Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Пороговое напряжение | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Выключить Тайм-Макс (toff) | Время включения-Макс (тонна) | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| HAT2131R-EL-E | Ренесас Электроникс Америка | 0,35 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-hat2131rele-datasheets-7649.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 16 недель | да | EAR99 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 8 | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г8 | 900 мА | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 350В | 350В | 2,5 Вт Та | 0,9 А | 7,2А | 3,2 Ом | N-канал | 460пФ при 25В | 3 Ом при 450 мА, 10 В | 900 мА Та | 20 НК при 10 В | 4В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK3431-АЗ | Ренесас Электроникс Америка | $14,72 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-2sk3431az-datasheets-7662.pdf | ТО-220-3 | 3 | 16 недель | 3 | EAR99 | 8541.29.00.95 | ОДИНОКИЙ | 260 | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 120 нс | 1,8 мкс | 440 нс | 350 нс | 83А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 40В | 1,5 Вт Та 100 Вт Тс | ТО-220АБ | 0,0089Ом | N-канал | 6100пФ при 10 В | 5,6 мОм при 42 А, 10 В | 83А Тк | 110 НК при 10 В | 4В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК9880-55,135 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | /files/nexperiausainc-buk988055135-datasheets-6992.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | Без свинца | 4 | 73 | EAR99 | ЗАЩИТА ОТ ЭСР, СОВМЕСТИМОСТЬ С ЛОГИЧЕСКИМ УРОВНЕМ | Олово | Нет | е3 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 4 | 40 | 1,8 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПДСО-Г4 | 10 нс | 30 нс | 30 нс | 30 нс | 7,5 А | 10 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 8,3 Вт Тс | 3,5 А | 40А | 0,08 Ом | 30 мДж | 55В | N-канал | 650пФ при 25В | 80 мОм при 5 А, 5 В | 2 В при 1 мА | 7,5 А Тс | 5В | ±10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПП100Н06С205АКСА2 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipb100n06s205atma4-datasheets-6871.pdf | ТО-220-3 | Содержит свинец | 3 | 6.000006г | Без галогенов | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 1 | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | 100А | 55В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 300 Вт Тс | ТО-220АБ | 400А | 0,005 Ом | N-канал | 5110пФ при 25 В | 5 м Ом при 80 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 100А Ц | 170 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АУИРЛЗ24НС | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/infineontechnologies-auirlz24nstrl-datasheets-7299.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 13 недель | EAR99 | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 18А | 55В | 3,8 Вт Та 45 Вт Тс | N-канал | 480пФ при 25В | 60 мОм при 11 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 18А Тк | 15 НК при 5 В | 4В 10В | ±16 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПП80Н06С2Л06АКСА2 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipb80n06s2l06atma2-datasheets-5969.pdf | ТО-220-3 | 3 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | 80А | 55В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 250 Вт Тс | ТО-220АБ | 320А | 0,0081Ом | 530 мДж | N-канал | 3800пФ при 25В | 6,3 мОм при 69 А, 10 В | 2 В при 180 мкА | 80А Ц | 150 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTMFS4C06NT1G-001 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-ntmfs4c06nt1g-datasheets-0731.pdf | 8-PowerTDFN | 8 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 69А | Одинокий | 30В | 770мВт Та | N-канал | 1683пФ при 15 В | 4 м Ом при 30 А, 10 В | 2,1 В @ 250 мкА | 11А Та 69А Ц | 26 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФДМС86568-F085 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fdms86568f085-datasheets-7375.pdf | 8-PowerTDFN | 172,8 мг | 8 | ПОЖИЗНЕННЫЙ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 260 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 80А | 60В | 214 Вт Тиджей | N-канал | 4335пФ при 30 В | 3,5 мОм при 80 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 80А Ц | 71 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПД60Р750Е6АТМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ E6 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/infineontechnologies-ipd60r750e6btma1-datasheets-5371.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 12 недель | 3,949996 г | 3 | 1 | ПГ-ТО252-3 | 373пФ | 9 нс | 7нс | 12 нс | 50 нс | 5,7А | 20 В | 600В | 600В | 48 Вт Тс | 680мОм | N-канал | 373пФ при 100 В | 750 мОм при 2 А, 10 В | 3,5 В @ 170 мкА | 5,7 А Тс | 17,2 НК при 10 В | 750 мОм | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPD65R380C6ATMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ C6 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipd65r380c6btma1-datasheets-8795.