Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Обратное время восстановления | Время восстановления | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF9383MTR1PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-irf9383mtrpbf-datasheets-4595.pdf | DirectFET™ Изометрический MX | Без свинца | 2,9 МОм | 7 | Нет | Двойной | 2,1 Вт | 1 | DIRECTFET™ MX | 7,305 нФ | 160 нс | 110 нс | 115 нс | 22А | 20 В | 30В | 2,1 Вт Та 113 Вт Тс | 3,8 мОм | -30В | P-канал | 7305пФ при 15 В | 2,9 мОм при 22 А, 10 В | 2,4 В @ 150 мкА | 22А Та 160А Ц | 130 НК при 10 В | 2,9 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКСТА02Н250 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixth02n250-datasheets-2386.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | Одинокий | 1 | Р-ПССО-Г2 | 19нс | 33 нс | 32 нс | 200 мА | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2500В | 2500В | 83 Вт Тс | 0,2 А | 0,6А | N-канал | 116пФ при 25 В | 450 Ом при 50 мА, 10 В | 4,5 В при 250 мкА | 200 мА Тс | 7,4 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDMS8570SDC | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench®, SyncFET™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2017 год | /files/onsemiconductor-fdms8570sdc-datasheets-2932.pdf | 8-PowerTDFN | 5 | 90мг | Нет СВХК | 8 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | Одинокий | 59 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПДСО-Ф5 | 11 нс | 4нс | 3 нс | 33 нс | 60А | 12 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,5 В | 3,3 Вт Та 59 Вт Тс | МО-240АА | 100А | 45 мДж | 25 В | N-канал | 2825пФ при 13В | 2,8 мОм при 28 А, 10 В | 2,2 В при 1 мА | 28А Та 60А Ц | 42 НК при 10 В | Диод Шоттки (корпус) | 4,5 В 10 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРФС7440ПБФ | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | HEXFET®, StrongIRFET™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/infineontechnologies-irfs7440trlpbf-datasheets-4846.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 10,67 мм | 4,83 мм | 9,65 мм | Без свинца | 2 | Нет СВХК | 3 | EAR99 | Нет | КРЫЛО ЧАЙКИ | Одинокий | 208 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 24 нс | 68нс | 68 нс | 115 нс | 120А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 3В | 208 Вт Тк | 24 нс | 208А | 772А | 0,0025Ом | 40В | N-канал | 4730пФ при 25 В | 3 В | 2,5 мОм при 100 А, 10 В | 3,9 В @ 100 мкА | 120А Ц | 135 НК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СУД35Н05-26Л-Е3 | Вишай Силиконикс | 0,14 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sud35n0526le3-datasheets-2955.pdf | 55В | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,7056 мм | 2,3876 мм | 6,223 мм | Без свинца | Нет СВХК | 20мОм | 3 | Нет | Одинокий | 50 Вт | 1 | ТО-252, (Д-Пак) | 885пФ | 5 нс | 18нс | 100 нс | 20 нс | 35А | 20 В | 55В | 55В | 1В | 7,5 Вт Та 50 Вт Тс | 20мОм | 55В | N-канал | 885пФ при 25 В | 1 В | 20 мОм при 20 А, 10 В | 1 В @ 250 мкА (мин) | 35А Ц | 13 НК при 5 В | 20 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СУД23Н06-31Л-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysiliconix-sud23n0631lt4e3-datasheets-7979.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,7056 мм | 2,3876 мм | 6,22 мм | Без свинца | 2 | 12 недель | 1,437803г | Нет СВХК | 31мОм | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | 1 | Одинокий | 100 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 8 нс | 15 нс | 25 нс | 30 нс | 23А | 20 В | 60В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 2В | 3 Вт Та 100 Вт Тс | 50А | 20 мДж | 60В | N-канал | 670пФ при 25 В | 2 В | 31 мОм при 15 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 17 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIR640DP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sir640dpt1ge3-datasheets-2960.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 5 | да | EAR99 | ДА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 40 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-XDSO-C5 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 40В | 6,25 Вт Та 104 Вт Тс | 60А | 100А | 0,0022Ом | 80 мДж | N-канал | 4930пФ при 20В | 1,7 мОм при 20 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 60А Ц | 113 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7820PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/infineontechnologies-irf7820trpbf-datasheets-6687.