Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MCH6444-TL-W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mch6444tlh-datasheets-4192.pdf | 6-SMD, плоские выводы | Без свинца | Нет СВХК | 88 | да | 4,2 нс | 4,7 нс | 5,7 нс | 15 нс | 2,5 А | 20 В | 35В | 2,6 В | 800мВт Та | N-канал | 186пФ при 20В | 98 мОм при 1,5 А, 10 В | 2,6 В при 1 мА | 2,5 А Та | 4 НК при 10 В | 4В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПП045Н10Н3ГХКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipp045n10n3ghksa1-datasheets-8303.pdf | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | Нет | ПГ-ТО220-3 | 8,41 нФ | 27 нс | 59нс | 14 нс | 48 нс | 100А | 20 В | 100 В | 214 Вт Тс | 4,2 мОм | 100 В | N-канал | 8410пФ при 50В | 4,5 мОм при 100 А, 10 В | 3,5 В @ 150 мкА | 100А Ц | 117 НК при 10 В | 4,5 мОм | 6В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTY8N65X2 | ИКСИС | $2,84 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ixta8n65x2-datasheets-2725.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 15 недель | EAR99 | не_совместимо | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 8А | 650В | 150 Вт Тс | N-канал | 800пФ при 25В | 500 мОм при 4 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 8А Тк | 12 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GA50JT12-263 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | ТО-263 | 3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 64-4123ПБФ | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | ДПАК | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМН63Д1Л-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/diodesincorporated-dmn63d1l13-datasheets-7298.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 10 недель | да | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 380 мА | 60В | 370мВт Та | N-канал | 30пФ при 25В | 2 Ом при 500 мА, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 380 мА Та | 0,3 нк при 4,5 В | 5В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПП100Н08Н3ГХКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipp100n08n3ghksa1-datasheets-8247.pdf | ТО-220-3 | 3 | EAR99 | Нет | ОДИНОКИЙ | 100 Вт | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | 14 нс | 46нс | 5 нс | 22 нс | 70А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 80В | 80В | 100 Вт Тс | ТО-220АБ | 280А | 90 мДж | N-канал | 2410пФ при 40В | 10 мОм при 46 А, 10 В | 3,5 В при 46 мкА | 70А Ц | 35 НК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПП030Н10Н3ГХКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipi030n10n3gxksa1-datasheets-9710.pdf | ТО-220-3 | 300 Вт | 1 | ПГ-ТО220-3 | 14,8 нФ | 34 нс | 58нс | 28 нс | 84 нс | 100А | 20 В | 100 В | 300 Вт Тс | N-канал | 14800пФ при 50В | 3 мОм при 100 А, 10 В | 3,5 В при 275 мкА | 100А Ц | 206 НК при 10 В | 3 мОм | 6В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПП12CN10NGXKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipp12cn10ngxksa1-datasheets-8255.pdf | ТО-220-3 | 3 | EAR99 | БЫСТРОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | неизвестный | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 100 В | 125 Вт Тс | ТО-220АБ | 67А | 268А | 0,0129Ом | 154 мДж | N-канал | 4320пФ при 50В | 12,9 мОм при 67 А, 10 В | 4 В @ 83 мкА | 67А Тк | 65 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПП057Н08Н3ГХКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipp057n08n3ghksa1-datasheets-8258.pdf | ТО-220-3 | 3 | EAR99 | ОДИНОКИЙ | 150 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПСФМ-Т3 | 18 нс | 66нс | 10 нс | 38 нс | 80А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 150 Вт Тс | ТО-220АБ | 320А | 0,0057Ом | 80В | N-канал | 4750пФ при 40В | 5,7 мОм при 80 А, 10 В | 3,5 В при 90 мкА | 80А Ц | 69 НК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SCH1337-TL-W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-sch1337tlh-datasheets-4268.