 В | 4 В @ 150 мкА | 128А Ц | 188 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ25СМ120Б | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | SiCFET (карбид кремния) | Соответствует RoHS | ТО-247-3 | ТО-247 | 25А | 1200В | 175 Вт Тс | N-канал | 175 мОм при 10 А, 20 В | 2,5 В при 1 мА | 25А Ц | 72 НК при 20 В | 175 мОм | 20 В | +25В, -10В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФС6Б05НЛВФТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs6b05nlt1g-datasheets-2224.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 5 | 38 недель | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 1 | Р-ПДСО-Ф5 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 100В | 100В | 3,8 Вт Ta 165 Вт Tc | 114А | 330А | 125 мДж | N-канал | 3980пФ при 25В | 5,6 мОм при 20 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 6,8 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±16 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ70СМ70J | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Монтаж на шасси, поверхностный монтаж | Крепление на шасси | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | SiCFET (карбид кремния) | Соответствует RoHS | 1997 год | СОТ-227-4, миниБЛОК | 22 недели | EAR99 | 12 нс | 14 нс | 23 нс | 33 нс | 49А | 25В | 700В | 165 Вт Тс | N-канал | 70 мОм при 32,5 А, 20 В | 2,5 В при 1 мА | 49А ТЦ | 125 НК при 20 В | 20 В | +25В, -10В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDWS5360L-F085 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-fdws5360lf085-datasheets-2250.pdf | 8-PowerTDFN | 2 недели | 172,8 мг | 8 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | Одинокий | 60А | 60В | 150 Вт Тиджей | N-канал | 3695пФ при 30 В | 8,5 мОм при 60 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 60А Ц | 72 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПП120Н06С403АКСА2 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, OptiMOS™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipb120n06s403atma2-datasheets-8197.pdf | ТО-220-3 | 3 | 6.000006г | е3 | Олово (Вс) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 1 | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | 120А | 60В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 167 Вт Тс | ТО-220АБ | 480А | 0,0032Ом | 392 мДж | N-канал | 13150пФ при 25В | 3,2 мОм при 100 А, 10 В | 4 В @ 120 мкА | 120А Ц | 160 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDMS9411L-F085 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, PowerTrench® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fdms9411lf085-datasheets-2176.pdf | 8-PowerTDFN | 10 недель | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 40В | 50 Вт Тиджей | N-канал | 1210пФ при 20В | 7 м Ом при 30 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 30А Ц | 28 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФС6Б05НЛТ3Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs6b05nlt1g-datasheets-2224.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 5 | 38 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 1 | Р-ПДСО-Ф5 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 100В | 100В | 3,8 Вт Ta 165 Вт Tc | 114А | 330А | 125 мДж | N-канал | 3980пФ при 25В | 5,6 мОм при 20 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 6,8 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±16 В |