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | 12 недель | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 1 | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 650В | 650В | 83 Вт Тс | 10,6А | 29А | 0,38 Ом | 215 мДж | N-канал | 710пФ при 100В | 380 мОм при 3,2 А, 10 В | 3,5 В @ 320 мкА | 10,6 А Тс | 39 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СК1518-Э | Ренесас Электроникс Америка | $6,43 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/renesaselectronicsamerica-2sk1518e-datasheets-7519.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | Без свинца | 3 | 16 недель | 3 | да | Нет | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | ОДИНОКИЙ | 4 | 120 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 35 нс | 130 нс | 105 нс | 240 нс | 20А | 30В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | 120 Вт Тс | 80А | 0,27 Ом | N-канал | 3050пФ при 10 В | 270 мОм при 10 А, 10 В | 20А Та | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПИ80Н04С204АКСА2 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipi80n04s204aksa2-datasheets-7521.pdf | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | Содержит свинец | 3 | 14 недель | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Без галогенов | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСИП-Т3 | 80А | 40В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 300 Вт Тс | 320А | 0,0037Ом | 810 мДж | N-канал | 5300пФ при 25В | 3,7 мОм при 80 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 80А Ц | 170 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6232А | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,27 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | 8-PowerSMD, плоские выводы | 8-ДФН (5х6) | 3,25 нФ | 85А | 40В | 6,2 Вт Ta 113,5 Вт Tc | N-канал | 3250пФ при 20В | 2,9 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 35А Та 85А Ц | 60 НК при 10 В | 2,9 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDMS9411-F085 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, PowerTrench® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fdms9411f085-datasheets-7480.pdf | 8-PowerTDFN | 40 недель | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | ДА | 260 | НЕ УКАЗАН | Полевой транзистор общего назначения | Одинокий | 40В | 68,2 Вт ТДж | 30А | N-канал | 1100пФ при 20В | 7,8 мОм при 30 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 30А Ц | 22 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПП100Н04С204АКСА2 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/infineontechnologies-ipb100n04s204atma4-datasheets-4363.pdf | ТО-220-3 | Содержит свинец | 3 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | 100А | 40В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 300 Вт Тс | ТО-220АБ | 400А | 0,0036Ом | 810 мДж | N-канал | 5300пФ при 25В | 3,6 мОм при 80 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 100А Ц | 172 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПУ60Р1К0СЕАКМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ CE | Сквозное отверстие | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 3 (168 часов) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipu60r1k0ceakma1-datasheets-7553.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | 3 | 6 недель | да | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСИП-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | 12А | 1 Ом | 46 мДж | N-канал | 280пФ при 100В | 1 Ом при 1,5 А, 10 В | 3,5 В при 130 мкА | 4,3 А Тс | 13 нк @ 10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФС5К410НЛТ3Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs5c410nlaft3g-datasheets-3897.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 5 | 38 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101 | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | 30 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПДСО-Ф5 | 315А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 40В | 40В | 3,8 Вт Ta 167 Вт Tc | 900А | 0,0013Ом | 706 мДж | N-канал | 8862пФ при 25 В | 0,9 мОм при 50 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 48А Та 315А Ц | 143 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H7N1002LS-E | Ренесас Электроникс Америка | $7,87 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-h7n1002lse-datasheets-7603.pdf | СК-83 | 16 недель | 3 | 100 Вт | 1 | 4-ЛДПАК | 9,7 нФ | 75А | 20 В | 100 В | 100 Вт Тс | N-канал | 9700пФ при 10 В | 10 мОм при 37,5 А, 10 В | 75А Та | 155 НК при 10 В | 10 мОм | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFSL7437TRLPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | HEXFET®, StrongIRFET™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-irfs7437trlpbf-datasheets-9988.pdf | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | 195А | 40В | 230 Вт Тс | N-канал | 7330пФ при 25 В | 1,8 мОм при 100 А, 10 В | 3,9 В @ 150 мкА | 195А Ц | 225 НК при 10 В | 6В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPD50R280CEATMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ CE | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipd50r280ceatma1-datasheets-7455.