Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Текущий | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Напряжение | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Время восстановления | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| АУИРФ7484Q | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-auirf7484qtr-datasheets-8037.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | совместимый | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 40В | 2,5 Вт Та | N-канал | 3520пФ при 25В | 10 мОм при 14 А, 7 В | 2 В @ 250 мкА | 14А Та | 100 НК при 7 В | 7В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СУП75П05-08-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-sup75p0508e3-datasheets-3242.pdf | ТО-220-3 | 10,41 мм | 9,01 мм | 4,7 мм | 3 | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | 260 | 3 | Одинокий | 30 | 250 Вт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 13 нс | 140 нс | 175 нс | 115 нс | -75А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 55В | -2В | 3,7 Вт Ta 250 Вт Tc | ТО-220АБ | 240А | 0,008 Ом | 30В | P-канал | 8500пФ при 25В | -2 В | 8 мОм при 30 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 75А Ц | 225 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СУП40Н10-30-Е3 | Вишай Силиконикс | 0,24 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sup40n1030e3-datasheets-3260.pdf | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | 30мОм | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | 3 | Одинокий | 3,75 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 11 нс | 12нс | 12 нс | 30 нс | 40А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 3,75 Вт Та 107 Вт Тс | ТО-220АБ | 75А | 100В | N-канал | 2400пФ при 25В | 30 мОм при 15 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 40А Ц | 60 НК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1405DL-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si1405dlt1ge3-datasheets-6027.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2,3876 мм | 990,6 мкм | 1,3462 мм | Без свинца | 125 мОм | 6 | Нет | Одинокий | 568мВт | СК-70-6 (СОТ-363) | 8 нс | 36нс | 36 нс | 33 нс | 1,6 А | 8В | 8В | 568мВт Та | 210мОм | 8В | P-канал | 125 мОм при 1,8 А, 4,5 В | 450 мВ при 250 мкА (мин) | 1,6 А Та | 7 НК при 4,5 В | 54 мОм | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АУИРФ6215С | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-auirf6215strl-datasheets-3042.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 9 недель | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | АЭК-Q101 | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 150 В | 150 В | 3,8 Вт Та 110 Вт Тс | 13А | 44А | 0,29 Ом | 310 мДж | P-канал | 860пФ при 25В | 290 мОм при 6,6 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 13А Тк | 66 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPD50R650CEBTMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/infineontechnologies-ipd50r650ceauma1-datasheets-3165.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | нет | EAR99 | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | 47 Вт Тс | ТО-252АА | 6,1А | 19А | 0,65 Ом | 102 мДж | N-канал | 342пФ при 100 В | 650 мОм при 1,8 А, 13 В | 3,5 В @ 150 мкА | 6.1А Ц | 15 НК при 10 В | 13В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AUIRF7805QTR | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-auirf7805qtr-datasheets-3288.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 26 недель | Нет СВХК | 8 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛ, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, СОВМЕСТИМОСТЬ С ЛОГИЧЕСКИМ УРОВНЕМ, СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Нет | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2,5 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 16 нс | 20 нс | 16 нс | 38 нс | 13А | 12 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2,5 Вт Та | 30В | N-канал | 1 В | 11 мОм при 7 А, 4,5 В | 3 В при 250 мкА | 13А Та | 31 НК при 5 В | 4,5 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1307DL-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysiliconix-si1307dlt1ge3-datasheets-6164.pdf | СК-70, СОТ-323 | 2,1844 мм | 990,6 мкм | 1,3462 мм | Без свинца | 3 | 290мОм | 3 | да | EAR99 | 68А | неизвестный | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 12 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | Одинокий | 40 | 290мВт | 1 | Не квалифицированный | 7,5 нс | 32нс | 32 нс | 17 нс | 850 мА | 8В | КРЕМНИЙ | 290мВт Та | -12В | P-канал | 290 мОм при 1 А, 4,5 В | 450 мВ при 250 мкА (мин) | 850 мА Та | 5нК при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AUIRF7805Q | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 год | /files/infineontechnologies-auirf7805qtr-datasheets-3288.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛ, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, СОВМЕСТИМОСТЬ С ЛОГИЧЕСКИМ УРОВНЕМ, СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | совместимый | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 40 | 1 | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г8 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 30В | 2,5 Вт Та | МС-012АА | 13А | 100А | 0,011 Ом | N-канал | 11 мОм при 7 А, 4,5 В | 3 В при 250 мкА | 13А Та | 31 НК при 5 В | 4,5 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АУИРЛЛ2705 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-auirll2705tr-datasheets-4936.