Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Дата проведения проверки исходного URL | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NX3008NBKT,115 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/nxpusainc-nx3008nbkt115-datasheets-8795.pdf | СК-75, СОТ-416 | 3 | 2013-06-14 00:00:00 | 30 В | 250 мВт Ta 770 мВт Tc | N-канал | 50пФ при 15В | 1,4 Ом при 350 мА, 4,5 В | 1,1 В @ 250 мкА | 350 мА Та | 0,68 нк при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N6770T1 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-2n6768t1-datasheets-8627.pdf | ТО-254-3, ТО-254АА (прямые выводы) | 3 | ОДИНОКИЙ | ПИН/ПЭГ | 3 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | S-XSFM-P3 | 12А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 500В | 500В | 4 Вт Та 150 Вт Тс | 0,5 Ом | N-канал | 500 мОм при 12 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 12А Та | 120 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N6764T1 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-2n6768t1-datasheets-8627.pdf | ТО-204АЭ | 3 | EAR99 | ОДИНОКИЙ | ПИН/ПЭГ | 3 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | S-XSFM-P3 | 38А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 100 В | 100 В | 4 Вт Та 150 Вт Тс | ТО-254АА | 0,065 Ом | N-канал | 65 мОм при 38 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 38А Тц | 125 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NX3020NAKT,115 | NXP США Инк. | 0,16 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | СК-75, СОТ-416 | 3 | 30 В | 230 мВт Ta 1,06 Вт Tc | N-канал | 13пФ при 10В | 4,5 Ом при 100 мА, 10 В | 1,5 В @ 250 мкА | 180 мА Та | 0,44 НК при 4,5 В | 2,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRLR7843CTRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineon-irlr7843ctrpbf-datasheets-9202.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,7056 мм | 2,26 мм | 6,22 мм | 3 | Нет | Одинокий | 140 Вт | Д-Пак | 4,38 нФ | 25 нс | 42нс | 19 нс | 34 нс | 161А | 20 В | 30 В | 140 Вт Тс | 3,3 мОм | 30 В | N-канал | 4380пФ при 15В | 3,3 мОм при 15 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 161А Ц | 50 НК при 4,5 В | 3,3 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPI65R150CFDXKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipb65r150cfdatma1-datasheets-9715.pdf | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | Без свинца | 3 | 16 недель | 3 | да | Без галогенов | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | 12,4 нс | 7,6 нс | 5,6 нс | 52,8 нс | 22,4А | 20 В | 650В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 195,3 Вт Тс | 72А | 0,15 Ом | 614 мДж | 700В | N-канал | 2340пФ при 100В | 150 мОм при 9,3 А, 10 В | 4,5 В при 900 мкА | 22,4 А Тс | 86 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПМФ250ХН,115 | NXP США Инк. | 0,74 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | СК-70, СОТ-323 | 3 | 2013-06-14 00:00:00 | 30 В | 275 мВт Ta 1065 Вт Tc | N-канал | 50пФ при 15В | 300 мОм при 900 мА, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 900 мА Та | 1,1 нк при 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMF87EN,115 | NXP США Инк. | 0,60 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-pmf87en115-datasheets-8848.pdf | СК-70, СОТ-323 | 3 | 30 В | 275 МВт Та | N-канал | 135пФ при 15В | 80 мОм при 1,7 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 1,7 А Та | 4,7 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF8308MTR1PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-irf8308mtrpbf-datasheets-4769.pdf | DirectFET™ Изометрический MX | 30 В | 2,8 Вт Та 89 Вт Тс | N-канал | 4404пФ при 15В | 2,5 мОм при 27 А, 10 В | 2,35 В @ 100 мкА | 27А Та 150А Ц | 42 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПМН15УН,115 | NXP США Инк. | 0,92 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nxpusainc-pmn15un115-datasheets-8865.pdf | СК-74, СОТ-457 | 30 В | N-канал | 8А Тк | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMPB12UN,115 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | 6-УДФН Открытая площадка | 6 | е3 | ИНН | МЭК-60134 | ДА | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 6 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | С-ПДСО-Н6 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | 1,7 Вт Ta 12,5 Вт Tc | 7,9А | 31А | 0,018 Ом | N-канал | 886пФ при 10 В | 18 мОм @ 7,9 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 7,9А Та | 13 НК при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPD65R250C6XTMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/infineontechnologies-ipd65r250c6xtma1-datasheets-8291.