Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные МОП-транзисторы(33658)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NVMFS5C612NLWFT3G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs5c612nlaft3g-datasheets-7806.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 38 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 5 дней назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | Полевой транзистор общего назначения | 235А | Одинокий | 60В | 3,8 Вт Ta 167 Вт Tc | N-канал | 6660пФ при 25 В | 1,5 мОм при 50 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 36А Та 235А Ц | 91 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НДФ06Н60ЗГ-001 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2013 год | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFS5C670NLWFT3G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs5c670nlwfaft1g-datasheets-4576.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 5 | 38 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101 | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 1 | Р-ПДСО-Ф5 | 71А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 60В | 60В | 3,6 Вт Та 61 Вт Тс | 440А | 166 мДж | N-канал | 1400пФ при 25В | 6,1 мОм при 35 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 17А Та 71А Ц | 20 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФС5К404НВФТ3Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs5c404nt1g-datasheets-7136.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 30 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 2 недели назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 378А | 40В | 3,9 Вт Та 200 Вт Тс | N-канал | 8400пФ при 25В | 0,7 мОм при 50 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 53А Та 378А Ц | 128 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПП60Р230П6ХКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ P6 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipp60r230p6xksa1-datasheets-7848.pdf | ТО-220-3 | Без свинца | 12 недель | 3 | Без галогенов | ПГ-ТО220-3 | 1,45 нФ | 12 нс | 7нс | 6 нс | 38 нс | 16,8А | 20 В | 600В | 600В | 126 Вт Тс | 207мОм | N-канал | 1450пФ при 100В | 230 мОм при 6,4 А, 10 В | 4,5 В при 530 мкА | 16,8 А Тс | 31 НК при 10 В | 230 мОм | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BSG0812NDATMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2010 год | 18 недель | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GA20SICP12-247 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | SiC (карбидокремниевый переходной транзистор) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/genesicemiconductor-ga20sicp12247-datasheets-7864.pdf | ТО-247-3 | 18 недель | 45А | 1200В | 282 Вт Тс | 3091пФ при 800В | 50 мОм при 20 А | 45А Ц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПП60Р330П6ХКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ P6 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/infineontechnologies-ipw60r330p6fksa1-datasheets-7831.pdf | ТО-220-3 | Без свинца | 12 недель | 3 | Без галогенов | ПГ-ТО220-3 | 1,01 нФ | 12 нс | 7нс | 33 нс | 12А | 20 В | 600В | 600В | 93 Вт Тс | 297мОм | N-канал | 1010пФ при 100В | 330 мОм при 4,5 А, 10 В | 4,5 В при 370 мкА | 12А Ц | 22 НК при 10 В | 330 мОм | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCH3477-TL-W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2016 год | 3-СМД, плоский вывод | Без свинца | 3 | 5 недель | 3 | да | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | ДВОЙНОЙ | 1 | 7,5 нс | 26нс | 32 нс | 38 нс | 4,5 А | 12 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | 1 Вт Та | N-канал | 410пФ при 10 В | 38 мОм при 2 А, 4,5 В | 1,3 В @ 1 мА | 4,5 А Та | 5,1 нк @ 4,5 В | 1,8 В 4,5 В | ±12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФС5К423НЛТ3Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs5c423nlt1g-datasheets-1851.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 38 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 2 недели назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 150А | 40В | 3,7 Вт Та 83 Вт Тс | N-канал | 3100пФ при 20 В | 2 м Ом при 50 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 31А Та 150А Ц | 50 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НДФ10Н60ЗГ-001 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 26 недель | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НДД60Н900У1Т4Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/onsemiconductor-ndd60n900u11g-datasheets-7774.