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | EAR99 | совместимый | ДА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | Полевой транзистор общего назначения | Одинокий | 55В | 1 Вт Та | 5,2А | N-канал | 870пФ при 25В | 40 мОм при 3,8 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 5.2А Та | 48 НК при 10 В | 4В 10В | ±16 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АУИРФБА1405 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/infineontechnologies-auirfba1405-datasheets-3210.pdf | ТО-273АА | Без свинца | 8 недель | 3 | EAR99 | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 330 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 13 нс | 190 нс | 110 нс | 130 нс | 95А | 20 В | Одинокий | 330 Вт Тс | 55В | N-канал | 5480пФ при 25В | 5 мОм при 101 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 95А Ц | 260 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI3445ADV-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-si3445advt1ge3-datasheets-6097.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | Без свинца | 6 | 42мОм | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | Одинокий | 40 | 1,1 Вт | 1 | Другие транзисторы | 260пФ | 20 нс | 40 нс | 60 нс | 80 нс | 4,4А | 8В | КРЕМНИЙ | 1,1 Вт Та | -8В | P-канал | 42 мОм при 5,8 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 4,4А Та | 19 НК при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АУИРФР4292 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/infineontechnologies-auirfu4292-datasheets-1261.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 26 недель | EAR99 | ДА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | Полевой транзистор общего назначения | Одинокий | 250 В | 100 Вт Тс | 9,3А | N-канал | 705пФ при 25В | 345 мОм при 5,6 А, 10 В | 5 В @ 50 мкА | 9,3 А Тс | 20 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4412ADY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | 0,17 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4412adyt1ge3-datasheets-6274.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 24мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 40 | 1,3 Вт | 1 | 15 нс | 6нс | 6 нс | 26 нс | 5,8А | 20 В | КРЕМНИЙ | 1,3 Вт Та | 30А | 30В | N-канал | 24 мОм при 8 А, 10 В | 1 В @ 250 мкА (мин) | 5,8А Та | 20 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SUD50P04-13L-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysiliconix-sud50p0413lge3-datasheets-4867.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,38 мм | 6,22 мм | Без свинца | 2 | Нет СВХК | 13мОм | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | Одинокий | 93,7 МВт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | 13 нс | 10 нс | 20 нс | 50 нс | 60А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | -3В | 3 Вт Та 93,7 Вт Тс | 50А | 80 мДж | 40В | P-канал | 3120пФ при 25В | 13 мОм при 30 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 60А Ц | 95 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| СУД50П04-15-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-sud50p0415e3-datasheets-3027.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,39 мм | 6,22 мм | Без свинца | 2 | 26 недель | 1,437803г | Нет СВХК | 15мОм | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | 1 | Одинокий | 100 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | 15 нс | 380 нс | 140 нс | 75 нс | -50А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 40В | -1В | 3 Вт Та 100 Вт Тс | -40В | P-канал | 5400пФ при 25В | -1 В | 15 мОм при 30 А, 10 В | 1 В @ 250 мкА (мин) | 50А Ц | 130 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| СУП70Н03-09БП-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sup70n0309bpe3-datasheets-3111.pdf | ТО-220-3 | 3 | Неизвестный | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | 3 | Одинокий | 93 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 10 нс | 8нс | 9 нс | 25 нс | 50А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 93 Вт Тс | ТО-220АБ | 70А | 200А | 0,009 Ом | 30В | N-канал | 1500пФ при 25В | 800 мВ | 9 мОм при 30 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 70А Ц | 19 НК при 5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPW50R190CEFKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/infineontechnologies-ipp50r190cexksa1-datasheets-9974.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 6 недель | 3 | да | Нет | 3 | Одинокий | 127 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 9,5 нс | 8,5 нс | 7,5 нс | 54 нс | 18,5А | 20 В | 500В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 127 Вт Тс | N-канал | 1137пФ при 100В | 190 мОм при 6,2 А, 13 В | 3,5 В @ 510 мкА | 18,5 А Тс | 47,2 НК при 10 В | Супер Джанкшн | 13В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРФС7437ПБФ | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | HEXFET®, StrongIRFET™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/infineontechnologies-irfs7437trlpbf-datasheets-9988.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 10,67 мм | 4,83 мм | 9,65 мм | Без свинца | 2 | Нет СВХК | 3 | EAR99 | Нет | КРЫЛО ЧАЙКИ | Одинокий | 230 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 19 нс | 70нс | 53 нс | 78 нс | 195А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 40В | 3В | 230 Вт Тс | 30 нс | 802 мДж | N-канал | 7330пФ при 25 В | 3 В | 1,8 мОм при 100 А, 10 В | 3,9 В @ 150 мкА | 195А Ц | 225 НК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4836DY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/vishaysiliconix-si4836dyt1ge3-datasheets-6582.