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | Нет СВХК | 8 | EAR99 | Нет | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | Одинокий | 2,5 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 7,1 нс | 3,2 нс | 12 нс | 14 нс | 3,7А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 4В | 2,5 Вт Та | 200В | N-канал | 1750пФ при 100В | 4 В | 78 мОм при 2,2 А, 10 В | 5 В @ 100 мкА | 3,7А Та | 44 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СУД40Н04-10А-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж, сквозное отверстие | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysiliconix-sud40n0410ae3-datasheets-2968.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,7056 мм | 2,3876 мм | 6,223 мм | Без свинца | 2 | 10мОм | 2 | да | EAR99 | Нет | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | Одинокий | 71 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 14 нс | 7,5 нс | 14 нс | 30 нс | 40А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 71 Вт Тс | 40В | N-канал | 1700пФ при 25В | 10 м Ом при 40 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 40А Ц | 35 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFH7440TR2PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | HEXFET®, StrongIRFET™ | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-irfh7440tr2pbf-datasheets-3005.pdf | 8-PowerTDFN | 8-PQFN (5x6) | 40В | N-канал | 4574пФ при 25 В | 2,4 мОм при 50 А, 10 В | 3,9 В @ 100 мкА | 85А Ц | 138 НК при 10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СУП75Н03-04-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysiliconix-sup75n0304e3-datasheets-3010.pdf | ТО-220-3 | 10,41 мм | 9,01 мм | 4,7 мм | 3 | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | 3 | Одинокий | 187 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 20 нс | 40 нс | 95 нс | 190 нс | 75А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 3,7 Вт Та 187 Вт Тс | ТО-220АБ | 250А | 0,006Ом | 280 мДж | 30В | N-канал | 10742пФ при 25 В | 4 м Ом при 75 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 75А Ц | 250 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СУД50Н03-09П-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-sud50n0309pge3-datasheets-3255.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,39 мм | 6,22 мм | Без свинца | 2 | 1,437803г | 9,5 МОм | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 4 | 1 | Одинокий | 30 | 7,5 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 9 нс | 15 нс | 8 нс | 22 нс | 63А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 7,5 Вт Ta 65,2 Вт Tc | 50А | 50А | 30В | N-канал | 2200пФ при 25В | 9,5 мОм при 20 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 63А Тк | 16 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СУМ110Н05-06Л-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж, сквозное отверстие | Поверхностный монтаж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-sum110n0506le3-datasheets-3043.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 10 414 мм | 4826 мм | 9,652 мм | Без свинца | 2 | Нет СВХК | 6мОм | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 36 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | Одинокий | 3,7 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | Р-ПССО-Г2 | 15 нс | 15 нс | 15 нс | 35 нс | 110А | 20 В | 55В | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 70 нс | 240А | 55В | N-канал | 3300пФ при 25В | 3 В | 6 м Ом при 30 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 110А Ц | 100 НК при 10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFR7440PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/infineontechnologies-irfr7440trpbf-datasheets-6297.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,39 мм | 6,22 мм | Без свинца | 2 | 20 недель | Нет СВХК | 3 | EAR99 | Нет | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | КРЫЛО ЧАЙКИ | Одинокий | 140 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 11 нс | 39нс | 34 нс | 51 нс | 90А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 3В | 140 Вт Тс | ТО-252АА | 34 нс | 760А | 0,0024Ом | 40В | N-канал | 4610пФ при 25 В | 3 В | 2,4 мОм при 90 А, 10 В | 3,9 В @ 100 мкА | 90А Ц | 134 НК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПА50R650CE | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Сквозное отверстие | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/infineontechnologies-ipa50r650ce-datasheets-2905.