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 4 недели | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | Полевой транзистор общего назначения | 5,7А | Одинокий | 600В | 74 Вт Тк | 5,9А | N-канал | 360пФ при 50В | 900 мОм при 2,5 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 5,7 А Тс | 12 НК при 10 В | 10 В | ±25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFS5C423NLWFT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs5c423nlt1g-datasheets-1851.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 38 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 2 недели назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 150А | 40В | 3,7 Вт Та 83 Вт Тс | N-канал | 3100пФ при 20 В | 2 м Ом при 50 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 31А Та 150А Ц | 50 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФС5К404НТ3Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfs5c404nt1g-datasheets-7136.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 18 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 378А | 40В | 3,9 Вт Та 200 Вт Тс | N-канал | 8400пФ при 25В | 0,7 мОм при 50 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 53А Та 378А Ц | 128 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НДД03Н80З-1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 3 (168 часов) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/onsemiconductor-ndd03n80z1g-datasheets-7826.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | 6,73 мм | 7,62 мм | 2,38 мм | Без свинца | 3 | 12 недель | 4 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | 4 | Одинокий | 1 | Полномочия общего назначения FET | Р-ПСИП-Т3 | 9 нс | 7нс | 9 нс | 17 нс | 2,9 А | 30В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 800В | 800В | 96 Вт Тс | 1,9 А | 12А | 100 мДж | N-канал | 440пФ при 25В | 4,5 Ом при 1,2 А, 10 В | 4,5 В при 50 мкА | 2,9 А Тс | 17 НК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| SFT1431-TL-W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-sft1431tle-datasheets-4206.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 4 недели | 3 | да | 12 нс | 40 нс | 36 нс | 60 нс | 11А | 20 В | 35В | 1 Вт Та 15 Вт Тс | N-канал | 960пФ при 20 В | 25 мОм при 5,5 А, 10 В | 2,6 В при 1 мА | 11А Та | 17,3 НК при 10 В | 4В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК9880-55/КУФ | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/nexperiausainc-buk988055cuf-datasheets-7776.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | 4 | 12 недель | 4 | Олово | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 1 | 10 нс | 30 нс | 30 нс | 30 нс | 7,5 А | 10 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 55В | 55В | 8,3 Вт Тс | 0,08 Ом | 30 мДж | N-канал | 650пФ при 25В | 80 мОм при 5 А, 5 В | 2 В при 1 мА | 7,5 А Тс | 5В | ±10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NDD60N745U1T4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-ndd60n745u1t4g-datasheets-7781.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 4 недели | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | Полевой транзистор общего назначения | 6,6А | Одинокий | 600В | 84 Вт Тс | 6,8А | N-канал | 440пФ при 50В | 745 мОм при 3,25 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 6,6 А Тс | 15 НК при 10 В | 10 В | ±25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НДД60Н745У1-35Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 3 (168 часов) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-ndd60n745u1t4g-datasheets-7781.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | Без свинца | 4 недели | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 6,6А | 600В | 84 Вт Тс | N-канал | 440пФ при 50В | 745 мОм при 3,25 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 6,6 А Тс | 15 НК при 10 В | 10 В | ±25 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НДБА180Н10БТ4Х | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/onsemiconductor-ndba180n10bt4h-datasheets-7788.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 2 | 4 недели | 3 | да | СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | е3 | Олово (Вс) | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 1 | Р-ПССО-Г2 | 95 нс | 320 нс | 130 нс | 185 нс | 180А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 100 В | 200 Вт Тс | 100А | 600А | 451 мДж | N-канал | 6950пФ при 50В | 2,8 мОм при 50 А, 15 В | 4 В при 1 мА | 180А Та | 95 НК при 10 В | 10 В 15 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПУ60Р1К5СЕАКМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ CE | Сквозное отверстие | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 3 (168 часов) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipu60r1k5ceakma1-datasheets-7790.