Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NVD4815NT4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-ntd4815n35g-datasheets-9183.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 4 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | Нет | е3 | Олово (Вс) | 4 | Одинокий | 1,92 Вт | 1 | 10,5 нс | 21,4 нс | 3,5 нс | 11,4 нс | 8,5 А | 20 В | 1,26 Вт Ta 32,6 Вт Tc | 30В | N-канал | 770пФ при 12 В | 15 мОм при 30 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 6,9 А Та 35 А Тс | 6,6 нк при 4,5 В | 4,5 В 11,5 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCH3481-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-mch3481tlw-datasheets-1413.pdf | 3-СМД, плоский вывод | 2 мм | 850 мкм | 1,6 мм | Без свинца | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | 3 | Одинокий | 800мВт | 6,6 нс | 27нс | 19 нс | 28 нс | 2А | 9В | 800мВт Та | 20 В | N-канал | 175пФ при 10В | 104 мОм при 1 А, 4,5 В | 2А Та | 2,9 нк @ 4,5 В | 1,2 В 4,5 В | ±9 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCH3382-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-mch3382tlh-datasheets-1997.pdf | 3-СМД, плоский вывод | 2 мм | 850 мкм | 1,6 мм | Без свинца | 3 | 3 | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | ДА | ДВОЙНОЙ | 3 | Одинокий | 800мВт | 1 | Другие транзисторы | 4,8 нс | 11нс | 14 нс | 23 нс | 2А | 9В | КРЕМНИЙ | 12 В | 800мВт Та | 2А | 0,198 Ом | -12В | P-канал | 170пФ при 6В | 198 мОм при 1 А, 4,5 В | 2А Та | 2,3 нк @ 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±9 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SCH1333-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-sch1333tlh-datasheets-2002.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | Без свинца | 6 | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | 6 | Одинокий | 800мВт | 5,7 нс | 11нс | 20 нс | 34 нс | 2А | 10 В | 20 В | 800мВт Та | -20В | P-канал | 250пФ при 10В | 130 мОм при 1 А, 4,5 В | 2А Та | 3,3 нк @ 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК625Р2-30С,118 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/nexperiausainc-buk625r230c118-datasheets-1993.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 12 недель | 3 | Олово | 3 | 15,3 нс | 41нс | 66 нс | 97 нс | 90А | 20 В | 30В | 128 Вт Тс | N-канал | 3470пФ при 25 В | 5,2 мОм при 15 А, 10 В | 2,8 В @ 1 мА | 90А Ц | 54,8 НК при 10 В | 10 В | ±16 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFT1350-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-sft1350h-datasheets-1848.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | Без свинца | 3 | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | 3 | 1 Вт | 8 нс | 40 нс | 44 нс | 52 нс | 19А | 20 В | 40В | 1 Вт Та 23 Вт Тс | -40В | P-канал | 590пФ при 20В | 59 мОм при 9,5 А, 10 В | 19А Та | 12 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDV301N-NB9V005 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fdv301nd87z-datasheets-2382.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 25 В | 350мВт Та | N-канал | 9,5 пФ при 10 В | 4 Ом при 400 мА, 4,5 В | 1,06 В при 250 мкА | 220 мА Та | 0,7 нк при 4,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BTS121AE3045ANTMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТЕМПФЕТ® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-bts121anksa1-datasheets-5212.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 3 | Нет | 95 Вт | 1 | ТО-220АБ | 1,5 нФ | 25 нс | 110 нс | 100 нс | 210 нс | 22А | 10 В | 100В | 95 Вт Тс | N-канал | 1500пФ при 25В | 100 мОм при 9,5 А, 4,5 В | 2,5 В при 1 мА | 22А Тк | 100 мОм | 4,5 В | ±10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НТМФС4846НТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-ntmfs4846nt3g-datasheets-9952.pdf | 8-PowerTDFN, 5 выводов | Без свинца | 5 | 5 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 5 | Одинокий | 5,9 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 10,7 нс | 18,9 нс | 7,1 нс | 34,2 нс | 20,3А | 16В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 890 мВт Ta 55,5 Вт Tc | 100А | 30В | N-канал | 3250пФ при 12 В | 3,4 мОм при 30 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 12,7 А Та 100 А Тс | 53 НК при 11,5 В | 4,5 В 11,5 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СФТ1423-Е | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/onsemiconductor-sft1423tle-datasheets-4801.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | Без свинца | 3 | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | НЕТ | 3 | Одинокий | 1 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | 7,4 нс | 8,8 нс | 27 нс | 42 нс | 2А | 20 В | 1 Вт Та 20 Вт Тс | 2А | 500В | N-канал | 175 пФ при 30 В | 4,9 Ом при 1 А, 10 В | 2А Та | 8,7 НК при 10 В | 4В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFT1450-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-sft1450tlh-datasheets-0021.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | Без свинца | 3 | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | 3 | Одинокий | 1 Вт | 10 нс | 42нс | 38 нс | 42 нс | 21А | 20 В | 1 Вт Та 23 Вт Тс | 40В | N-канал | 715пФ при 20 В | 28 мОм при 10,5 А, 10 В | 21А Та | 14,4 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFT1431-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-sft1431tle-datasheets-4206.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | Без свинца | 3 | да | Нет | 3 | 1 Вт | 12 нс | 40 нс | 36 нс | 60 нс | 11А | 20 В | 1 Вт Та 15 Вт Тс | 35В | N-канал | 960пФ при 20 В | 25 мОм при 5,5 А, 10 В | 11А Та | 17,3 НК при 10 В | 4В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 5ЛН01СС-ТЛ-Х | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-5ln01sstle-datasheets-4093.pdf | СК-81 | Без свинца | 7 недель | 3 | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | ДА | 3 | Одинокий | 150 мВт | Полномочия общего назначения FET | 18 нс | 42нс | 105 нс | 190 нс | 100 мА | 10 В | 150 мВт Та | 0,1 А | 50В | N-канал | 6,6 пФ при 10 В | 7,8 Ом при 50 мА, 4 В | 100 мА Та | 1,57 НК при 10 В | 1,5 В 4 В | ±10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFT1345-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/onsemiconductor-sft1345tlh-datasheets-3957.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | Без свинца | 10 недель | 3 | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | НЕТ | 3 | Одинокий | 1 Вт | 1 | Другие транзисторы | 9,5 нс | 25нс | 55 нс | 105 нс | 11А | 20 В | 100В | 1 Вт Та 35 Вт Тс | -100В | P-канал | 1020пФ при 20В | 275 мОм при 5,5 А, 10 В | 11А Та | 21 НК при 10 В | 4В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTLUS3A39PZTAG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | µCool™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-ntlus3a39pztag-datasheets-1904.pdf | 6-PowerUFDFN | 1,6 мм | 500 мкм | 1,6 мм | Без свинца | 6 недель | 6 | ПОЖИЗНЕННЫЙ (Последнее обновление: 20 часов назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | 6 | Одинокий | 1,5 Вт | Другие транзисторы | 7,2 нс | 12,2 нс | 34,8 нс | 34,7 нс | 5,2А | 8В | 20 В | 600мВт Та | -20В | P-канал | 920пФ при 15 В | 39 мОм при 4 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 3,4А Та | 10,4 нк при 4,5 В | 1,5 В 4,5 В | ±8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCH6341-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-mch6341tle-datasheets-4123.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Без свинца | 6 | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | 6 | 1,5 Вт | Другие транзисторы | 7,5 нс | 26нс | 35 нс | 45 нс | 5А | 20 В | Одинокий | 30В | 1,5 Вт Та | 5А | -30В | P-канал | 430пФ при 10 В | 59 мОм при 3 А, 10 В | 5А Та | 10 НК при 10 В | 4В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПА50R280CE | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/infineontechnologies-ipa50r280ce-datasheets-1911.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 3 | да | совместимый | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | 30,4 Вт Тс | ТО-220АБ | 42,9А | 0,28 Ом | 231 мДж | N-канал | 773пФ при 100 В | 280 мОм при 4,2 А, 13 В | 3,5 В при 350 мкА | 13А Тк | 32,6 НК при 10 В | Супер Джанкшн | 13В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CPH3360-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-cph3360tlw-datasheets-8190.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 900 мкм | 1,6 мм | Без свинца | 3 | 3 | да | EAR99 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | Одинокий | 900мВт | 1 | Другие транзисторы | 4 нс | 3,3 нс | 5,4 нс | 12 нс | 1,6 А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 900мВт Та | -30В | P-канал | 82пФ при 10 В | 303 мОм при 800 мА, 10 В | 1,6 А Та | 2,2 НК при 10 В | 4В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CPH6355-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-cph6355tlh-datasheets-1932.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 2,9 мм | 900 мкм | 1,6 мм | Без свинца | 6 | да | EAR99 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | ДА | 6 | Одинокий | 1,6 Вт | Другие транзисторы | 4,6 нс | 6,6 нс | 11,4 нс | 19,4 нс | 3А | 20 В | 30В | 1,6 Вт Та | 3А | -30В | P-канал | 172пФ при 10 В | 169 мОм при 1,5 А, 10 В | 3А Та | 3,9 НК при 10 В | 4В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDB7030BL | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/onsemiconductor-fdb7030bl-datasheets-1754.pdf&product=onsemiconductor-fdb7030bl-6925434 | 30В | 60А | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 10,67 мм | 4,83 мм | 9,65 мм | Без свинца | 2 | 1,31247 г | Нет СВХК | 9МОм | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | Олово | не_совместимо | е3 | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 60 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПССО-Г2 | 12 нс | 12нс | 19 нс | 30 нс | 60А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,9 В | 60 Вт Тс | 30В | N-канал | 1760пФ при 15В | 9 мОм при 30 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 60А Та | 24 НК при 5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||