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 3 | да | совместимый | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | 27,2 Вт Тс | ТО-220АБ | 6,1А | 19А | 0,65 Ом | 102 мДж | N-канал | 342пФ при 100 В | 650 мОм при 1,8 А, 13 В | 3,5 В @ 150 мкА | 6.1А Ц | 15 НК при 10 В | Супер Джанкшн | 13В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXFY4N60P3 | ИКСИС | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | HiPerFET™, Polar3™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixfp4n60p3-datasheets-2815.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | 12 недель | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 4А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | 114 Вт Тс | ТО-252АА | 4А | 8А | 200 мДж | N-канал | 365пФ при 25В | 2,2 Ом при 2 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 4А Тк | 6,9 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDFME3N311ZT | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-fdfme3n311zt-datasheets-2793.pdf | 6-УФДФН Открытая площадка | 1,6 мм | 550 мкм | 1,6 мм | 6 | 25,2 мг | Нет СВХК | 6 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДВОЙНОЙ | Одинокий | 1,1 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 6 нс | 16 нс | 2,8 нс | 22 нс | 1,6А | 12 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1В | 1,4 Вт Та | 0,299 Ом | 30В | N-канал | 75пФ при 15В | 1 В | 299 мОм при 1,6 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 1,8 А Та | 1,4 нк @ 4,5 В | Диод Шоттки (изолированный) | 2,5 В 4,5 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N7640-GA | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~225°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | SiC (карбидокремниевый переходной транзистор) | Не соответствует требованиям RoHS | 2013 год | ТО-276АА | 3 | Другие транзисторы | 16А | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 650В | 330 Вт Тс | 1534пФ при 35В | 105 мОм при 16 А | 16А Тс 155°С | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПИ020Н06НАКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/infineontechnologies-ipi020n06naksa1-datasheets-2805.pdf | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | Содержит свинец | 3 | 12 недель | 3 | нет | EAR99 | не_совместимо | 8541.29.00.95 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 214 Вт | 1 | 24 нс | 45нс | 19 нс | 51 нс | 120А | 20 В | 60В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 3 Вт Та 214 Вт Тс | 29А | 480А | 0,002 Ом | 420 мДж | 60В | N-канал | 7800пФ при 30 В | 2 м Ом при 100 А, 10 В | 2,8 В при 143 мкА | 29А Та 120А Ц | 106 НК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BSZ023N04LSATMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-bsz023n04lsatma1-datasheets-2799.pdf | 8-PowerTDFN | 3 | 8 | нет | EAR99 | СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ, СОВМЕСТИМОСТЬ С ЛОГИЧЕСКИМ УРОВНЕМ | Олово | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | 8 | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | С-ПДСО-Ф3 | 13 нс | 38нс | 8 нс | 42 нс | 40А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 40В | 2,1 Вт Та 69 Вт Тс | 22А | 160А | 0,0032Ом | 130 мДж | N-канал | 2630пФ при 20 В | 2,35 мОм при 20 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 22А Та 40А Ц | 37 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПА50R800CE | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Сквозное отверстие | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/infineontechnologies-ipa50r800ce-datasheets-2818.