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 3мОм | 8 | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | Одинокий | 40 | 1,6 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 860пФ | 35 нс | 41нс | 115 нс | 190 нс | 17А | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,6 Вт Та | 12 В | N-канал | 3 мОм при 25 А, 4,5 В | 400 мВ при 250 мкА (мин) | 17А Та | 75 НК при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4404DY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | 0,19 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4404dyt1ge3-datasheets-6289.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | Неизвестный | 6,5 мОм | 8 | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | Одинокий | 40 | 1,6 Вт | 1 | 2нФ | 20 нс | 15 нс | 40 нс | 105 нс | 23А | 20 В | КРЕМНИЙ | 1,6 Вт Та | 30В | N-канал | 1 В | 6,5 мОм при 23 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 15А Та | 55 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОБ2618Л | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 год | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 3 | 1 | 23А | 20 В | 60В | 2,1 Вт Ta 41,5 Вт Tc | N-канал | 950пФ при 30 В | 19 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 7А Та 23А Ц | 20 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI2335DS-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si2335dst1ge3-datasheets-6121.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | Неизвестный | 51мОм | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | Одинокий | 30 | 750 мВт | 1 | Другие транзисторы | 13 нс | 15 нс | 15 нс | 50 нс | -4А | 8В | КРЕМНИЙ | 12 В | 750мВт Та | -12В | P-канал | 1225пФ при 6В | -450 мВ | 51 мОм при 4 А, 4,5 В | 450 мВ при 250 мкА (мин) | 3.2А Та | 15 НК при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI2305ADS-T1-E3 | Вишай Силиконикс | 1,28 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -50°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si2305adst1ge3-datasheets-0154.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 40мОм | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | Одинокий | 30 | 1 | Другие транзисторы | 11нс | 11 нс | 22 нс | 4,1А | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 960 мВт Ta 1,7 Вт Tc | 5,4А | -8В | P-канал | 740пФ при 4В | 40 мОм при 4,1 А, 4,5 В | 800 мВ при 250 мкА | 5,4 А Тс | 15 НК при 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4860DY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-si4860dyt1ge3-datasheets-6401.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | Неизвестный | 8мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | Одинокий | 30 | 1,6 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | 4,5 нФ | 18 нс | 12нс | 12 нс | 46 нс | 16А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1В | 1,6 Вт Та | 30В | N-канал | 1 В | 8 мОм при 16 А, 10 В | 1 В @ 250 мкА (мин) | 11А Та | 18 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4401DY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysiliconix-si4401dyt1ge3-datasheets-6298.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 506,605978мг | Нет СВХК | 15,5 мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 1 | Одинокий | 40 | 1,5 Вт | 1 | Другие транзисторы | 17 нс | 18нс | 55 нс | 122 нс | -10,5А | 20 В | КРЕМНИЙ | 40В | 40В | -1В | 1,5 Вт Та | P-канал | -1 В | 15,5 мОм при 10,5 А, 10 В | 1 В @ 250 мкА (мин) | 8,7А Та | 50 НК при 5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFH7446TR2PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | HEXFET®, StrongIRFET™ | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-irfh7446trpbf-datasheets-2685.pdf | 8-PowerTDFN | 40В | N-канал | 3174пФ при 25В | 3,3 мОм при 50 А, 10 В | 3,9 В @ 100 мкА | 85А Ц | 98 НК при 10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTF03N400 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixtf03n400-datasheets-3089.pdf | i4-Pac™-5 (3 отверстия) | 3 | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 70 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПСИП-Т3 | 16нс | 58 нс | 86 нс | 300 мА | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 4000В | 70 Вт Тс | 0,3 А | 0,8 А | 4кВ | N-канал | 435пФ при 25В | 300 Ом при 150 мА, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 300 мА Тс | 16,3 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF9383MTR1PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-irf9383mtrpbf-datasheets-4595.pdf | DirectFET™ Изометрический MX | Без свинца | 2,9 МОм | 7 | Нет | Двойной | 2,1 Вт | 1 | DIRECTFET™ MX | 7,305 нФ | 160 нс | 110 нс | 115 нс | 22А | 20 В | 30В | 2,1 Вт Та 113 Вт Тс | 3,8 мОм | -30В | P-канал | 7305пФ при 15 В | 2,9 мОм при 22 А, 10 В | 2,4 В @ 150 мкА | 22А Та 160А Ц | 130 НК при 10 В | 2,9 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКСТА02Н250 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth02n250-datasheets-2386.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | Одинокий | 1 | Р-ПССО-Г2 | 19нс | 33 нс | 32 нс | 200 мА | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2500В | 2500В | 83 Вт Тс | 0,2 А | 0,6А | N-канал | 116пФ при 25 В | 450 Ом при 50 мА, 10 В | 4,5 В при 250 мкА | 200 мА Тс | 7,4 НК при 10 В | 10 В | ±20 В |