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 12 недель | да | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПССО-Г2 | 13 нс | 11нс | 12 нс | 100 нс | 16,1А | 20 В | 650В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 208,3 Вт Тс | 46А | 0,25 Ом | 290 мДж | 700В | N-канал | 950пФ при 100В | 250 мОм при 4,4 А, 10 В | 3,5 В при 400 мкА | 16,1 А Тс | 44 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПМПБ40СНА,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/nexperiausainc-pmpb40sna115-datasheets-8544.pdf | 6-УДФН Открытая площадка | 6 | Олово | 6 | 1,7 Вт | 1 | 9 нс | 23нс | 12 нс | 12,9А | 20 В | 60В | 1,7 Вт Ta 12,5 Вт Tc | N-канал | 612пФ при 30 В | 43 мОм при 4,8 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 12,9 А Тс | 24 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПУ60Р950С6БКМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/infineontechnologies-ipu60r950c6bkma1-datasheets-8567.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | 6,73 мм | 6,22 мм | 2,41 мм | Содержит свинец | 3 | 3 | нет | EAR99 | Без галогенов | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 37 Вт | 1 | 10 нс | 8нс | 13 нс | 60 нс | 4,4А | 20 В | 600В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 37 Вт Тс | 0,95 Ом | 46 мДж | 650В | N-канал | 280пФ при 100В | 950 мОм при 1,5 А, 10 В | 3,5 В при 130 мкА | 4,4 А Тс | 1,5 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFH8321TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/infineontechnologies-irfh8321trpbf-datasheets-8547.pdf | 8-TQFN Открытая колодка | Без свинца | 16 недель | 8 | EAR99 | НЕ УКАЗАН | 1 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 3,4 Вт | Полевой транзистор общего назначения | 14 нс | 20 нс | 6,8 нс | 12 нс | 21А | 20 В | 3,4 Вт Та 54 Вт Тс | 30 В | N-канал | 2600пФ при 10 В | 4,9 мОм при 20 А, 10 В | 2 В при 50 мкА | 21А Та 83А Ц | 59 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF6728MTR1PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-irf6728mtrpbf-datasheets-5770.pdf | DirectFET™ Изометрический MX | 5,45 мм | 530 мкм | 5,05 мм | Нет СВХК | 7 | Нет | 75 Вт | 1 | DIRECTFET™ MX | 4,11 нФ | 16 нс | 34 нс | 19 нс | 19 нс | 140А | 20 В | 30 В | 1,8 В | 2,1 Вт Та 75 Вт Тс | 3,6 мОм | 30 В | N-канал | 4110пФ при 15 В | 1,8 В | 2,5 мОм при 23 А, 10 В | 2,35 В @ 100 мкА | 23А Та 140А Ц | 42 НК при 4,5 В | 2,5 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF8304MTR1PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-irf8304mtr1pbf-datasheets-8530.pdf | DirectFET™ Изометрический MX | 7 | Нет | 2,8 Вт | 1 | DIRECTFET™ MX | 4,7 нФ | 16 нс | 22нс | 13 нс | 19 нс | 170А | 20 В | 30 В | 2,8 Вт Та 100 Вт Тс | 3,2 мОм | 30 В | N-канал | 4700пФ при 15В | 2,2 мОм при 28 А, 10 В | 2,35 В @ 100 мкА | 28А Та 170А Ц | 42 НК при 4,5 В | 2,2 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF6892STR1PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-irf6892str1pbf-datasheets-8406.pdf | DirectFET™ Изометрический S3C | 25 В | 2,1 Вт Та 42 Вт Тс | N-канал | 2510пФ при 13В | 1,7 мОм при 28 А, 10 В | 2,1 В при 50 мкА | 28А Та 125А Ц | 25 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±16 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N6768T1 | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-2n6768t1-datasheets-8627.pdf | ТО-254-3, ТО-254АА (прямые выводы) | 3 | EAR99 | ОДИНОКИЙ | ПИН/ПЭГ | 3 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | S-XSFM-P3 | 14А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 400В | 400В | 4 Вт Та 150 Вт Тс | 0,3 Ом | N-канал | 400 мОм при 14 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 14А Та | 110 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПИ65R099C6XKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/infineontechnologies-ipa65r099c6xksa1-datasheets-8309.pdf | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | Без свинца | 3 | 12 недель | 3 | да | Без галогенов | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | 10,6 нс | 9нс | 6 нс | 77 нс | 38А | 20 В | 650В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 278 Вт Тс | 115А | 0,099 Ом | 845 мДж | N-канал | 2780пФ при 100В | 99 мОм при 12,8 А, 10 В | 3,5 В @ 1,2 мА | 38А Тц | 127 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОТФ10Т60 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aotf7t60pl-datasheets-2991.