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | 52 недели | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 1 | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | 119 Вт Тс | 42,9А | 0,28 Ом | 231 мДж | N-канал | 773пФ при 100 В | 280 мОм при 4,2 А, 13 В | 3,5 В при 350 мкА | 13А Тк | 32,6 НК при 10 В | 13В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФС5К410НЛТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs5c410nlaft3g-datasheets-3897.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 38 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | Полевой транзистор общего назначения | 315А | Одинокий | 40В | 3,8 Вт Ta 167 Вт Tc | N-канал | 8862пФ при 25 В | 0,9 мОм при 50 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 48А Та 315А Ц | 143 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НДПЛ180Н10БГ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 175°С, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-ndpl180n10bg-datasheets-7373.pdf | ТО-220-3 | 10 мм | 15,7 мм | 4,5 мм | Без свинца | 5 недель | Нет СВХК | 3 | да | Одинокий | 95 нс | 185 нс | 180А | 20 В | 100 В | 4В | 2,1 Вт Та 200 Вт Тс | N-канал | 6950пФ при 50В | 3 мОм при 15 В, 50 А | 4 В при 1 мА | 180А Та | 95 НК при 10 В | 10 В 15 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФДМС9408-F085 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fdms9408f085-datasheets-7383.pdf | 8-PowerTDFN | 5 | 172,8 мг | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Ф5 | 80А | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 40В | 214 Вт Тиджей | 143 мДж | N-канал | 5120пФ при 25 В | 79нс | 51нс | 1,8 мОм при 80 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 80А Ц | 92 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFH7190TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | FASTIRFET™, HEXFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-irfh7190trpbf-datasheets-7392.pdf | 8-PowerTDFN | 7,5 мОм | 8 | EAR99 | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 82А | 100 В | 3,6 Вт Та 104 Вт Тс | N-канал | 1685пФ при 50В | 7,5 мОм при 49 А, 10 В | 3,6 В @ 100 мкА | 15А Та 82А Ц | 39 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД2904 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2011 г. | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | ТО-252, (Д-Пак) | 2,785 нФ | 70А | 100 В | 2,7 Вт Ta 125 Вт Tc | N-канал | 2785пФ при 50В | 10 мОм при 20 А, 10 В | 3,4 В @ 250 мкА | 10,5 А Та 70 А Тс | 52 НК при 10 В | 10 мОм | 6В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НДД60Н550У1Т4Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-ndd60n550u135g-datasheets-7304.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 17 недель | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | Полевой транзистор общего назначения | 8,2А | Одинокий | 600В | 94 Вт Тс | 8,5 А | N-канал | 540пФ при 50В | 550 мОм при 4 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 8,2 А Тс | 18 НК @ 10 В | 10 В | ±25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF3707ZSTRLPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | HEXFET®, StrongIRFET™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/infineontechnologies-irf3707zspbf-datasheets-8539.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 2 | 15 недель | 9,5 мОм | EAR99 | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 30 | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 59А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 30В | 57 Вт Тс | 42А | 230А | 40 мДж | N-канал | 1210пФ при 15 В | 9,5 мОм при 21 А, 10 В | 2,25 В @ 25 мкА | 59А Тк | 15 НК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФС5К604НЛВФТ3Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs5c604nlwfaft1g-datasheets-2820.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 30 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | Полевой транзистор общего назначения | 287А | Одинокий | 60В | 3,9 Вт Та 200 Вт Тс | N-канал | 8900пФ при 25 В | 1,2 мОм при 50 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 40А Та 287А Ц | 120 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTMFS4C09NT1G-001 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-ntmfs4c09nt1g-datasheets-6983.pdf | 8-PowerTDFN | 12 недель | 8 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 52А | Одинокий | 30В | 760мВт Та | N-канал | 1252пФ при 15 В | 5,8 мОм при 30 А, 10 В | 2,1 В @ 250 мкА | 9А Та 52А Ц | 22,2 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМП3065ЛВТ-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/diodesincorporated-dmp3065lvt13-datasheets-7426.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 6 недель | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | 260 | 1 | Одинокий | 30 | 5,7 нс | 11,8 нс | 23,9 нс | 21,8 нс | 5,1А | 20 В | 30В | 1,2 Вт Та | P-канал | 880пФ при 15В | 42 мОм при 4,9 А, 10 В | 2,1 В @ 250 мкА | 5.1А Та | 20 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В |