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | 3 | 6 недель | да | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 1 | Р-ПСИП-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 49 Вт | 600В | 600В | 5А | 8А | 26 мДж | N-канал | 200пФ при 100В | 1,5 Ом при 1,1 А, 10 В | 3,5 В при 90 мкА | 3,1 А Тс | 9,4 НК при 10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НДПЛ100Н10БГ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 175°С, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-ndpl100n10bg-datasheets-7794.pdf | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | 6 недель | 3 | да | е3 | Олово (Вс) | ОДИНОКИЙ | 1 | 40 нс | 385 нс | 52 нс | 68 нс | 100А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 100 В | 2,1 Вт Та 110 Вт Тс | ТО-220АБ | 400А | 0,0087Ом | 147 мДж | N-канал | 2950пФ при 50В | 7,2 мОм при 50 А, 15 В | 4 В при 1 мА | 100А Та | 35 НК при 10 В | 10 В 15 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НДБА170Н06АТ4Х | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-ndba170n06at4h-datasheets-7796.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 5 недель | да | EAR99 | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 170А | 60В | 90 Вт Тс | N-канал | 15800пФ при 20В | 3,3 мОм при 50 А, 10 В | 2,6 В при 1 мА | 170А Та | 280 НК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCH6448-TL-W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mch6448tlh-datasheets-3890.pdf | 6-SMD, плоские выводы | Без свинца | 4 недели | 6 | да | 6 нс | 47нс | 81 нс | 103 нс | 8А | 9В | 20 В | 1,5 Вт Та | N-канал | 705пФ при 10В | 22 мОм при 4 А, 4,5 В | 1 В @ 1 мА | 8А Та | 11,2 НК при 4,5 В | 1,2 В 4,5 В | ±9 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЕПК2025 | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует RoHS | 2012 год | Править | Править | 194пФ | 4А | 300В | N-канал | 194 пФ при 240 В | 150 мОм при 3 А, 5 В | 2,5 В при 1 мА | 4А Та | 150 мОм | 5В | +6В, -4В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НДД60Н745У1-1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 3 (168 часов) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-ndd60n745u1t4g-datasheets-7781.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | Без свинца | 5 недель | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | Полевой транзистор общего назначения | 6,6А | Одинокий | 600В | 84 Вт Тс | 6,8А | N-канал | 440пФ при 50В | 745 мОм при 3,25 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 6,6 А Тс | 15 НК при 10 В | 10 В | ±25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFS5C410NLWFT3G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-nvmfs5c410nlaft3g-datasheets-3897.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 38 недель | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | Полевой транзистор общего назначения | 315А | Одинокий | 40В | 3,8 Вт Ta 167 Вт Tc | N-канал | 8862пФ при 25 В | 0,9 мОм при 50 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 48А Та 315А Ц | 143 НК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFT1431-W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-sft1431tle-datasheets-4206.pdf | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | Без свинца | 4 недели | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Полевой транзистор общего назначения | 11А | Одинокий | 35В | 1 Вт Та 15 Вт Тс | N-канал | 960пФ при 20 В | 25 мОм при 5,5 А, 10 В | 2,6 В при 1 мА | 11А Та | 17,3 НК при 10 В | 4В 10В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCH3476-TL-W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mch3476tlh-datasheets-0652.pdf | 3-СМД, плоский вывод | Без свинца | 4 недели | 3 | СК-70ФЛ/MCPH3 | 128пФ | 5,1 нс | 11нс | 12 нс | 14,5 нс | 2А | 12 В | 20 В | 800мВт Та | N-канал | 128пФ при 10В | 125 мОм при 1 А, 4,5 В | 1,3 В @ 1 мА | 2А Та | 1,8 нк @ 4,5 В | 125 мОм | 1,8 В 4,5 В | ±12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPD60R460CEATMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | CoolMOS™ CE | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipa60r460cexksa1-datasheets-0791.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 3,949996 г | да | EAR99 | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 1 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПССО-Г2 | 11 нс | 9нс | 10 нс | 70 нс | 9,1А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | 74 Вт Тк | 26А | 0,46 Ом | N-канал | 620пФ при 100В | 460 мОм при 3,4 А, 10 В | 3,5 В при 280 мкА | 9.1А Ц | 28 НК при 10 В | 10 В | ±20 В |