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | Полевой транзистор общего назначения | 10А | Одинокий | 600В | 43 Вт Тс | N-канал | 1346пФ при 100 В | 700 мОм при 5 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 10А Ц | 35 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF8302MTR1PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-irf8302mtrpbf-datasheets-1997.pdf | DirectFET™ Изометрический MX | DIRECTFET™ MX | 30 В | 2,8 Вт Та 104 Вт Тс | N-канал | 6030пФ при 15 В | 1,8 мОм при 31 А, 10 В | 2,35 В @ 150 мкА | 31А Та 190А Ц | 53 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРЛМС2002ГТРПБФ | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-irlms2002trpbf-datasheets-3937.pdf | СОТ-23-6 | 2,9972 мм | 1,2954 мм | 1,75 мм | 6 | Нет | Одинокий | 2 Вт | Микро6™(СОТ23-6) | 1,31 нФ | 8,5 нс | 11нс | 16 нс | 36 нс | 6,5 А | 12 В | 20 В | 2 Вт Та | 30мОм | 20 В | N-канал | 1310пФ при 15В | 30 мОм при 6,5 А, 4,5 В | 1,2 В @ 250 мкА | 6,5 А Та | 22 НК при 5 В | 30 мОм | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПМПБ16ХН,115 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | 6-УДФН Открытая площадка | 6 | е3 | ИНН | МЭК-60134 | ДА | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 6 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | С-ПДСО-Н6 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 1,7 Вт Ta 12,5 Вт Tc | 7,2А | 28А | 0,021 Ом | N-канал | 775пФ при 15В | 21 мОм при 7,2 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 7.2А Та | 10,8 нк при 4,5 В | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N7002E | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2017 год | /files/panasonicelectroniccomComponents-2n7002e-datasheets-8674.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 12 недель | EAR99 | неизвестный | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 60В | 350мВт Та | N-канал | 40пФ при 10В | 3 Ом при 100 мА, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 300 мА Та | 0,8 нк при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПУ50Р1К4СЕБКМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 3 (168 часов) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipu50r1k4cebkma1-datasheets-8518.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | 6,73 мм | 6,22 мм | 2,41 мм | 3 | нет | EAR99 | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 25 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | 6,5 нс | 6нс | 30 нс | 23 нс | 3,1А | 30 В | 500В | 25 Вт Тс | N-канал | 178пФ при 100В | 1,4 Ом при 900 мА, 13 В | 3,5 В при 70 мкА | 3,1 А Тс | 8,2 НК при 10 В | 13В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF6893MTR1PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-irf6893mtrpbf-datasheets-9496.pdf | DirectFET™ Изометрический MX | 25 В | 2,1 Вт Та 69 Вт Тс | N-канал | 3480пФ при 13В | 1,6 мОм при 29 А, 10 В | 2,1 В @ 100 мкА | 29А Та 168А Ц | 38 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±16 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПУ50Р3К0СЕБКМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ CE | Поверхностный монтаж, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 3 (168 часов) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/infineontechnologies-ipd50r3k0cebtma1-datasheets-2402.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | 6,73 мм | 6,22 мм | 2,41 мм | Содержит свинец | 3 | 3 | нет | Без галогенов | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 7,3 нс | 5,8 нс | 49 нс | 23 нс | 1,7 А | 20 В | 500В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 18 Вт Тс | 4,1А | 3Ом | 18 мДж | 550В | N-канал | 84пФ при 100В | 3 Ом при 400 мА, 13 В | 3,5 В при 30 мкА | 1,7 А Тс | 4,3 нк при 10 В | 13В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF6810STR1PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-irf6810str1pbf-datasheets-8385.pdf | DirectFET™ Изометрический S1 | ПРЯМОЙ ПТ S1 | 25 В | 2,1 Вт Та 20 Вт Тс | N-канал | 1038пФ при 13В | 5,2 мОм при 16 А, 10 В | 2,1 В при 25 мкА | 16А Та 50А Ц | 11 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±16 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПМН25УН,115 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/nxpusainc-pmn25un115-datasheets-8393.pdf | СК-74, СОТ-457 | 6 | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | МЭК-60134 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 6 | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПДСО-Г6 | 2013-06-14 00:00:00 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | 530 мВт Ta 6,25 Вт Tc | 6А | 0,027Ом | N-канал | 470пФ при 10В | 27 мОм при 6 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 6А Та | 10 НК при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В |