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | Без свинца | 4 недели | Нет СВХК | 6 | 4,5 нс | 4,2 нс | 10,6 нс | 20 нс | 2А | 20 В | 30В | -2,6 В | 800мВт Та | P-канал | 172пФ при 10 В | 150 мОм при 1 А, 10 В | 2,6 В при 1 мА | 2А Та | 3,9 НК при 10 В | 4В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПП040Н06Н3ГХКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipp040n06n3ghksa1-datasheets-8164.pdf | ТО-220-3 | ПГ-ТО220-3 | 60В | 188 Вт Тс | N-канал | 11000пФ при 30В | 4 мОм при 90 А, 10 В | 4 В @ 90 мкА | 90А Ц | 98 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCH3374-TL-W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/onsemiconductor-mch3374tle-datasheets-7001.pdf | 3-СМД, плоский вывод | Без свинца | 6 недель | Нет СВХК | 70 | да | 8,8 нс | 80 нс | 50 нс | 41 нс | 3А | 8В | 12 В | -1,4 В | 1 Вт Та | P-канал | 405пФ при 6В | 70 мОм при 1,5 А, 4,5 В | 1,4 В при 1 мА | 3А Та | 5,6 нк при 4,5 В | 1,8 В 4 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПП093Н06Н3ГХКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipp093n06n3ghksa1-datasheets-8178.pdf | ТО-220-3 | 3 | 12 недель | 3 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | ОДИНОКИЙ | 1 | 15 нс | 40 нс | 5 нс | 20 нс | 50А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | 71 Вт Тс | ТО-220АБ | 200А | N-канал | 2900пФ при 30 В | 9,3 мОм при 50 А, 10 В | 4 В @ 34 мкА | 50А Ц | 36 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФДМС9409-F085 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fdms9409f085-datasheets-8182.pdf | 8-PowerTDFN | 172,8 мг | 8 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 260 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 65А | 40В | 100 Вт ТиДж. | N-канал | 3130пФ при 20 В | 3,2 мОм при 65 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 65А Ц | 62 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CPH3360-TL-W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cph3360tlw-datasheets-8190.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 4 недели | Нет СВХК | 3 | да | Олово | неизвестный | е6 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 1 | 4 нс | 3,3 нс | 5,4 нс | 12 нс | 1,6А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | -2,6 В | 900мВт Та | P-канал | 82пФ при 10 В | 303 мОм при 800 мА, 10 В | 2,6 В при 1 мА | 1,6 А Та | 2,2 НК при 10 В | 4В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIPC26N60S5X1SA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2015 год | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПБ60Р190П6АТМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ P6 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipb60r190p6atma1-datasheets-7997.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Содержит свинец | 2 | 12 недель | да | EAR99 | Без галогенов | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПССО-Г2 | 20,2А | 600В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 151 Вт Тс | 57А | 0,19 Ом | 419 мДж | N-канал | 1750пФ при 100В | 190 мОм при 7,6 А, 10 В | 4,5 В @ 630 мкА | 20,2 А Тс | 37 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCH6331-TL-W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-mch6331tlh-datasheets-4167.pdf | 6-SMD, плоские выводы | Без свинца | 4 недели | Нет СВХК | 88 | да | 5,4 нс | 12нс | 19 нс | 26 нс | 3,5 А | 20 В | 30В | -2,6 В | 1,5 Вт Та | P-канал | 250пФ при 10В | 98 мОм при 1,5 А, 10 В | 2,6 В при 1 мА | 3,5 А Та | 5 нк @ 10 В | 4В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПП075Н15Н3ГХКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipi075n15n3gxksa1-datasheets-2038.pdf | ТО-220-3 | 8 недель | Нет | 300 Вт | 1 | ПГ-ТО220-3 | 5,47 нФ | 25 нс | 35 нс | 14 нс | 46 нс | 100А | 20 В | 150 В | 300 Вт Тс | 7,2 мОм | 150 В | N-канал | 5470пФ при 75В | 7,5 мОм при 100 А, 10 В | 4 В @ 270 мкА | 100А Ц | 93 НК при 10 В | 7,5 мОм | 8В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПП072Н10Н3ГХКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipp072n10n3ghksa1-datasheets-8220.pdf | ТО-220-3 | 3 | Нет | ПГ-ТО220-3 | 4,91 нФ | 19 нс | 37нс | 9 нс | 37 нс | 80А | 20 В | 100 В | 150 Вт Тс | 7,2 мОм | 80В | N-канал | 4910пФ при 50В | 7,2 мОм при 80 А, 10 В | 3,5 В при 90 мкА | 80А Ц | 68 НК при 10 В | 7,2 мОм | 6В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПП052Н06Л3ГХКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipp052n06l3gxksa1-datasheets-2713.pdf | ТО-220-3 | ПГ-ТО220-3 | 60В | 115 Вт Тс | N-канал | 8400пФ при 30 В | 5 мОм при 80 А, 10 В | 2,2 В @ 58 мкА | 80А Ц | 50 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПП084Н06Л3ГХКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipp084n06l3ghksa1-datasheets-8140.pdf | ТО-220-3 | 10,36 мм | 15,95 мм | 4,57 мм | 3 | 3 | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | неизвестный | Одинокий | 79 Вт | 1 | 15 нс | 26нс | 7 нс | 37 нс | 50А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | 79 Вт Тс | ТО-220АБ | 200А | 0,0084Ом | N-канал | 4900пФ при 30 В | 8,4 мОм при 50 А, 10 В | 2,2 В @ 34 мкА | 50А Ц | 29 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПП057Н06Н3ГХКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipp057n06n3ghksa1-datasheets-8144.pdf | ТО-220-3 | 60В | 115 Вт Тс | N-канал | 6600пФ при 30 В | 5,7 мОм при 80 А, 10 В | 4 В @ 58 мкА | 80А Ц | 82 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPL60R255P6AUMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ P6 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/infineontechnologies-ipl60r255p6auma1-datasheets-7899.pdf | 4-PowerTSFN | Содержит свинец | 4 | 12 недель | 4 | да | Без галогенов | ОДИНОКИЙ | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | 15,9А | 600В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 126 Вт Тс | 0,255 Ом | 352 мДж | N-канал | 1450пФ при 100В | 255 мОм при 6,4 А, 10 В | 4,5 В при 530 мкА | 15,9 А Тс | 31 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПП052НЕ7Н3ГХКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipp052ne7n3ghksa1-datasheets-8157.pdf | ТО-220-3 | 10,36 мм | 15,95 мм | 4,57 мм | 3 | Нет | Одинокий | ПГ-ТО220-3 | 4,75 нФ | 14 нс | 11нс | 8 нс | 30 нс | 80А | 20 В | 75В | 150 Вт Тс | 5,2 мОм | 75В | N-канал | 4750пФ при 37,5 В | 5,2 мОм при 80 А, 10 В | 3,8 В @ 91 мкА | 80А Ц | 68 НК при 10 В | 5,2 мОм | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПП032Н06Н3ГХКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipp032n06n3ghksa1-datasheets-8160.pdf | ТО-220-3 | Нет | 188 Вт | 1 | ПГ-ТО220-3 | 13нФ | 35 нс | 120 нс | 20 нс | 62 нс | 120А | 20 В | 60В | 188 Вт Тс | N-канал | 13000пФ при 30В | 3,2 мОм при 100 А, 10 В | 4 В @ 118 мкА | 120А Ц | 165 НК при 10 В | 3,2 мОм | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМТХ4004SPSQ-13 | Диодс Инкорпорейтед | $6,93 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/diodesincorporated-dmth4004spsq13-datasheets-8063.pdf | 8-PowerTDFN | 5 | 7 недель | 8 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | АЭК-Q101 | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Ф5 | 100А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 40В | 3,6 Вт Та 167 Вт Тс | 31А | 200А | 0,0027Ом | 200 мДж | N-канал | 4305пФ при 25 В | 2,7 мОм при 90 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 31А Та 100А Ц | 68,6 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMN2400UFDQ-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/diodesincorporated-dmn2400ufdq7-datasheets-8019.pdf | 3-PowerUDFN | 6 недель | 3 | EAR99 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 900 мА | 20 В | 400мВт Та | N-канал | 37пФ при 16В | 600 мОм при 200 мА, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 900 мА Та | 0,5 нк при 4,5 В | 1,5 В 4,5 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPD50R800CEATMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ CE | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipd50r800cebtma1-datasheets-8242.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 3 | ПГ-ТО252-3 | 280пФ | 6,2 нс | 5,5 нс | 15,9 нс | 26 нс | 5А | 20 В | 500В | 60 Вт Тс | N-канал | 280пФ при 100В | 800 мОм при 1,5 А, 13 В | 3,5 В при 130 мкА | 5А Ц | 12,4 НК при 10 В | 800 мОм | 13В | ±20 В |