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 3 | 6 недель | да | EAR99 | совместимый | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | 26,4 Вт Тс | ТО-220АБ | 15,5 А | 0,8 Ом | 83 мДж | N-канал | 280пФ при 100В | 800 мОм при 1,5 А, 13 В | 3,5 В при 130 мкА | 5А Ц | 12,4 НК при 10 В | Супер Джанкшн | 13В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N7639-GA | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~225°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | SiC (карбидокремниевый переходной транзистор) | Не соответствует требованиям RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/genesicemiconductor-2n7639ga-datasheets-2829.pdf | ТО-257-3 | 18 недель | 3 | EAR99 | Другие транзисторы | 15А | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 650В | 172 Вт Тс | 1534пФ при 35В | 105 мОм при 15 А | 15А Тс 155°С | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIR642DP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-sir462dpt1ge3-datasheets-7448.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 6,15 мм | 1,04 мм | 5,15 мм | 5 | 51 неделя | 506,605978мг | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | НЕ УКАЗАН | 8 | 1 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 5,4 Вт | 1 | Р-ПДСО-С5 | 30 нс | 105 нс | 12 нс | 38 нс | 60А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 4,8 Вт Ta 41,7 Вт Tc | 0,0024Ом | 40В | N-канал | 4155пФ при 20 В | 2,4 мОм при 15 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 60А Ц | 84 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6542 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductorinc-aon6542-datasheets-2840.pdf | 8-PowerSMD, плоские выводы | 8-ДФН (5х6) | 951пФ | 23А | 30В | 4,1 Вт Та 25 Вт Тс | N-канал | 951пФ при 15 В | 5 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 23А Та 30А Ц | 22,5 НК при 10 В | 5 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПА50R380CE | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/infineontechnologies-ipp50r380cexksa1-datasheets-0408.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 3 | да | совместимый | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | 29,2 Вт Тс | ТО-220АБ | 30А | 0,38 Ом | 210 мДж | N-канал | 584 пФ при 100 В | 380 мОм при 3,2 А, 13 В | 3,5 В @ 260 мкА | 9,9 А Тс | 24,8 НК при 10 В | Супер Джанкшн | 13В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИРФС7437-7ППБФ | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | HEXFET®, StrongIRFET™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/infineontechnologies-irfs7437trl7pp-datasheets-5442.pdf | ТО-263-8, Д2Пак (7 отведений + вкладка), ТО-263СА | 10,67 мм | 4,83 мм | 9,65 мм | Без свинца | Нет СВХК | 7 | EAR99 | Нет | Одинокий | 231 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 18 нс | 62нс | 51 нс | 78 нс | 195А | 20 В | 40В | 2,2 В | 231 Вт Тс | 37 нс | N-канал | 7437пФ при 25 В | 1,4 мОм при 100 А, 10 В | 3,9 В @ 150 мкА | 195А Ц | 225 НК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6442 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,20 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alphaomegasemiconductor-aon6442-datasheets-6163.pdf | 8-PowerSMD, плоские выводы | Полевой транзистор общего назначения | 22А | Одинокий | 40В | 4,2 Вт Ta 35,7 Вт Tc | 65А | N-канал | 2200пФ при 20В | 4,8 мОм при 20 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 22А Та 32А Ц | 35 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GA16JT17-247 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 175°С, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | SiC (карбидокремниевый переходной транзистор) | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/genesicemiconductor-ga16jt17247-datasheets-6164.pdf | ТО-247-3 | 18 недель | Нет СВХК | 3 | EAR99 | Одинокий | Другие транзисторы | 16А | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 1700В | 282 Вт Тс | 1,7 кВ | 110 мОм при 16 А | 16А Тс 90°С | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН7416 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/alphaomegasemiconductor-aon7416-datasheets-6166.pdf | 8-PowerVDFN | Без свинца | 13 недель | 14А | 30В | 3,1 Вт Та 25 Вт Тс | N-канал | 1900пФ при 15В | 8,5 мОм при 20 А, 10 В | 1,7 В @ 250 мкА | 14А Та 40А Ц | 32 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SISA18DN-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sisa18dnt1ge3-datasheets-2778.pdf | PowerPAK® 1212-8 | 7,5 мОм | 1 | PowerPAK® 1212-8 | 1нФ | 22 нс | 20 нс | 14 нс | 30 нс | 38,3А | 2,4 В | 30В | 3,2 Вт Ta 19,8 Вт Tc | 7,5 мОм | 30В | N-канал | 1000пФ при 15В | 7,5 мОм при 10 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 38,3А Тс | 21,5 НК при 10 В | 7,5 мОм | 4,5 В 10 В | +20 В, -16 В |