| 5LN01C-TB-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-5ln01ctbe-datasheets-6732.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | да | EAR99 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | 3 | Одинокий | 250 мВт | 18 нс | 42нс | 105 нс | 190 нс | 100 мА | 10 В | 250мВт Та | 50В | N-канал | 6,6 пФ при 10 В | 7,8 Ом при 50 мА, 4 В | 100 мА Та | 1,57 НК при 10 В | 1,5 В 4 В | ±10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPD50R280CEBTMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 3 (168 часов) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipd50r280ceatma1-datasheets-7455.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | 6 недель | нет | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | 92 Вт Тс | 42,9А | 0,28 Ом | 231 мДж | N-канал | 773пФ при 100 В | 280 мОм при 4,2 А, 13 В | 3,5 В при 350 мкА | 13А Тк | 32,6 НК при 10 В | Супер Джанкшн | 13В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTD2955PT4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-ntd2955t4g-datasheets-9712.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | Одинокий | 55 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | 10 нс | 45нс | 48 нс | 26 нс | -12А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 55 Вт Тиджей | -60В | P-канал | 750пФ при 25В | 180 мОм при 6 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 12А Та | 30 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПА50R500CE | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Сквозное отверстие | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/infineontechnologies-ipp50r380cexksa1-datasheets-0409.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 3 | да | совместимый | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | 28 Вт Тс | ТО-220АБ | 24А | 0,5 Ом | 129 мДж | N-канал | 433пФ при 100 В | 500 мОм при 2,3 А, 13 В | 3,5 В при 200 мкА | 7,6 А Тс | 18,7 НК при 10 В | Супер Джанкшн | 13В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPD50R950CEBTMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 3 (168 часов) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/infineontechnologies-ipd50r950ceauma1-datasheets-7430.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 10 недель | нет | EAR99 | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 500В | 34 Вт Тс | N-канал | 231пФ при 100 В | 950 мОм при 1,2 А, 13 В | 3,5 В при 100 мкА | 4,3 А Тс | 10,5 НК при 10 В | Супер Джанкшн | 13В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVB6410ANT4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-nvb6410ant4g-datasheets-1790.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 2 | 25 недель | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | Одинокий | 188 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Г2 | 17 нс | 170 нс | 190 нс | 120 нс | 76А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 188 Вт Тс | 500 мДж | 100В | N-канал | 4500пФ при 25В | 13 мОм при 76 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 76А Тк | 120 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НДД04Н60ЗТ4Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-ndf04n60zg-datasheets-9348.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 6,73 мм | 2,38 мм | 6,22 мм | Без свинца | 2 | 12 недель | Нет СВХК | 1,8 Ом | 4 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4 | Одинокий | 83 Вт | 1 | Полномочия общего назначения FET | Р-ПССО-Г2 | 13 нс | 9нс | 15 нс | 24 нс | 4,1А | 30В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 3,9 В | 83 Вт Тс | 2,6А | 20А | 600В | N-канал | 640пФ при 25В | 2 Ом при 2 А, 10 В | 4,5 В при 50 мкА | 4.1А Тс | 29 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SFT1445-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-sft1445tlh-datasheets-2891.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | Без свинца | 2 недели | 3 | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | 3 | Одинокий | 1 Вт | 1 | 10 нс | 35 нс | 60 нс | 60 нс | 17А | 20 В | 1 Вт Та 35 Вт Тс | 100В | N-канал | 1030пФ при 20В | 111 мОм при 8,5 А, 10 В | 17А Та | 19 НК при 10 В | 4В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NDB6030PL | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/onsemiconductor-ndp6030pl-datasheets-5212.pdf | -30В | -30А | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 10,67 мм | 11,33 мм | 4,83 мм | Без свинца | 2 | 1,31247 г | 25мОм | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | КРЫЛО ЧАЙКИ | Одинокий | 75 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-ПССО-Г2 | 12,5 нс | 60нс | 52 нс | 50 нс | -30А | 16В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 75 Вт Тс | 90А | -30В | P-канал | 1570пФ при 15В | 25 мОм при 19 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 30А Ц | 36 НК при 5 В | 4,5 В 10 В | ±16 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 5ЛН01С-ТЛ-Е | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-5ln01stle-datasheets-1813.pdf | СК-75, СОТ-416 | Без свинца | 3 | 3 | да | EAR99 | 8541.21.00.95 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | Одинокий | 150 мВт | 1 | Полномочия общего назначения FET | 18 нс | 42нс | 105 нс | 190 нс | 100 мА | 10 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 150 мВт Та | 0,1 А | 50В | N-канал | 6,6 пФ при 10 В | 7,8 Ом при 50 мА, 4 В | 100 мА Та | 1,57 НК при 10 В | 1,5 В 4 В | ±10 В |
